JP3199402B2 - Mach-Zehnder optical waveguide device - Google Patents

Mach-Zehnder optical waveguide device

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JP3199402B2
JP3199402B2 JP21735291A JP21735291A JP3199402B2 JP 3199402 B2 JP3199402 B2 JP 3199402B2 JP 21735291 A JP21735291 A JP 21735291A JP 21735291 A JP21735291 A JP 21735291A JP 3199402 B2 JP3199402 B2 JP 3199402B2
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light
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實 清野
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はマッハツェンダー型光導
波路デバイスに関する。光通信の分野では、光スイッチ
や、変調器や、合分波器や、カプラ等の部品が必要であ
り、マッハツェンダー型光導波路デバイスはこのような
部品として使用可能なものとして期待されている。マッ
ハツェンダー型光導波路デバイスは、電界を印加すると
屈折率が変化する結晶材料の基板に光導波路を設けたも
のであり、非常に小型に製造でき、且つ量産性に優れて
いる。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a Mach-Zehnder type optical waveguide device. In the field of optical communication, components such as an optical switch, a modulator, a multiplexer / demultiplexer, and a coupler are required, and a Mach-Zehnder type optical waveguide device is expected to be usable as such a component. . The Mach-Zehnder type optical waveguide device has a structure in which an optical waveguide is provided on a substrate made of a crystal material whose refractive index changes when an electric field is applied, and can be manufactured very small and excellent in mass productivity.

【0002】[0002]

【従来の技術】マッハツェンダー型光導波路デバイスの
光導波路は、入力導波路部と、出力導波路部と、該入力
導波路部及び該出力導波路部の間にそれぞれY字状分岐
部を介して接続される平行な中間導波路部とからなる。
マッハツェンダー型光導波路デバイスを例えば光変調器
として使用するときには、平行な中間導波路部に電極を
設け、印加電圧を制御することにより、出力導波路部か
らの光出力を変調する。図3は、印加電圧に対する光出
力を示す図である。例えば印加電圧が0のときに光出力
は1になり、印加電圧がV0 のときに光出力は0にな
り、電圧に応じて光出力はサイン関数状になる。
2. Description of the Related Art An optical waveguide of a Mach-Zehnder type optical waveguide device includes an input waveguide section, an output waveguide section, and a Y-shaped branch section between the input waveguide section and the output waveguide section. And a parallel intermediate waveguide section connected in parallel.
When a Mach-Zehnder type optical waveguide device is used as, for example, an optical modulator, an electrode is provided on a parallel intermediate waveguide section, and an optical output from an output waveguide section is modulated by controlling an applied voltage. FIG. 3 is a diagram illustrating light output with respect to an applied voltage. For example, when the applied voltage is 0, the optical output becomes 1, when the applied voltage is V 0 , the optical output becomes 0, and the optical output becomes a sine function according to the voltage.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかし、マッハツェン
ダー型光導波路デバイスに応力や熱がかかったり、DC
ドリフト等が生じたりすると、特性が変動することがあ
るという問題点があった。例えば、図3を参照すると、
実線が所定の特性を示すのに対して、特性が破線で示す
ように変動することがあった。マッハツェンダー型光導
波路デバイスの応用によっては、所定の電圧値を印加し
たときに光出力が変化することは好ましくないことであ
り、そのような変動が発生したときには対策を施すこと
ができるようにしておくことが望まれる。
However, stress or heat is applied to the Mach-Zehnder type optical waveguide device,
If a drift or the like occurs, there is a problem that characteristics may fluctuate. For example, referring to FIG.
While the solid line indicates a predetermined characteristic, the characteristic sometimes fluctuates as indicated by a broken line. Depending on the application of the Mach-Zehnder type optical waveguide device, it is not preferable that the light output changes when a predetermined voltage value is applied, so that when such a change occurs, measures can be taken. It is desired to keep.

【0004】本発明の目的は、信頼性を高めるために特
性の変動をモニターすることができるようにしたマッハ
ツェンダー型光導波路デバイスを提供することである。
[0004] It is an object of the present invention to provide a Mach-Zehnder type optical waveguide device capable of monitoring a change in characteristics in order to enhance reliability.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明によるマッハツェ
ンダー型光導波路デバイスは、入力導波路部と、出力導
波路部と、該入力導波路部及び該出力導波路部の間にそ
れぞれY字状分岐部を介して接続される平行な2つの
間導波路部とからなる主光導波路を有する基板と、該主
光導波路の該出力導波路部の両側近傍に設けられて該
導波路部と該出力導波路部との接続部より放出される
放射光をガイドする2つの副光導波路14と、該放射光
をガイドする2つの副導波路の光を検出する検出手段と
を備え、該検出手段の出力に応じて該主光導波路への印
加電圧を制御することを特徴とする。
Mach-Zehnder type optical waveguide device according to the present invention, in order to solve the problems] includes input Chikarashirube waveguide section, and an output waveguide portion, respectively Y-shaped between the input waveguide section and said output Chikarashirube waveguide section A substrate having a main optical waveguide composed of two parallel intermediate waveguide portions connected via a bifurcated portion, and a substrate provided near both sides of the output waveguide portion of the main optical waveguide. the in
Is the release from the connecting portion and between the waveguide section and said output Chikarashirube waveguide section
Two Fukuhikarishirube waveguide 14 for guiding the radiation beam, the emitted light
Detecting means for detecting light of two sub-waveguides for guiding
A mark on the main optical waveguide according to the output of the detection means.
It is characterized in that the applied voltage is controlled .

【0006】[0006]

【作用】上記したマッハツェンダー型光導波路デバイス
では、電圧を印加したときに出力導波路部12bで利用
可能な光出力が入力光に対して低下する。本発明は、こ
のように光出力が低下したとき、入力光と出力光との差
に相当する光成分は、主光導波路の平行導波路部12
c,12dと出力導波路部12bとの接続部から基板内
へ放出されることに注目した。そこで、主光導波路の出
力導波路部12bの近傍に副光導波路14を設け、前記
放出光を所定の部位へガイドするようにした(図1で
は、基板の端面にガイドされる)。このようにしてガイ
ドされた放出光は適切な手段により検出され、この放出
光をモニターすることにより、特性の変動をモニターす
ることができる。
In the above-described Mach-Zehnder optical waveguide device, when a voltage is applied, the optical output available in the output waveguide section 12b decreases with respect to the input light. According to the present invention, when the light output is reduced as described above, the light component corresponding to the difference between the input light and the output light is transmitted to the parallel waveguide portion 12
Attention was paid to emission into the substrate from the connection between c and 12d and the output waveguide portion 12b. Therefore, a sub optical waveguide 14 is provided near the output waveguide portion 12b of the main optical waveguide, and the emitted light is guided to a predetermined portion (in FIG. 1, it is guided by the end face of the substrate). The emitted light guided in this way is detected by an appropriate means, and by monitoring the emitted light, a change in characteristics can be monitored.

【0007】[0007]

【実施例】図1を参照すると、マッハツェンダー型光導
波路デバイスは、ニオブ酸リチウム(LiNbO3 )の
結晶からなる基板10に光導波路12を設けたものであ
る。光導波路12は、入力導波路部12aと、出力導波
路部12bと、該入力導波路部及び該出力導波路部の間
にそれぞれY字状分岐部を介して接続される平行な中間
導波路部12c,12dとからなる。入力導波路部12
a及び出力導波路部12bはそれぞれ基板10の端面に
露出し、光ファイバ16(図1では出力導波路部12b
側の光ファイバのみ示されている)に接続される。
Referring to FIG. 1, a Mach-Zehnder type optical waveguide device has an optical waveguide 12 provided on a substrate 10 made of a crystal of lithium niobate (LiNbO 3 ). The optical waveguide 12 includes an input waveguide portion 12a, an output waveguide portion 12b, and a parallel intermediate waveguide connected between the input waveguide portion and the output waveguide portion via a Y-shaped branch portion. It consists of parts 12c and 12d. Input waveguide section 12
a and the output waveguide portion 12b are exposed at the end face of the substrate 10, respectively, and the optical fiber 16 (in FIG. 1, the output waveguide portion 12b
(Only the side optical fiber is shown).

【0008】光導波路12は、例えば、ニオブ酸リチウ
ムの結晶基板10にチタン(Ti)を蒸着し、フォトリ
ソグラフィ及びエッチングによりパターン化し、それか
ら酸素を含む高温中で同基板10中へ拡散させることに
より形成している。この光導波路12は透明で、基板1
0よりも屈折率が高くなり、光を閉じこめるようにな
る。
The optical waveguide 12 is formed, for example, by depositing titanium (Ti) on a crystal substrate 10 of lithium niobate, patterning it by photolithography and etching, and then diffusing it into the substrate 10 at a high temperature containing oxygen. Has formed. This optical waveguide 12 is transparent and the substrate 1
The refractive index becomes higher than 0, and light becomes confined.

【0009】図1及び図2に示されるように、光導波路
12の上にはSiO2 のバッファ層18(図1では省略
してある)が設けられ、そしてバッファ層18の上で中
間導波路部12c,12dの位置に対応して電極20,
22が設けられる。電極20,22は電源24に接続さ
れる。従って、電極20,22間に電圧を印加すること
により、中間導波路部12c,12dの屈折率が変化
し、光の伝播特性を変化させる。
As shown in FIGS. 1 and 2, a buffer layer 18 (not shown in FIG. 1) of SiO 2 is provided on the optical waveguide 12, and an intermediate waveguide is provided on the buffer layer 18. The electrodes 20, corresponding to the positions of the portions 12c and 12d,
22 are provided. The electrodes 20, 22 are connected to a power supply 24. Therefore, by applying a voltage between the electrodes 20 and 22, the refractive indexes of the intermediate waveguide portions 12c and 12d change, and the light propagation characteristics change.

【0010】さらに、副光導波路14が主光導波路12
の出力導波路部12bの近傍に設けられる。副光導波路
14は出力導波路部12bを挟んで平行導波路部12
c,12dと出力導波路部12bとの接続部から基板1
0の端面まで延びる。モニター用光ファイバ26が基板
10の端面と一致する副光導波路14の端面に接続され
る。モニター用光ファイバ26はフォトダイオード等の
光検出器を含む放出光検出手段28に接続される。さら
に、この放出光検出手段28は電源24に制御信号を送
ることができる。
Further, the sub optical waveguide 14 is connected to the main optical waveguide 12.
In the vicinity of the output waveguide section 12b. The sub optical waveguide 14 is formed between the parallel waveguide 12 and the output waveguide 12b.
The substrate 1 is connected from the connection portion between the output waveguide portion 12b and the output waveguide portion 12b.
0 end face. The monitoring optical fiber 26 is connected to the end face of the sub optical waveguide 14 which coincides with the end face of the substrate 10. The monitoring optical fiber 26 is connected to emission light detecting means 28 including a photodetector such as a photodiode. Further, the emitted light detecting means 28 can send a control signal to the power supply 24.

【0011】このようなマッハツェンダー型光導波路デ
バイスでは、電源24から電極20,22に印加する電
圧に応じて図3の実線で示されるような光出力が得られ
る。例えば印加電圧が0のときに光出力は1になり、印
加電圧がV0のときに光出力は0になり、電圧に応じて
光出力はサイン関数状になる。実線が所定の特性を示す
のに対して、特性が破線で示すように変動することがあ
る。副光導波路14はそのような変動をモニターできる
ようにするために、平行導波路部12c,12dと出力
導波路部12bとの接続部から基板10の内部へ放出さ
れる光をガイドするものである。
In such a Mach-Zehnder type optical waveguide device, an optical output as shown by a solid line in FIG. 3 is obtained according to the voltage applied from the power supply 24 to the electrodes 20 and 22. For example, when the applied voltage is 0, the optical output becomes 1, when the applied voltage is V 0 , the optical output becomes 0, and the optical output becomes a sine function according to the voltage. While the solid line indicates the predetermined characteristic, the characteristic may fluctuate as indicated by the broken line. The sub optical waveguide 14 guides light emitted from the connection between the parallel waveguide sections 12c and 12d and the output waveguide section 12b into the substrate 10 so that such fluctuation can be monitored. is there.

【0012】図4はマッハツェンダー型光導波路デバイ
スの光導波路12を簡略化して示しており、(A)は印
加電圧が0のときの光の伝播の様子を示し、(B)は印
加電圧がV0 のときの光の伝播の様子を示している。図
4において、12aは入力導波路部、12bは出力導波
路部と、12c,12dは中間導波路部である。各部に
は波形状の図形で伝播モードが示されている。このマッ
ハツェンダー型光導波路デバイスでは、入力導波路部1
2aに示されたモードの光のみが伝播可能である。
FIG. 4 schematically shows the optical waveguide 12 of the Mach-Zehnder type optical waveguide device. FIG. 4A shows the state of light propagation when the applied voltage is 0, and FIG. The state of light propagation at V 0 is shown. In FIG. 4, 12a is an input waveguide, 12b is an output waveguide, and 12c and 12d are intermediate waveguides. In each part, the propagation mode is indicated by a wave-shaped figure. In this Mach-Zehnder type optical waveguide device, the input waveguide section 1
Only the light of the mode shown in 2a can propagate.

【0013】図4の(A)においては、光は所定の入力
モードで入力導波路部12aに導入され、中間導波路部
12c,12dに向かい、これらの中間導波路部12
c,12dを入力モードと同じモードでそれぞれ伝播
し、そして同じモードで出力導波路部12bから出力さ
れる。また、(B)においては、光は所定の入力モード
で入力導波路部12aに導入され、中間導波路部12
c,12dに向かうが、このときに、中間導波路部12
c,12dの屈折率が電圧0のときとは変化しているの
で、光の伝播速度が変化することになる。従って、これ
らの中間導波路部12c,12dを伝播する光の位相に
相互に差ができ、平行導波路部12c,12dと出力導
波路部12bとの接続部においてこれらの位相の異なっ
た光が出会うと、出力導波路部12bに入射すべきモー
ドが入力モードとは変わったものになる。このため、平
行導波路部12c,12dと出力導波路部12bとの接
続部に到達した光は、電圧の値に応じた程度(図3)
で、出力導波路部12bに入射できなくなり、基板10
の内部に放射されることになる。
In FIG. 4A, light is introduced into an input waveguide section 12a in a predetermined input mode, and travels toward intermediate waveguide sections 12c and 12d.
c and 12d propagate in the same mode as the input mode, and are output from the output waveguide section 12b in the same mode. In (B), light is introduced into the input waveguide section 12a in a predetermined input mode, and the light is introduced into the intermediate waveguide section 12a.
c and 12d. At this time, the intermediate waveguide 12
Since the refractive indices of c and 12d are different from those when the voltage is 0, the light propagation speed is changed. Accordingly, the phases of the light propagating through the intermediate waveguide portions 12c and 12d are different from each other, and the lights having different phases are connected at the connection portion between the parallel waveguide portions 12c and 12d and the output waveguide portion 12b. When they meet, the mode to be incident on the output waveguide section 12b is different from the input mode. For this reason, the light reaching the connecting portion between the parallel waveguide portions 12c and 12d and the output waveguide portion 12b has a degree corresponding to the value of the voltage (FIG. 3).
As a result, the light cannot enter the output waveguide portion 12b and the substrate 10
Will be radiated inside.

【0014】通常、平行導波路部12c,12dと出力
導波路部12bとの接続部で基板10の内部に放射され
る光は、(B)に示されるように出力導波路部12bの
両側で基板10の端面に向かって斜めに進む。ただし、
この放出光は基板10の表面に沿って進むのではなく、
(C)に示されるように基板10の底部側に向かって進
む。このようにして進む放射光は、基板10と基板の外
側の空気との界面において全反射を繰り返し、基板10
のどの位置から出射するのか確かでない。
Normally, the light radiated into the substrate 10 at the connection portion between the parallel waveguide portions 12c and 12d and the output waveguide portion 12b is, as shown in (B), on both sides of the output waveguide portion 12b. It proceeds diagonally toward the end face of the substrate 10. However,
This emitted light does not travel along the surface of the substrate 10,
As shown in (C), the light beam advances toward the bottom of the substrate 10. The radiation traveling in this manner repeats total reflection at the interface between the substrate 10 and the air outside the substrate, and the substrate 10
It is not certain from which position the light exits.

【0015】本発明では、平行導波路部12c,12d
と出力導波路部12bとの接続部で基板10の内部に入
った光の多くは、この放射光の発生部の近くで副光導波
路14に入射する。この副光導波路14も主光導波路1
2と同様にして基板10の表面に形成され、基板10よ
りも屈折率が高い。そのため、副光導波路14に入った
放射光は副光導波路14に閉じ込められて副光導波路1
4内を進み、すなわち副光導波路14内をガイドされ
る。副光導波路14内を進む光は実質的に基板10には
出射することなく、基板10の端面と一致する端面から
出射する。従って、この端面に光ファイバ26を接続す
れば、放射光を捕らえることができる。
In the present invention, the parallel waveguide portions 12c and 12d
Most of the light that has entered the inside of the substrate 10 at the connection between the output waveguide section 12b and the output waveguide section 12b enters the sub optical waveguide 14 near the radiated light generation section. The sub optical waveguide 14 is also the main optical waveguide 1
2, formed on the surface of the substrate 10 and has a higher refractive index than the substrate 10. Therefore, the radiated light that has entered the sub optical waveguide 14 is confined in the sub optical waveguide 14 and
4, that is, guided in the sub optical waveguide 14. Light traveling in the sub optical waveguide 14 does not substantially exit to the substrate 10 but exits from an end surface that coincides with the end surface of the substrate 10. Therefore, if the optical fiber 26 is connected to this end face, the emitted light can be captured.

【0016】このようにして、放出光検出手段28は主
光導波路12から漏れた放射光を検出し、それによっ
て、電源24から印加した電圧値に対して、光出力が所
定のレベルになっているかどうかを判断することができ
る。すなわち、図3を参照すると、電源24から印加し
た電圧値に対して、実線の特性の光出力が得られている
か、あるいは破線で示されるように特性が変動している
のかを判断することができる。このようなモニターの応
用として、放出光検出手段28の出力に基づいて電源2
4に制御信号を送り、特性のずれを補正することができ
る。
In this way, the emitted light detecting means 28 detects the emitted light leaking from the main optical waveguide 12, whereby the light output becomes a predetermined level with respect to the voltage value applied from the power supply 24. Can be determined. That is, referring to FIG. 3, it is possible to determine whether an optical output having a solid line characteristic is obtained or a characteristic fluctuates as indicated by a broken line with respect to a voltage value applied from the power supply 24. it can. As an application of such a monitor, a power source 2 based on the output of the emitted light detecting means 28
4, a control signal can be sent to correct the characteristic deviation.

【0017】図5は、本発明の実施例を示し、基板10
には図1の場合と同様に主光導波路12を形成してある
(図5では平行導波路部12c,12dと出力導波路部
12bとの接続部の部分のみ示されている)。この主光
導波路12の出力導波路部の近傍には副光導波路14が
設けられている。さらに、この副光導波路14の表面に
光散乱手段30が設けられている。この光散乱手段30
はグレーティングや、表面の粗面化処理等からなる。副
光導波路14の表面に光散乱手段30を設けることによ
って、平行導波路部12c,12dと出力導波路部12
bとの接続部で基板10の内部に入った光のうち、副光
導波路14に入射した光は光散乱手段30で散乱して副
光導波路14の表面から出射するようになる。従って、
副光導波路14の表面にモニター用光ファイバ26を設
けておけば、前述したのと同様にして放射光を捕らえる
ことができる。
FIG. 5 shows an embodiment of the present invention.
The main optical waveguide 12 is formed in the same manner as in the case of FIG. 1 (FIG. 5 shows only the connection portion between the parallel waveguide portions 12c and 12d and the output waveguide portion 12b). A sub optical waveguide 14 is provided near the output waveguide of the main optical waveguide 12. Further, light scattering means 30 is provided on the surface of the sub optical waveguide 14. This light scattering means 30
Consists of a grating and a surface roughening treatment. By providing the light scattering means 30 on the surface of the sub optical waveguide 14, the parallel waveguide sections 12c and 12d and the output waveguide section 12 are provided.
Of the light that has entered the inside of the substrate 10 at the connection with b, the light that has entered the sub optical waveguide 14 is scattered by the light scattering means 30 and exits from the surface of the sub optical waveguide 14. Therefore,
If the monitoring optical fiber 26 is provided on the surface of the sub optical waveguide 14, the emitted light can be captured in the same manner as described above.

【0018】図6は、本発明の別の実施例を示し、基板
10には前の例と同様に主光導波路12及び副光導波路
14が設けられている。さらに、この副光導波路14の
表面に光散乱手段30が設けられ、そしてバッファ層1
8を介してミラー32が設けられている。モニター用光
ファイバ26は基板10の底面側に配置される。従っ
て、副光導波路14に入射した光が光散乱手段30によ
って表面に出射し且つミラー32で反射して光ファイバ
26に捕らえられる。この構成によれば、モニター用光
ファイバ26の設置位置の制限を緩和することができ
る。
FIG. 6 shows another embodiment of the present invention, in which a substrate 10 is provided with a main optical waveguide 12 and a sub optical waveguide 14 as in the previous embodiment. Further, a light scattering means 30 is provided on the surface of the sub optical waveguide 14, and the buffer layer 1 is provided.
A mirror 32 is provided through the mirror 8. The monitoring optical fiber 26 is disposed on the bottom side of the substrate 10. Therefore, the light incident on the sub optical waveguide 14 is emitted to the surface by the light scattering means 30 and reflected by the mirror 32 to be captured by the optical fiber 26. According to this configuration, the restriction on the installation position of the monitor optical fiber 26 can be eased.

【0019】[0019]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によるマッ
ハツェンダー型光導波路デバイスは、入力導波路部と、
出力導波路部と、該入力導波路部及び該出力導波路部の
間にそれぞれY字状分岐部を介して接続される平行な中
間導波路部とからなる主光導波路と、該主光導波路の該
出力導波路部の近傍に設けられて該平行導波路部と該出
力導波路部との接続部で放出される光をガイドする副光
導波路とを備えた構成であるので、主光導波路の平行導
波路部と出力導波路部との接続部から基板内へ放出され
る光を副光導波路により所定の部位へガイドすることが
でき、よって特性の変動をモニターして信頼性を高める
ことができる。
As described above, the Mach-Zehnder type optical waveguide device according to the present invention has an input waveguide portion,
A main optical waveguide including an output waveguide portion, a parallel intermediate waveguide portion connected between the input waveguide portion and the output waveguide portion via a Y-shaped branch portion, and the main optical waveguide. The main optical waveguide is provided in the vicinity of the output waveguide portion and has a sub-optical waveguide that guides light emitted at the connection portion between the parallel waveguide portion and the output waveguide portion. The light emitted into the substrate from the connection portion between the parallel waveguide portion and the output waveguide portion can be guided to a predetermined portion by the sub-optical waveguide, so that a change in characteristics can be monitored to enhance reliability. Can be.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の原理説明図である。FIG. 1 is a diagram illustrating the principle of the present invention.

【図2】図1のデバイスの部分断面図である。FIG. 2 is a partial cross-sectional view of the device of FIG.

【図3】光出力の特性を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing characteristics of optical output.

【図4】放射光を説明する図であり、(A)は電圧を印
加しないときを示す図、(B)は電圧を印加したときを
示す図、(C)は(B)のデバイスの断面図である。
4A and 4B are diagrams for explaining emitted light, in which FIG. 4A shows a case where no voltage is applied, FIG. 4B shows a case where a voltage is applied, and FIG. FIG.

【図5】本発明の実施例を示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing an embodiment of the present invention.

【図6】本発明の別の実施例を示す断面図である。FIG. 6 is a sectional view showing another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…基板 12…主光導波路 14…副光導波路 16…光ファイバ 20,22…電極 24…電源 26…モニター用光ファイバ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Substrate 12 ... Main optical waveguide 14 ... Sub optical waveguide 16 ... Optical fiber 20, 22 ... Electrode 24 ... Power supply 26 ... Optical fiber for monitoring

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平3−145623(JP,A) 特開 平2−165117(JP,A) 特開 昭64−28603(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/00 - 1/035 G02F 1/29 - 1/313 G02B 6/12 - 6/14 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-3-145623 (JP, A) JP-A-2-165117 (JP, A) JP-A-64-28603 (JP, A) (58) Field (Int.Cl. 7 , DB name) G02F 1/00-1/035 G02F 1/29-1/313 G02B 6/12-6/14

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 入力導波路部と、出力導波路部と、該入
力導波路部及び該出力導波路部の間にそれぞれY字状分
岐部を介して接続される平行な2つの中間導波路部とか
らなる主光導波路を有する基板と、 該主光導波路の該出力導波路部の両側近傍に設けられて
中間導波路部と該出力導波路部との接続部より放出さ
れる放射光をガイドする2つの副光導波路と、 該放射光をガイドする2つの副光導波路の光を検出する
検出手段とを備え、該検出手段の出力に応じて該主光導
波路への印加電圧を制御する マッハツェンダー型光導波
路デバイス。
1. An input waveguide unit, an output waveguide unit, and two parallel intermediate waveguides connected between the input waveguide unit and the output waveguide unit via respective Y-shaped branches. a substrate having a main optical waveguide made of a part, the radiation beam provided near both sides of the output Chikarashirube waveguide portion of the main optical waveguide is released from the connecting portion between the intermediate waveguide portions and said output Chikarashirube waveguide section two and Fukuhikarishirubeha path for guiding, to detect light of two Fukuhikarishirube waveguide for guiding the emitted light
Detecting means, and the main light guide according to an output of the detecting means.
A Mach-Zehnder optical waveguide device that controls the voltage applied to the waveguide.
【請求項2】 前記副光導波路の表面に光散乱手段を設
、該検出手段を基板表面に設けた請求項1に記載のマ
ッハツェンダー型光導波路デバイス。
2. The Mach-Zehnder optical waveguide device according to claim 1, wherein light scattering means is provided on a surface of said sub optical waveguide , and said detection means is provided on a substrate surface .
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