JP3202033B2 - 原子状水素供給器 - Google Patents
原子状水素供給器Info
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- JP3202033B2 JP3202033B2 JP14731991A JP14731991A JP3202033B2 JP 3202033 B2 JP3202033 B2 JP 3202033B2 JP 14731991 A JP14731991 A JP 14731991A JP 14731991 A JP14731991 A JP 14731991A JP 3202033 B2 JP3202033 B2 JP 3202033B2
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- Japan
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- hydrogen atoms
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/32—Hydrogen storage
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- Hydrogen, Water And Hydrids (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、大面積に多量の原子状
水素を供給することを可能とした原子状水素供給器に関
するものである。
水素を供給することを可能とした原子状水素供給器に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、原子状水素供給器は、より高性能
な半導体素子の開発に有利であるプロセスの低温化を達
成するための重要な装置として注目されている。
な半導体素子の開発に有利であるプロセスの低温化を達
成するための重要な装置として注目されている。
【０００３】以下、従来の原子状水素供給器について説
明する。図２は従来の原子状水素供給器の構成を示すも
のである。図２において、１は水素ボンベ等の水素源か
ら水素分子２を供給するチューブ、３はチューブ１から
放出された水素分子を加熱し原子状の水素４を生成する
タングステンフィラメント、５はタングステンフィラメ
ント４に電流を導通させる電極、６は水素原子４が供給
される半導体ウエハである。 以上のように構成された
原子状水素供給器について、以下その動作について説明
する。まず、全系は超高真空内に設置されている。系外
にある水素ボンベからチューブ１を用いて水素分子２を
（１／１０００）Ｐａほどの圧力でタングステンフィラ
メント４に照射する。このとき、タングステンフィラメ
ント３は電極５から電流を流すことによって１８００Ｋ
程度に白熱している。水素分子２は、この白熱したタン
グステンフィラメント３の表面でその触媒作用により、
水素原子４に解離する。そして、この水素原子４が半導
体ウエハ６の清浄表面に供給される。
明する。図２は従来の原子状水素供給器の構成を示すも
のである。図２において、１は水素ボンベ等の水素源か
ら水素分子２を供給するチューブ、３はチューブ１から
放出された水素分子を加熱し原子状の水素４を生成する
タングステンフィラメント、５はタングステンフィラメ
ント４に電流を導通させる電極、６は水素原子４が供給
される半導体ウエハである。 以上のように構成された
原子状水素供給器について、以下その動作について説明
する。まず、全系は超高真空内に設置されている。系外
にある水素ボンベからチューブ１を用いて水素分子２を
（１／１０００）Ｐａほどの圧力でタングステンフィラ
メント４に照射する。このとき、タングステンフィラメ
ント３は電極５から電流を流すことによって１８００Ｋ
程度に白熱している。水素分子２は、この白熱したタン
グステンフィラメント３の表面でその触媒作用により、
水素原子４に解離する。そして、この水素原子４が半導
体ウエハ６の清浄表面に供給される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、水素分子を水素原子に解離する白熱フィ
ラメントの表面積が少ないので、供給できる水素原子の
数が少ないという課題を有していた。
来の構成では、水素分子を水素原子に解離する白熱フィ
ラメントの表面積が少ないので、供給できる水素原子の
数が少ないという課題を有していた。
【０００５】本発明は上記従来技術の課題を解決するも
ので、高濃度の水素原子を大面積にわたって発生させる
原子状水素供給器を提供することを目的とする。
ので、高濃度の水素原子を大面積にわたって発生させる
原子状水素供給器を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、半導体ウエハ表面に接近して配置された、
水素原子を高濃度に吸蔵している水素吸蔵合金からなる
平板と、半導体ウエハに対し水素吸蔵合金平板の裏側の
位置に配置され、前記水素吸蔵合金平板を温めるヒータ
ーと、を備え、前記ヒーターを加熱することにより前記
平板から水素原子を放出させ、該水素原子を前記半導体
ウエハ表面に供給することを特徴とした原子状水素供給
器を提供することを目的とする。
に本発明は、半導体ウエハ表面に接近して配置された、
水素原子を高濃度に吸蔵している水素吸蔵合金からなる
平板と、半導体ウエハに対し水素吸蔵合金平板の裏側の
位置に配置され、前記水素吸蔵合金平板を温めるヒータ
ーと、を備え、前記ヒーターを加熱することにより前記
平板から水素原子を放出させ、該水素原子を前記半導体
ウエハ表面に供給することを特徴とした原子状水素供給
器を提供することを目的とする。
【０００７】
【作用】本発明は上記構成によって、水素吸蔵合金を原
子状水素の発生源とする。水素吸蔵合金に吸蔵された水
素分子は、合金内部では分子が解離して原子として存在
することが中性子回折の実験から明らかになっている。
この合金は多くのものが１００℃程度に加熱することに
より、この吸蔵する水素を原子状態のままで外部に放出
する。外部に放出された水素原子は、同様に放出された
水素原子と衝突すると直ちに結合し、水素分子を形成し
てしまうが、水素原子の平均自由行程が長くなる超高真
空中の合金表面近傍では、他の水素原子と出くわすこと
はなく、水素原子として存在することができる。したが
って、この水素原子が存在する水素吸蔵合金表面近傍に
半導体ウエハを設置することにより、水素原子を半導体
ウエハに供給する。水素原子は水素吸蔵合金からなる平
板から一様に放出されるため、その放出面積は従来の原
子状水素放出源である、タングステンフィラメントより
はるかに広い。よって高濃度の水素原子を大面積にわた
って発生させることができる。
子状水素の発生源とする。水素吸蔵合金に吸蔵された水
素分子は、合金内部では分子が解離して原子として存在
することが中性子回折の実験から明らかになっている。
この合金は多くのものが１００℃程度に加熱することに
より、この吸蔵する水素を原子状態のままで外部に放出
する。外部に放出された水素原子は、同様に放出された
水素原子と衝突すると直ちに結合し、水素分子を形成し
てしまうが、水素原子の平均自由行程が長くなる超高真
空中の合金表面近傍では、他の水素原子と出くわすこと
はなく、水素原子として存在することができる。したが
って、この水素原子が存在する水素吸蔵合金表面近傍に
半導体ウエハを設置することにより、水素原子を半導体
ウエハに供給する。水素原子は水素吸蔵合金からなる平
板から一様に放出されるため、その放出面積は従来の原
子状水素放出源である、タングステンフィラメントより
はるかに広い。よって高濃度の水素原子を大面積にわた
って発生させることができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しながら説明する。図１は本発明の一実施例における原
子状水素供給器の構成図である。この図において、１１
は水素吸蔵合金でできた平板、１２は水素吸蔵合金平板
を加熱するためのフィラメント、１３はフィラメント１
２に電流を導通する電極、１４は水素吸蔵合金平板から
放出された水素原子、１５は水素原子４が供給される半
導体ウエハである。水素吸蔵合金平板１１は、例えばジ
ルコニウム・バナジウム・鉄合金から成り、水素分子の
環境下に置かれるとこの水素分子を吸い込み、この水素
を原子状態に解離した状態で内部に蓄える。この実施例
では、水素吸蔵合金平板１１はすでに充分な量の水素原
子を吸蔵しているものが用いられる。フィラメント１２
はヒーターを構成する。このフィラメント１２には前記
従来例におけると同様なタングステンフィラメントが使
用されてもよいし、或いは他の材料でできたフィラメン
トが使われてもよい。
しながら説明する。図１は本発明の一実施例における原
子状水素供給器の構成図である。この図において、１１
は水素吸蔵合金でできた平板、１２は水素吸蔵合金平板
を加熱するためのフィラメント、１３はフィラメント１
２に電流を導通する電極、１４は水素吸蔵合金平板から
放出された水素原子、１５は水素原子４が供給される半
導体ウエハである。水素吸蔵合金平板１１は、例えばジ
ルコニウム・バナジウム・鉄合金から成り、水素分子の
環境下に置かれるとこの水素分子を吸い込み、この水素
を原子状態に解離した状態で内部に蓄える。この実施例
では、水素吸蔵合金平板１１はすでに充分な量の水素原
子を吸蔵しているものが用いられる。フィラメント１２
はヒーターを構成する。このフィラメント１２には前記
従来例におけると同様なタングステンフィラメントが使
用されてもよいし、或いは他の材料でできたフィラメン
トが使われてもよい。
【０００９】以上のように構成された原子状水素供給器
について、図１を用いてその動作を説明する。まず、電
極１３に電流を流し、フィラメント１２を加熱する。そ
の輻射熱は水素吸蔵合金平板１１を温める。超高真空中
の主要な構成ガス成分は水素であり、この水素をすでに
水素吸蔵合金は吸っている。この合金内に蓄えられた水
素原子が、温められることにより超高真空中に水素原子
１４として放出される。超高真空中では水素原子１４の
平均自由行程は長くなり、水素吸蔵合金平板１１近傍で
は他の水素原子１４に衝突して水素分子を作ることがな
い。そのため、半導体ウエハ１５に水素原子１４は供給
される。水素原子１４は水素吸蔵合金平板１１から一様
に放出されるため、その放出面積は線状構造を持ち従来
の原子状水素放出源であるタングステンフィラメント３
よりはるかに広い。
について、図１を用いてその動作を説明する。まず、電
極１３に電流を流し、フィラメント１２を加熱する。そ
の輻射熱は水素吸蔵合金平板１１を温める。超高真空中
の主要な構成ガス成分は水素であり、この水素をすでに
水素吸蔵合金は吸っている。この合金内に蓄えられた水
素原子が、温められることにより超高真空中に水素原子
１４として放出される。超高真空中では水素原子１４の
平均自由行程は長くなり、水素吸蔵合金平板１１近傍で
は他の水素原子１４に衝突して水素分子を作ることがな
い。そのため、半導体ウエハ１５に水素原子１４は供給
される。水素原子１４は水素吸蔵合金平板１１から一様
に放出されるため、その放出面積は線状構造を持ち従来
の原子状水素放出源であるタングステンフィラメント３
よりはるかに広い。
【００１０】以上のようにこの実施例によれば、半導体
ウエハ１５表面に平行に接近して配置された水素吸蔵合
金平板１１と、この水素吸蔵合金平板１１を温めるヒー
ターを半導体ウエハ１５に面さない平板の裏側に設ける
ことにより、水素原子１４を高濃度に大面積にわたって
発生させることができる。
ウエハ１５表面に平行に接近して配置された水素吸蔵合
金平板１１と、この水素吸蔵合金平板１１を温めるヒー
ターを半導体ウエハ１５に面さない平板の裏側に設ける
ことにより、水素原子１４を高濃度に大面積にわたって
発生させることができる。
【００１１】
【発明の効果】以上のように本発明は、半導体ウエハ表
面に平行に接近して配置された水素吸蔵合金からなる平
板と、この平板を温めるヒーターを半導体ウエハに対し
て水素吸蔵合金平板の裏側に設けることにより、水素原
子を高濃度に大面積にわたって発生させることができる
原子状水素供給器を実現でき、半導体ウエハの製造速度
が高められる等の効果がある。
面に平行に接近して配置された水素吸蔵合金からなる平
板と、この平板を温めるヒーターを半導体ウエハに対し
て水素吸蔵合金平板の裏側に設けることにより、水素原
子を高濃度に大面積にわたって発生させることができる
原子状水素供給器を実現でき、半導体ウエハの製造速度
が高められる等の効果がある。
【図１】本発明の実施例における原子状水素供給器の構
成図
成図
【図２】従来の原子状水素供給器の構成図
１ チューブ ２ 水素分子 ３ タングステンフィラメント ４ 水素原子 ５ 電極 ６ 半導体ウエハ １１ 水素吸蔵合金平板 １２ フィラメント １３ 電極 １４ 水素原子 １５ 半導体ウエハ
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウエハ表面に接近して配置され
た、水素原子を高濃度に吸蔵している水素吸蔵合金から
なる平板と、半導体ウエハに対し水素吸蔵合金平板の裏
側の位置に配置され、前記水素吸蔵合金平板を温めるヒ
ーターと、を備え、前記ヒーターを加熱することにより
前記平板から水素原子を放出させ、該水素原子を前記半
導体ウエハ表面に供給することを特徴とした原子状水素
供給器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14731991A JP3202033B2 (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | 原子状水素供給器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14731991A JP3202033B2 (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | 原子状水素供給器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05801A JPH05801A (ja) | 1993-01-08 |
| JP3202033B2 true JP3202033B2 (ja) | 2001-08-27 |
Family
ID=15427500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14731991A Expired - Fee Related JP3202033B2 (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | 原子状水素供給器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3202033B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU2342097A (en) * | 1996-03-28 | 1997-10-17 | Saes Pure Gas, Inc. | Method and apparatus for purifying hydrogen gas |
| WO2003005435A1 (fr) * | 2001-07-05 | 2003-01-16 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement de substrat et procede de traitement de substrat, procede d'aplanissement |
-
1991
- 1991-06-19 JP JP14731991A patent/JP3202033B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05801A (ja) | 1993-01-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |