JP3223613B2 - 磁電変換素子及びその製造方法 - Google Patents
磁電変換素子及びその製造方法Info
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000005465 channeling Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
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- Element Separation (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は化合物半導体磁電変換素
子に係り、特に不平衡電圧の均一性改善に適した絶縁層
を具備した磁電変換素子に関する。
子に係り、特に不平衡電圧の均一性改善に適した絶縁層
を具備した磁電変換素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】 磁電変換素子（いわゆるホール素子）
は磁界を電気信号に変換する素子である。ホール素子
は、Ｓｉ、Ｇｅなどの単体半導体の他に、ＧａＡｓ、Ｉ
ｎＡｓ、ＩｎＳｂ等の III−Ｖ族化合物半導体のホモ接
合やヘテロ接合を活性層とする半導体を、感磁部として
利用している（特開昭５９−１３３８５、特開昭６１−
２０３７３等参照）。変換機能を発揮させるためには活
性層に感磁部並びに入出力用電極の領域を形成する必要
がある。その形成方法としては基板表面上に均一な活性
層が形成されている場合は、感磁部並びに入出力電極と
なる上記領域をホトリソグラフィーによるレジスト材な
どで保護し、上記領域以外の領域をエッチング等の方法
で取り除くことが行われてきた。また、半絶縁性を示す
ＧａＡｓ基板を用いた場合、上記領域以外をレジスト材
などで保護し、イオン注入法によりｎ形特性を示す不純
物を打ち込み、レジスト除去後アニール処理を実施し、
選択的に活性層を形成することがおこなわれている。
は磁界を電気信号に変換する素子である。ホール素子
は、Ｓｉ、Ｇｅなどの単体半導体の他に、ＧａＡｓ、Ｉ
ｎＡｓ、ＩｎＳｂ等の III−Ｖ族化合物半導体のホモ接
合やヘテロ接合を活性層とする半導体を、感磁部として
利用している（特開昭５９−１３３８５、特開昭６１−
２０３７３等参照）。変換機能を発揮させるためには活
性層に感磁部並びに入出力用電極の領域を形成する必要
がある。その形成方法としては基板表面上に均一な活性
層が形成されている場合は、感磁部並びに入出力電極と
なる上記領域をホトリソグラフィーによるレジスト材な
どで保護し、上記領域以外の領域をエッチング等の方法
で取り除くことが行われてきた。また、半絶縁性を示す
ＧａＡｓ基板を用いた場合、上記領域以外をレジスト材
などで保護し、イオン注入法によりｎ形特性を示す不純
物を打ち込み、レジスト除去後アニール処理を実施し、
選択的に活性層を形成することがおこなわれている。
【０００３】
【発明が解決しようする課題】基板表面に均一な活性層
が形成されている場合は、エッチング等の処理工程プロ
セスが必要である。溶液によって活性層をエッチングす
る場合は、結晶軸方向に依存してエッチング速度が大き
く異なることが多く、不平衡電圧の均一性（以下不平衡
率と呼ぶ）が悪化する。０磁界時のホール電圧をＶ0 、
１ｋＧの磁界時のホール電圧をＶH とした時、不平衡率
Ｖ（％）はＶ＝１００×Ｖ0 ／ＶH で定義される。 ま
た、プラズマドライエッチング装置等により気体によっ
て活性層をエッチングする場合、エッチングの進行によ
りエッチング界面にアンダ−カットと呼ばれるエッチン
グ異常が発生し、不平衡率が悪化する。更に、溶液もし
くは気体によるエッチングを利用した場合、ウェ−ハ表
面上に凸凹部が形成されるため、汚れの付着などが発生
し易く、製品の信頼性の問題になることが多い。一方、
イオン注入法により活性層を選択的に形成する場合は、
チャネリングを防ぐため注入イオンとウェ−ハ面とが形
成するチルト角度あるいはロ−テ−ション角度が必要で
あり、不平衡率は良いとは言えない。また、この方法の
場合、注入後アニ−ル処理が必要なため、注入した不純
物原子の拡散現象により不平衡率は悪化する。
が形成されている場合は、エッチング等の処理工程プロ
セスが必要である。溶液によって活性層をエッチングす
る場合は、結晶軸方向に依存してエッチング速度が大き
く異なることが多く、不平衡電圧の均一性（以下不平衡
率と呼ぶ）が悪化する。０磁界時のホール電圧をＶ0 、
１ｋＧの磁界時のホール電圧をＶH とした時、不平衡率
Ｖ（％）はＶ＝１００×Ｖ0 ／ＶH で定義される。 ま
た、プラズマドライエッチング装置等により気体によっ
て活性層をエッチングする場合、エッチングの進行によ
りエッチング界面にアンダ−カットと呼ばれるエッチン
グ異常が発生し、不平衡率が悪化する。更に、溶液もし
くは気体によるエッチングを利用した場合、ウェ−ハ表
面上に凸凹部が形成されるため、汚れの付着などが発生
し易く、製品の信頼性の問題になることが多い。一方、
イオン注入法により活性層を選択的に形成する場合は、
チャネリングを防ぐため注入イオンとウェ−ハ面とが形
成するチルト角度あるいはロ−テ−ション角度が必要で
あり、不平衡率は良いとは言えない。また、この方法の
場合、注入後アニ−ル処理が必要なため、注入した不純
物原子の拡散現象により不平衡率は悪化する。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで本発明者は前記問
題点を解決すべく鋭意研究した結果、基板表面上の感磁
部並びに入出力用電極の領域をホトリソグラフィーによ
るレジスト材などで保護し、上記領域以外の領域にイオ
ン注入法により不純物を注入して絶縁化させておき、さ
らにその絶縁層上に化合物半導体層を堆積させることに
より、前記課題が解決されることを見出し、本発明を完
成するに至った。以下、本発明を図を用いて説明する。
題点を解決すべく鋭意研究した結果、基板表面上の感磁
部並びに入出力用電極の領域をホトリソグラフィーによ
るレジスト材などで保護し、上記領域以外の領域にイオ
ン注入法により不純物を注入して絶縁化させておき、さ
らにその絶縁層上に化合物半導体層を堆積させることに
より、前記課題が解決されることを見出し、本発明を完
成するに至った。以下、本発明を図を用いて説明する。
【０００５】 図１に本発明の磁電変換素子の平面配置
図を、図２には図１のＡ−Ａ’断面構造図を示す。図
１、図２に示すように、半導体基板４の上に複数の磁電
変換素子１０を形成する。本発明で使用する半導体基板
４は、ＧａＡｓ、ＩｎＰなど通常使用されている半導体
基板が使用できる。次に、複数個の素子１０に分けるた
め、イオン注入法を利用して素子周辺部の活性層を絶縁
層２に変成させる。感磁部１並びに入出力電極３の領域
以外の領域に対して実施するイオン注入種は各種の元素
が利用できるが、Ａｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｒの様な元素番
号の大きなものほど効果的である。注入ド−ズ量は注入
元素によって変わってくるが、基板表面の結晶性を破壊
する必要があるので１×１０14ｃｍ-2以上が望ましい。
このようにしてイオン注入された領域は、比抵抗が約１
０7 Ω・ｃｍの絶縁層２となる。次いで、この基板表面
に活性層を形成して感磁部１とする。たとえば図２に示
すように基板上にまずアンド−プＩｎＰ層６を厚さ約１
００ｎｍにエピタキシャル成長させ、次いで、アンド−
プＧａ0.47Ｉｎ0.53Ａｓ層７を厚さ約４００ｎｍにエピ
タキシャル成長させて活性層２を形成する。
図を、図２には図１のＡ−Ａ’断面構造図を示す。図
１、図２に示すように、半導体基板４の上に複数の磁電
変換素子１０を形成する。本発明で使用する半導体基板
４は、ＧａＡｓ、ＩｎＰなど通常使用されている半導体
基板が使用できる。次に、複数個の素子１０に分けるた
め、イオン注入法を利用して素子周辺部の活性層を絶縁
層２に変成させる。感磁部１並びに入出力電極３の領域
以外の領域に対して実施するイオン注入種は各種の元素
が利用できるが、Ａｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｒの様な元素番
号の大きなものほど効果的である。注入ド−ズ量は注入
元素によって変わってくるが、基板表面の結晶性を破壊
する必要があるので１×１０14ｃｍ-2以上が望ましい。
このようにしてイオン注入された領域は、比抵抗が約１
０7 Ω・ｃｍの絶縁層２となる。次いで、この基板表面
に活性層を形成して感磁部１とする。たとえば図２に示
すように基板上にまずアンド−プＩｎＰ層６を厚さ約１
００ｎｍにエピタキシャル成長させ、次いで、アンド−
プＧａ0.47Ｉｎ0.53Ａｓ層７を厚さ約４００ｎｍにエピ
タキシャル成長させて活性層２を形成する。
【０００６】 この半導体基板上に堆積させる活性層
は、気相エピタキシャル成長法や液相エピタキシャル成
長法により作製することができる。この際、堆積させる
活性層は、基板とホモ接合を有する半導体や、ＧａＡｌ
ＡｓやＩｎＧａＡｓのようなヘテロ接合を有する半導体
のいずれも使用できる。この活性層の厚さは磁電変換素
子の特性に依存するが、一般的には１０〜５０００Åの
ものが用いられる。電極３は活性層とオ−ミック特性を
示す通常のものであればどのようなものでも利用でき
る。このようにすれば、イオン注入された絶縁層２部は
結晶が破壊されているのでエピタキシャル絶縁成長層
８’となり、絶縁層２でない部分のみに活性層８が形成
され、感磁部１として利用できる。本発明によれば不平
衡率が改善された磁電変換素子が容易に得られる。この
ようにして１枚の半導体基板４の上に複数の素子５を具
備した素子基板１１が得られる。素子基板１１はカット
ラインＣで切断して複数個の磁電変換素子１０として使
用する。ここの磁電変換素子１０はイオン注入された絶
縁層２と、その上に形成されたエピタキシャル絶縁層８
を具備している。
は、気相エピタキシャル成長法や液相エピタキシャル成
長法により作製することができる。この際、堆積させる
活性層は、基板とホモ接合を有する半導体や、ＧａＡｌ
ＡｓやＩｎＧａＡｓのようなヘテロ接合を有する半導体
のいずれも使用できる。この活性層の厚さは磁電変換素
子の特性に依存するが、一般的には１０〜５０００Åの
ものが用いられる。電極３は活性層とオ−ミック特性を
示す通常のものであればどのようなものでも利用でき
る。このようにすれば、イオン注入された絶縁層２部は
結晶が破壊されているのでエピタキシャル絶縁成長層
８’となり、絶縁層２でない部分のみに活性層８が形成
され、感磁部１として利用できる。本発明によれば不平
衡率が改善された磁電変換素子が容易に得られる。この
ようにして１枚の半導体基板４の上に複数の素子５を具
備した素子基板１１が得られる。素子基板１１はカット
ラインＣで切断して複数個の磁電変換素子１０として使
用する。ここの磁電変換素子１０はイオン注入された絶
縁層２と、その上に形成されたエピタキシャル絶縁層８
を具備している。
【０００７】
【作用】本発明において、基板表面上の感磁部並びに入
出力用電極の領域以外の領域にイオン注入法による不純
物を注入すると、注入損傷により結晶格子の位置にいる
原子が乱され絶縁層に変成する。本基板の表面上にエピ
タキシャル成長を実施すれば、格子の散乱した表面上の
成長層は基板の格子の散乱状態を引き継ぐため絶縁性を
示し、その一方で基板表面の感磁部並びに入出力用電極
の領域は良好な結晶性を有した成長層となる。よって入
出力用電極上に通常のオ−ミック電極を形成すれば、プ
レ−ナ−型の磁電変換素子となる。特に、注入時にド−
ズ量を制御することで注入損傷が容易に制御でき、ひい
ては注入損傷上のエピタキシャル成長層の絶縁性の制御
につながる。
出力用電極の領域以外の領域にイオン注入法による不純
物を注入すると、注入損傷により結晶格子の位置にいる
原子が乱され絶縁層に変成する。本基板の表面上にエピ
タキシャル成長を実施すれば、格子の散乱した表面上の
成長層は基板の格子の散乱状態を引き継ぐため絶縁性を
示し、その一方で基板表面の感磁部並びに入出力用電極
の領域は良好な結晶性を有した成長層となる。よって入
出力用電極上に通常のオ−ミック電極を形成すれば、プ
レ−ナ−型の磁電変換素子となる。特に、注入時にド−
ズ量を制御することで注入損傷が容易に制御でき、ひい
ては注入損傷上のエピタキシャル成長層の絶縁性の制御
につながる。
【０００８】
【実施例】（実施例１）１枚の基板に複数個の磁電変換
素子を作った。平面配置図を図１に示す。断面構造を図
２に示す。素子形成後１個毎に切断して使用する。ま
ず、鉄（Ｆｅ）を添加してなる比抵抗が約１０7 Ω・ｃ
ｍの面方位（１００）の半絶縁性高抵抗ＩｎＰ基板４
に、 感磁部並びに入出力電極の領域をホトリソグラフィ
ーによるレジスト材で保護し、上記領域以外の領域に40
Ａｒ+ をエネルギー５０ＫｅＶ、ドーズ量５×１０13ｃ
ｍ-2の条件で注入し絶縁層５を形成した。レジスト材を
除去後、不純物を故意に添加しないアンド−プＩｎＰ層
６を約１００ｎｍの厚さで成長させ、その後アンド−プ
Ｇａ0.47Ｉｎ0.53Ａｓ層７を４００ｎｍの厚さで成長さ
せ、ＧａＩｎＡｓとＩｎＰとからなるヘテロ接合を有す
る活性層を形成させた。絶縁層５の部分では結晶格子が
破壊されているのでエピタキシャル成長層６’、７’共
に絶縁層２となる。電極領域以外をレジスト材で覆い、
ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ（それぞれの厚さは、５００Å／
７５Å／１０００Å）を蒸着法で形成し、Ｎ2 雰囲気下
４２０℃で５分間アロイングをし、オーミック電極３を
形成した。本方法で得られた素子の特性は、感度８５ｍ
Ｖ／ｍＡ・ＫＧ、不平衡率３．２％であった。
素子を作った。平面配置図を図１に示す。断面構造を図
２に示す。素子形成後１個毎に切断して使用する。ま
ず、鉄（Ｆｅ）を添加してなる比抵抗が約１０7 Ω・ｃ
ｍの面方位（１００）の半絶縁性高抵抗ＩｎＰ基板４
に、 感磁部並びに入出力電極の領域をホトリソグラフィ
ーによるレジスト材で保護し、上記領域以外の領域に40
Ａｒ+ をエネルギー５０ＫｅＶ、ドーズ量５×１０13ｃ
ｍ-2の条件で注入し絶縁層５を形成した。レジスト材を
除去後、不純物を故意に添加しないアンド−プＩｎＰ層
６を約１００ｎｍの厚さで成長させ、その後アンド−プ
Ｇａ0.47Ｉｎ0.53Ａｓ層７を４００ｎｍの厚さで成長さ
せ、ＧａＩｎＡｓとＩｎＰとからなるヘテロ接合を有す
る活性層を形成させた。絶縁層５の部分では結晶格子が
破壊されているのでエピタキシャル成長層６’、７’共
に絶縁層２となる。電極領域以外をレジスト材で覆い、
ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ（それぞれの厚さは、５００Å／
７５Å／１０００Å）を蒸着法で形成し、Ｎ2 雰囲気下
４２０℃で５分間アロイングをし、オーミック電極３を
形成した。本方法で得られた素子の特性は、感度８５ｍ
Ｖ／ｍＡ・ＫＧ、不平衡率３．２％であった。
【０００９】（実施例２）実施例１と同様の配列で１枚
の基板に複数個の磁電変換素子を作った。まず、比抵抗
が約１０7 Ω・ｃｍの面方位（１００）の半絶縁性Ｇａ
Ａｓ基板４に、感磁部並びに入出力用電極の領域をホト
リソグラフィーによるレジスト材で保護し、上記領域以
外の領域に52Ｃｒ+ をエネルギー５０ＫｅＶ、ドーズ量
１×１０13ｃｍ-2の条件で注入し絶縁層５を形成した。
レジスト材を除去後、キャリア濃度５×１０16ｃｍ-3と
なるようにＳｉを添加したＧａＡｓ層８を約２μｍの厚
さで成長させ、活性層を形成させた。絶縁層５の部分で
は結晶格子が破壊されているのでエピタキシャル成長層
６’、７’共に絶縁層２となる。電極領域以外をレジス
ト材で覆い、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ（それぞれの厚さ
は、１２００Å／４００Å／８００Å）を蒸着法で形成
し、Ｎ2 雰囲気下４２０℃で６分間アロイングをしオー
ミック電極３を形成した。断面構造を図３に示す。本方
法で得られた素子の特性は、感度２０ｍＶ／ｍＡ・Ｋ
Ｇ、不平衡率２．４％であった。
の基板に複数個の磁電変換素子を作った。まず、比抵抗
が約１０7 Ω・ｃｍの面方位（１００）の半絶縁性Ｇａ
Ａｓ基板４に、感磁部並びに入出力用電極の領域をホト
リソグラフィーによるレジスト材で保護し、上記領域以
外の領域に52Ｃｒ+ をエネルギー５０ＫｅＶ、ドーズ量
１×１０13ｃｍ-2の条件で注入し絶縁層５を形成した。
レジスト材を除去後、キャリア濃度５×１０16ｃｍ-3と
なるようにＳｉを添加したＧａＡｓ層８を約２μｍの厚
さで成長させ、活性層を形成させた。絶縁層５の部分で
は結晶格子が破壊されているのでエピタキシャル成長層
６’、７’共に絶縁層２となる。電極領域以外をレジス
ト材で覆い、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ（それぞれの厚さ
は、１２００Å／４００Å／８００Å）を蒸着法で形成
し、Ｎ2 雰囲気下４２０℃で６分間アロイングをしオー
ミック電極３を形成した。断面構造を図３に示す。本方
法で得られた素子の特性は、感度２０ｍＶ／ｍＡ・Ｋ
Ｇ、不平衡率２．４％であった。
【００１０】（比較例１）実施例１と同様の配列で１枚
の基板に複数個の磁電変換素子を作った。まず、鉄（Ｆ
ｅ）を添加してなる比抵抗が約１０7 Ω・ｃｍの面方位
（１００）の半絶縁性高抵抗ＩｎＰ基板４に、 不純物を
故意に添加しないアンド−プＩｎＰ層６を約１００ｎｍ
の厚さで成長させ、その後アンド−プＧａ0.47Ｉｎ0.53
Ａｓ層７を４００ｎｍの厚さで成長させ、ＧａＩｎＡｓ
とＩｎＰとからなるヘテロ接合を有する均一な活性層を
形成させた。感磁部並びに入出力用電極の領域をホトリ
ソグラフィーによるレジスト材で保護し、塩酸系のエッ
チング液で４００ｎｍエッチングした。レジスト材を除
去後、電極領域以外を再びレジスト材で覆い、ＡｕＧｅ
／Ｎｉ／Ａｕ（それぞれの厚さは、１５００Å／７５Å
／１０００Å）を蒸着法で形成し、Ｎ2 雰囲気下４２０
℃で５分間アロイングをしオーミック電極３を形成し
た。断面構造を図４に示す。本方法で得られた素子の特
性は、感度８４ｍＶ／ｍＡ・ＫＧ、不平衡率６．８％で
あった。
の基板に複数個の磁電変換素子を作った。まず、鉄（Ｆ
ｅ）を添加してなる比抵抗が約１０7 Ω・ｃｍの面方位
（１００）の半絶縁性高抵抗ＩｎＰ基板４に、 不純物を
故意に添加しないアンド−プＩｎＰ層６を約１００ｎｍ
の厚さで成長させ、その後アンド−プＧａ0.47Ｉｎ0.53
Ａｓ層７を４００ｎｍの厚さで成長させ、ＧａＩｎＡｓ
とＩｎＰとからなるヘテロ接合を有する均一な活性層を
形成させた。感磁部並びに入出力用電極の領域をホトリ
ソグラフィーによるレジスト材で保護し、塩酸系のエッ
チング液で４００ｎｍエッチングした。レジスト材を除
去後、電極領域以外を再びレジスト材で覆い、ＡｕＧｅ
／Ｎｉ／Ａｕ（それぞれの厚さは、１５００Å／７５Å
／１０００Å）を蒸着法で形成し、Ｎ2 雰囲気下４２０
℃で５分間アロイングをしオーミック電極３を形成し
た。断面構造を図４に示す。本方法で得られた素子の特
性は、感度８４ｍＶ／ｍＡ・ＫＧ、不平衡率６．８％で
あった。
【００１１】（比較例２）実施例１と同様の配列で１枚
の基板に磁電変換複数個の素子を作った。まず、比抵抗
が約１０7 Ω・ｃｍの面方位（１００）の半絶縁性Ｇａ
Ａｓ基板４に、 キャリア濃度５×１０16ｃｍ-3となるよ
うにＳｉを添加したＧａＡｓ層１２を約２μｍの厚さで
成長させ、活性層を形成させた。感磁部並びに入出力用
電極の領域をホトリソグラフィーによるレジスト材で保
護し、燐酸系のエチング液で約２μｍエッチングした。
レジスト材除去後、電極領域以外をレジスト材で覆い、
ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ（それぞれの厚さは、１２００Å
／４００Å／８００Å）を蒸着法で形成し、Ｎ2 雰囲気
下４２０℃で６分間アロイングをし、オーミック電極３
を形成した。断面構造を図５に示す。本方法で得られた
素子の特性は、感度２０ｍＶ／ｍＡ・ＫＧ、不平衡率
５．９％であった。
の基板に磁電変換複数個の素子を作った。まず、比抵抗
が約１０7 Ω・ｃｍの面方位（１００）の半絶縁性Ｇａ
Ａｓ基板４に、 キャリア濃度５×１０16ｃｍ-3となるよ
うにＳｉを添加したＧａＡｓ層１２を約２μｍの厚さで
成長させ、活性層を形成させた。感磁部並びに入出力用
電極の領域をホトリソグラフィーによるレジスト材で保
護し、燐酸系のエチング液で約２μｍエッチングした。
レジスト材除去後、電極領域以外をレジスト材で覆い、
ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ（それぞれの厚さは、１２００Å
／４００Å／８００Å）を蒸着法で形成し、Ｎ2 雰囲気
下４２０℃で６分間アロイングをし、オーミック電極３
を形成した。断面構造を図５に示す。本方法で得られた
素子の特性は、感度２０ｍＶ／ｍＡ・ＫＧ、不平衡率
５．９％であった。
【００１２】
【発明の効果】イオン注入法によって形成させた半絶縁
層を具備させた磁電変換素子は、磁電変換素子の基本特
性である感度を維持したまま、不平衡率を低減させるこ
とに効果的である。また、活性層のエピタキシャル成長
層の材質に関係なく効果的で、ヘテロ接合を用いた実施
例１では不平衡率３．２％であるのに対し、比較例１で
は６．８％あり、また、ＧａＡｓ活性層を用いた比較例
２では不平衡率２．４％であるのに対し、比較例１では
５．９％であり、それぞれ効果的なことが判る。更に、
絶縁層を具備させる場合でも、イオン注入法を利用すれ
ば工程数の点でも従来法と大きな違いはない。また、エ
ッチングで生じるウェ−ハ表面上の凸凹部が形成される
ことによる汚れの付着などの発生がなく、選択的に注入
した不純物原子の拡散現象の考慮も不要なので製品の信
頼性は一段と向上するという効果もある。
層を具備させた磁電変換素子は、磁電変換素子の基本特
性である感度を維持したまま、不平衡率を低減させるこ
とに効果的である。また、活性層のエピタキシャル成長
層の材質に関係なく効果的で、ヘテロ接合を用いた実施
例１では不平衡率３．２％であるのに対し、比較例１で
は６．８％あり、また、ＧａＡｓ活性層を用いた比較例
２では不平衡率２．４％であるのに対し、比較例１では
５．９％であり、それぞれ効果的なことが判る。更に、
絶縁層を具備させる場合でも、イオン注入法を利用すれ
ば工程数の点でも従来法と大きな違いはない。また、エ
ッチングで生じるウェ−ハ表面上の凸凹部が形成される
ことによる汚れの付着などの発生がなく、選択的に注入
した不純物原子の拡散現象の考慮も不要なので製品の信
頼性は一段と向上するという効果もある。
【図１】本発明の磁電変換素子の平面構造の一例を示す
図である。
図である。
【図２】本発明の実施例１の磁電変換素子の断面構造図
である。
である。
【図３】本発明の実施例２の磁電変換素子の断面構造図
である。
である。
【図４】比較例１の磁電変換素子の断面構造図である。
【図５】比較例２の磁電変換素子の断面構造図である。
１ 感磁部 ２ 絶縁層 ３ オーミック電極 ４ 半導体基板 ５ イオン注入により形成した絶縁層 ６ ＩｎＰエピタキシャル成長層 ７ ＧａＩｎＡｓエピタキシャル成長層 １０ 素子 １１ 素子基板 １２ ＧａＡｓエピタキシャル成長層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 43/14 Ｇ０１Ｒ 33/06 Ｈ (56)参考文献 特開 昭56−2691（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−73084（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−127292（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−13385（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 43/06 G01R 33/07 H01L 21/762 H01L 21/763 H01L 43/14 G11B 5/37
Claims (3)
- 【請求項１】化合物半導体を感磁部とする磁電変換素子
の製造方法において、半導体基板表面の感磁部となる領
域並びに入出力電極を形成するために必要な領域以外の
基板表面領域に、あらかじめイオン注入により不純物を
１×１０13ｃｍ-2以上のドーズ量で注入する工程と、当
該イオン注入された基板上に化合物半導体層をエピタキ
シャル成長させ、イオン注入された領域上に絶縁層を形
成すると同時に感磁部となる領域に化合物半導体からな
る活性層を形成する工程を含むことを特徴とする磁電変
換素子の製造方法。 - 【請求項２】前記半導体基板がＩｎＰであり、前記活性
層がＧａＩｎＡｓとＩｎＰとからなるヘテロ接合を有す
ることを特徴とする請求項１に記載の磁電変換素子の製
造方法。 - 【請求項３】請求項１または２に記載の製造方法により
製造された磁電変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34045892A JP3223613B2 (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 磁電変換素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34045892A JP3223613B2 (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 磁電変換素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06188478A JPH06188478A (ja) | 1994-07-08 |
| JP3223613B2 true JP3223613B2 (ja) | 2001-10-29 |
Family
ID=18337162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34045892A Expired - Fee Related JP3223613B2 (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 磁電変換素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3223613B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010061616A1 (ja) | 2008-11-28 | 2010-06-03 | 住友化学株式会社 | 半導体基板、電子デバイス、および半導体基板の製造方法 |
-
1992
- 1992-12-21 JP JP34045892A patent/JP3223613B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06188478A (ja) | 1994-07-08 |
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