JP2903702B2 - Waveguide type optical device - Google Patents

Waveguide type optical device

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    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/29Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
    • G02F1/31Digital deflection, i.e. optical switching
    • G02F1/313Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
    • G02F1/3132Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は導波路型光デバイスに係わり、特に光導波路
の構成に関する。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a waveguide type optical device, and more particularly to a configuration of an optical waveguide.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

光通信システムの実用化に伴い、さらに大容量で多機
能の高度なシステムが求められており、より高速の光信
号の発生や光伝送路の切り替え、交換等の新たな機能の
付加が必要とされている。
With the practical use of optical communication systems, higher capacity and multi-functional advanced systems are required, and it is necessary to add new functions such as faster generation of optical signals, switching of optical transmission lines, and switching. Have been.

現在の実用システムでは光信号は直接半導体レーザや
発光ダイオードの注入電流を変調することによって得ら
れている。しかしながら、直接変調では緩和振動等の効
果のため数GHz以上の高速変調が難しいこと、波長変動
が発生するためコヒーレント光伝送方式には適用が難し
い等の欠点がある。これを解決する手段としては、外部
変調器を使用する方法があり、特に電気光学結晶基板中
に形成された光導波路により構成される導波型の光変調
器は小型、高効率、高速という特長がある。
In a current practical system, an optical signal is obtained by directly modulating an injection current of a semiconductor laser or a light emitting diode. However, direct modulation has drawbacks such as difficulty in high-speed modulation of several GHz or more due to effects of relaxation oscillation and the like, and difficulty in application to a coherent optical transmission system due to wavelength fluctuation. As a means to solve this, there is a method using an external modulator. In particular, a waveguide type optical modulator composed of an optical waveguide formed in an electro-optic crystal substrate is characterized by its small size, high efficiency, and high speed. There is.

一方、光伝送路の切り替えやネットワークの交換機能
を得る手段としては、光スイッチが使用されている。現
在実用化されている光スイッチは、プリズム、ミラー、
ファイバ等を機械的に移動させて光路を切り替えるもの
であり、低速であること、形状が大きくマトリクス化に
不適等の欠点がある。これを解決する手段としても光導
波路を用いた導波型の光スイッチの開発が進められてお
り、高速、多素子の集積化が可能、高信頼等の特長があ
る。特にニオブ酸リチウム(LiNbO3)結晶等の強誘導体
材料を用いたものは、光吸収が小さく低損失であるこ
と、大きな電気光学効果を有しているため高効率である
等の特長があり、方向性結合器型光変調器あるいは光ス
イッチ、全反射型光スイッチ、マッハツェンダ型光変調
器等の種々の方式の光制御デバイスが報告されている。
On the other hand, an optical switch is used as a means for obtaining an optical transmission line switching or network switching function. Optical switches currently in practical use include prisms, mirrors,
The optical path is switched by mechanically moving a fiber or the like, and has disadvantages such as low speed, large shape, and unsuitability for matrix formation. As a means for solving this problem, a waveguide type optical switch using an optical waveguide is being developed, and has features such as high speed, integration of many elements, and high reliability. In particular, those using a strong derivative material such as lithium niobate (LiNbO 3 ) crystal have features such as low light absorption, low loss, and high efficiency due to a large electro-optic effect. Various types of light control devices such as a directional coupler type optical modulator or an optical switch, a total reflection type optical switch, and a Mach-Zehnder type optical modulator have been reported.

近年、この導波路型光スイッチの高密度集積化の研究
開発が盛んに行われており、西本裕らの文献、電子情報
通信学会OQE88−147によれば、LiNbO3基板を用いて方向
性結合器型光スイッチを64素子集積した8×8マトリク
ス光スイッチを得ている。一方、外部光変調器のような
単一の光スイッチ素子から成るデバイスの研究開発も盛
んに進められている。このような光スイッチデバイスの
特性項目には、スイッチング電圧(電力)、クロストー
ク、消光比、損失、切り替え速度、温湿度等の環境に対
する動作の安定性等がある。
Recent years, research and development of high-density integration of the waveguide type optical switch being actively, literature Nishimoto Hiroshira, according to IEICE OQE88-147, directional coupler using a LiNbO 3 substrate An 8 × 8 matrix optical switch having 64 integrated optical switches is obtained. On the other hand, research and development of devices including a single optical switch element such as an external optical modulator are also actively pursued. The characteristic items of such an optical switch device include switching voltage (power), crosstalk, extinction ratio, loss, switching speed, and operation stability against the environment such as temperature and humidity.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

第4図に従来の導波路型光デバイスの一例である基板
表面に形成された方向性結合器から成る光スイッチ、変
調器の斜視図を示す。同図において、電極1に電圧が印
加されないときに第1のポート2から入力された光は、
方向性結合器3の部分で近接する他方の光導波路4にパ
ワーが移り、光が第2のポート5から出射するように製
作した時、ある一定の電圧が電極1に印加されたときに
は光導波路4の屈折率が変化し、方向性結合器3の部分
で光導波路4間で光パワーの移動は起こらず、光は第3
のポート6から出射する。なお、2本の光導波路4は基
板7の表面に形成されており、かつ基板7の上部にはバ
ッファ層8が配設されている。
FIG. 4 is a perspective view of an optical switch and modulator comprising a directional coupler formed on a substrate surface, which is an example of a conventional waveguide type optical device. In the figure, light input from the first port 2 when no voltage is applied to the electrode 1 is:
When the power is transferred to the other optical waveguide 4 adjacent to the directional coupler 3 and the light is emitted from the second port 5, the optical waveguide is applied when a certain voltage is applied to the electrode 1. 4 changes, the optical power does not move between the optical waveguides 4 in the portion of the directional coupler 3, and the light is
Out of the port 6 of FIG. Note that the two optical waveguides 4 are formed on the surface of the substrate 7, and the buffer layer 8 is provided on the substrate 7.

例えば、光ファイバの破断点測定用計測器に用いる光
スイッチの場合、第3のポート6が光源、第1のポート
2に被測定光ファイバ、第2のポート5には受光素子が
接続される。この計測器は光源から被測定光ファイバに
光を送り、被測定光ファイバからの戻り光を受光素子で
測定し、被測定光ファイバの破断点等を調べるもので、
第2のポート5が信号光の出力である。また、変調器の
場合は、方向性結合器3の部分で光路を切り替えること
により第2のポート5での光出力がオン、オフされ信号
光として伝搬される。なお、第3のポート6でも同様に
光出力がオン、オフされるが、ここでは第2のポート5
を信号光出力としている。
For example, in the case of an optical switch used for a measuring device for measuring a break point of an optical fiber, the third port 6 is connected to a light source, the first port 2 is connected to an optical fiber to be measured, and the second port 5 is connected to a light receiving element. . This measuring instrument sends light from the light source to the optical fiber to be measured, measures the return light from the optical fiber to be measured with the light receiving element, and examines the break point of the optical fiber to be measured.
The second port 5 is an output of the signal light. In the case of a modulator, the optical output at the second port 5 is turned on and off by switching the optical path in the directional coupler 3 and propagated as signal light. The light output is similarly turned on and off at the third port 6, but here, the second port 5
Is the signal light output.

この構造を用いた光ファイバ破断点測定用計測器の場
合、電極1の部分に電圧が印加され、光源から被測定光
ファイバに光を送り込むときに方向性結合器3で近接す
る光導波路4に光が漏れ込み、第2のポート5での消光
比が劣化するという欠点があった。また、変調器の場合
は、電極1に電圧を印加して信号光出力をOFFにしたと
き、つまり第3のポート6に光が出力されるときに、第
2のポート5に光が漏れ込み、消光比が劣化するという
欠点もあった。
In the case of an optical fiber break point measuring instrument using this structure, when a voltage is applied to the electrode 1 and the light is sent from the light source to the optical fiber to be measured, the directional coupler 3 closes the optical waveguide 4. There is a drawback that light leaks and the extinction ratio at the second port 5 is deteriorated. In the case of a modulator, when a voltage is applied to the electrode 1 to turn off the signal light output, that is, when light is output to the third port 6, light leaks into the second port 5. Also, there is a disadvantage that the extinction ratio is deteriorated.

本発明の目的は上述した欠点に鑑みなされたもので、
信号光が出力するポートの消光比の劣化を防止した導波
路型光デバイスを提供するにある。
The object of the present invention has been made in view of the above-mentioned disadvantages,
An object of the present invention is to provide a waveguide type optical device in which the extinction ratio of a port from which signal light is output is prevented from being deteriorated.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

請求項1の発明は、基板表面に形成された複数本の光
導波路と、この光導波路の上部または近傍に形成された
電極とから成る導波路型光デバイスにおいて、光導波路
は導波光の導入部、制御部および信号光の出力部から成
り、この出力部の導波路幅を広く形成し、かつ導波光の
制御部を成す光導波路の上部または近傍に第1の電極を
有すると共に出力部の光導波路の上部または近傍に出力
部の光導波路をマルチモード化するための電界を発生さ
せる第2の電極を具備せしめた構成としたものである。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a waveguide type optical device including a plurality of optical waveguides formed on a substrate surface and electrodes formed on or near the optical waveguide, wherein the optical waveguide is a waveguide light introduction portion. , A control section, and an output section for signal light. The output section has a wide waveguide, and has a first electrode above or near an optical waveguide constituting a control section for guided light, and has a light guide for the output section. A second electrode for generating an electric field for making the optical waveguide of the output section multi-mode is provided above or near the wave path.

請求項2の発明は、第1の電極、第2の電極をバッフ
ァ層を介して光導波路の上部に形成するようにしたもの
である。
According to a second aspect of the present invention, the first electrode and the second electrode are formed above the optical waveguide via a buffer layer.

〔作用〕[Action]

このように本発明によれば、信号光が伝搬する光導波
路を伝搬損失の大きいマルチモード構造とすることによ
り、信号光が出力するポートの高消光比が得られる。
As described above, according to the present invention, a high extinction ratio of the port from which the signal light is output can be obtained by making the optical waveguide through which the signal light propagates a multi-mode structure having a large propagation loss.

〔実施例〕〔Example〕

次に、本発明について図面を用いて詳細に説明する。 Next, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図は本発明に係る導波路型光デバイスの一実施例
を示す斜視図、第2図は第1図のII−II線断面図であ
る。
FIG. 1 is a perspective view showing one embodiment of a waveguide type optical device according to the present invention, and FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II of FIG.

本実施例では基板10にTiを熱拡散することにより光導
波路11、12を形成させた導波路型光デバイスを示してい
る。基板10の電気光学効果を利用して光導波路11、12の
屈折率を変化させるために光導波路11、12の方向性結合
器13の上部にはバッファ層14を介して第1の電極15が形
成されている。このバッファ層14は、第1の電極15が金
属膜であるので光導波路11、12上部に直接形成されると
光導波路11、12を伝搬する光のTMモード光のパワーが第
1の電極15に吸収され損失が大きくなるのを防ぐ役割を
している。
This embodiment shows a waveguide type optical device in which optical waveguides 11 and 12 are formed by thermally diffusing Ti into a substrate 10. A first electrode 15 is provided above the directional coupler 13 of the optical waveguides 11 and 12 via a buffer layer 14 in order to change the refractive index of the optical waveguides 11 and 12 using the electro-optic effect of the substrate 10. Is formed. Since the buffer layer 14 is formed directly on the optical waveguides 11 and 12 because the first electrode 15 is a metal film, the power of the TM mode light of the light propagating through the optical waveguides 11 and 12 is reduced by the first electrode 15. It plays a role in preventing the loss from being increased by absorption.

本実施例では、バッファ層14として酸化シリコン(Si
O2)膜を用いている。また、光導波路の形状は光導波路
12の方向性結合器13から第2のポート16までの直接部分
の光導波路幅を広く形成している。
In the present embodiment, silicon oxide (Si
O 2 ) film is used. The shape of the optical waveguide is
The optical waveguide width of the direct portion from the directional coupler 13 to the second port 16 is widened.

第3図には本実施例による動作原理をあらわすための
基板10にLiNbO3を用いた場合の光導波路の分散曲線を示
している。同図中において、Koは波数(2π/λ)、d
は光導波路幅、Nsは基板の屈折率、Nfは光導波路の屈折
率、Nは等価屈折率{Nf Si Nθ(θは伝搬光のコア
とグラッドの境界への入射角度)}である。実施例によ
る導波路幅を広くした光導波路12はA点(導波路幅を広
くしない部分はB点)になるよう光導波路12を設計し、
この部分の光導波路の屈折率を変化させるために第2の
電極17をバッファ層14を介して形成している。
FIG. 3 shows a dispersion curve of the optical waveguide when LiNbO 3 is used for the substrate 10 for illustrating the operation principle according to the present embodiment. In the figure, Ko is the wave number (2π / λ), d
Is the width of the optical waveguide, Ns is the refractive index of the substrate, Nf is the refractive index of the optical waveguide, and N is the equivalent refractive index {Nf Si Nθ (θ is the angle of incidence of the propagating light on the boundary between the core and the grad)}. The optical waveguide 12 according to the embodiment is designed such that the optical waveguide 12 having the widened waveguide width is at point A (the point B where the waveguide width is not widened is point B).
A second electrode 17 is formed via the buffer layer 14 to change the refractive index of the optical waveguide in this portion.

第1のポート18から入力された光は、電圧無印加時
(第3図におけるA点)には信号出力である第2のポー
ト16より出射され、電圧印加時(第3図におけるC点)
にはダミーの出力ポートである第3のポート19から出射
される。第2のポート16で高消光比がとれるように、第
1の電極15に電圧が印加され、光が第3のポート19より
出射されるときには第2の電極17にも電圧が印加され、
光導波路12の屈折率が変化し、光導波路12にm=1のマ
ルチモードが発生するように設計されている。電圧は光
導波路12の屈折率を小さくする方向に電界が発生するよ
うに印加する。
The light input from the first port 18 is emitted from the second port 16 which is a signal output when no voltage is applied (point A in FIG. 3), and when light is applied (point C in FIG. 3).
Is output from the third port 19 which is a dummy output port. A voltage is applied to the first electrode 15 so that a high extinction ratio can be obtained at the second port 16, and when light is emitted from the third port 19, a voltage is also applied to the second electrode 17,
It is designed so that the refractive index of the optical waveguide 12 changes and a multimode of m = 1 occurs in the optical waveguide 12. The voltage is applied so that an electric field is generated in a direction in which the refractive index of the optical waveguide 12 is reduced.

一般にシングルモード(第3図においてm=0)に比
べマルチモードでは伝搬損失が大きい。したがって、例
えば第2のポート16に光ファイバが接続されているとす
ると、光導波路12を伝搬してきた光の光ファイバへの結
合が少なくなり、高消比が得られることになる。
In general, propagation loss is larger in a multimode than in a single mode (m = 0 in FIG. 3). Therefore, for example, if an optical fiber is connected to the second port 16, the coupling of the light propagating through the optical waveguide 12 to the optical fiber is reduced, and a high extinction ratio is obtained.

このように光がダミーポートである第3のポート19に
出射されるときに、信号光出射がポートである第2のポ
ート16の光導波路12がマルチモード状態になることによ
り高消光比が得られる。例えば、光ファイバの破断点測
定用計測器に用いる光スイッチの場合、第3のポート19
が光源、第1のポート18に被測定光ファイバ、第2のポ
ート16には受光素子が接続される。この計測器は光源か
ら被測定光ファイバに光を送り、被測定光ファイバから
の戻り光を受光素子で測定し、被測定光ファイバの破断
点を調べるものである。したがって、上述したように光
源から被測定光ファイバに光を送るように光スイッチが
働いている場合、受光素子が接続されている光導波路12
をマルチモードにすることにより、受光素子へのノイズ
が低減し、高分解能な測定が可能となる。また、この構
造は全反射型光スイッチ等の他の導波路型デバイスおよ
びGaAs、Inp等化合物半導体基板を用いた導波路型光デ
バイスにも適用できることは明らかである。
As described above, when the light is emitted to the third port 19 which is the dummy port, the optical waveguide 12 of the second port 16 where the signal light is emitted enters the multi-mode state, whereby a high extinction ratio is obtained. Can be For example, in the case of an optical switch used for an optical fiber break point measuring instrument, the third port 19
Is a light source, an optical fiber to be measured is connected to the first port 18, and a light receiving element is connected to the second port 16. This measuring instrument sends light from a light source to an optical fiber to be measured, measures return light from the optical fiber to be measured by a light receiving element, and examines a break point of the optical fiber to be measured. Therefore, as described above, when the optical switch is operating to transmit light from the light source to the optical fiber to be measured, the optical waveguide 12 to which the light receiving element is connected is used.
In the multi-mode, noise to the light receiving element is reduced, and high-resolution measurement can be performed. It is clear that this structure can be applied to other waveguide devices such as a total reflection type optical switch and a waveguide optical device using a compound semiconductor substrate such as GaAs or Inp.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように本発明に係わる導波路型光デバイ
スによれば、光導波路が導波光の導入部、制御部および
信号光の出力部から成り、この出力部の導波路幅を広く
形成し、かつ導波光の制御部を成す光導波路の上部また
は近傍に第1の電極を有すると共に出力部の光導波路の
上部または近傍に出力部の光導波路をマルチモード化す
るための電界を発生させる第2の電極を具備せしめた構
成としたことにより、信号光が伝搬する光導波路を伝搬
損失の大きいマルチモード構造にすることが可能とな
り、これによって信号光が出力するポートの消光比を従
来に比べて高くすることができるという優れた効果を奏
する。
As described above, according to the waveguide type optical device according to the present invention, the optical waveguide includes a guided light introduction section, a control section, and an output section for signal light, and has a wide waveguide width of the output section. And a second electrode having a first electrode above or near the optical waveguide that forms a control section of the guided light, and generating an electric field for making the optical waveguide of the output section multi-mode above or near the optical waveguide of the output section. With the configuration provided with the electrodes described above, it becomes possible to make the optical waveguide through which the signal light propagates into a multi-mode structure with a large propagation loss, thereby making the extinction ratio of the port through which the signal light is output higher than in the past. It has an excellent effect that it can be raised.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明に係る導波路型光デバイスの一実施例を
示す斜視図、第2図は第1図のII−II線断面図、第3図
は本発明に係る光導波路の動作原理を示す図、第4図は
従来の導波路型光デバイスの一例を示す斜視図である。 10……基板、11、 12……光導波路、 13……方向性結合器、 14……バッファ層、 15……第1の電極、 16……第2のポート、 17……第2の電極、 18……第1のポート、 19……第3のポート。
FIG. 1 is a perspective view showing one embodiment of a waveguide type optical device according to the present invention, FIG. 2 is a sectional view taken along the line II-II of FIG. 1, and FIG. 3 is an operation principle of the optical waveguide according to the present invention. FIG. 4 is a perspective view showing an example of a conventional waveguide type optical device. 10 ... substrate, 11, 12 ... optical waveguide, 13 ... directional coupler, 14 ... buffer layer, 15 ... first electrode, 16 ... second port, 17 ... second electrode , 18 ... first port, 19 ... third port.

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】基板表面に形成された複数本の光導波路
と、この光導波路の上部または近傍に形成された電極と
から成る導波路型光デバイスにおいて、前記光導波路は
導波光の導入部、制御部および信号光の出力部から成
り、この出力部の導波路幅を広く形成し、かつ前記導波
光の制御部を成す光導波路の上部または近傍に第1の電
極を有すると共に前記出力部の光導波路の上部または近
傍に出力部の光導波路をマルチモード化するための電界
を発生させる第2の電極を具備せしめたことを特徴とす
る導波路型光デバイス。
1. A waveguide type optical device comprising: a plurality of optical waveguides formed on a substrate surface; and electrodes formed on or near the optical waveguide, wherein the optical waveguide is an introduction portion for guided light; A control section and an output section for signal light, wherein the output section has a wide waveguide width, and has a first electrode above or near an optical waveguide constituting the control section for the guided light, and has a first electrode. A waveguide type optical device, comprising: a second electrode for generating an electric field for making an optical waveguide of an output section multi-mode above or near the optical waveguide.
【請求項2】前記第1の電極および第2の電極はバッフ
ァ層を介して光導波路の上部に形成されていることを特
徴とする請求項1記載の導波路型光デバイス。
2. The waveguide type optical device according to claim 1, wherein said first electrode and said second electrode are formed above said optical waveguide via a buffer layer.
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