JP3231956B2 - 光電式煙感知器 - Google Patents
光電式煙感知器Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光電式煙感知器に関
し、特に車載用および家庭用空気清浄器に用いられる光
電式煙感知器に関する。
し、特に車載用および家庭用空気清浄器に用いられる光
電式煙感知器に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は、従来の光電式煙感知器の構造を
示す概略図であり、図６は従来の発光部にて発する照射
光の指向性を示す概略図である。
示す概略図であり、図６は従来の発光部にて発する照射
光の指向性を示す概略図である。
【０００３】図５に示すように、従来の光電式煙感知器
は、煙がケース内部を通過可能とする通過窓１を備えた
外装ケース２を有し、該外装ケース２内に、前記煙の通
過路に対して光を照射する発光部３と、該発光部３から
の光が煙によって散乱しその散乱光を受光する受光部４
と、前記散乱光以外の光（以下、「外乱光」と称す。）
が受光部４にて受光されないよう外乱光を遮光するスリ
ット５とを備えてなるものである。前記外装ケース２は
箱体からなり、その内の対向する２面のほぼ中心部に煙
を外装ケース２内部にて通過させるための通過窓１が設
けられている。
は、煙がケース内部を通過可能とする通過窓１を備えた
外装ケース２を有し、該外装ケース２内に、前記煙の通
過路に対して光を照射する発光部３と、該発光部３から
の光が煙によって散乱しその散乱光を受光する受光部４
と、前記散乱光以外の光（以下、「外乱光」と称す。）
が受光部４にて受光されないよう外乱光を遮光するスリ
ット５とを備えてなるものである。前記外装ケース２は
箱体からなり、その内の対向する２面のほぼ中心部に煙
を外装ケース２内部にて通過させるための通過窓１が設
けられている。
【０００４】前記発光部３および受光部４は、前記外装
ケース２内において底面に対してそれぞれ傾斜して配置
されており、前記発光部３には例えばＧａＡｌＡｓやＧ
ａＡｓ等の発光ダイオード（ＬＥＤ）６が設けられてお
り、受光部４にはフォトダイオード（図示せず）が設け
られている。前記発光ダイオード６は、例えば波長９５
０ｎｍの赤外光を発する半導体素子よりなる。
ケース２内において底面に対してそれぞれ傾斜して配置
されており、前記発光部３には例えばＧａＡｌＡｓやＧ
ａＡｓ等の発光ダイオード（ＬＥＤ）６が設けられてお
り、受光部４にはフォトダイオード（図示せず）が設け
られている。前記発光ダイオード６は、例えば波長９５
０ｎｍの赤外光を発する半導体素子よりなる。
【０００５】前記スリット５は２枚の平板よりなり、そ
れぞれ前記発光部３に対応して傾斜して設けられてお
り、一方のスリット５ａは外装ケース２の底面よりその
先端（光路側）が通過窓１よりも発光部側に配置される
よう設けられ、他方のスリット５ｂは外装ケース２の上
面よりその先端が通過窓１よりも受光部側に配置される
よう設けられている。前記スリット５ａは、発光部３か
らの直接光が受光部４にて受光されるのを防止するため
のものであり、スリット５ｂは、受光部側のケース内壁
にて反射した反射光が受光部４にて受光されるのを防止
するためのものである。
れぞれ前記発光部３に対応して傾斜して設けられてお
り、一方のスリット５ａは外装ケース２の底面よりその
先端（光路側）が通過窓１よりも発光部側に配置される
よう設けられ、他方のスリット５ｂは外装ケース２の上
面よりその先端が通過窓１よりも受光部側に配置される
よう設けられている。前記スリット５ａは、発光部３か
らの直接光が受光部４にて受光されるのを防止するため
のものであり、スリット５ｂは、受光部側のケース内壁
にて反射した反射光が受光部４にて受光されるのを防止
するためのものである。
【０００６】
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の光電式煙感知器
は、図６に示すように、発光部３に設けられている発光
素子６が発光ダイオード（ＬＥＤ）からなり、該発光ダ
イオードによる光ビーム（照射光）は指向性が広く、こ
れによりスリット５およびケース内壁にて反射して受光
部４に光が入射する光量が多く、無煙状態においても出
力が大きくでるため、検出信号とのＳ／Ｎ比が取れにく
いという問題を生じていた。
は、図６に示すように、発光部３に設けられている発光
素子６が発光ダイオード（ＬＥＤ）からなり、該発光ダ
イオードによる光ビーム（照射光）は指向性が広く、こ
れによりスリット５およびケース内壁にて反射して受光
部４に光が入射する光量が多く、無煙状態においても出
力が大きくでるため、検出信号とのＳ／Ｎ比が取れにく
いという問題を生じていた。
【０００８】また、この他スリット５ａ，５ｂはそれぞ
れ厚みを有しており、それぞれの先端の端面は平坦であ
るため、該端面にて反射し、受光部４に入射するものが
あり、これによってもＳ／Ｎ比に影響があった。
れ厚みを有しており、それぞれの先端の端面は平坦であ
るため、該端面にて反射し、受光部４に入射するものが
あり、これによってもＳ／Ｎ比に影響があった。
【０００９】
【００１０】本発明は、上記課題に鑑み、Ｓ／Ｎ比の向
上が図れる光電式煙感知器の提供を目的とする。
上が図れる光電式煙感知器の提供を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
光電式煙感知器は、煙がケース内部を通過するための通
過窓を備えた外装ケースを有し、該外装ケース内に、前
記煙の通過路に対して光を照射する発光部と、該発光部
からの照射光が煙によって散乱した散乱光を受光する受
光部と、前記散乱光以外の外乱光が受光部にて受光され
ないよう前記外乱光を遮光する２枚のスリットとを備え
てなる光電式煙感知器において、前記発光部に設けられ
る発光素子は、発光領域が挟窄されてなる電流狭窄型発
光ダイオードからなり、さらに前記２枚のスリットは、
その通過路側先端部をナイフエッジとしてなるナイフエ
ッジ型スリットからなり、一方のスリットの前記先端部
が前記通過窓よりも前記発光部側に配置されると共に他
方のスリットの前記先端部が前記通過窓よりも前記受光
部側に配置されており、前記電流狭窄型発光ダイオード
の照射側前方に、照射光をコリメート化するレンズが設
けられてなることを特徴とするものである。
光電式煙感知器は、煙がケース内部を通過するための通
過窓を備えた外装ケースを有し、該外装ケース内に、前
記煙の通過路に対して光を照射する発光部と、該発光部
からの照射光が煙によって散乱した散乱光を受光する受
光部と、前記散乱光以外の外乱光が受光部にて受光され
ないよう前記外乱光を遮光する２枚のスリットとを備え
てなる光電式煙感知器において、前記発光部に設けられ
る発光素子は、発光領域が挟窄されてなる電流狭窄型発
光ダイオードからなり、さらに前記２枚のスリットは、
その通過路側先端部をナイフエッジとしてなるナイフエ
ッジ型スリットからなり、一方のスリットの前記先端部
が前記通過窓よりも前記発光部側に配置されると共に他
方のスリットの前記先端部が前記通過窓よりも前記受光
部側に配置されており、前記電流狭窄型発光ダイオード
の照射側前方に、照射光をコリメート化するレンズが設
けられてなることを特徴とするものである。
【００１２】また、上記電流狭窄型発光ダイオードは、
半導体基板上に発光領域を構成する半導体層が設けら
れ、この半導体層は電流阻止層によって発光領域が挟窄
されてなることを特徴とするものである。
半導体基板上に発光領域を構成する半導体層が設けら
れ、この半導体層は電流阻止層によって発光領域が挟窄
されてなることを特徴とするものである。
【００１３】
【００１４】
【作用】上記構成によれば、本発明の光電式煙感知器
は、発光部に設けられる発光素子が、発光領域を挟窄し
てなる電流狭窄型発光ダイオードからなり、その電流狭
窄型発光ダイオードの照射側前方に、照射光をコリメー
ト化するレンズが設けられてなる構成なので、発光素子
の発光領域の面積が電流阻止層によって挟窄され、さら
にレンズによりコリメート化され、前記発光部にて発す
る照射光を指向性の狭いものとすることができる。ま
た、スリットが、その通過路側先端部をナイフエッジと
してなるナイフエッジ型スリットからなる構成なので、
ナイフエッジ型スリットの先端部にて反射して受光部に
入射するといった不都合を防止できる。さらに、２枚の
スリットは一方のスリットの先端部が通過窓よりも発光
部側に配置されると共に他方のスリットの先端部が通過
窓よりも受光部側に配置されているので、一方のスリッ
トにより発光部からの直接光が受光部にて受光されるの
を防止でき、他方のスリットにより受光部側のケース内
壁にて反射した反射光が受光部にて受光されるのを防止
できる。
は、発光部に設けられる発光素子が、発光領域を挟窄し
てなる電流狭窄型発光ダイオードからなり、その電流狭
窄型発光ダイオードの照射側前方に、照射光をコリメー
ト化するレンズが設けられてなる構成なので、発光素子
の発光領域の面積が電流阻止層によって挟窄され、さら
にレンズによりコリメート化され、前記発光部にて発す
る照射光を指向性の狭いものとすることができる。ま
た、スリットが、その通過路側先端部をナイフエッジと
してなるナイフエッジ型スリットからなる構成なので、
ナイフエッジ型スリットの先端部にて反射して受光部に
入射するといった不都合を防止できる。さらに、２枚の
スリットは一方のスリットの先端部が通過窓よりも発光
部側に配置されると共に他方のスリットの先端部が通過
窓よりも受光部側に配置されているので、一方のスリッ
トにより発光部からの直接光が受光部にて受光されるの
を防止でき、他方のスリットにより受光部側のケース内
壁にて反射した反射光が受光部にて受光されるのを防止
できる。
【００１５】また請求項２記載の光電式煙感知器は、半
導体基板上に発光領域を構成する半導体層が設けられ、
この半導体層が電流阻止層によって発光領域が挟窄され
て照射光を指向性の狭いものとすることができる。
導体基板上に発光領域を構成する半導体層が設けられ、
この半導体層が電流阻止層によって発光領域が挟窄され
て照射光を指向性の狭いものとすることができる。
【００１６】
【００１７】
【実施例】図１は、本発明の一実施例よりなる光電式煙
感知器を示す概略図である。図２は、図１に示す発光部
にて発する照射光の指向性を示す該略図である。
感知器を示す概略図である。図２は、図１に示す発光部
にて発する照射光の指向性を示す該略図である。
【００１８】図１に示すように、本実施例の光電式煙感
知器は、煙がケース内部を通過可能とする通過窓２１を
備えた外装ケース２２を有し、該外装ケース２２内に、
前記煙の通過路に対して光を照射する発光部２３と、該
発光部２３からの光が煙によって散乱しその散乱光を受
光する受光部２４と、前記散乱光以外の光（以下、「外
乱光」と称す。）が受光部２４にて受光されないよう外
乱光を遮光するスリット２５とを備えてなるものであ
る。前記外装ケース２２は箱体からなり、その内の対向
する２面にはほぼ中心部に煙を外装ケース２２内部に通
過させるための通過窓２１が設けられている。
知器は、煙がケース内部を通過可能とする通過窓２１を
備えた外装ケース２２を有し、該外装ケース２２内に、
前記煙の通過路に対して光を照射する発光部２３と、該
発光部２３からの光が煙によって散乱しその散乱光を受
光する受光部２４と、前記散乱光以外の光（以下、「外
乱光」と称す。）が受光部２４にて受光されないよう外
乱光を遮光するスリット２５とを備えてなるものであ
る。前記外装ケース２２は箱体からなり、その内の対向
する２面にはほぼ中心部に煙を外装ケース２２内部に通
過させるための通過窓２１が設けられている。
【００１９】前記発光部２３および受光部２４は、前記
外装ケース２２内において底面に対してそれぞれ傾斜し
て配置されており、前記発光部２３には電流挟窄型発光
ダイオード２６が設けられており、受光部２４にはフォ
トダイオード（図示せず）が設けられている。
外装ケース２２内において底面に対してそれぞれ傾斜し
て配置されており、前記発光部２３には電流挟窄型発光
ダイオード２６が設けられており、受光部２４にはフォ
トダイオード（図示せず）が設けられている。
【００２０】前記電流挟窄型発光ダイオード２６は、本
実施例では図３に示すような、ガリュウムヒ素（ＧａＡ
ｓ）を組成とする赤外線を発光する電流挟窄型の発光ダ
イオードからなる。該電流狭窄型発光ダイオード２６
は、例えば波長８５０ｎｍの赤外光を発する半導体素子
よりなる。なお、波長および光はこれに限定されるもの
ではなく、例えば光は可視光であっても良い。
実施例では図３に示すような、ガリュウムヒ素（ＧａＡ
ｓ）を組成とする赤外線を発光する電流挟窄型の発光ダ
イオードからなる。該電流狭窄型発光ダイオード２６
は、例えば波長８５０ｎｍの赤外光を発する半導体素子
よりなる。なお、波長および光はこれに限定されるもの
ではなく、例えば光は可視光であっても良い。
【００２１】すなわち、この電流挟窄型発光ダイオード
２６は、ｐ型ＧａＡｓからなる半導体基板３０を備え、
この半導体基板３０の上に、発光領域を構成する半導体
層３１が設けられている。
２６は、ｐ型ＧａＡｓからなる半導体基板３０を備え、
この半導体基板３０の上に、発光領域を構成する半導体
層３１が設けられている。
【００２２】この半導体層３１は、ｎ型ＧａＡｓからな
る電流阻止層３２、ｐ型ＧａＡｌＡｓからなる第１クラ
ッド層３３、ｐ型ＧａＡｌＡｓからなる活性層３４、お
よびｐ型ＧａＡｌＡｓからなる第２クラッド層３５を順
次積層して構成されている。 そして、半導体基板３０には、中央部が浅く、周辺部が
深い湾曲した溝３０ａが形成され、この溝３０ａの周り
の半導体基板３０表面を覆う状態で電流阻止層３６が設
けられ、また、第１クラッド層３３が電流阻止層３２を
通過して溝３０ａを埋めており、これによって、溝３０
ａによって規定される発光領域３６が電流阻止層３２で
挟窄された構成となっている。
る電流阻止層３２、ｐ型ＧａＡｌＡｓからなる第１クラ
ッド層３３、ｐ型ＧａＡｌＡｓからなる活性層３４、お
よびｐ型ＧａＡｌＡｓからなる第２クラッド層３５を順
次積層して構成されている。 そして、半導体基板３０には、中央部が浅く、周辺部が
深い湾曲した溝３０ａが形成され、この溝３０ａの周り
の半導体基板３０表面を覆う状態で電流阻止層３６が設
けられ、また、第１クラッド層３３が電流阻止層３２を
通過して溝３０ａを埋めており、これによって、溝３０
ａによって規定される発光領域３６が電流阻止層３２で
挟窄された構成となっている。
【００２３】なお、３７は半導体基板３０の下面に設け
られたｐ側電極、３８は半導体基板３０の上面に設けら
れた環状のｎ側電極である。
られたｐ側電極、３８は半導体基板３０の上面に設けら
れた環状のｎ側電極である。
【００２４】この電流挟窄型発光ダイオード２６は、発
光領域の面積が電流阻止層３２によって挟窄されること
で、発光領域の電流密度が増加する。その結果、発光効
率が高まり、数１０μＡ程度の微少電流でも安定した発
光が行われる。また、電流挟窄型発光ダイオード２６の
指向性は従来用いられていた発光ダイオードよりも非常
に狭くすることができる。具体的にいうとレーザーダイ
オード程の指向性はないがほぼそれに近い指向性を持た
せることができる。これによって、外装ケース２２内
壁、スリット２５等にて反射を繰り返してなるいわゆる
迷光をほぼ無くすことが可能となり、煙がない際に迷光
を受光部２４にて受光して煙を誤検知するといった不都
合を防止することが可能である。
光領域の面積が電流阻止層３２によって挟窄されること
で、発光領域の電流密度が増加する。その結果、発光効
率が高まり、数１０μＡ程度の微少電流でも安定した発
光が行われる。また、電流挟窄型発光ダイオード２６の
指向性は従来用いられていた発光ダイオードよりも非常
に狭くすることができる。具体的にいうとレーザーダイ
オード程の指向性はないがほぼそれに近い指向性を持た
せることができる。これによって、外装ケース２２内
壁、スリット２５等にて反射を繰り返してなるいわゆる
迷光をほぼ無くすことが可能となり、煙がない際に迷光
を受光部２４にて受光して煙を誤検知するといった不都
合を防止することが可能である。
【００２５】また、前記発光部２３において、前記電流
挟窄型発光ダイオード２６の照射側前方にレンズ２７を
用いることによって、さらに照射光をコリメート化でき
る。 前記スリット２５は２枚の備えてなり、それぞれ前記発
光部２３に対応して傾斜して設けられており、一方のス
リット２５ａは外装ケース２２の底面よりその先端（光
路側）が通過窓２１よりも発光部側に配置されるよう設
けられ、他方のスリット２５ｂは外装ケース２２の上面
よりその先端が通過窓２１よりも受光部側に配置される
よう設けられている。前記スリット２５ａは、発光部２
３からの直接光が受光部２４にて受光されるのを防止す
るためのものであり、スリット２５ｂは、受光部側のケ
ース内壁にて反射した反射光が受光部２４にて受光され
るのを防止するためのものである。
挟窄型発光ダイオード２６の照射側前方にレンズ２７を
用いることによって、さらに照射光をコリメート化でき
る。 前記スリット２５は２枚の備えてなり、それぞれ前記発
光部２３に対応して傾斜して設けられており、一方のス
リット２５ａは外装ケース２２の底面よりその先端（光
路側）が通過窓２１よりも発光部側に配置されるよう設
けられ、他方のスリット２５ｂは外装ケース２２の上面
よりその先端が通過窓２１よりも受光部側に配置される
よう設けられている。前記スリット２５ａは、発光部２
３からの直接光が受光部２４にて受光されるのを防止す
るためのものであり、スリット２５ｂは、受光部側のケ
ース内壁にて反射した反射光が受光部２４にて受光され
るのを防止するためのものである。
【００２６】ここで、上記スリット２５ａ，２５ｂは、
その先端側がナイフエッジに加工されたナイフエッジ型
スリットからなり、該ナイフエッジ型スリットとするこ
とによって、従来のようにスリットの先端部にて反射し
た反射光が受光部に受光されるといった不都合が防止さ
れる。
その先端側がナイフエッジに加工されたナイフエッジ型
スリットからなり、該ナイフエッジ型スリットとするこ
とによって、従来のようにスリットの先端部にて反射し
た反射光が受光部に受光されるといった不都合が防止さ
れる。
【００２７】このように、本実施例の光電式煙感知器
は、発光部２３に設けられる発光素子２６が、半導体基
板３０上に発光領域を構成する半導体層３１が設けら
れ、この半導体層３１が電流阻止層３２によって発光領
域３６が挟窄されている電流狭窄型発光ダイオードから
なり、さらにスリット２５が、その通過路側先端部をナ
イフエッジとしてなるナイフエッジ型スリットからなる
構成なので、発光素子２６の発光領域３６の面積が電流
阻止層３２によって挟窄され、前記発光部２３にて発す
る照射光を指向性の狭いものとすることができ、これに
よって、外装ケース２２内壁、スリット２５等にて反射
を繰り返してなるいわゆる迷光をほぼ無くすことが可能
となり、煙がない際に迷光を受光部２４にて受光して煙
を誤検知するといった不都合を防止することが可能とな
る。また、ナイフエッジ型スリット２５とすることで、
従来例（図５参照）のようにスリット５の平坦な先端に
て反射して受光部４に入射するといった不都合を防止で
きる。
は、発光部２３に設けられる発光素子２６が、半導体基
板３０上に発光領域を構成する半導体層３１が設けら
れ、この半導体層３１が電流阻止層３２によって発光領
域３６が挟窄されている電流狭窄型発光ダイオードから
なり、さらにスリット２５が、その通過路側先端部をナ
イフエッジとしてなるナイフエッジ型スリットからなる
構成なので、発光素子２６の発光領域３６の面積が電流
阻止層３２によって挟窄され、前記発光部２３にて発す
る照射光を指向性の狭いものとすることができ、これに
よって、外装ケース２２内壁、スリット２５等にて反射
を繰り返してなるいわゆる迷光をほぼ無くすことが可能
となり、煙がない際に迷光を受光部２４にて受光して煙
を誤検知するといった不都合を防止することが可能とな
る。また、ナイフエッジ型スリット２５とすることで、
従来例（図５参照）のようにスリット５の平坦な先端に
て反射して受光部４に入射するといった不都合を防止で
きる。
【００２８】図４に、本実施例と従来例とを比較してな
る出力−煙濃度特性図を示す。Ｌ１は従来例の特性を示
し、Ｌ２は本実施例の特性を示す。
る出力−煙濃度特性図を示す。Ｌ１は従来例の特性を示
し、Ｌ２は本実施例の特性を示す。
【００２９】図示の如く、従来の光電式煙感知器の光学
系では、無煙時の出力がＶ1 となる。これは、従来の発
光素子の指向性が広いため、外装ケース内壁，スリット
等にて反射してなる迷光が多く、その一部が受光部にて
受光されることによるものである。
系では、無煙時の出力がＶ1 となる。これは、従来の発
光素子の指向性が広いため、外装ケース内壁，スリット
等にて反射してなる迷光が多く、その一部が受光部にて
受光されることによるものである。
【００３０】これに対し、本実施例の光電式煙感知器の
光学系は、無煙時の出力がＶ2 となる。これは、上述し
たように迷光をほぼ削除し、且つナイフエッジ型スリッ
ト２５によって迷光等が受光部２４に入射するのを防止
していることによるものである。これにより、煙濃度測
定範囲の電圧差が大きくとれることとなり、煙濃度変化
時例えばＡからＢの出力電圧差が、従来の光学系よりも
大きく電圧差が出る(ΔＶ1 ＜ΔＶ2 ）ため、高精度高
感度化の光電式煙感知器を提供することが可能となる。
光学系は、無煙時の出力がＶ2 となる。これは、上述し
たように迷光をほぼ削除し、且つナイフエッジ型スリッ
ト２５によって迷光等が受光部２４に入射するのを防止
していることによるものである。これにより、煙濃度測
定範囲の電圧差が大きくとれることとなり、煙濃度変化
時例えばＡからＢの出力電圧差が、従来の光学系よりも
大きく電圧差が出る(ΔＶ1 ＜ΔＶ2 ）ため、高精度高
感度化の光電式煙感知器を提供することが可能となる。
【００３１】これによって、従来検知できなかった煙，
埃等の少ない濃度時においても検知することが可能とな
り、従来の空気清浄器では動作しなかった少ない濃度で
も検知し空気清浄器を動作させることが可能となる。
埃等の少ない濃度時においても検知することが可能とな
り、従来の空気清浄器では動作しなかった少ない濃度で
も検知し空気清浄器を動作させることが可能となる。
【００３２】また、本実施例の光電式煙感知器によれ
ば、従来の光電式煙感知器よりも濃度を高精度に測定で
きるため、空気清浄器のファンの動作の強弱の徴調整が
可能となる。
ば、従来の光電式煙感知器よりも濃度を高精度に測定で
きるため、空気清浄器のファンの動作の強弱の徴調整が
可能となる。
【００３３】
【００３４】
【００３５】
【００３６】
【００３７】
【００３８】
【００３９】
【００４０】
【００４１】
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光電式煙
感知器によれば、発光素子が電流挟窄型発光ダイオード
より構成され、その照射側前方に照射光をコリメート化
するレンズが設けられているので、照射光がほぼコリメ
ート化され迷光を低減することができる。また、スリッ
トをナイフエッジ型スリットより構成しているので、迷
光が受光部にて受光されるのを防止できる。さらに、２
枚のスリットの一方のスリットの先端部を通過窓よりも
発光部側に配置すると共に他方のスリットの先端部を通
過窓よりも受光部側に配置しているので、一方のスリッ
トにより発光部からの直接光が受光部にて受光されるの
を防止でき、他方のスリットにより受光部側のケース内
壁にて反射した反射光が受光部にて受光されるのを防止
できる。したがって、煙濃度変化時の出力電圧差を大き
くとることができ、高精度高感度化の光電式煙感知器を
提供することができる。
感知器によれば、発光素子が電流挟窄型発光ダイオード
より構成され、その照射側前方に照射光をコリメート化
するレンズが設けられているので、照射光がほぼコリメ
ート化され迷光を低減することができる。また、スリッ
トをナイフエッジ型スリットより構成しているので、迷
光が受光部にて受光されるのを防止できる。さらに、２
枚のスリットの一方のスリットの先端部を通過窓よりも
発光部側に配置すると共に他方のスリットの先端部を通
過窓よりも受光部側に配置しているので、一方のスリッ
トにより発光部からの直接光が受光部にて受光されるの
を防止でき、他方のスリットにより受光部側のケース内
壁にて反射した反射光が受光部にて受光されるのを防止
できる。したがって、煙濃度変化時の出力電圧差を大き
くとることができ、高精度高感度化の光電式煙感知器を
提供することができる。
【００４３】
【図１】本発明の一実施例を示す概略図である。
【図２】図１に示す発光部にて発する照射光の指向性を
示す概略図である。
示す概略図である。
【図３】発光部に設けられる電流挟窄型発光ダイオード
の構成を示す構成図である。
の構成を示す構成図である。
【図４】実施例と従来例とを比較してなる出力−煙濃度
特性図である。
特性図である。
【図５】従来の光電式煙感知器を示す概略図である。
【図６】従来の発光部にて発する照射光の指向性を示す
概略図である。
概略図である。
２１ 通過窓 ２２ 外装ケース ２３ 発光部 ２４ 受光部 ２５ スリット（ナイフエッジ型スリット） ２６ 電流挟窄型発光ダイオード（発光素子）２７ レンズ ３０ 半導体基板 ３１ 半導体層 ３２ 電流阻止層 ３６ 発光領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01N 21/00 - 21/01 G01N 21/17 - 21/61 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (2)
- 【請求項１】 煙がケース内部を通過するための通過窓
を備えた外装ケースを有し、該外装ケース内に、前記煙
の通過路に対して光を照射する発光部と、該発光部から
の照射光が煙によって散乱した散乱光を受光する受光部
と、前記散乱光以外の外乱光が受光部にて受光されない
よう前記外乱光を遮光する２枚のスリットとを備えてな
る光電式煙感知器において、 前記発光部に設けられる発光素子は、発光領域が挟窄さ
れてなる電流狭窄型発光ダイオードからなり、 さらに前記２枚のスリットは、その通過路側先端部をナ
イフエッジとしてなるナイフエッジ型スリットからな
り、一方のスリットの前記先端部が前記通過窓よりも前
記発光部側に配置されると共に他方のスリットの前記先
端部が前記通過窓よりも前記受光部側に配置されてお
り、 前記電流狭窄型発光ダイオードの照射側前方に、照射光
をコリメート化するレンズが設けられてなることを特徴
とする光電式煙感知器。 - 【請求項２】 上記電流狭窄型発光ダイオードは、半導
体基板上に発光領域を構成する半導体層が設けられ、こ
の半導体層は電流阻止層によって発光領域が挟窄されて
なることを特徴とする請求項１記載の光電式煙感知器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19929294A JP3231956B2 (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | 光電式煙感知器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19929294A JP3231956B2 (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | 光電式煙感知器 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000318876A Division JP3467243B2 (ja) | 2000-10-19 | 2000-10-19 | 光電式煙感知器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0862136A JPH0862136A (ja) | 1996-03-08 |
| JP3231956B2 true JP3231956B2 (ja) | 2001-11-26 |
Family
ID=16405385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19929294A Expired - Lifetime JP3231956B2 (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | 光電式煙感知器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3231956B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3917096B2 (ja) | 2003-03-25 | 2007-05-23 | シャープ株式会社 | 光電式ほこりセンサ |
| KR102065671B1 (ko) * | 2018-01-12 | 2020-01-13 | 주식회사 지티에스엠 | 웨이퍼형 파티클 센서 |
-
1994
- 1994-08-24 JP JP19929294A patent/JP3231956B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0862136A (ja) | 1996-03-08 |
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