JP3216514U - 電力増幅回路ならびに当該電力増幅回路および電源を有する回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】高インピーダンスの負荷に出力を供給する電力増幅回路ならびに当該電力増幅回路および電源を有する回路において、消費電力を最適化する。【解決手段】電源から供給される電圧を昇圧する昇圧回路40と、昇圧された電圧を分圧し、基準電位電圧を生成する分圧回路50と、昇圧された電圧および基準電位電圧が供給される電力増幅器10と、を有する電力増幅回路100’を提供する。さらに、当該電力増幅回路と、昇圧回路に電圧を供給する電源200’と、を有する回路を提供する。【選択図】図2
Description
本考案は、高インピーダンスの負荷に出力を供給する電力増幅回路ならびに当該電力増幅回路および電源を有する回路に関するものである。
オーディオ信号のような電子信号を増幅する電力増幅器として、例えば特許文献1には、必要なときに増大された電力出力を提供する技術が開示されている。
他の例として、図1を用いて従来の電力増幅回路を説明する。
電力増幅回路100は、電力増幅器10および降圧回路30を有し、高電圧低電流電源200に接続されている。
高電圧低電流電源200では、例えば、電圧は±60Vであり、電流は0.1Aである。高電圧低電流電源200は、+端子(+B)、GND端子および−端子(−B)を有し、±B(V)の電圧を供給する。
降圧回路30は、高電圧低電流電源200の+端子から供給された電圧+BをVCCに降圧する。降圧回路30のスケールファクタは、1/S=VCC/2Bとして表される。
電力増幅器10は、ブートストラップハイサイド電源回路およびハーフブリッジ出力段を有するスイッチング方式の電力増幅器であり、例えば、PWM電力増幅器である。ブートストラップハイサイド電源回路は、高電圧ゲートドライバ11、ダイオード12およびコンデンサ13を有し、ハーフブリッジ出力段は、2つのトランジスタ14a、14bを有する。
電力増幅器10の+電源入力端子10aには、高電圧低電流電源200の+電圧(+B)が印加され、電力増幅器10の−電源入力端子10cには、高電圧低電流電源200の−電圧(−B)が印加され、電力増幅器10の入力端子10dには、降圧回路30によって降圧された電圧(VCC)が印加される。
電力増幅器10は、+電源入力端子10aから入力される正電源と−電源入力端子10cから入力される負電源とによって、入力端子10fから入力される入力信号Vinを増幅して、出力端子10bから出力信号Voutを出力する。出力信号Voutは、ローパスフィルタLPF(図示せず)を介して負荷Lに供給される。
また、電力増幅器10の基準端子10eは、高電圧低電流電源200のGND端子に接続されている。
電力増幅回路100は、電力増幅器10および降圧回路30を有し、高電圧低電流電源200に接続されている。
高電圧低電流電源200では、例えば、電圧は±60Vであり、電流は0.1Aである。高電圧低電流電源200は、+端子(+B)、GND端子および−端子(−B)を有し、±B(V)の電圧を供給する。
降圧回路30は、高電圧低電流電源200の+端子から供給された電圧+BをVCCに降圧する。降圧回路30のスケールファクタは、1/S=VCC/2Bとして表される。
電力増幅器10は、ブートストラップハイサイド電源回路およびハーフブリッジ出力段を有するスイッチング方式の電力増幅器であり、例えば、PWM電力増幅器である。ブートストラップハイサイド電源回路は、高電圧ゲートドライバ11、ダイオード12およびコンデンサ13を有し、ハーフブリッジ出力段は、2つのトランジスタ14a、14bを有する。
電力増幅器10の+電源入力端子10aには、高電圧低電流電源200の+電圧(+B)が印加され、電力増幅器10の−電源入力端子10cには、高電圧低電流電源200の−電圧(−B)が印加され、電力増幅器10の入力端子10dには、降圧回路30によって降圧された電圧(VCC)が印加される。
電力増幅器10は、+電源入力端子10aから入力される正電源と−電源入力端子10cから入力される負電源とによって、入力端子10fから入力される入力信号Vinを増幅して、出力端子10bから出力信号Voutを出力する。出力信号Voutは、ローパスフィルタLPF(図示せず)を介して負荷Lに供給される。
また、電力増幅器10の基準端子10eは、高電圧低電流電源200のGND端子に接続されている。
以下、図1の電力増幅回路100における消費電力を検討する。
高電圧低電流電源200は、電流(IB+IccI)を供給し、降圧回路30は、電流Iccを供給する。
電力増幅回路100全体での消費電力Ptotalは、式(1)(2)のとおりである。
Ptotal=S×VCC×(IB+IccI) (1)
Ptotal=Pconv+Pload+Pamp (2)
ただし、Sは降圧回路30のスケールファクタ(1/S=VCC/2B)であり、Pconvは降圧回路30での消費電力であり、Ploadは負荷Lでの消費電力であり、Pampは電力増幅器10での消費電力である。
負荷Lがダイナミックスピーカー等である場合、負荷Lのインピーダンスは低い(例えば数Ω程度)ので、
Pload>>Pconv、Pamp
が成立する。これは、大部分の電力が負荷Lで消費されることを意味する。しかしながら、負荷Lがピエゾ素子(ピエゾスピーカ)等である場合、負荷Lのインピーダンスは高い(例えば1kHzで1kΩ程度)ので、
Pload<<Pconv(IB<<IccI)
が成立する。すなわち、負荷Lでの消費電力Ploadより、降圧回路30の消費電力Pconvがはるかに大きくなる。これは、高電圧低電流電源200から供給される電力の大部分が、負荷L以外の部分で消費されることを意味するため、消費電力の最適化という観点で問題である。
高電圧低電流電源200は、電流(IB+IccI)を供給し、降圧回路30は、電流Iccを供給する。
電力増幅回路100全体での消費電力Ptotalは、式(1)(2)のとおりである。
Ptotal=S×VCC×(IB+IccI) (1)
Ptotal=Pconv+Pload+Pamp (2)
ただし、Sは降圧回路30のスケールファクタ(1/S=VCC/2B)であり、Pconvは降圧回路30での消費電力であり、Ploadは負荷Lでの消費電力であり、Pampは電力増幅器10での消費電力である。
負荷Lがダイナミックスピーカー等である場合、負荷Lのインピーダンスは低い(例えば数Ω程度)ので、
Pload>>Pconv、Pamp
が成立する。これは、大部分の電力が負荷Lで消費されることを意味する。しかしながら、負荷Lがピエゾ素子(ピエゾスピーカ)等である場合、負荷Lのインピーダンスは高い(例えば1kHzで1kΩ程度)ので、
Pload<<Pconv(IB<<IccI)
が成立する。すなわち、負荷Lでの消費電力Ploadより、降圧回路30の消費電力Pconvがはるかに大きくなる。これは、高電圧低電流電源200から供給される電力の大部分が、負荷L以外の部分で消費されることを意味するため、消費電力の最適化という観点で問題である。
本考案は、上述した問題点を解消し、高インピーダンスの負荷に出力を供給する電力増幅回路ならびに当該電力増幅回路および電源を有する回路において、消費電力を最適化することを目的とする。
本考案の電力増幅回路は、
電源から供給される電圧を昇圧する昇圧回路と、
昇圧された電圧を分圧し、基準電位電圧を生成する分圧回路と、
前記昇圧された電圧および前記基準電位電圧が供給される電力増幅器と、
を有する。
電源から供給される電圧を昇圧する昇圧回路と、
昇圧された電圧を分圧し、基準電位電圧を生成する分圧回路と、
前記昇圧された電圧および前記基準電位電圧が供給される電力増幅器と、
を有する。
本考案の電力増幅回路は、
昇圧比制御回路をさらに有し、
前記昇圧比制御回路は、前記電力増幅器への入力信号または前記電力増幅器からの出力信号に応じて、前記昇圧回路の昇圧比を制御する、
ことが好ましい。
昇圧比制御回路をさらに有し、
前記昇圧比制御回路は、前記電力増幅器への入力信号または前記電力増幅器からの出力信号に応じて、前記昇圧回路の昇圧比を制御する、
ことが好ましい。
本考案の回路は、
上述した電力増幅回路と、
前記昇圧回路に電圧を供給する電源と、
を有する。
上述した電力増幅回路と、
前記昇圧回路に電圧を供給する電源と、
を有する。
図2は、本考案の第1実施形態に係る電力増幅回路のブロック図である。
図2において、図1と同一の構成には同一の参照符号を付してその説明を省略する。
電力増幅回路100’は、電力増幅器10、第1のDC/DCコンバータとしての昇圧回路40および第2のDC/DCコンバータとしての分圧回路50を有し、電源200’に接続されている。
電源200’では、例えば、電圧は12Vであり、電流は1Aである。以下、電源200’を図1の高電圧低電流電源200と区別するために、低電圧高電流電源200’と称する。低電圧高電流電源200’は、VCC端子および0V端子を有する。
昇圧回路40は、低電圧高電流電源200’のVCC端子から供給された電圧VCCを+Bに昇圧する。昇圧回路40のスケールファクタは、S=2B/VCCとして表される。
分圧回路50は、昇圧された電圧+Bを分圧し、基準電位電圧VGを生成する。基準電位電圧VGは、±Bの中点電位に限定されるものではなく、分圧回路50は、任意の比率で分圧することができる。分圧回路50は、2つのトランジスタ、4つの抵抗および1つのダイオードから構成されてもよいし、演算増幅回路から構成されてもよい。
低電圧高電流電源200’からの電圧を、昇圧回路40を用いて昇圧し、分圧回路50を用いて分圧することにより、電力増幅器10の各入力端子には、図1の場合と同一の電圧が入力される。すなわち、+電源入力端子10aには、+Bが印加され、−電源入力端子10cには、−Bが印加され、入力端子10dには、VCCが印加される。
なお、コンデンサC1、C2は、出力電圧を平滑化することができるので、図示例のように設けることが好ましいが、省略することもできる。
図2において、図1と同一の構成には同一の参照符号を付してその説明を省略する。
電力増幅回路100’は、電力増幅器10、第1のDC/DCコンバータとしての昇圧回路40および第2のDC/DCコンバータとしての分圧回路50を有し、電源200’に接続されている。
電源200’では、例えば、電圧は12Vであり、電流は1Aである。以下、電源200’を図1の高電圧低電流電源200と区別するために、低電圧高電流電源200’と称する。低電圧高電流電源200’は、VCC端子および0V端子を有する。
昇圧回路40は、低電圧高電流電源200’のVCC端子から供給された電圧VCCを+Bに昇圧する。昇圧回路40のスケールファクタは、S=2B/VCCとして表される。
分圧回路50は、昇圧された電圧+Bを分圧し、基準電位電圧VGを生成する。基準電位電圧VGは、±Bの中点電位に限定されるものではなく、分圧回路50は、任意の比率で分圧することができる。分圧回路50は、2つのトランジスタ、4つの抵抗および1つのダイオードから構成されてもよいし、演算増幅回路から構成されてもよい。
低電圧高電流電源200’からの電圧を、昇圧回路40を用いて昇圧し、分圧回路50を用いて分圧することにより、電力増幅器10の各入力端子には、図1の場合と同一の電圧が入力される。すなわち、+電源入力端子10aには、+Bが印加され、−電源入力端子10cには、−Bが印加され、入力端子10dには、VCCが印加される。
なお、コンデンサC1、C2は、出力電圧を平滑化することができるので、図示例のように設けることが好ましいが、省略することもできる。
図3を用いて、(a)図1に示す従来の電力増幅回路100および(b)図2に示す本考案の第1実施形態に係る電力増幅回路100’の電位状態について説明する。
図1に示す従来の電力増幅回路100では、Iccは+Bと−Bとの間を還流するので、その間に存在する降圧回路30ではIccによる電力損失が発生する。
図2に示す本考案の第1実施形態に係る電力増幅回路100’では、Iccは低電圧高電流電源200’から供給されるため、VCCより高電位のVGや+B側からは電力が供給されない。それゆえ、Iccによる電力損失が少ない。
図1に示す従来の電力増幅回路100では、Iccは+Bと−Bとの間を還流するので、その間に存在する降圧回路30ではIccによる電力損失が発生する。
図2に示す本考案の第1実施形態に係る電力増幅回路100’では、Iccは低電圧高電流電源200’から供給されるため、VCCより高電位のVGや+B側からは電力が供給されない。それゆえ、Iccによる電力損失が少ない。
表1は、図1に示す従来の電力増幅回路100および図2に示す本考案の第1実施形態に係る電力増幅回路100’の消費電力Ptotalの比較を示す。
Sは降圧回路30および昇圧回路40のスケールファクタであり、ηは降圧回路30および昇圧回路40の効率である。
降圧回路30では、スケールファクタおよび効率は、式(3)(4)のとおりであるため、式(3)(4)を変形すると式(5)のとおりになる。
1/S=VCC/2B (3)
η=(VCC×Icc)/(2B×IccI) (4)
IccI=Icc/(S×η) (5)
ここで、Icc=100mA、S=10、η=80%であるので、IccI=12.5mAである。
図1に示す従来の電力増幅回路100の消費電力Ptotalは、上述した式(1)のとおりである。
昇圧回路40では、スケールファクタおよび効率は、式(6)(7)のとおりであるため、式(6)(7)を変形すると式(8)のとおりになる。
S=2B/VCC (6)
η=(2B×IB)/(VCC×IBI) (7)
IBI=(S/η)×IB (8)
ここで、S=10、η=80%であるので、IBI=12.5×IB(mA)である。
図2に示す本考案の第1実施形態に係る電力増幅回路100’の消費電力Ptotalは、式(9)のとおりである。
Ptotal=VCC×(IBI+Icc) (9)
Sは降圧回路30および昇圧回路40のスケールファクタであり、ηは降圧回路30および昇圧回路40の効率である。
降圧回路30では、スケールファクタおよび効率は、式(3)(4)のとおりであるため、式(3)(4)を変形すると式(5)のとおりになる。
1/S=VCC/2B (3)
η=(VCC×Icc)/(2B×IccI) (4)
IccI=Icc/(S×η) (5)
ここで、Icc=100mA、S=10、η=80%であるので、IccI=12.5mAである。
図1に示す従来の電力増幅回路100の消費電力Ptotalは、上述した式(1)のとおりである。
昇圧回路40では、スケールファクタおよび効率は、式(6)(7)のとおりであるため、式(6)(7)を変形すると式(8)のとおりになる。
S=2B/VCC (6)
η=(2B×IB)/(VCC×IBI) (7)
IBI=(S/η)×IB (8)
ここで、S=10、η=80%であるので、IBI=12.5×IB(mA)である。
図2に示す本考案の第1実施形態に係る電力増幅回路100’の消費電力Ptotalは、式(9)のとおりである。
Ptotal=VCC×(IBI+Icc) (9)
表1より、負荷Lが高インピーダンスであるとき(すなわち、1mA≦IB<10mAのとき)、本考案の第1実施形態に係る電力増幅回路100’は、従来の電力増幅回路100と比較して消費電力Ptotalが低減していることが分かる。特に、IB=1mAのとき、電力効率が16.7%改善していることが分かる。
このように、本実施形態では、高インピーダンスの負荷に出力を供給する電力増幅回路において、消費電力を最適化することができる。
このように、本実施形態では、高インピーダンスの負荷に出力を供給する電力増幅回路において、消費電力を最適化することができる。
次に、電力増幅回路および電源を有する回路について検討する。
電力増幅回路および電源を有する回路では、全体の電力は、電力増幅回路の消費電力Ptotalと電源の損失Plossとを足し合わせたものである。
図1に示す高電圧低電流電源200および図2に示す低電圧高電流電源200’は、汎用品であり、大部分の高電圧低電流電源200が、図4(a)に示す電力効率を有し、大部分の低電圧高電流電源200’が図4(b)に示す電力効率を有する。
電力増幅回路および電源を有する回路では、全体の電力は、電力増幅回路の消費電力Ptotalと電源の損失Plossとを足し合わせたものである。
図1に示す高電圧低電流電源200および図2に示す低電圧高電流電源200’は、汎用品であり、大部分の高電圧低電流電源200が、図4(a)に示す電力効率を有し、大部分の低電圧高電流電源200’が図4(b)に示す電力効率を有する。
図1に示す高電圧低電流電源200では、その損失Plossは、式(10)のとおりである。
Ploss=(1−η)×(IB+IccI) (10)
図4(a)から、IBが、1mA、10mA、100mAのときの効率ηを求め、式(10)に代入してPlossを求めると、表2のとおりになる(ただし、IccI=12.5mA)。なお、IBおよびPtotalは、表1の値と同一である。
Ploss=(1−η)×(IB+IccI) (10)
図4(a)から、IBが、1mA、10mA、100mAのときの効率ηを求め、式(10)に代入してPlossを求めると、表2のとおりになる(ただし、IccI=12.5mA)。なお、IBおよびPtotalは、表1の値と同一である。
図2に示す低電圧高電流電源200’では、その損失Plossは、式(11)のとおりである。
Ploss=(1−η)×(IBI+Icc) (11)
図4(b)から、IBが、1mA、10mA、100mAのときの効率ηを求め、式(11)に代入してPlossを求めると、表3のとおりになる(ただし、IBI=12.5×IB、Icc=100mA)。なお、IBおよびPtotalは、表1の値と同一である。
Ploss=(1−η)×(IBI+Icc) (11)
図4(b)から、IBが、1mA、10mA、100mAのときの効率ηを求め、式(11)に代入してPlossを求めると、表3のとおりになる(ただし、IBI=12.5×IB、Icc=100mA)。なお、IBおよびPtotalは、表1の値と同一である。
表2および表3より、IB=1mAの際、図1の回路の全体の電力は3.05Wであり、図2の回路の全体の電力は1.58Wであるので、本考案の回路では、効率が48%改善されていることが分かる。すなわち、負荷Lが高インピーダンスであるとき、電力増幅回路の消費電力Ptotalが低減するだけでなく、電源の損失Plossも改善されていることから、本考案の回路(電力増幅回路および電源を含む)としても効率が改善されることが分かる。
図5は、本考案の第2実施形態に係る電力増幅回路のブロック図である。
図5においては、図2との相違点のみを説明する。
電力増幅回路100”は、昇圧比制御回路60をさらに有する。昇圧比制御回路60は、電力増幅器10への入力信号Vinを受信し、この入力信号Vinに応じて、昇圧回路40の昇圧比を制御する。
図6を用いて説明すると、図2の第1実施形態に係る電力増幅回路100’の場合、昇圧回路40は、VCCを一定電圧+Bに昇圧する。一方、図5の第2実施形態に係る電力増幅回路100”の場合、昇圧回路40は、入力信号Vinの振幅が変化した場合、入力信号Vinのエンベロープに追従するようにVCCを+Beに昇圧するように、昇圧比制御回路60によって制御される。
本実施形態では、入力信号Vinの振幅が小さいときに、電力増幅器10の電源電力を減少することにより、トランジスタ14a、14bの無効電力を減少し、EMIの発生を抑制することができる。
なお、図6では、昇圧比制御回路60には、電力増幅器10への入力信号Vinが入力されていたが、電力増幅器10からの出力信号Voutが入力されてもよい。この場合、昇圧比制御回路60は、入力される出力信号Voutに応じて、昇圧回路40の昇圧比を制御する。
図5においては、図2との相違点のみを説明する。
電力増幅回路100”は、昇圧比制御回路60をさらに有する。昇圧比制御回路60は、電力増幅器10への入力信号Vinを受信し、この入力信号Vinに応じて、昇圧回路40の昇圧比を制御する。
図6を用いて説明すると、図2の第1実施形態に係る電力増幅回路100’の場合、昇圧回路40は、VCCを一定電圧+Bに昇圧する。一方、図5の第2実施形態に係る電力増幅回路100”の場合、昇圧回路40は、入力信号Vinの振幅が変化した場合、入力信号Vinのエンベロープに追従するようにVCCを+Beに昇圧するように、昇圧比制御回路60によって制御される。
本実施形態では、入力信号Vinの振幅が小さいときに、電力増幅器10の電源電力を減少することにより、トランジスタ14a、14bの無効電力を減少し、EMIの発生を抑制することができる。
なお、図6では、昇圧比制御回路60には、電力増幅器10への入力信号Vinが入力されていたが、電力増幅器10からの出力信号Voutが入力されてもよい。この場合、昇圧比制御回路60は、入力される出力信号Voutに応じて、昇圧回路40の昇圧比を制御する。
本考案は、上述した実施形態に限定されず、さまざまな変形が可能である。
例えば、低電圧高電流電源200’は、ACアダプターのようなフローティング電源でもよいし、電池でもよい。
例えば、低電圧高電流電源200’は、ACアダプターのようなフローティング電源でもよいし、電池でもよい。
Claims (3)
- 電源から供給される電圧を昇圧する昇圧回路(40)と、
昇圧された電圧を分圧し、基準電位電圧を生成する分圧回路(50)と、
前記昇圧された電圧および前記基準電位電圧が供給される電力増幅器(10)と、
を有する電力増幅回路(100’、100”)。 - 昇圧比制御回路(60)をさらに有し、
前記昇圧比制御回路(60)は、前記電力増幅器(10)への入力信号(Vin)または前記電力増幅器(10)からの出力信号(Vout)に応じて、前記昇圧回路(40)の昇圧比を制御する、
請求項1に記載の電力増幅回路(100’、100”)。 - 請求項1または2に記載の電力増幅回路(100’、100”)と、
前記昇圧回路(40)に電圧を供給する電源(200’)と、
を有する回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018001075U JP3216514U (ja) | 2018-03-23 | 2018-03-23 | 電力増幅回路ならびに当該電力増幅回路および電源を有する回路 |
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Publication Number | Publication Date |
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