JP3219064U

JP3219064U - 形状記憶スペーサーファブリック複合材（Ｓｈａｐｅｍｅｍｏｒｙｓｐａｃｅｒｆａｂｒｉｃｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）

Info

Publication number: JP3219064U
Application number: JP2018002315U
Authority: JP
Inventors: レイシャン−ペン
Original assignee: 国立臺北科技大學
Priority date: 2017-06-23
Filing date: 2018-06-21
Publication date: 2018-11-29
Anticipated expiration: 2028-06-21
Also published as: US20180369444A1; US10994044B2; TW201904616A; TWI646982B; EP3417890A1; CN109109392A; CN109109392B

Abstract

【課題】軽質で通気性が良く、固定部位の追随性にすぐれ、操作性も良い形状記憶スペーサーファブリック複合材を提供する。【解決手段】表面に形状記憶高分子層を有するスペーサーファブリックである形状記憶スペーサーファブリック複合材１であって、スペーサーファブリック３０が２層の外部層１０ａ、１０ｂ及び２層の外部層の間に挟まれた中間層２０からなり、形状記憶高分子層４０が２層の外部層及び中間層の表面に覆蓋し、形状記憶高分子層は、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリオールからなる群から選ばれる少なくとも１種のランダム共重合体又はブロック共重合体からなり、ランダム共重合体又はブロック共重合体の少なくとも１つの相変化温度が４０〜８０℃の範囲内である。【選択図】図１

Description

本考案は形状記憶スペーサーファブリック複合材に関し、特に固定装置又は支持装置のための形状記憶スペーサーファブリック複合材に関する。

３Ｄファブリックやスペーサーファブリック（３−Ｄｆａｂｒｉｃｏｒｓｐａｃｅｒｆａｂｒｉｃ）は、強靭な構造と弾性に富み且つ多孔で軽質であるという特長を有し、各分野での応用が開発中である。例えば、服飾、靴材、交通輸送、農業用及び医療などのイノベーションに応用されている。スペーサーファブリックに特殊な機能性を付加することで、スペーサーファブリックにスマート特性を持たせることができる。例えば、国際公開特許ＷＯ２００６／０７９６０２に記載のような、熱可塑性素材とスペーサーファブリックとの結合を骨折固定装置としたものや、ＵＳ６４８２１６７に記載の骨鋳造技術など、スペーサーファブリックが通気性がよく軽質である特性を有し、さらに熱可塑性素材の機械強度及び可塑性を加えると、従来の石膏に代えて骨折の固定板や支持板などに非常に好適である。

形状記憶高分子（ポリマー）材料は、スマート型材料の一種であり、熱、光、電解、磁界などの外界の刺激により変形した暫定形態（暫定形状）から永久状態に戻る（初期形状）能力を有する材料であるので、例えば電子回路素子、熱センサー素子、バイオメディカル分野などに広く応用されている。例えば、特許文献（米国特許第６７４００９４号）記載の形状記憶アクチュエーター及びカテーテル、米国特許第５，９１０３５７号記載の分離膜、米国特許公告第２０１６／００４４９７１号記載の形状記憶ブラジャー、台湾特許ＴＷ１５５６７５７記載のシューツリーシステムなど）などの記載がある。

形状成形及び記憶の原理は、例えば、一般には材料が２個のＴｇ及び１〜２個のＴｍ点を有し、２個から３個のプラトー領域を誘導し、高温プラトーで応力を受けて変形すると、温度を低温プラトー領域へ急峻に低下させて分子がひずむ間もなく凍結させ、このとき変形した形状の回復は温度が再度高温プラトー領域に戻ってから回復の駆動力が得られる。しかしながら、成形されても、変形形状から初期形状へ回復するか否かは、材料変形後分子のひずみの程度に左右され、変形後に高温でより長いひずみを経た場合、外力を加えない状況で初期形状へ「記憶回復」する程度は多くなく、従って、３個のプラトー領域を有する場合、高温プラトー領域と低温プラトー領域との間に中間温度プラトー領域（記憶回復領域）を挿入すると、熱成形後、ひずみの時間の長短にかかわらず、温度が記憶回復領域の間であれば成形でき、その後低温プラトー領域まで冷却すれば該温度範囲内で使用できる。使用により変形が生じた場合は、記憶回復域まで昇温すれば当初の成形を回復できる。

形状記憶高分子材料をスペーサーファブリックに応用する際に、熱可塑性材料を使用する場合と比較して、熱成形性のほか、形状記憶性及び２個から３個の記憶形状を有するために、スペーサーファブリックに更に多様な機能を付与できる。

従来は石膏を使用して骨折部位を固定したり、また米国特許第７，８６７，１８０号記載のように、熱可塑性ポリオレフィンからなる包帯により骨折部位の固定または支持装置としているが、石膏や包帯などは使用上の不便や通気性の不足といった問題があり、また骨折部位に石膏や包帯を使用して固定している期間、容易にしばらく外したり、外部装置を利用して該部位に対する骨折部位復原を輔助するメカニズムを提供できなかった。石膏または包帯も骨細胞成長を促進するメカニズムはなく、ただ単に固定または支持装置のみであった。骨細胞成長促進の研究により、有効な方法ではいずれも定期的に（例えば、毎日）電界、磁界、超音波、衝撃波などの刺激を提供する必要があるが、しかし、実用上骨折部位に固定または支持装置が施された後は、このような治療を行うことは容易ではなかった。

上記の考案の背景にかんがみ、産業上の需要を満足させるため、本考案の目的の一は、形状記憶スペーサーファブリック複合材を提供し、形状記憶高分子とスペーサーファブリックの結合によりスペーサーファブリックに形状記憶効果を付与し、形状記憶高分子のガラス転移温度Ｔｇ及び融点Ｔｍ、分子架橋度または結晶度を調整することで、異なる機械強度及び異なる分子のひずみ時間（即ち熱成形操作時間）を有する形状記憶スペーサーファブリック複合材が得られ、軽質、通気性がよく、固定部位の追随性が良く、操作性がよいなどの特長が得られる。

さらに、本考案の目的の一は、固定装置を提供し、形状記憶スペーサーファブリック複合材を使用することで、従来使用している石膏などに代えて、または石膏が使用できない状況に代えて使用者の特定部位を固定または支持する軽質で、通気性がよく、固定部位に対する追随性がよく、操作性が良い固定または支持装置を提供し、且つ該部位に対して電界、磁界、超音波、衝撃波などの刺激を与えて、骨細胞成長を促進し、使用者の骨折部位の復原を輔助する。

上記目的を達成するために、本考案の一実施形態によれば、表面に形状記憶高分子層を有するスペーサーファブリックである形状記憶スペーサーファブリック複合材であって、前記スペーサーファブリックが２層の外部層及び前記２層の外部層の間に挟まれた中間層からなり、前記形状記憶高分子層は前記２層の外部層及び中間層の表面に覆蓋し、前記形状記憶高分子層が、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリオールからなる群から選ばれる少なくとも１種のランダム共重合体又はブロック共重合体からなり、前記ランダム共重合体又はブロック共重合体が４０〜８０℃の範囲内で少なくとも１つの相変化温度を有する形状記憶スペーサーファブリック複合材を提要する。

更に本考案の別の実施形態によれば、使用者の特定部位を固定するための固定装置であって、前記使用者の特定部位に前記形状記憶スペーサーファブリック複合材を使用することを特徴とする固定装置を提供する。

さらに、本考案の別の実施形態によれば、使用者の特定部位を支持するための支持装置であって、前記使用者の特定部位に前記形状記憶スペーサーファブリック複合材を使用することを特徴とする支持装置を提供する。

本考案の形状記憶スペーサーファブリック複合材によれば、異なる機械強度及び異なる分子のひずみ時間（即ち熱成形操作時間）を有する形状記憶スペーサーファブリック複合材が得られ、軽質、通気性がよく、追随性が良く、操作性がよいなどの特長が得られる。複合材の特性によれば、例えば服飾、靴材、交通輸送、建築、農業用及び医療などの各分野に応用できる。さらに、本考案の固定装置または支持装置によれば、軽質で、通気性がよく、固定部位に対する追随性がよく、操作性が良い固定装置または支持装置を提供し、且つ該部位に対して電界、磁界、超音波、衝撃波などの刺激を与えて、骨細胞成長を促進し、使用者の骨折部位の復原を輔助する。支持装置の具体的な応用としては、例えば、脊椎を支持するサポーターがある。

以下図に示した実施形態を参照して、本考案の目的の達成に使われる技術手段と構造の特徴を詳細に説明する。

本考案の形状記憶スペーサーファブリック複合材の断面図である。図１に示す本考案の形状記憶スペーサーファブリック複合材の平面図である。本考案の形状記憶スペーサーファブリック複合材の導電パターンの略図である。本考案の形状記憶スペーサーファブリック複合材の変形態様の略図である。本考案の形状記憶スペーサーファブリック複合材の別の変形態様の略図である。本考案の固定装置を骨折部位に応用した略図である。本考案の形状記憶スペーサーファブリック複合材を固定装置に応用したときのヤング係数と温度との関係を示す略図である。

本考案の上記及びその他の技術内容、特長と効果は、以下で図面を参照しながら、よりよい実施例の詳細な説明において明確に示されている。以下の実施例で言及している方向性用語、例えば、上、下、左、右、前または後ろなどは、参考のために図面に付加した方向である。したがって、使用する方向用語は説明のためであって、本考案を制限するものではない。このほか、「Ａ層（または素子）をＢ層（または素子）の上に設置する」という用語は、Ａ層が直接Ｂ層表面に貼付け・覆蓋・接触する態様に限らず、例えばＡ層とＢ層との中間にその他の積層を介していても、当該用語に含まれる範囲である。図面において、同じ素子は同じ符号で示される。

以下、より良い実施態様により、本考案を具体的に説明する。ただし、本考案はこれら実施態様に限られず、本考案の要旨を逸脱しない範囲において、各種変形または変更を行うことができる。

図１は本考案の形状記憶スペーサーファブリック複合材の断面図であり、このうち（ａ）は２層の外部層１０ａ、１０ｂ及び中間層２０から構成されるスペーサーファブリック複合材３０を示し、（ｂ）は形状記憶高分子層４０が外部層１０ａ、１０ｂ及び中間層２０の表面を覆蓋して構成された形状記憶スペーサーファブリック複合材１を示す。図２（ａ）は図１（ａ）で示すスペーサーファブリック３０の平面図、及び図２（ｂ）は図１（ｂ）で示す形状記憶スペーサーファブリック複合材１の平面図である。

スペーサーファブリック３０は、２層の外部層１０ａ、１０ｂ及び中間層２０から構成され、２層の外部層１０ａ、１０ｂは例えばひし形のメッシュ、中間層はモノヤーン（ｍｏｎｏｙａｒｎ）であり、構造はサンドイッチのように畳み込まれたサンドイッチ立体メッシュ編物とも言われ、主に高分子合成繊維からなり、精密経横編み機で編まれてなる。２層の外部層１０ａ、１０ｂの間には密な網で支持しており、表面の網状構造に大きな変形を生じにくく、ファブリックの機械性及び色彩の安定度を増強できる。立体メッシュ編み物の特殊な構造により、以下のような特長を有する。すなわち、（１）平面ファブリックに比較して、立体メッシュ構造は良好な通気性及び支持性を有する、（２）良好な耐震、弾性回復力及び延伸性を有し、応力を受けると力の方向に沿って延伸し、応力を除くと又本来の形状に回復し、ゆるみや変形がない、（３）高分子繊維から組成され、良好な堅固性、耐摩耗性且つ耐変色性及び耐水洗性も高い。メッシュ形状は多様性があり、軽い材料で、洗浄しやすい。（４）その他の複合材と組み合わせることで、多機能性及び応用性が増加するなどである。立体メッシュ編み物は広く服飾や、靴材、マットレス、帽子材、通気性靴パッド、運動サポーター材、医療複合材などに応用される。スペーサーファブリック３０は、市販品からも得ることができる。

形状記憶高分子層４０は、まず形状記憶高分子組成物を調製したのち、塗布または含浸法により２層の外部層１０ａ、１０ｂ及び中間層２０の表面に塗膜を形成したのち乾燥させて得られる。形状記憶高分子組成物は形状記憶高分子（ポリマーまたはコポリマー）及び溶媒を含み、固形成分濃度を調整して粘度を調整してから、スペーサーファブリック３０に塗布するか、スペーサーファブリック３０を組成物溶液中で含浸させて、乾燥後の形状記憶スペーサーファブリック複合材１の重量を生地または基材となるスペーサーファブリック３０の重量の１〜５倍、より好ましくは３〜５倍になるようにする。形状記憶高分子層４０は、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリオールからなる群から選ばれる少なくとも１種のランダム共重合体又はブロック共重合体からなり、前記ランダム共重合体又はブロック共重合体が４０〜８０℃の範囲内で１つの相変化温度を有する。注意すべきは、図２で示すように、形状記憶高分子層４０はスペーサーファブリック３０の表面に形成されたのちも、なおメッシュ５０（孔）を有しており、立体メッシュ構造を有する。このほか、メッシュ５０の縮小率、即ち（形状記憶高分子層形成前のメッシュ５０の平均直径−形成後のメッシュ５０の平均直径）／形成前のメッシュ５０の平均直径の比は、好ましくは８０％以下、さらに好ましくは５０％以下、さらに好ましくは４０％以下である。具体的には、本考案の形状記憶スペーサーファブリック複合材は、ＡＳＴＭＤ７３７に準拠した通気率が１００ｃｆｍ（ｆｔ^３／ｍｉｎ）以上であり、好ましくは３００ｃｆｍ以上、より好ましくは５００ｃｆｍ以上である。

一の実施例において、前記ランダム共重合体またはブロック共重合体は前記多数の相変化温度の最小相変化温度以下で１０^８Ｐａ以上のヤング係数（Ｙｏｏｕｎｇ’ｓｍｏｄｕｌｕｓ）を有する。さらに、ＡＳＴＭＤ７９０に準拠した三点曲げ試験において、幅１４ｍｍ、厚さ７．５ｍｍのテストシートを使用し、テスト速度３．２ｍｍ／ｍｉｎで、支持点及び圧子半径が９ｍｍ、支持点距離８５ｍｍ、変形量５％以内では破断点は生じず、得られた数値は曲げ強度であり、本考案の形状記憶スペーサーファブリック複合材の曲げ強度は５０ｋｇｆ／ｃｍ^２以上であった。前記ランダム共重合体またはブロック共重合体は、好ましくはポリエステル共重合体である。形状記憶高分子層４０はポリエステルランダム共重合体からなり、例えば前記ポリエステルはエチレングリコール、セバシン酸、ヘキサメチレンジアミン（Ｈ_２Ｎ（ＣＨ_２）_６ＮＨ_２）及びトリメシン酸（ｔｒｉｍｅｓｉｃａｃｉｄ）を重合してなる。さらに、形状記憶高分子層４０を構成するポリエステルは、例えば台湾特許第Ｉ４４３１２４号、第Ｉ２９７６９９号記載の方法で合成できる。

さらに、別の実施例において、前記ランダム共重合体又はブロック共重合体が第１相変化温度及び第２相変化温度を有し、前記第１相変化温度が０〜３７℃の範囲内であり、前記第２相変化温度が４６〜８０℃の範囲内であり、前記第２相変化温度以下で１０^６Ｐａ以上のヤング係数を有し、前記第２相変化温度と前記第１相変化温度との間の温度範囲で１０^６〜１０^８Ｐａのヤング係数を有し、前記第１相変化温度以下で１０^８Ｐａ以上のヤング係数を有する。また別の実施例では、前記形状記憶高分子層はポリウレタンランダム共重合体からなり、前記ポリウレタンランダム共重合体は２種又は２種以上の互溶又は微互溶性のポリウレタンを混合してなる。

一の実施例では、前記２層の外部層のうち一方（１０ａまたは１０ｂ）あるいは両方（１０ａ及び１０ｂ）の前記形状記憶高分子層４０の表面に、更にラインパターン層１５を有し、ラインパターン層１５は導電材からなる導線パターンであり且つ前記導線パターンは複数の素子接続用接点１５ａ及び導線１５ｂを有する。図３は本考案の形状記憶スペーサーファブリック複合材の導電パターン１５の略図である。このうち、（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ異なる導電パターンを示し、複数の素子接続用接点１５ａ及び導線１５ｂを有し、必要に応じて指定の又は必要な位置に複数の素子接続用接点１５ａ及び導線１５ｂを設置するか、導線１５ｂのみを設置してもよい。図４は図３の形状記憶スペーサーファブリック複合材の一変形態様の略図であり、（ａ）は筒状に曲げたときに導電パターンが外面に向かう状況、（ｂ）は接点を素子に接続したときの状況を示す。図４に示すように、コイル６０は２個の接点１５ａの間に接続され、さらに導線１５ｂにより磁界を供給する外部装置と電的接続をしたのち、特定の位置で磁界あるいはパルス電磁界（ＰＥＭＦ）を提供する。図４で示す導電パターンは外面に形成される態様であり、その他実施例では、内面に形成する態様でもよい。いわゆる内面と外面は、形状記憶スペーサーファブリック複合材が中空筒状に曲がった時の内側と外側を指しており、骨折固定装置に応用する際、内側は骨折部位側である。言い換えれば、導電パターンは２層の外部層のうち一方（１０ａ又は１０ｂ）あるいは両方（１０ａ及び１０ｂ）の前記形状記憶高分子層４０の表面に設置できる。形成方法については、例えばインクジェット法、プリント法又は熱転写法などでよく、好ましくは熱転写法である。さらに、図４で示すコイル６０の設置は単に略図的に示したもので、コイルの数及び位置は実際の必要に応じて調整できる。このほか、コイル６０に替えて電極パッド、又は超音波プローブなどを使用し、パルス波又は超音波を提供してもよい。

図５は本考案の形状記憶スペーサーファブリック複合材の別の変形態様を示す略図である。このうち、超音波プローブ７０は素子接続用接点１５ａに接続し、導電パターン１５は内側、即ち骨折部位側に位置している。

図６は本考案の固定装置を骨折部位に応用した略図である。図６は手に応用したものを示すが、本考案の形状記憶スペーサーファブリック複合材は図６の例に限られず、任意の部位に応用できる。図７は本考案の形状記憶スペーサーファブリック複合材を骨折固定装置に応用した際のヤング係数と温度との関係を示す。上記のとおり、本考案の形状記憶スペーサーファブリック複合材を使用すると、外部装置から電界刺激衝撃波、超音波又はパルス波が提供され、前記ラインパターン層を経由して、経皮で前記使用者の骨折部位に導入され、細胞生長を輔助する。

また、本考案の固定装置は人体への応用に限られず、骨折部位にも限られず、任意の生物体の必要な部位に使用できる。このほか、本考案は更に支持装置を提供し、上記固定装置と同様、任意の生物体の必要な部位に使用でき、その機械特性により支持用途、例えば背中サポーター、脊椎サポーターに応用される。また、本考案の固定装置は、電界、磁界、超音波、衝撃波等の刺激を実施する必要がある部位に応用される。

以上のとおり、本考案の形状記憶スペーサーファブリック複合材によれば、異なる機械強度及び異なる分子のひずみ時間（即ち熱成形操作時間）を有する形状記憶スペーサーファブリック複合材が得られ、軽質、通気性がよく、追随性が良く、操作性がよいなどの特長が得られる。複合材の特性によれば、例えば服飾、靴材、交通輸送、建築、農業用及び医療などの各種分野に応用できる。更に、本考案の骨折固定装置によれば、軽質で、通気性がよく、固定したい部位に対する追従性がよく、操作性がよい骨折固定装置を提供でき、且つこれら部位に、電界、磁界、超音波、衝撃波等の刺激を提供して骨細胞の生長を促進し、使用者の骨折部位の復原を輔助できる。

以上、本考案の特定の実施例を図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成は、この実施例に限られるものではなく、本考案の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等があっても、本考案に含まれる。また、本考案の任意の実施例又は特許請求の範囲は、本考案が開示する全ての目的又は特長、特徴を達成する必要はない。このほか、要約部分と標題は特許文献の検索に用いられるために過ぎず、本考案の権利範囲を制限するものではない。

１形状記憶スペーサーファブリック複合材
１０ａ、外部層
１０ｂ外部層
１５導電パターン（ラインパターン層）
１５ａ素子接続用接点
１５ｂ導線
２０中間層
３０スペーサーファブリック
４０形状記憶高分子層
５０メッシュ（孔）
６０コイル
７０超音波プローブ

Claims

表面に形状記憶高分子層を有するスペーサーファブリックである形状記憶スペーサーファブリック複合材であって、前記スペーサーファブリックが２層の外部層及び前記２層の外部層の間に挟まれた中間層からなり、前記形状記憶高分子層は前記２層の外部層及び中間層の表面に覆蓋し、
前記形状記憶高分子層が、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリオールからなる群から選ばれる少なくとも１種のランダム共重合体又はブロック共重合体からなり、
前記ランダム共重合体又はブロック共重合体が少なくとも１つの相変化温度を有し、それの１つが４０〜８０℃の範囲内であり、
前記ランダム共重合体又はブロック共重合体が前記少なくとも１つの相変化温度の最小相変化温度以下において１０^８Ｐａ以上のヤング係数を有し、且つ前記複合材のＡＳＴＭＤ７９０に準拠する曲げ強度が５０ｋｇｆ／ｃｍ^２以上であること、
を特徴とする形状記憶スペーサーファブリック複合材。
前記ランダム共重合体又はブロック共重合体が第１相変化温度及び第２相変化温度を有し、前記第１相変化温度が０〜３７℃の範囲内であり、前記第２相変化温度が４６〜８０℃の範囲内であり、前記第２相変化温度以下で１０^６Ｐａ以上のヤング係数を有し、前記第２相変化温度と前記第１相変化温度との間の温度範囲で１０^６〜１０^８Ｐａのヤング係数を有し、前記第１相変化温度以下で１０^８Ｐａ以上のヤング係数を有する、
ことを特徴とする請求項１記載の形状記憶スペーサーファブリック複合材。
前記ランダム共重合体又はブロック共重合体がポリエステル共重合体であることを特徴とする請求項１又は２記載の形状記憶スペーサーファブリック複合材。
前記形状記憶高分子層がポリエステルランダム共重合体から構成され、前記ポリエステルは、エチレングリコール、セバシン酸、ヘキサメチレンジアミン（Ｈ_２Ｎ（ＣＨ_２）_６ＮＨ_２）及びトリメシン酸（ｔｒｉｍｅｓｉｃａｃｉｄ）を重合してなるものであることを特徴とする請求項１記載の形状記憶スペーサーファブリック複合材。
前記形状記憶高分子層がポリウレタンランダム共重合体からなり、前記ポリウレタンランダム共重合体が２種又は２種以上の互溶又は微互溶性のポリウレタンを混合してなることを特徴とする請求項２記載の形状記憶スペーサーファブリック複合材。
前記２層の外部層における一方又は両方の前記形状記憶高分子層の表面に、更にラインパターン層を有し、前記ラインパターン層が導電材からなる導線パターンであり、且つ前記導線パターンが複数の素子接続用接点及び導線を有することを特徴とする請求項１記載の形状記憶スペーサーファブリック複合材。
前記ラインパターン層が更に前記外部層の外縁に位置する複数の導電端点を有し、電磁刺激衝撃波が前記ラインパターン層の前記複数の導電端点及び複数の素子接続用接点を経由して、前記形状記憶スペーサーファブリック複合材の使用者に提供されることを特徴とする請求項６記載の形状記憶スペーサーファブリック複合材。
前記ラインパターン層が更に前記外部層の外縁に位置する複数の導電端点を有し、前記素子接続用接点と超音波導入素子を接続すると、超音波が前記ラインパターン層の前記複数の導電端点と前記複数の素子接続用接点を経由して、前記形状記憶スペーサーファブリック複合材の使用者に供されることを特徴とする請求項６記載の形状記憶スペーサーファブリック複合材。
前記超音波導入素子が超音波プローブであることを特徴とする請求項８記載の形状記憶スペーサーファブリック複合材。
前記ラインパターン層が更に前記外部層の外縁に位置する複数の導電端点を有し、前記素子接続用接点と電極パッドを接続すると、パルス波が前記ラインパターン層の前記複数の導電端点及び前記複数の素子接続用接点を経由して、前記形状記憶スペーサーファブリック複合材の使用者に供されることを特徴とする請求項６記載の形状記憶スペーサーファブリック複合材。
使用者の特定部位を固定するための固定装置であって、前記使用者の特定部位に請求項１〜１０のいずれか一に記載の形状記憶スペーサーファブリック複合材を使用することを特徴とする固定装置。
請求項７〜１１のいずれか一に記載の形状記憶スペーサーファブリック複合材を使用すると、外部装置から提供される電磁刺激衝撃波、超音波又はパルス波が前記ラインパターン層を経由し、前記使用者の特定部位に経皮導入されて細胞生長を輔助することを特徴とする請求項１１記載の固定装置。
使用者の特定部位を支持するための支持装置であって、前記使用者の特定部位に請求項１〜１１のいずれか一に記載の形状記憶スペーサーファブリック複合材を使用することを特徴とする支持装置。