JP3210010B2 - 例示的に種々の構造高さを有するミクロ構造体の製造法 - Google Patents
例示的に種々の構造高さを有するミクロ構造体の製造法Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 18
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims description 18
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 241001508687 Mustela erminea Species 0.000 description 1
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000035508 accumulation Effects 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000001053 micromoulding Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000010107 reaction injection moulding Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、請求の範囲１の上位概念に記載の、領域に
応じて種々の構造高さを有するミクロ構造体を製造する
ための方法に関する。
応じて種々の構造高さを有するミクロ構造体を製造する
ための方法に関する。
このような方法は、ドイツ連邦共和国特許第3623 63
7号明細書の記載により公知である。前記方法の場合、
ポジティブ型レジスト物質の層は、Ｘ線光を部分的に照
射され、この場合には、シンクロトロン光線を広範に亘
って完全に吸収する構造体を形成した吸収層以外に、シ
ンクロトロン光線を有利にスペクトルの一部分でだけ吸
収する、少なくとももう１つの構造体を形成した吸収層
を有するＸ線マスクが使用される。
7号明細書の記載により公知である。前記方法の場合、
ポジティブ型レジスト物質の層は、Ｘ線光を部分的に照
射され、この場合には、シンクロトロン光線を広範に亘
って完全に吸収する構造体を形成した吸収層以外に、シ
ンクロトロン光線を有利にスペクトルの一部分でだけ吸
収する、少なくとももう１つの構造体を形成した吸収層
を有するＸ線マスクが使用される。
ポジティブ型レジスト物質として、重合体が明確な下
限用量で使用される。構造体を形成した吸収層によって
は、明暗差をつけられない領域で、レジストは、照射の
際、その全厚に沿って、レジスト物質の下限用量よりも
高い用量を受ける。構造体を形成した吸収層によって明
暗差をつけられる領域で、レジストは、照射の際、その
全厚に沿って、レジスト物質の限界用量を下廻る用量を
受ける。構造体を形成し、部分的に吸収する吸収層によ
って明暗差をつけられる領域で、照射の際に、レジスト
の上部だけで、レジスト物質の下限用量以下の用量を蓄
積し；この下部は、僅少な用量を受ける。
限用量で使用される。構造体を形成した吸収層によって
は、明暗差をつけられない領域で、レジストは、照射の
際、その全厚に沿って、レジスト物質の下限用量よりも
高い用量を受ける。構造体を形成した吸収層によって明
暗差をつけられる領域で、レジストは、照射の際、その
全厚に沿って、レジスト物質の限界用量を下廻る用量を
受ける。構造体を形成し、部分的に吸収する吸収層によ
って明暗差をつけられる領域で、照射の際に、レジスト
の上部だけで、レジスト物質の下限用量以下の用量を蓄
積し；この下部は、僅少な用量を受ける。
レジストは、下限用量を上廻る用量になったその位置
でのみ可溶性になるので、領域に応じて種々の構造高さ
を有するミクロ構造体が得られる。
でのみ可溶性になるので、領域に応じて種々の構造高さ
を有するミクロ構造体が得られる。
前記方法は、正確に定義された限界用量を有するレジ
ストを必要とする。他方、Ｘ線マスクの吸収性の性質
は、綿密にレジスト上で調節されなければならない。
ストを必要とする。他方、Ｘ線マスクの吸収性の性質
は、綿密にレジスト上で調節されなければならない。
ドイツ連邦共和国特許第34 40 110号明細書は、薄
くてより長い部分およびより厚く、短い部分を有するカ
ラム状の構造体の特殊な場合のために冒頭に記載した種
類とは別の方法を記載している。
くてより長い部分およびより厚く、短い部分を有するカ
ラム状の構造体の特殊な場合のために冒頭に記載した種
類とは別の方法を記載している。
この場合、厚さ約0.5mmのレジスト板は、Ｘ線マスク
を介して、シンクロトロンのエネルギー豊富なＸ線照射
で、直径約30μｍを有する円筒状の領域が、規定のラス
タ間隔ｒ中に発生し、その可溶性が、レジスト板の照射
されていない領域に比べて著しく高い方法で、部分的に
透過される。その上、レジスト板のもう１つの部分照射
が、片側から同一ラスト間隔ｒで行われ、しかしながら
この場合、光線の侵入深さは、レジスト板の厚さよりも
僅少であり、かつ照射された領域の直径は約70μｍにな
り、その結果、より厚くおよびより短い円筒状の照射さ
れた領域が発生する。この種の照射され、かつ可溶性に
された領域は、例えばドイツ連邦共和国特許出願公開第
30 39 110号明細書中に記載された現像液を用いて除
去される。これにより、より薄い部分およびより厚い部
分を有するカラム状の構造体を有する形が発生する。
を介して、シンクロトロンのエネルギー豊富なＸ線照射
で、直径約30μｍを有する円筒状の領域が、規定のラス
タ間隔ｒ中に発生し、その可溶性が、レジスト板の照射
されていない領域に比べて著しく高い方法で、部分的に
透過される。その上、レジスト板のもう１つの部分照射
が、片側から同一ラスト間隔ｒで行われ、しかしながら
この場合、光線の侵入深さは、レジスト板の厚さよりも
僅少であり、かつ照射された領域の直径は約70μｍにな
り、その結果、より厚くおよびより短い円筒状の照射さ
れた領域が発生する。この種の照射され、かつ可溶性に
された領域は、例えばドイツ連邦共和国特許出願公開第
30 39 110号明細書中に記載された現像液を用いて除
去される。これにより、より薄い部分およびより厚い部
分を有するカラム状の構造体を有する形が発生する。
前記方法は、他の横の輪郭およびまた２つ以上の異な
る構造高さを有するミクロ構造体の製造に原理的に転用
することができる。
る構造高さを有するミクロ構造体の製造に原理的に転用
することができる。
２つの記載した方法の際の原則的な問題は、現在知ら
れているレジスト系の場合、限界用量を下廻る用量蓄積
の際に、実際に現像では、もはや削りかすは生じない
が、しかしながら前記領域の機械的性質および溶剤安定
性は、明らかに劣化していることである。構造体の高さ
は、十分な正確さを規定することはできないが、それと
いうのも、光線の減衰、ひいては蓄積された用量は、侵
入深さの増加につれて、予め定めることが、困難なだけ
だからである。
れているレジスト系の場合、限界用量を下廻る用量蓄積
の際に、実際に現像では、もはや削りかすは生じない
が、しかしながら前記領域の機械的性質および溶剤安定
性は、明らかに劣化していることである。構造体の高さ
は、十分な正確さを規定することはできないが、それと
いうのも、光線の減衰、ひいては蓄積された用量は、侵
入深さの増加につれて、予め定めることが、困難なだけ
だからである。
本発明には、公知方法の欠点が回避されるような、冒
頭で記載した種類の段になったミクロ構造体の製造法
を、提案することである。この方法は、ミクロメートル
の範囲での段の高さの公差を可能にするものである。更
に、ミクロ構造体の高い溶剤安定性および良好な機械的
性質が達成される。
頭で記載した種類の段になったミクロ構造体の製造法
を、提案することである。この方法は、ミクロメートル
の範囲での段の高さの公差を可能にするものである。更
に、ミクロ構造体の高い溶剤安定性および良好な機械的
性質が達成される。
前記課題は、本発明によれば、請求の範囲１の特徴部
に記載した手段によって解決される。
に記載した手段によって解決される。
従属請求項は、本発明による方法の好ましい実施態様
および他の構成を記載している。
および他の構成を記載している。
本発明による方法は、例えば第１図〜第10図に基づい
て記載されている。
て記載されている。
第１図〜第４図は、種々の方法の変法を示すものであ
り、これらには、ミクロ構造体を有するレジスト物質の
層を設けることができる。
り、これらには、ミクロ構造体を有するレジスト物質の
層を設けることができる。
第５図〜第７図は、領域に応じて異なる構造高さを有
するミクロ構造体の製造を示すものである。
するミクロ構造体の製造を示すものである。
第８図〜第10図は、本発明による方法によって製造さ
れたミクロ構造体の後加工の方法を説明するものであ
る。
れたミクロ構造体の後加工の方法を説明するものであ
る。
説明したように、レジスト物質の層は、３つの異なる
方法の変法により、ミクロ構造体を設けることができ
る。
方法の変法により、ミクロ構造体を設けることができ
る。
第１の変法は、第１図、第2a図、第3a図および第4a図
に記載してある。
に記載してある。
基板１と結合しているレジスト層２の上に、ミクロ成
形金型３を用いて、合成樹脂ミクロ構造体を反応射出成
形または射出成形の中で成形した。この成形のために、
成形工程で、成形金型のネスト3Aを、反応樹脂材料また
は金型材料で充填した。充填された金型装入材料を、引
続き第3a図に相応してレジスト層上に圧縮した。処理工
程の進行につれ、即ち、合成樹脂の硬化または凝固の間
に、ミクロ構造体の合成樹脂とレジスト層との間の付着
強さを有する結合が、形成される。成形金型および基板
の分離運動によって、ミクロ構造体を離型した。こうし
てレジスト層を得、この層の上で、合成樹脂からなるミ
クロ構造体が、定義された構造高さで配置されている
（第４図）。ミクロ構造体の成形材料７がレジストと合
成樹脂との間の結合面中に侵入することを保証すること
ができるので、構造体を形成した合成樹脂7aは、必要に
応じたレジストの性質を有していなくてよい。
形金型３を用いて、合成樹脂ミクロ構造体を反応射出成
形または射出成形の中で成形した。この成形のために、
成形工程で、成形金型のネスト3Aを、反応樹脂材料また
は金型材料で充填した。充填された金型装入材料を、引
続き第3a図に相応してレジスト層上に圧縮した。処理工
程の進行につれ、即ち、合成樹脂の硬化または凝固の間
に、ミクロ構造体の合成樹脂とレジスト層との間の付着
強さを有する結合が、形成される。成形金型および基板
の分離運動によって、ミクロ構造体を離型した。こうし
てレジスト層を得、この層の上で、合成樹脂からなるミ
クロ構造体が、定義された構造高さで配置されている
（第４図）。ミクロ構造体の成形材料７がレジストと合
成樹脂との間の結合面中に侵入することを保証すること
ができるので、構造体を形成した合成樹脂7aは、必要に
応じたレジストの性質を有していなくてよい。
第２の変法は、第１図、第2b図、第3b図および第4b図
中に記載されている。
中に記載されている。
レジスト層の表面上にミクロ構造体を製造するための
この変法は、レジスト層２の上に、もう１つの層５を数
ミクロメートル〜数百ミクロメートルまでの堅固に規定
された厚さで、完全に平坦に設けることにある。引続
き、前記の層を、成形工程の進行につれ、型取り法（第
3b図）によって、成形金型６を用いて、構造体を形成さ
せる。この場合、容量、ひいては型取り可能な層５の厚
さは、金型ネスト6Aの容量に相応していなければならな
い。合成樹脂の凝固の後に、ミクロ構造体を、成形金型
６および基板１の分離運動によって離型した。こうし
て、レジスト層を得、この層の上で、合成樹脂からなる
ミクロ構造体が定義された構造高さで配置されている
（第4b図）。
この変法は、レジスト層２の上に、もう１つの層５を数
ミクロメートル〜数百ミクロメートルまでの堅固に規定
された厚さで、完全に平坦に設けることにある。引続
き、前記の層を、成形工程の進行につれ、型取り法（第
3b図）によって、成形金型６を用いて、構造体を形成さ
せる。この場合、容量、ひいては型取り可能な層５の厚
さは、金型ネスト6Aの容量に相応していなければならな
い。合成樹脂の凝固の後に、ミクロ構造体を、成形金型
６および基板１の分離運動によって離型した。こうし
て、レジスト層を得、この層の上で、合成樹脂からなる
ミクロ構造体が定義された構造高さで配置されている
（第4b図）。
型取りすべき層５が、レジストの性質を有していない
かまたはレジスト２が、型取りによって構造体を形成で
きない場合には、第２の変法を選択するのが好ましい。
かまたはレジスト２が、型取りによって構造体を形成で
きない場合には、第２の変法を選択するのが好ましい。
第３の変法は、第１図、第2c図、第3c図および第4c図
中に記載されている。
中に記載されている。
層２が、型取りによって、構造体を形成でき、この層
が十分なレジストの性質を示す場合には、この層２は、
変法２による層５の上に、不用とすることができる。
が十分なレジストの性質を示す場合には、この層２は、
変法２による層５の上に、不用とすることができる。
前記の場合、層２を、厚さに相応して選択し、金型ネ
スト6Aを有する成形金型６を用いて、直接に型取りされ
る。
スト6Aを有する成形金型６を用いて、直接に型取りされ
る。
適当な基板１を使用することが好ましい。
型取りによるレジスト上でのミクロ構造体の製造（変
法２および３）は、変法１による反応射出成形法または
射出成形法と比べて、この場合、同時に必要に応じて付
加的に導電性の被覆層が、ミクロ構造体の前平面上に設
けることができる利点を有する。前記の特に有利な型取
り法の詳細は、ドイツ連邦共和国特許出願第P4010669.1
号明細書の記載から確認することができる。
法２および３）は、変法１による反応射出成形法または
射出成形法と比べて、この場合、同時に必要に応じて付
加的に導電性の被覆層が、ミクロ構造体の前平面上に設
けることができる利点を有する。前記の特に有利な型取
り法の詳細は、ドイツ連邦共和国特許出願第P4010669.1
号明細書の記載から確認することができる。
この種の導電性の被覆層は、殊に成形の結果を、以下
の電着の際に改善する。
の電着の際に改善する。
成形金型または型取り金型の離型の後に、３つ全部の
処理変法によって、ミクロ構造体2A、5A、7Aが、透過す
るレジスト層上に配置されているような試料が存在す
る。この場合、前記レジスト層は、基板１と結合してい
るのが好ましい。
処理変法によって、ミクロ構造体2A、5A、7Aが、透過す
るレジスト層上に配置されているような試料が存在す
る。この場合、前記レジスト層は、基板１と結合してい
るのが好ましい。
領域に応じて異なる構造高さを有するミクロ構造体を
製造するための方法は、変法３により得られ、型取りさ
れたレジスト層に基づき、第４図に相応して詳説され
る。
製造するための方法は、変法３により得られ、型取りさ
れたレジスト層に基づき、第４図に相応して詳説され
る。
第５図によれば、型取りによって構造体を形成した試
料は、基板１の上に、ミクロ構造体2Aを伴うレジスト物
質２を有し、マスクによって、垂直に入射するシンクロ
トロン光線で照射される。このマスクは、領域８を有
し、この領域によって、シンクロトロン光線は、ほとん
ど完全に吸収される。
料は、基板１の上に、ミクロ構造体2Aを伴うレジスト物
質２を有し、マスクによって、垂直に入射するシンクロ
トロン光線で照射される。このマスクは、領域８を有
し、この領域によって、シンクロトロン光線は、ほとん
ど完全に吸収される。
こうして、光線を透過しない領域８を有するマスク
は、構造体2Aの上方で、望ましい段形成に相応して、整
列される。
は、構造体2Aの上方で、望ましい段形成に相応して、整
列される。
構造体2Aは、レジスト物質からなるのでない場合、例
えばこの構造体2Aが、変法１によって製造された場合に
は、この構造体2Aは、領域８によって、明暗差をつける
ことができる。
えばこの構造体2Aが、変法１によって製造された場合に
は、この構造体2Aは、領域８によって、明暗差をつける
ことができる。
しかしながら、この構造体2Aが、例えば変法３による
製造によって、レジスト物質からなる場合には、マスク
領域８の適当な配置によって、また構造体2Aの形も変え
ることができる。またこうして、事後更に、存在する型
取り金型６を用いて得られた構造体は、変えることがで
き、これによって、調整に無関係で均一な形を、全部の
構造高さに亘って達成することができる。
製造によって、レジスト物質からなる場合には、マスク
領域８の適当な配置によって、また構造体2Aの形も変え
ることができる。またこうして、事後更に、存在する型
取り金型６を用いて得られた構造体は、変えることがで
き、これによって、調整に無関係で均一な形を、全部の
構造高さに亘って達成することができる。
こうして、マスク領域８によっては、明暗差をつけら
れないレジスト物質２もしくは2Aの部分９は、Ｘ線光線
またはシンクロトロン光線によって透過され（第６
図）、かつこの場合、放射線化学的に変えられる。
れないレジスト物質２もしくは2Aの部分９は、Ｘ線光線
またはシンクロトロン光線によって透過され（第６
図）、かつこの場合、放射線化学的に変えられる。
前記の領域９は、適当な溶剤中で除去できる。この処
理工程の後に、こうして段形成したミクロ構造体10が、
合成樹脂中に存在し、この段の高さは、レジストに適す
る層の蓋によって、正確に定義されている（第７図）。
リトグラフィーにより得られた基礎の上の構造体の高さ
は、成形金型中の金型ネストの深さによって規定され
る。
理工程の後に、こうして段形成したミクロ構造体10が、
合成樹脂中に存在し、この段の高さは、レジストに適す
る層の蓋によって、正確に定義されている（第７図）。
リトグラフィーにより得られた基礎の上の構造体の高さ
は、成形金型中の金型ネストの深さによって規定され
る。
こうして得られた合成樹脂構造体が、例えば電気メッ
キにより金属11で充填され（第８図）、レジスト構造体
が電気メッキ処理によって溶解除去される場合には、階
段状の金属構造体が得られる（第９図）。得られた金属
構造体が、基板の上に残る場合には、本発明による方法
によって、懸吊構造体あるいはまた橋桁型の構造体が製
造できる。
キにより金属11で充填され（第８図）、レジスト構造体
が電気メッキ処理によって溶解除去される場合には、階
段状の金属構造体が得られる（第９図）。得られた金属
構造体が、基板の上に残る場合には、本発明による方法
によって、懸吊構造体あるいはまた橋桁型の構造体が製
造できる。
更に、段形成したレジスト構造体の過電気メッキ処理
により（第８図）、段形成した形成金型を完成すること
ができ（第10図）、これを用いて、記載した方法を新た
に実施することができる。こうして、２段の構造体ばか
りでなく、本発明による方法のｎ回の実施によりｎ段の
構造体を得る。
により（第８図）、段形成した形成金型を完成すること
ができ（第10図）、これを用いて、記載した方法を新た
に実施することができる。こうして、２段の構造体ばか
りでなく、本発明による方法のｎ回の実施によりｎ段の
構造体を得る。
処理工程、即ちＸ線リトグラフィーおよび形成の技術
的な詳細は、E.W.Becker,W.Ehrfeld,P.Hagmann,A.Mane
r,D.MnchmeyerによるKfK−報告No.399 5“Herstellun
g von Mikrostrukturen und groβem Aspektverhltni
s und groβer Strukturhhe mit Synchrotronstrahlu
ng,Galvanoformung und Kunststoffabformung（LIGA−V
erfahren）"Kernforschungszentrum karlsruhe,1985年1
1月並びにNo.4267“Untersuchungen zur Herstellung v
on galvanisierbaren Mikrostrukturen mit extremer S
trukturhhe durch Abformen mit Kunststoff im Reak
tionsgieβverfahren",Kernforschungszentrum karlsru
he,1987年５月の２つから確認することができる。
的な詳細は、E.W.Becker,W.Ehrfeld,P.Hagmann,A.Mane
r,D.MnchmeyerによるKfK−報告No.399 5“Herstellun
g von Mikrostrukturen und groβem Aspektverhltni
s und groβer Strukturhhe mit Synchrotronstrahlu
ng,Galvanoformung und Kunststoffabformung（LIGA−V
erfahren）"Kernforschungszentrum karlsruhe,1985年1
1月並びにNo.4267“Untersuchungen zur Herstellung v
on galvanisierbaren Mikrostrukturen mit extremer S
trukturhhe durch Abformen mit Kunststoff im Reak
tionsgieβverfahren",Kernforschungszentrum karlsru
he,1987年５月の２つから確認することができる。
本発明による方法を用いた場合、ミクロメートル領域
での横の寸法で、数百ミクロメートルの構造高さおよび
数ミクロメートルから数百ミクロメートルまでの構造高
さを有する幾重にも段形成したミクロ構造体が得られ
る。本発明による方法の本質的な利点は、構造高さの公
差がミクロメートル領域にあり、従って、公知方法の構
造高さの公差よりも本質的に小さいことである。
での横の寸法で、数百ミクロメートルの構造高さおよび
数ミクロメートルから数百ミクロメートルまでの構造高
さを有する幾重にも段形成したミクロ構造体が得られ
る。本発明による方法の本質的な利点は、構造高さの公
差がミクロメートル領域にあり、従って、公知方法の構
造高さの公差よりも本質的に小さいことである。
基板１により（第１図〜第９図）、レジスト層は、必
要に応じて、機械的に増強され、その結果、種々の本発
明による処理工程は、より大きな正確さで実施すること
ができる。この場合、ミクロ構造体を形成した立体の完
成後に、該レジスト層は分離される。基板は、レジスト
層と堅固に結合していることが好ましい。しかしながら
また、基板は、製造すべきミクロ構造体を形成した立体
の部分になってもよい。
要に応じて、機械的に増強され、その結果、種々の本発
明による処理工程は、より大きな正確さで実施すること
ができる。この場合、ミクロ構造体を形成した立体の完
成後に、該レジスト層は分離される。基板は、レジスト
層と堅固に結合していることが好ましい。しかしながら
また、基板は、製造すべきミクロ構造体を形成した立体
の部分になってもよい。
基板の選択の際に、段形成したミクロ構造体の予定さ
れた使用目的を顧慮するものである。また、金属を除い
て、材料は、セラミックまたは半導体物質が該当する。
しかしながら、基板は、合成樹脂からなるものでもよ
い。
れた使用目的を顧慮するものである。また、金属を除い
て、材料は、セラミックまたは半導体物質が該当する。
しかしながら、基板は、合成樹脂からなるものでもよ
い。
本発明によって製造されたミクロ構造体の有利な使用
分野の例は、ミクロ弁の製造のための弁板、所要面積に
関して最適にされている容量型の加速センサ並びにミク
ロ駆動装置の製造のための２つの異なった相互に重なる
リングギヤを有する歯車または歯車のラックである。
分野の例は、ミクロ弁の製造のための弁板、所要面積に
関して最適にされている容量型の加速センサ並びにミク
ロ駆動装置の製造のための２つの異なった相互に重なる
リングギヤを有する歯車または歯車のラックである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (73)特許権者 999999999 ビュルケルト ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウン ト コンパニー ドイツ連邦共和国 デー―7118 インゲ ルフィンゲン クリスティアン ビュル ケルト シュトラーセ 13―17 (72)発明者 コーヴァンツ，ベルント ドイツ連邦共和国 デー―7515 リンケ ンハイム ヘルミーネ マイアーホイザ ーシュトラーセ １ (72)発明者 ブライ，ペーター ドイツ連邦共和国 デー―7514 エッゲ ンステン―レオポルツハーフェン マイ ンシュトラーセ 10 ベー (72)発明者 バッハー，ヴァルター ドイツ連邦共和国 デー―7513 シュト ゥーテンゼー―４ ハンス―トーマ―ア トル．３ エフ (72)発明者 ハルメニング，ミヒャエル ドイツ連邦共和国 デー―7513 シュト ゥーテンゼー―ビューヒッヒ アシェン プッテルヴェーク ４ (72)発明者 モール，ユルゲン ドイツ連邦共和国 デー―7511 ズルツ フェルト フーゼンシュトラーセ 11 (56)参考文献 特開 昭63−29931（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/26 511
Claims (5)
- 【請求項１】ａ）Ｘ線に対して感応性のポジティブ型レ
ジスト物質の層が、マスクの使用下で部分的に照射さ
れ、 ｂ）照射された領域が、現像液を用いて除去される、 領域に応じて異なる構造高さを有するミクロ構造体を製
造するための方法において、 ｃ）レジスト物質の層に、工程ａ）およびｂ）の実施の
前に、該層の照射方向に向けられた面の上で、ミクロ構
造体を、レジスト物質の層の上で、 ｉ）ミクロ構造を付与された成形金型のミクロ構造体間
の空間に、可溶性で硬化可能な合成樹脂を充填し、 ii）こうして充填された成形金型をレジスト物質の層の
上へ圧縮して、成形金型のミクロ構造体の間の合成樹脂
を、レジスト物質の層との間で接触させ、 iii）合成樹脂と、レジスト物質の層とを堅固に結合さ
せながら、成形金型の中の合成樹脂を硬化させ、 iv）ミクロ構造を付与された合成樹脂およびレジスト物
質の層から成形金型を分離させる ことによって得ることを特徴とする製造法。 - 【請求項２】ａ）Ｘ線に対して感応性のポジティブ型レ
ジスト物質の層が、マスクの使用下で部分的に照射さ
れ、 ｂ）照射された領域が、現像液を用いて除去される、 領域に応じて異なる構造高さを有するミクロ構造体を製
造するための方法において、 ｃ）レジスト物質の層に、工程ａ）およびｂ）の実施の
前に、該層の照射方向に向けられた面の上で、ミクロ構
造体を、レジスト物質の層の上で、 ｉ）型取り可能な合成樹脂の層と、レジスト物質の層と
を堅固に結合させ、 ii）成形金型のミクロ構造体−前面の少なくとも１部分
が、レジスト物質の層を露出ように、ミクロ構造を有す
る成形金型を用いて合成樹脂の層を型取りし、 iii）ミクロ構造を付与された合成樹脂の層およびレジ
スト物質の層から成形金型を分離させる ことによって得る、請求の範囲１に記載の方法。 - 【請求項３】ミクロ構造体を、レジスト物質の層の上
で、 ｉ）レジスト物質の層の高さと、このレジスト物質の層
の上に製造すべきミクロ構造体の最大の高さとの少なく
とも総和に相応する厚さの、レジスト物質の型取り可能
な厚い層を製造し、 ii）ミクロ構造体−前面の少なくとも１部分が、ミクロ
構造体−前面の前記部分を上回って、レジスト物質の層
厚が得られる程度に、厚い層の中へ侵入するように、ミ
クロ構造体を有する形成金型を用いてレジスト物質の厚
い層を型取りし、 iii）レジスト物質のミクロ構造体を形成した厚い層か
らの形成金型を分離させる、 ことによって得る、請求の範囲１記載の方法。 - 【請求項４】レジスト物質の層を、ミクロ構造体を設け
られていないかまたは設けられた面の上で、基板と結合
させる、請求の範囲１から３までのいずれか１項に記載
の方法。 - 【請求項５】基板が、金属またはセラミックまたは半導
体物質あるいは合成樹脂からなる、請求の範囲４記載の
方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4024275A DE4024275A1 (de) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | Verfahren zur herstellung von mikrostrukturen mit bereichsweise unterschiedlicher strukturhoehe |
| DE4024275.7 | 1990-07-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06501343A JPH06501343A (ja) | 1994-02-10 |
| JP3210010B2 true JP3210010B2 (ja) | 2001-09-17 |
Family
ID=6411372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51233091A Expired - Fee Related JP3210010B2 (ja) | 1990-07-31 | 1991-07-25 | 例示的に種々の構造高さを有するミクロ構造体の製造法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5260175A (ja) |
| EP (1) | EP0542768B1 (ja) |
| JP (1) | JP3210010B2 (ja) |
| AT (1) | ATE155257T1 (ja) |
| DE (2) | DE4024275A1 (ja) |
| DK (1) | DK0542768T3 (ja) |
| WO (1) | WO1992002858A1 (ja) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4200397C1 (ja) * | 1992-01-10 | 1993-03-04 | Imm Institut Fuer Mikrotechnik Gmbh, 6500 Mainz, De | |
| DE4200396C1 (ja) * | 1992-01-10 | 1993-02-04 | Imm Institut Fuer Mikrotechnik Gmbh, 6500 Mainz, De | |
| US5529681A (en) * | 1993-03-30 | 1996-06-25 | Microparts Gesellschaft Fur Mikrostrukturtechnik Mbh | Stepped mould inserts, high-precision stepped microstructure bodies, and methods of producing the same |
| US5705318A (en) * | 1994-06-06 | 1998-01-06 | Case Western Reserve University | Micromotors and methods of fabrication |
| US6029337A (en) * | 1994-06-06 | 2000-02-29 | Case Western Reserve University | Methods of fabricating micromotors with utilitarian features |
| US6360424B1 (en) | 1994-06-06 | 2002-03-26 | Case Western Reserve University | Method of making micromotors with utilitarian features |
| DE4434009A1 (de) * | 1994-09-23 | 1996-03-28 | Karlsruhe Forschzent | Verfahren zur Herstellung gestufter Mikrostrukturen |
| US5788468A (en) * | 1994-11-03 | 1998-08-04 | Memstek Products, Llc | Microfabricated fluidic devices |
| US5730924A (en) * | 1994-12-28 | 1998-03-24 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Micromachining of polytetrafluoroethylene using radiation |
| GB9509487D0 (en) | 1995-05-10 | 1995-07-05 | Ici Plc | Micro relief element & preparation thereof |
| US6115634A (en) * | 1997-04-30 | 2000-09-05 | Medtronic, Inc. | Implantable medical device and method of manufacture |
| US6379773B1 (en) * | 1998-06-16 | 2002-04-30 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Micro structure and its manufacture method |
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| WO2000013916A1 (en) * | 1998-09-08 | 2000-03-16 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation | Three-dimensional microstructure |
| US6174136B1 (en) | 1998-10-13 | 2001-01-16 | Liquid Metronics Incorporated | Pump control and method of operating same |
| US6280147B1 (en) | 1998-10-13 | 2001-08-28 | Liquid Metronics Incorporated | Apparatus for adjusting the stroke length of a pump element |
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| US6272275B1 (en) | 1999-06-25 | 2001-08-07 | Corning Incorporated | Print-molding for process for planar waveguides |
| US6264432B1 (en) | 1999-09-01 | 2001-07-24 | Liquid Metronics Incorporated | Method and apparatus for controlling a pump |
| US6858253B2 (en) | 2001-05-31 | 2005-02-22 | 3M Innovative Properties Company | Method of making dimensionally stable composite article |
| DE10134692A1 (de) * | 2001-07-05 | 2003-01-16 | Micro Resist Technology Gmbh | Herstellung und Anwendung von optischen Formkörpern mit nanostrukturierter Oberfläche |
| DE10161493C5 (de) * | 2001-12-14 | 2008-09-18 | Micromotion Gmbh | Getriebe nach dem Spannungswellen-Prinzip mit Hohlwellen |
| US6743368B2 (en) * | 2002-01-31 | 2004-06-01 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Nano-size imprinting stamp using spacer technique |
| WO2003086958A2 (de) * | 2002-04-15 | 2003-10-23 | Schott Ag | Verfahren zur herstellung eines erzeugnisses mit einer strukturierten oberfläche |
| KR100476317B1 (ko) * | 2002-10-24 | 2005-03-16 | 한국전자통신연구원 | 광결합 소자 및 그 제작 방법, 광결합 소자 제작을 위한마스터 및 그 제작 방법 |
| US7470544B2 (en) * | 2005-05-26 | 2008-12-30 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Sensor array using sail |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE3039110A1 (de) * | 1980-10-16 | 1982-05-13 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren fuer die spannungsfreie entwicklung von bestrahlten polymethylmetacrylatschichten |
| US4349621A (en) * | 1981-04-13 | 1982-09-14 | General Electric Company | Process for X-ray microlithography using thin film eutectic masks |
| DE3133350A1 (de) * | 1981-08-22 | 1983-03-10 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | "verfahren zur herstellung von maskierungsschichten auf einer zu strukturierenden flaeche eines festkoerpers" |
| GB2152223B (en) * | 1983-11-28 | 1987-01-14 | Fusion Semiconductor Systems | Process for imaging resist materials |
| US4703559A (en) * | 1984-11-02 | 1987-11-03 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh | Method for producing connecting elements for electrically joining microelectronic components |
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| DE3623637A1 (de) * | 1986-07-12 | 1988-01-21 | Kernforschungsz Karlsruhe | Verfahren zur herstellung von mikrostrukturen unterschiedlicher strukturhoehe mittels roentgentiefenlithographie |
| JPS63185022A (ja) * | 1987-01-27 | 1988-07-30 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
| DE3727142C2 (de) * | 1987-08-14 | 1994-02-24 | Kernforschungsz Karlsruhe | Verfahren zur Herstellung von Mikrosensoren mit integrierter Signalverarbeitung |
| DE4010669C1 (ja) * | 1990-04-03 | 1991-04-11 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe, De |
-
1990
- 1990-07-31 DE DE4024275A patent/DE4024275A1/de active Granted
-
1991
- 1991-07-25 JP JP51233091A patent/JP3210010B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1991-07-25 US US07/844,586 patent/US5260175A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-07-25 DE DE59108773T patent/DE59108773D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-07-25 WO PCT/DE1991/000602 patent/WO1992002858A1/de not_active Ceased
- 1991-07-25 DK DK91912995.7T patent/DK0542768T3/da active
- 1991-07-25 AT AT91912995T patent/ATE155257T1/de not_active IP Right Cessation
- 1991-07-25 EP EP91912995A patent/EP0542768B1/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5260175A (en) | 1993-11-09 |
| DE4024275C2 (ja) | 1992-06-11 |
| EP0542768B1 (de) | 1997-07-09 |
| WO1992002858A1 (de) | 1992-02-20 |
| DK0542768T3 (da) | 1997-08-11 |
| JPH06501343A (ja) | 1994-02-10 |
| DE59108773D1 (de) | 1997-08-14 |
| EP0542768A1 (de) | 1993-05-26 |
| DE4024275A1 (de) | 1992-02-06 |
| ATE155257T1 (de) | 1997-07-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |