JP3227952B2 - シフトレジスタ及びそれを使用した情報カード - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はシフトレジスタに関する
ものであり、特に誘電体に強誘電体を使用したキャパシ
タで構成したことに特徴を有するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来のシフトレジスタとして、シリコン
トランジスタを用いる電子回路方式がディジタル回路を
中心に大きな役割を果たしている。

【０００３】以下に従来の電子回路方式のシフトレジス
タについて説明する。図１０（Ａ）は従来の代表的な電
子回路方式のシフトレジスタの回路図を示すものであ
り、１０１はシフトレジスタ本体、１０２はデータラッ
チフリップフロップ、１０３はデータ入力端子、１０４
はラッチ信号入力端子、１０５はデータ出力端子、１０
６はシフトクロック入力端子である。図１０（Ｂ）は図
１０（Ａ）でのデータラッチフリップフロップの内部回
路を示すものであり、１０７ａ，１０７ｂは出力容量の
大きなトランジスタで構成したインバータ、１０８ａ，
１０８ｂ，１０８ｃは出力容量の小さなトランジスタで
構成したインバータ、１０９ａ，１０９ｂはＮチャンネ
ルＦＥＴ、である。

【０００４】以上のように構成されたシフトレジスタに
ついて、以下その動作について説明する。データラッチ
フリップフロップ１０２は、ラッチ信号入力端子１０４
が”ＬＯＷ”のときＮチャンネルＦＥＴ１０９ａはＯ
Ｎ、１０９ｂはＯＦＦであるから、データ入力端子１０
３の信号がインバータ１０７ａ、１０８ａに保持され、
インバータ１０７ｂ、１０８ｂは以前の状態を保持して
いる。次にラッチ信号入力端子４４が”ＨＩＧＨ”のと
きＮチャンネルＦＥＴ１０９ａはＯＦＦ、１０９ｂはＯ
Ｎであるから、インバータ１０７ａ、１０８ａは以前の
状態を保持しており、インバータ１０７ｂ、１０８ｂは
インバータ１０７ａの出力信号を保持しデータ出力端子
１０５にその信号を出力する。ここでラッチ信号入力端
子１０４が”ＬＯＷ”のときにデータ入力端子１０３の
信号とインバータ１０８ａの出力信号が、ラッチ信号入
力端子１０４が”ＨＩＧＨ”のときにインバータ１０７
ａの出力信号とインバータ１０８ｂの出力信号がぶつか
るが、データ入力端子１０３の出力インピーダンスとイ
ンバータ１０７ａの出力インピーダンスが十分に低いの
で信号が不確定になることはない。

【０００５】上記のようにデータラッチフリップフロッ
プ１０２がラッチ信号の”ＬＯＷ”区間でデータをサン
プリング、”ＨＩＧＨ”区間で出力するマスター・スレ
ーブタイプであるので、各データラッチフリップフロッ
プはシフトクロック信号の”ＬＯＷ”区間にデータ入力
端子に入力されているデータを、シフトクロック信号の
立ち上がりエッジで後段のデータラッチフリップフロッ
プに伝える。従って１段目のデータ入力端子にデータを
入力し、それに同期して連続的にシフトクロック信号を
入力することによりシフトレジスタは最後段のデータ出
力端子までデータを転送することができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来のシフトレジスタは、半導体ＩＣの電子部品で構成さ
れており、例えば薄型化の要求される情報カード上に実
装するときには薄型化の妨げとなり、製造工程も多くな
っていた。

【０００７】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、電界保持機能を有する強誘電体を使用した強誘電体
キャパシタによりシフトレジスタを提供するとともに、
電子部品を使用せず製造工程の少ない情報カードを実現
することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のシフトレジスタは、絶縁材料に強誘電体を使
用し、その分極方向によりデータを保持する少なくとも
２個のデータ保持キャパシタと、絶縁材料に常誘電体を
使用した第１のキャパシタ及び第２のキャパシタから構
成され、前記第１のキャパシタは、制御電圧の印加によ
る前記データ保持キャパシタの分極方向の反転に伴っ
て、次段のデータ保持キャパシタを反転させる電圧を発
生しうるように、前記制御電圧に対して前記データ保持
キャパシタの負荷キャパシタとなるように前記データ保
持キャパシタと直列に接続され、前記第２のキャパシタ
は、前記第１のキャパシタで発生した反転電圧を次段の
データ保持キャパシタへ伝えてデータを転送しうる転送
キャパシタとなるように _、 前記データ保持キャパシタと
前記第１のキャパシタの接続点と次段のデータ保持キャ
パシタ間に接続されたことを特徴とするものである。

【０００９】

【作用】この構成によれば、導体材料・誘電体材料を用
いて印刷技術などによってシフトレジスタを構成するこ
とができるので、メモリ機能を持たせることが可能とな
り、非接触で情報を読み書きする情報カードを薄く軽量
に構成できる。

【００１０】

【実施例】以下本発明の実施例について、図面を参照し
ながら説明する。図１は本発明に於いて３信号で制御す
る実施例の等価回路図であり、１１はシフトレジスタ本
体である。１２はキャパシタの絶縁材料として、電界と
誘電分極との間にヒステリシス特性を持つ強誘電体を使
用し、強誘電体の残留分極によりデータを保持するデー
タ保持キャパシタである。１３はキャパシタの絶縁材料
として常誘電体を使用し、データ保持キャパシタ１２の
分極反転に伴い、次段データ保持キャパシタを反転させ
る電圧を発生する負荷キャパシタである。１４はキャパ
シタの絶縁材料として常誘電体を使用し、負荷キャパシ
タ１３で発生した反転電圧を次段データ保持キャパシタ
へ伝えてデータを転送する転送キャパシタである。

【００１１】図中に示すように本シフトレジスタは、３
本の制御線ａ，ｂ，ｃで転送を行い、データ保持キャパ
シタ、負荷キャパシタ、転送キャパシタそれぞれ３つず
つ、合計９つのキャパシタを１つのセル１５としてデー
タ１ビット分を受け持つタイプのシフトレジスタの実施
例である。

【００１２】また図４はシフトレジスタのデータ転送動
作を示す図であり、図４（Ａ）は転送時の制御信号を示
している。図４（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）はデータ転送時の各
データ保持キャパシタの分極状態と反転電流を示してお
り、丸印付の符号がデータ”１”を表わしている。図４
（Ｂ）では、τ1区間にデータ（１，１，０）が転送さ
れてきたところを示している。

【００１３】ここでデータ転送動作は基本的な２つの過
程で行われる。その１つは図４（Ｃ）τ2区間に示す転
送方向を制限する為の過程であり、３本の制御線のうち
データを次段のデータ保持キャパシタに送出し終わった
データ保持キャパシタにつながる制御線つまり図４
（Ｃ）では制御線ｂを”ＨＩＧＨ”レベルに、そして送
出されるデータを受けるデータ保持キャパシタにつなが
る制御線つまり図４（Ｃ）では制御線ａを”ＧＮＤ”レ
ベルにすることにより行われる。もう１つは図４（Ｄ）
τ3区間に示すデータを次段のデータ保持キャパシタに
送出する過程であり、データが保持されたデータ保持キ
ャパシタにつながる制御線、つまり図４（Ｃ）では制御
線ｃを”ＨＩＧＨ”レベルにすることにより行われる。

【００１４】データ保持キャパシタにデータ”１”があ
る時には、キャパシタの分極方向と制御信号の極性方向
が逆向きであることから、制御線が”ＨＩＧＨ”レベル
になると同時にキャパシタの分極は反転し、この反転時
のキャパシタの容量増加により、次段データ保持キャパ
シタを分極反転させるに十分な電圧が発生すると同時
に、発生した電圧により図４（Ｄ）に示す反転電流が流
れて次段データ保持キャパシタの分極が反転する。この
場合はデータ”１”が送出されたことになる。

【００１５】データ保持キャパシタにデータ”０”があ
る時には、キャパシタの分極方向と制御信号の極性方向
が同じ向きであることから、制御線が”ＨＩＧＨ”レベ
ルになってもキャパシタの分極反転は起こらず、次段デ
ータ保持キャパシタも分極反転しない。この場合はデー
タ”０”が送出されたことになる。本シフトレジスタの
転送動作は以上２つの基本過程とするデータの送受動作
が繰り返されることにより行われ、連続的な制御信号ａ
・ｂ・ｃを印加することによりデータは一方向へ転送さ
れる。ここで３つの制御信号ａ・ｂ・ｃうち２つを入れ
替えることにより逆方向転送が可能となることは言うま
でもない。

【００１６】図２は本発明に於いて２信号で制御する実
施例の等価回路図である。２１はシフトレジスタ本体で
ある。２２、２３は実施例１と同様に構成されたデータ
保持キャパシタ、負荷キャパシタである。また２４は負
荷キャパシタ２３で発生した反転電圧を次段データ保持
キャパシタへ伝えてデータを転送する為のキャパシタで
あると同時に、そのキャパシタ特性として２つの端子間
に印加される電圧の極性により大小異なる容量値を示
し、転送の方向を制限する機能をもつキャパシタであ
る。

【００１７】ここで方向性転送キャパシタ２４は、電界
と誘電分極との間にヒステリシス特性を持ち、印加され
る制御信号によりキャパシタ内部につくられる電界より
も大きな抗電界値をもつバイアス電界発生用強誘電体
と、電界と誘電分極との間にヒステリシス特性を持ち、
バイアス電界発生用強誘電体が発生するバイアス電界よ
りも小さな抗電界値をもつ非線形容量形成用強誘電体の
２つの強誘電体を複合絶縁材として使用し方向性を実現
している。また方向性転送キャパシタ２４の記号は太い
線側がプラス（＋）電位になるときに大きな容量値を示
し、細い線側がプラス（＋）電位のときに小さな容量値
を示すことを表わしている。

【００１８】図中に示すように本シフトレジスタは、２
本の制御線ａ，ｂで転送を行い、データ保持キャパシ
タ、負荷キャパシタ、方向性転送キャパシタそれぞれ２
つずつ、合計６つのキャパシタを１つのセル２５として
データ１ビット分を受け持つタイプのシフトレジスタの
実施例である。また図５はシフトレジスタのデータ転送
動作を示す図であり、図５（Ａ）は転送時の制御信号を
示している。図５（Ｂ）（Ｃ）はデータ転送時の各デー
タ保持キャパシタの分極状態と反転電流を示しており、
丸印付の符号がデータ”１”を表わしている。

【００１９】図５（Ｂ）では、τ1区間にデータ（１，
１，０，０）が転送されてきたところを示している。こ
こでデータ転送動作は次のように行われる。図５（Ｃ）
はτ2区間にデータが次段のデータ保持キャパシタに送
出される様子を示すものである。２本の制御線のうちデ
ータを送出するデータ保持キャパシタにつながる制御
線、つまり図５（Ｃ）では制御線ｂを”ＨＩＧＨ”レベ
ルに、送出されるデータを受けるデータ保持キャパシタ
につながる制御線つまり図５（Ｃ）ではａを”ＧＮＤ”
レベルにことによりデータ送出は行われる。

【００２０】データ保持キャパシタにデータ”１”があ
る時には、キャパシタの分極方向と制御信号の極性方向
が逆向きであることから、制御線が”ＨＩＧＨ”レベル
になると同時にキャパシタの分極は反転し、この反転時
のキャパシタの容量増加により、次段データ保持キャパ
シタを分極反転させるに十分な電圧が発生すると同時
に、そのキャパシタ特性として２つの端子間に印加され
る電圧の極性により大小異なる容量値を示し、転送の方
向を制限する機能をもつ方向性転送キャパシタの効果に
より、転送方向にある次段データ保持キャパシタにのみ
図５（Ｃ）に示す反転電流が流れて次段データ保持キャ
パシタの分極が反転する。この場合はデータ”１”が送
出されたことになる。

【００２１】データ保持キャパシタにデータ”０”があ
る時には、キャパシタの分極方向と制御信号の極性方向
が同じ向きであることから、制御線が”ＨＩＧＨ”レベ
ルになってもキャパシタの分極反転は起こらず、次段デ
ータ保持キャパシタも分極反転しない。この場合はデー
タ”０”が送出されたことになる。本シフトレジスタの
転送動作は以上の基本的なデータの送受動作が繰り返さ
れることにより行われ、連続的な制御信号ａ・ｂを印加
することによりデータは一方向へ転送される。

【００２２】図３は本発明に於いて１信号で制御する実
施例の等価回路図である。３１はシフトレジスタ本体で
ある。３２、３３、３４、３５は実施例２と同様に構成
されたデータ保持キャパシタ、負荷キャパシタ、方向性
キャパシタ、方向性転送キャパシタである。

【００２３】図中に示すように本シフトレジスタは、１
本の制御線ａで転送を行い、データ保持キャパシタ、負
荷キャパシタ、方向性キャパシタ、方向性転送キャパシ
タそれぞれ２つずつ、合計８つのキャパシタを１つのセ
ル３６としてデータ１ビット分を受け持つタイプのシフ
トレジスタの実施例である。また図６はシフトレジスタ
のデータ転送動作を示す図であり、図６（Ａ）は転送時
の制御信号を示している。図６（Ｂ）（Ｃ）はデータ転
送時の各データ保持キャパシタの分極状態と反転電流を
示しており、丸印付の符号がデータ”１”を表わしてい
る。

【００２４】図６（Ｂ）では、τ1区間にデータ（１，
１，０，０）が転送されてきたところを示している。こ
こでデータ転送動作は次のように行われる。図６（Ｂ）
に示すτ1区間で、データはＧＮＤ線側につながるデー
タ保持キャパシタに移っている。図６（Ｃ）に示すτ2
区間で、制御線ａを”ＧＮＤ”レベルより低い電位にす
ると、データ保持キャパシタにデータ”１”がある時に
は、キャパシタの分極方向と制御信号の極性方向が逆向
きであることから、制御線ａが”ＧＮＤ”レベルより低
い電位になると同時にキャパシタの分極は反転する。こ
の反転時のキャパシタの容量増加により、次段データ保
持キャパシタを分極反転させるに十分な電圧が発生す
る。と同時にそのキャパシタ特性として２つの端子間に
印加される電圧の極性により大小異なる容量値を示し、
転送の方向を制限する機能をもつ方向性転送キャパシタ
の効果により、転送方向にある次段データ保持キャパシ
タにのみ図６（Ｃ）に示す反転電流が流れて次段データ
保持キャパシタの分極が反転する。この場合はデータ”
１”が送出されたことになる。

【００２５】またデータ保持キャパシタにデータ”０”
がある時には、キャパシタの分極方向と制御信号の極性
方向が同じ向きであることから、制御線ａが”ＧＮＤ”
レベルより低い電位になってもキャパシタの分極反転は
起こらず、次段データ保持キャパシタも分極反転しな
い。この場合はデータ”０”が送出されたことになる。
ここでデータ保持キャパシタに直列につながる方向性キ
ャパシタは、送出されるデータが”０”であるにもかか
わらず、制御線ａが”ＧＮＤ”レベルより低い電位にな
ることにより、送出されたデータを受け取るデータ保持
キャパシタの分極が反転してしまうのを防ぐものであ
り、これによりデータは壊れることなく送受される。本
シフトレジスタの転送動作は以上の基本的なデータの送
受動作が繰り返されることにより行われ、連続的な制御
信号ａを印加することによりデータは一方向へ転送され
る。

【００２６】ここで、上述の各キャパシタは、上記誘電
体材料と導体材料を印刷技術等を利用して、同一の絶縁
支持基板の一平面上に塗布形成される。図７（ａ）はデ
ータ保持キャパシタの斜視図であり、導体Ｌを電極とし
て中坑電界強誘電体Ｍを挟んだものである。また同図
（ｂ）は、負荷キャパシタの斜視図であり、導体Ｌを電
極として常誘電体Ｎを挟んだものである。同図（ｃ）
は、方向性キャパシタ及び方向性転送キャパシタの斜視
図であり、導体Ｌを電極として、小坑電界強誘電体Ｏと
高坑電界強誘電体Ｐを挟んだ構造である。

【００２７】ここで上記実施例では、３つの制御信号で
双方向転送可能な方式を、２つもしくは１つの制御信号
で一方向転送可能な方式を示したが、それ以外に２つの
制御信号で双方向転送可能な方式が実現できることは言
うまでもない。

【００２８】次に上記実施例のシフトレジスタを用い
て、外部の制御器との間で非接触でデータの読み書きを
行い得るように構成した情報カードについて説明する。
ここでは、上述の図３及び図６で説明したシフトレジス
タを用いた情報カードを例に挙げ説明する。

【００２９】図８（ａ）において、８１は誘電体・磁性
体・導体の組み合わせで作製したカード本体であり、そ
の機能領域ごとに、データ読み出し用電磁波送受波部８
２、メモリ部８３、データ書き換え信号受波部８４、カ
ード駆動信号受波部８５、変調部８６、データ書き換え
部８７を構成している。

【００３０】以上のように構成した情報カードについて
図８（ｂ）の等価ブロック図を参照して、まずその動作
の概略を説明する。カードに記憶されたデータの読み出
し動作から説明する。読み出しには、制御器８８からカ
ード駆動信号として、予め定められた周波数のクロック
信号で変調された振動磁界を印加すると共に、読み出し
用信号として、一定周波数の電磁波をカードに向けて放
射する。カード駆動信号が印加されると、カード駆動信
号受波部８５はクロック信号に同期した駆動パルス信号
を発生する。カード駆動信号受波部８５は導体を使用し
た電流発生コイルであり、カード駆動信号として制御器
８８から印加される振動磁界を受けて駆動信号であるパ
ルス電流を発生する。

【００３１】メモリ部８３はそのセル内に例示したよう
に、上記図３の実施例で示したシフトレジスタで構成し
ており、記憶すべきデータを保持するとともに、駆動パ
ルス信号によりそのデータを順序よく変調部８６へ転送
する。メモリ部８３の転送動作の詳細については、上記
シフトレジスタの実施例の説明で既に説明しているので
割愛する。

【００３２】変調部８６は、前記シフトレジスタの一部
を成すと同時に、転送されてくるデータにより、データ
読み出し用電磁波受波部８２で受信した電磁波を変調し
て、再びデータ読み出し用電磁波受波部８２を通して制
御器８８へ返送する。変調部８６は、図９（ｃ）の斜視
図に示すように、データ保持キャパシタの電極を、伝送
線路を利用した１／２波長共振器の形状にしたものであ
る。データ保持キャパシタのメモリデータが "1" から
"0" 、もしくは "0" から "1" へ反転する時、強誘電
体に保持された電界が反転し、電界反転が引き起こす誘
電率の非線形特性により、データ読み出し用電磁波送受
波部８２で受けた電磁波を位相変調して、再びデータ読
み出し用電磁波送受波部８２へ送り返す。

【００３３】そして制御器８８では変調されてカードか
ら返送されてくる電磁波を検波再生することによりカー
ド内データの読み出しが可能となる。ここでシフトレジ
スタは循環型に構成しているので、カード駆動信号を印
加し続けることによりデータの繰り返し読み出しが可能
となる。また、データ読み出し用電磁波はマイクロ波帯
の高周波が使用できる為、カード駆動信号印加が読み出
し用電磁波にノイズとして与える影響は小さく、精度の
よい読み出しが可能となる。

【００３４】カード内のデータを書き換えるには、制御
器８８からカード駆動信号として、読み出し時と同一周
波数の振動磁界を印加すると共に、書き換え用信号とし
て書き換えるデータにより変調された振動電界を印加す
る。振動電界はデータの種類に応じてその印加方向が異
なっており、データ書き換え信号受波部８４はそのデー
タに応じて書き換え信号を発生する。データ書き換え信
号受波部８４は、強磁性体を使用した磁流発生コイルで
あり、書き換えデータに応じて制御器８８から印加され
る電界を受けて書き換え信号であるパルス磁流を発生す
る。

【００３５】データ書き換え部８７は、前記シフトレジ
スタの一部を成すと同時に、書き換え信号受波部８４か
らの書き換え信号に応じて、メモリ部８３内のデータを
１ビット書き換える。データ書き換え部８７は、図９
（ａ），（ｂ）に示すように、シフトレジスタの各セル
のデータ保持キャパシタの導体電極の周囲に小坑磁界強
磁性体の電流発生コイルＱを多層構造の一部として環状
に付加したものである。データ書き換え信号受波部８４
が発生するパルス磁流を受けて、データ保持キャパシタ
のキャパシタ絶縁材内に変位電流を流すことにより、デ
ータ保持キャパシタの分極方向を強制的に反転して、カ
ード内データの１ビットを書き換えるものである。

【００３６】１ビットの書き換えが終わると、次の１ビ
ットを書き換える為に、制御器８８から１ビット転送分
のカード駆動信号が印加され、続けて次ビット用のデー
タ書き換え信号が印加される。これを繰り返すことによ
りカード内の全データの書き換えが可能となる。ここで
データ書き換え信号とカード駆動信号には、電界と磁界
の組み合わせで構成されているため、データ書き換え動
作とシフトレジスタ転送動作が影響し合うことなく書き
換えが可能となる。

【００３７】また電磁波送受波部８２は、常誘電体を支
持絶縁材にしたマイクロストリップアンテナであり、読
み出し用電磁波を受信して変調部８６へ導くと同時に、
変調部８６で変調された電磁波を制御器８８へ送り返
す。

【００３８】

【発明の効果】以上のように本発明のシフトレジスタ
は、強誘電体、常誘電体を絶縁材とするキャパシタのみ
で構成し、強誘電体の電界保持機能を利用してデータを
転送するようにしたものであり、各キャパシタを印刷技
術利用して塗布形成したり、蒸着技術により薄膜形成す
る製造することが可能になる。このため電池・電子部品
を一切使用せず印刷技術等を用いて製造可能な超軽量薄
型の情報カードを実現できるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例におけるシフトレジスタ
の等価回路図

【図２】本発明の第２の実施例におけるシフトレジスタ
の等価回路図

【図３】本発明の第３の実施例におけるシフトレジスタ
の等価回路図

【図４】本発明の第１の実施例におけるデータ転送動作
を示す図

【図５】本発明の第２の実施例におけるデータ転送動作
を示す図

【図６】本発明の第３の実施例におけるデータ転送動作
を示す図

【図７】本発明の実施例におけるキャパシタの斜視図

【図８】本発明の一実施例における情報カードの構成図

【図９】データ書き換え部及び変調部のキャパシタの構
成図

【図１０】従来のシフトレジスタの回路図

【符号の説明】

１１，２１，３１ シフトレジスタ本体 １２，２２，３２ データ保持キャパシタ １３，２３，３３ 負荷キャパシタ １４，転送キャパシタ １５，２５，３６ セル ２４ 方向性転送キャパシタ ３４ 方向性キャパシタ ３５ 方向性転送キャパシタ ８１ カード本体 ８２ データ読み出し用電磁波送受波部 ８３ メモリ部 ８４ データ書き換え信号受波部 ８５ カード駆動信号受波部 ８６ 変調部 ８７ データ書き換え部 ８８ 制御器

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) B42D 15/10 G06K 19/07 G11C 19/18 G11C 11/22 H04B 5/02

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁材料に強誘電体を使用し、その分極
   方向によりデータを保持する少なくとも２個のデータ保
   持キャパシタと、絶縁材料に常誘電体を使用した第１の
   キャパシタ及び第２のキャパシタから構成され、前記第
   １のキャパシタは、制御電圧の印加による前記データ保
   持キャパシタの分極方向の反転に伴って、次段のデータ
   保持キャパシタを反転させる電圧を発生しうるように、
   前記制御電圧に対して前記データ保持キャパシタの負荷
   となるように前記データ保持キャパシタと直列に接続さ
   れ、前記第２のキャパシタは、前記第１のキャパシタで
   発生した反転電圧を次段のデータ保持キャパシタへ伝え
   てデータを転送しうるように _、 前記データ保持キャパシ
   タと前記第１のキャパシタの接続点と次段のデータ保持
   キャパシタ間に接続されたことを特徴とするシフトレジ
   スタ。
2. 【請求項２】 前記第２のキャパシタは、印加される電
   圧の極性により大小異なる容量値を示し、前記第１のキ
   ャパシタで発生した反転電圧の転送方向を制限すること
   を特徴とする請求項１記載のシフトレジスタ。
3. 【請求項３】 制御器より印加された磁界により、駆動
   信号を発生する駆動信号発生手段と、強誘電体を絶縁体
   とする強誘電体キャパシタが有する電界保持機能によっ
   て、記憶すべきデータに対応した電界を保持するととも
   に、前記駆動信号により前記保持された電界を順次他の
   セルに転送しうるよう複数のセルで構成したメモリ手段
   と、前記駆動信号によって前記メモリ手段のセル間を転
   送される電界の変化に応じて、前記制御器より送られた
   データ読み出し用のマイクロ波帯の電磁波を、前記メモ
   リ手段の強誘電体キャパシタの分極反転に伴う誘電率変
   化を利用して位相変調する変調手段を有し、 前記制御器により前記変調手段で変調されたデータを読
   み出すようにした情報カード。
4. 【請求項４】 制御器より書き込むべきデータに応じて
   印加される電界により磁流を発生し、磁流により発生す
   る電流に応じて電界を変化可能なように、強誘電体を絶
   縁材とするキャパシタにコイルを付加して構成した書換
   え手段を有し、 前記書換え手段に保持されたデータに対応した電界を、
   制御器から送信される駆動信号により、メモリ手段のセ
   ルに順次転送するようにした請求項３記載の情報カー
   ド。