JP2936792B2 - Waveguide type optical device - Google Patents

Waveguide type optical device

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JP2936792B2
JP2936792B2 JP12579791A JP12579791A JP2936792B2 JP 2936792 B2 JP2936792 B2 JP 2936792B2 JP 12579791 A JP12579791 A JP 12579791A JP 12579791 A JP12579791 A JP 12579791A JP 2936792 B2 JP2936792 B2 JP 2936792B2
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    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/29Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
    • G02F1/31Digital deflection, i.e. optical switching
    • G02F1/313Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
    • G02F1/3132Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、基板上に設けた光導波
路中に、光を閉じ込めて制御を行う導波路型光デバイス
に係わり、特に導波路型光デバイスの改良に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a waveguide type optical device which controls light by confining light in an optical waveguide provided on a substrate, and more particularly to an improvement of a waveguide type optical device.

【0002】[0002]

【従来の技術】光通信システムの実用化に伴い、大容量
で多機能の高度なシステムが求められており、より高速
の光信号の発生や光伝送路の切り替え、交換等の新たな
機能の付加が必要とされている。現在の実用システムで
は光信号は直接半導体レーザや発光ダイオードの注入電
流を変調することによって得られているが、直接変調で
は緩和振動等の効果のため数GHz以上の高速変調が難
しく、かつ波長変動が発生するためコヒーレント光伝送
方式には適用が難しいという欠点がある。
2. Description of the Related Art With the practical use of optical communication systems, high-capacity, multifunctional advanced systems have been demanded, and new functions such as higher-speed generation of optical signals and switching and switching of optical transmission paths have been demanded. Addition is needed. In the current practical system, an optical signal is obtained by directly modulating the injection current of a semiconductor laser or a light-emitting diode. However, in direct modulation, high-speed modulation over several GHz is difficult due to effects such as relaxation oscillation, and wavelength fluctuation. Is disadvantageous in that it is difficult to apply to the coherent optical transmission system because of the occurrence of

【0003】この欠点を解決する手段としては、外部変
調器を使用する方法があり、特に電気光学結晶基板中に
形成された光導波路により構成される導波型の光変調器
は小型、高効率、高速という特徴がある。
As a means for solving this drawback, there is a method using an external modulator. In particular, a waveguide type optical modulator constituted by an optical waveguide formed in an electro-optic crystal substrate is small in size and high in efficiency. , High speed.

【0004】一方、光伝送路の切り換えやネットワーク
の交換機能を得る手段としては、光スイッチが使用され
ている。現在実用化されている光スイッチはプリズム、
ミラー、ファイバ等を機械的に移動させて光路を切り換
えるものであり、低速であること、形状が大きくマトリ
クス化に不適当等の欠点がある。
On the other hand, an optical switch is used as a means for obtaining an optical transmission line switching or network switching function. The optical switch currently in practical use is a prism,
The optical path is switched by mechanically moving a mirror, a fiber, or the like, and has disadvantages such as low speed, large shape, and unsuitability for matrix formation.

【0005】これを解決する手段として、光導波路を用
いた導波型の光スイッチの開発が進められており、高
速、多素子の集積化が可能、高信頼性等の特徴がある。
特に、ニオブ酸リチウム(LiNbO3 )結晶等の強誘
電体材料を用いたものは、光吸収が小さく低損失であ
り、大きな電気光学効果を有しているため、高効率であ
る等の特徴があり、方向性結合器型光変調器あるいは光
りスイッチ、前反射型光スイッチ、マッハツェンダ型光
変調器等の種々の方式の光制御デバイスが案出されてい
る。
As means for solving this problem, a waveguide type optical switch using an optical waveguide has been developed, and has features such as high speed, integration of many elements, and high reliability.
In particular, a material using a ferroelectric material such as lithium niobate (LiNbO 3 ) crystal has low light absorption, low loss, and a large electro-optic effect, and thus has high efficiency and the like. In addition, various types of light control devices such as a directional coupler type optical modulator or a light switch, a front reflection type optical switch, and a Mach-Zehnder type optical modulator have been devised.

【0006】近年、この導波路型光スイッチの高密度集
積化の研究開発が盛んに行われており、例えば西本裕氏
らの文献、電子情報通信学会「OQE88−147」に
よれば、LiNbO3 基板を用いて方向性結合器型光ス
イッチを64素子集積した8×8マトリクス光スイッチ
が提案されている。
In recent years, the research and development of high-density integration of the waveguide type optical switch has been actively, for example, Yutaka Nishimoto et al., According to the IEICE "OQE88-147", LiNbO 3 An 8 × 8 matrix optical switch in which 64 directional coupler optical switches are integrated using a substrate has been proposed.

【0007】一方、外部光変調器のような単一の光スイ
ッチからなるデバイスの研究開発も盛んに進められてい
る。このような、光スイッチデバイスの特性項目には、
スイッチング電圧(電力)、クロストーク、消光比、損
失、切り替え速度、温湿度などの環境に対する動作の安
定性などがある。
On the other hand, research and development of devices comprising a single optical switch, such as an external optical modulator, have been actively pursued. Such characteristic items of the optical switch device include:
There are operation stability to environment such as switching voltage (power), crosstalk, extinction ratio, loss, switching speed, temperature and humidity, and the like.

【0008】図2は、従来の方向性結合器を用いた導波
路型光デバイスとしての光スイッチを示す斜視図であ
る。光スイッチ11は、LiNbO3 結晶からなる基板
12を有しており、基板12上にはTi拡散により光導
波路13、14が形成されている。そして、光導波路1
3と14は、中央部分が近接しており、入光側と出光側
ではそれぞれ所定間隔(例えば600μm)だけ離間し
ている。
FIG. 2 is a perspective view showing an optical switch as a waveguide type optical device using a conventional directional coupler. The optical switch 11 has a substrate 12 made of LiNbO 3 crystal, and optical waveguides 13 and 14 are formed on the substrate 12 by Ti diffusion. And the optical waveguide 1
The central portions of 3 and 14 are close to each other, and are separated by a predetermined distance (for example, 600 μm) on the light incident side and the light emitting side.

【0009】そして、基板12上には、基板12表面全
体を覆うようにバッファ層15が配設されており、バッ
ファ層15は二酸化珪素(SiO2 )等により構成され
ている。基板12とバッファ層15との入光側端面には
光導波路13と14のポート16a,16bが位置し、
出光側端面には光導波路13と14のポート16c,1
6dが位置している。
On the substrate 12, a buffer layer 15 is provided so as to cover the entire surface of the substrate 12, and the buffer layer 15 is made of silicon dioxide (SiO 2 ) or the like. Ports 16a and 16b of optical waveguides 13 and 14 are located on the light incident side end surfaces of the substrate 12 and the buffer layer 15, respectively.
Ports 16c and 1 of the optical waveguides 13 and 14 are provided on the light exit side end face.
6d is located.

【0010】更に、バッファ層16上かつ光導波路13
と14が近接する部分には2枚の制御用電極17それぞ
れ光導波路13と14上に位置するように配置されてお
り、制御用電極17は金属膜により構成されている。そ
して、光導波路13と14の近接した中央部分と制御用
電極17により方向性結合器18が構成されている。な
お、光導波路13と14の近接した中央部分の長さは制
御用電極17に電圧が印加されていない時は、方向性結
合器18の部分で近接する光導波路に光パワーが移るよ
うな長さ(完全結合長)に設定されている。そして、偏
光無依存動作を行うために完全結合長がTE、TM両モ
ードで一致するようにしている。
Further, on the buffer layer 16 and on the optical waveguide 13
And 14 are arranged so as to be located on the optical waveguides 13 and 14, respectively, in a portion where the control electrodes 17 are close to each other, and the control electrodes 17 are made of a metal film. A directional coupler 18 is formed by the central portion of the optical waveguides 13 and 14 close to each other and the control electrode 17. The length of the central portion close to the optical waveguides 13 and 14 is such that when the voltage is not applied to the control electrode 17, the optical power is transferred to the adjacent optical waveguide at the directional coupler 18. (Complete coupling length). Then, in order to perform polarization-independent operation, the complete coupling length is made identical in both TE and TM modes.

【0011】次に、動作について説明する。Next, the operation will be described.

【0012】制御用電極17に電圧が印加されていない
場合、ポート16aから光導波路13へ入射する光は、
方向性結合器18の部分で近接する光導波路14に光パ
ワーが移り、光導波路14を通ってポート16dから出
射する。
When no voltage is applied to the control electrode 17, the light incident on the optical waveguide 13 from the port 16a is
The optical power is transferred to the adjacent optical waveguide 14 at the directional coupler 18, and exits from the port 16 d through the optical waveguide 14.

【0013】また、制御用電極17に所定電圧が印加さ
れた場合、光導波路13、14の屈折率が変化し、方向
性結合器18の部分で光導波路13、14間の光パワー
の移動が起こらない。ポート16aから光導波路13へ
入射する光は、光導波路13を通ってポート16cから
出射する。
When a predetermined voltage is applied to the control electrode 17, the refractive indexes of the optical waveguides 13 and 14 change, and the optical power between the optical waveguides 13 and 14 moves at the directional coupler 18. Does not happen. Light that enters the optical waveguide 13 from the port 16a passes through the optical waveguide 13 and exits from the port 16c.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】従来の導波路型光デバ
イスは、以上のように構成されており、光スイッチ11
は、偏光無依存動作を行うために上述した完全結合長が
TE、TM両モードで一致するようにしているが、T
E、TM両モードの完全結合長が一致するような条件で
方向性結合器を作成してもプロセスバッチ間のばらつき
等によりポート16cから出射される光パワーがTEモ
ードとTMモードとで異なり、入力光の変更状態により
出力が変動する、すなわちTE、TMモードとで完全結
合長に差が生じるという問題点があった。
A conventional waveguide type optical device is constructed as described above,
Makes the above-mentioned perfect coupling length coincide in both TE and TM modes in order to perform polarization-independent operation.
Even if a directional coupler is created under the condition that the complete coupling lengths of the E and TM modes match, the optical power emitted from the port 16c differs between the TE mode and the TM mode due to variations between process batches and the like. There is a problem that the output fluctuates depending on the change state of the input light, that is, a difference occurs in the complete coupling length between the TE mode and the TM mode.

【0015】本発明は、上記のような課題を解消するた
めになされたもので、TE、TMモードとで完全結合長
を一致するように調整できる導波路型光デバイスを得る
ことを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a waveguide type optical device which can be adjusted so that a perfect coupling length coincides with TE and TM modes. .

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】本発明の導波路型光デバ
イスは、基板表面に形成された複数本の光導波路と、光
導波路および基板表面を覆うバッファ層と、バッファ層
上の光導波路に臨む位置に配置された制御用電極と、バ
ッファ層の光導波路の出射側を切り欠いた切欠部と、切
欠部に光導波路と直接接触するように設けられた偏光成
分間の導波損失を補う長さの金属膜と、を備えることを
特徴とするものである。
A waveguide type optical device according to the present invention comprises a plurality of optical waveguides formed on a substrate surface, a buffer layer covering the optical waveguide and the substrate surface, and an optical waveguide on the buffer layer. Compensate for the waveguide loss between the control electrode disposed at the facing position, the cutout portion of the buffer layer where the emission side of the optical waveguide is cut, and the polarization component provided in the cutout portion so as to directly contact the optical waveguide. And a metal film having a length.

【0017】[0017]

【作用】以上のように構成したので、切欠部に光導波路
と直接接触するように設けられた金属膜によりTMモー
ド光のパワーを吸収し、金属膜と光導波路との接触長を
調整することにより信号光が出射ポートでTE、TMモ
ードの光パワーの大きさを等しくし、入力光の偏向状態
で光出力パワーを変動させない。
With the above construction, the power of the TM mode light is absorbed by the metal film provided in the notch so as to directly contact the optical waveguide, and the contact length between the metal film and the optical waveguide is adjusted. Thus, the optical power of the signal light at the output port is made equal in the TE and TM modes, and the optical output power does not fluctuate in the deflection state of the input light.

【0018】[0018]

【実施例】以下、この発明の一実施例を図を用いて説明
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0019】図1は、本発明に係わる導波路型光デバイ
スとしての光スイッチを示す斜視図である。光スイッチ
11は、LiNbO3 結晶からなる基板12を有してお
り、基板12上に光導波路パターンに形成されTiを熱
拡散することにより基板12よりも屈折率の高い光導波
路13、14が形成されている。そして、光導波路13
と14は、中央部分が近接しており、入光側と出光側で
はそれぞれ所定間隔(例えば600μm)だけ離間して
いる。
FIG. 1 is a perspective view showing an optical switch as a waveguide type optical device according to the present invention. The optical switch 11 has a substrate 12 made of a LiNbO 3 crystal, and optical waveguides 13 and 14 having a higher refractive index than the substrate 12 are formed by forming an optical waveguide pattern on the substrate 12 and thermally diffusing Ti. Have been. And the optical waveguide 13
And 14 are close to each other at the center, and are separated by a predetermined distance (for example, 600 μm) on the light incident side and the light exit side.

【0020】そして、基板12上には、基板12表面全
体を覆うようにバッファ層15が配設されており、バッ
ファ層15は二酸化珪素(SiO2 )等により構成され
ている。基板12とバッファ層15との入光側端面には
光導波路13と14のポート16a,16bが位置し、
出光側端面には光導波路13と14のポート16c,1
6dが位置している。
A buffer layer 15 is provided on the substrate 12 so as to cover the entire surface of the substrate 12, and the buffer layer 15 is made of silicon dioxide (SiO 2 ). Ports 16a and 16b of optical waveguides 13 and 14 are located on the light incident side end surfaces of the substrate 12 and the buffer layer 15, respectively.
Ports 16c and 1 of the optical waveguides 13 and 14 are provided on the light exit side end face.
6d is located.

【0021】更に、バッファ層16上かつ光導波路13
と14が近接する部分には2枚の制御用電極17がそれ
ぞれ光導波路13と14上に位置するように配置されて
おり、制御用電極17は金属膜により構成されている。
なお、バッファ層15は、制御用電極17によるTMモ
ードの吸収を防ぐ機能を有している。
Further, on the buffer layer 16 and the optical waveguide 13
The two control electrodes 17 are arranged so as to be located on the optical waveguides 13 and 14, respectively, in a portion where the control electrodes 17 and 14 are close to each other, and the control electrodes 17 are made of a metal film.
The buffer layer 15 has a function of preventing the control electrode 17 from absorbing the TM mode.

【0022】そして、光導波路13と14の近接した中
央部分と制御用電極17とにより方向性結合器18が構
成されている。なお、光導波路13と14の近接した中
央部分の長さは制御用電極17に電圧が印加されていな
い時は、方向性結合器18の部分で近接する光導波路に
光パワーが移るような長さ(完全結合長)に設定されて
いる。すなわち、ポート16dの出射光はTEモードに
比べTMモードのパワーが大きくなるように設定されて
いる。
A directional coupler 18 is constituted by the central part of the optical waveguides 13 and 14 close to each other and the control electrode 17. The length of the central portion close to the optical waveguides 13 and 14 is such that when the voltage is not applied to the control electrode 17, the optical power is transferred to the adjacent optical waveguide at the directional coupler 18. (Complete coupling length). That is, the output light of the port 16d is set to have a higher power in the TM mode than in the TE mode.

【0023】また、バッファ層16は光導波路14のポ
ート16dの近傍側が切り欠かれており、この切欠部1
9には、光導波路14と直接接触するように偏光成分間
の導波損失を補う長さの金属膜20が設けられている。
金属膜20はTMモード光のパワーを吸収し、ポート1
6dでの出射光のパワーがTE,TM両モードで等しく
なるようにTMモード光を吸収するようになっている。
The buffer layer 16 has a cutout near the port 16d of the optical waveguide 14, and the cutout 1
9 is provided with a metal film 20 having a length to compensate for the waveguide loss between the polarization components so as to directly contact the optical waveguide 14.
The metal film 20 absorbs the power of the TM mode light, and
The TM mode light is absorbed so that the power of the emitted light at 6d becomes equal in both the TE mode and the TM mode.

【0024】そして、金属膜20の長さを設定する場
合、TMモード光の金属膜20への吸収の割合は、金属
膜20の長さが長いほど大きくなる。金属膜20の長さ
は始めはポート16dでの出射光のパワーがTMモード
光のポート16dでの出射光のパワーをモニタしながら
TEモード光と等しくなるように金属膜20の長さを短
くしていく。同様の動作を繰り返し、ポート16dでの
出射光のパワーをTE,TM両モードで等しくし、これ
により偏光無依存動作を行うことが可能となる。
When the length of the metal film 20 is set, the ratio of absorption of TM mode light to the metal film 20 increases as the length of the metal film 20 increases. Initially, the length of the metal film 20 is shortened so that the power of the emitted light at the port 16d becomes equal to the TE mode light while monitoring the power of the emitted light at the port 16d of the TM mode light. I will do it. The same operation is repeated to make the power of the output light at the port 16d equal in both the TE mode and the TM mode, whereby the polarization independent operation can be performed.

【0025】次に、本実施例の作用について説明する。Next, the operation of this embodiment will be described.

【0026】制御用電極17に電圧が印加されていない
場合、ポート16aから光導波路13へ入射する光は、
方向性結合器18の部分で近接する光導波路14に光パ
ワーが移り、光導波路14を通ってポート16dから出
射する。
When no voltage is applied to the control electrode 17, the light incident on the optical waveguide 13 from the port 16a is
The optical power is transferred to the adjacent optical waveguide 14 at the directional coupler 18, and exits from the port 16 d through the optical waveguide 14.

【0027】この際、金属膜20はTMモード光のパワ
ーを吸収し、ポート16dでの出射光のパワーがTE,
TM両モードで等しくなる。
At this time, the metal film 20 absorbs the power of the TM mode light, and the power of the light emitted from the port 16d is TE,
It becomes equal in both TM modes.

【0028】また、制御用電極17に所定電圧が印加さ
れた場合、光導波路13、14の屈折率が変化し、方向
性結合器18の部分で光導波路13、14間の光パワー
の移動が起こらない。ポート16aから光導波路13へ
入射する光は、光導波路13を通ってポート16cから
出射する。
When a predetermined voltage is applied to the control electrode 17, the refractive index of the optical waveguides 13 and 14 changes, and the optical power between the optical waveguides 13 and 14 moves at the directional coupler 18. Does not happen. Light that enters the optical waveguide 13 from the port 16a passes through the optical waveguide 13 and exits from the port 16c.

【0029】なお、上述実施例においては、ポート16
dを信号光の出力として説明したが、これに限らず、ポ
ート16cを信号光の出力としてもよい。このようにし
た場合、光導波路13と直接接触するように金属膜20
を形成する。
In the above embodiment, the port 16
Although d has been described as the output of the signal light, the invention is not limited thereto, and the port 16c may be used as the output of the signal light. In this case, the metal film 20 is brought into direct contact with the optical waveguide 13.
To form

【0030】[0030]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、光導波路
と直接接触するように設けられた金属膜によりTMモー
ド光のパワーを吸収し、金属膜と光導波路との接触長を
調整することにより信号光が出射ポートでTE、TMモ
ードの光パワーの大きさを等しくするように構成したの
で、TE、TMモードとで完全結合長を一致させて、入
力光の偏向状態で光出力パワーを変動させないようにす
ることができる。
As described above, according to the present invention, the power of the TM mode light is absorbed by the metal film provided so as to be in direct contact with the optical waveguide, and the contact length between the metal film and the optical waveguide is adjusted. Is configured so that the magnitudes of the optical powers of the TE and TM modes are equal at the output port of the signal light, so that the perfect coupling length is matched between the TE and TM modes, and the optical output power is deflected in the input light deflection state. It can be made not to fluctuate.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係わる導波路型光デバイスとしての光
スイッチを示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing an optical switch as a waveguide type optical device according to the present invention.

【図2】従来の光スイッチを示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing a conventional optical switch.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

13、14 光導波路 15 バッファ層 17 制御用電極 19 切欠部 20 金属板 13, 14 Optical waveguide 15 Buffer layer 17 Control electrode 19 Notch 20 Metal plate

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 基板表面に形成された複数本の光導波路
と、光導波路および基板表面を覆うバッファ層と、バッ
ファ層上の光導波路に臨む位置に配置された制御用電極
とを備える導波路型光デバイスにおいて、前記バッファ
層の光導波路の出射側を切り欠いた切欠部と、切欠部に
光導波路と直接接触するように設けられた偏光成分間の
導波損失を補う長さの金属膜とを備えることを特徴とす
る導波路型光デバイス。
1. A waveguide comprising: a plurality of optical waveguides formed on a substrate surface; a buffer layer covering the optical waveguide and the substrate surface; and a control electrode disposed at a position facing the optical waveguide on the buffer layer. In the optical device, a metal film having a length that compensates for a waveguide loss between a cutout portion of the buffer layer cut out on the emission side of the optical waveguide and a polarization component provided so as to directly contact the optical waveguide in the cutout portion. A waveguide type optical device, comprising:
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