JP3192619B2 - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板及びその
製造方法に関し、さらに詳しくは、絶縁層を介して配置
された複数の配線層等の間をワイヤ等で接続した配線基
板及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、樹脂製配線基板においては、
コア基板としてガラス−エポキシ樹脂複合材料（以下、
ガラスエポキシともいう）等の複合材料を用い、銅等の
配線層と、樹脂あるいは複合材料からなる絶縁層とを交
互に積層した配線基板が知られている。

【０００３】例えば、図１８に示す配線基板２０は、ガ
ラスエポキシからなるコア基板１を有する。このコア基
板１には、その上下面１ａ，１ｂの間を貫通する貫通孔
２が形成されている。この貫通孔２のその内周及び上下
面周縁には、銅からなり上下面を接続するスルーホール
導体３が形成されており、コア基板１の上面１ａ側の配
線と下面１ｂ側の配線とを電気的に接続している。ま
た、このコア基板１の上面１ａ側および下面１ｂ側に
は、それぞれ、配線層と絶縁層が交互に形成されてい
る。本例では、配線層が５ａ，５ｂ，６ａ，６ｂの各２
層、絶縁層が７ａ，７ｂ，８ａ，８ｂの各２層ずつ形成
されている。さらに、絶縁層をそれぞれ貫通して各配線
層の間を接続するビア（ビア配線）９ａ，９ｂ，１０
ａ，１０ｂも形成されている。

【０００４】このような配線基板２０を形成するには、
まず、既に硬化させたガラスエポキシからなるコア基板
１にドリル等で穿孔して貫通孔２を形成し、その後、銅
メッキ及びエッチングによって所定パターンのスルーホ
ール導体３を形成する。さらに、樹脂ペーストを塗布
し、所定位置にビア用の貫通孔を開口させ、その後に硬
化させて絶縁層７ａ，８ａとする。ついで、ビア用貫通
孔内に銅メッキによりビア９ａ，１０ａを形成し、絶縁
層７ａ，８ａ，の表面を整面する。その後、絶縁層７
ａ，８ａの表面上にサブトラクディブ法等の周知の方法
によりメッキによって配線層５ａ，６ａを形成する。さ
らに、同様にして絶縁層７ｂ，８ｂ、ビア９ｂ，１０ｂ
および配線層５ｂ，６ｂを形成する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】このような配線基板２
０においては、上述したように、配線基板の強度を保持
するため、コア基板１には、ガラスクロス等にエポキシ
等の樹脂を含浸させたガラス−エポキシ樹脂複合材料等
の複合材料を用いることが多い。しかし、コア基板１に
貫通孔２を形成するときに、ガラス繊維と含浸されて既
に硬化した樹脂との間に微細なクラックが発生し、スル
ーホール導体３を形成するときのメッキや洗浄工程等に
おいて、クラック内に水分が侵入することがある。この
ため、マイグレーション等の発生による絶縁抵抗の低下
を引き起こすことがあり、甚だしい場合には、近接して
いるスルーホール導体３間で電気的にショートすること
もある。従って、ある程度の絶縁距離を稼ぐため、スル
ーホール導体３相互、従って、貫通孔２相互の間隔を比
較的大きくしておく必要があった。

【０００６】また、スルーホール導体３を形成するとき
には、貫通孔２内周に確実にメッキを施す必要がある
が、スルーホール導体３相互の間隔を狭くし、スルーホ
ール導体３の径（貫通孔２の径）を小さくしようとする
と、貫通孔２内にメッキを施すのが困難になり、歩留ま
りが低下する。さらに、スルーホール導体３を形成する
には、上記説明では省略したメッキレジストの形成や、
メッキによるスルーホール導体の形成や洗浄、エッチン
グ等の工程を経る必要があり、工程が面倒である。ま
た、メッキや洗浄、エッチング等のための装置や化学薬
品を処理するための装置を要し、費用も掛かる。

【０００７】同様に、配線層間を接続するビア（例えば
９ａ）についても、配線層を微細配線にするのに伴い、
ビアの径を小さくする必要があるが、ビアの径を小さく
すると、ビア用貫通孔内に確実にメッキを施すことが困
難になってくる。また、メッキのために多くの工程や装
置が必要なことは、ビアを形成する場合にも同様であ
る。

【０００８】また、メッキで形成したスルーホール導体
やビアは、予め成形された金属板やワイヤに比較して、
導電率が低いため若干抵抗が高くなる。また、強度も低
いため、銅等の金属製の配線層と、樹脂製あるいは複合
材料製のコア基板や絶縁層との熱膨張率の違いから、ビ
ア等に応力が掛かった場合に、スルーホール導体やビア
にクラックが生じて、破断することも考えられる。

【０００９】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものであって、その目的は、配線基板の強度を保ちつ
つ、上下方向の配線間の接続を行い、かつ絶縁抵抗の低
下を引き起こさない、信頼性の高い配線基板及びその製
造方法を提供することにある。また、他の目的は、面倒
なメッキ工程を用いることなく配線層間を接続するビア
を形成した配線基板及びその製造方法を提供することに
ある。

【００１０】

【課題を解決するための手段および効果】まず、請求項
１に記載の解決手段は、上面及び下面を有し、複数の貫
通孔を備えるコア基板と、該貫通孔内に充填されてなる
孔内絶縁層と、上記コア基板の上面に形成された第１絶
縁層と、上記コア基板の下面に形成された第２絶縁層
と、上記第１絶縁層の上面に形成された複数の第１配線
層と、上記第２絶縁層の下面に形成された複数の第２配
線層と、上記第１絶縁層と孔内絶縁層と第２絶縁層とを
貫通し、上記複数の第１配線層のうちのいずれかと上記
複数の第２配線層のうちのいずれかとを接続する金属柱
であって、予め成形され、上記第１絶縁層、第２絶縁層
および孔内絶縁層内に埋め込まれてなる層間用金属柱
と、を有することを特徴とする配線基板である。

【００１１】本発明によれば、貫通孔の内周面にスルー
ホール導体を形成せず、貫通孔内を通る層間用金属柱と
貫通孔との間には、孔内絶縁層が介在している。この孔
内絶縁層は、層間用金属柱とコア基板との間や隣接する
層間用金属柱同士の絶縁を保つ。さらに、孔内絶縁層を
貫通する層間用金属柱は、予め成形されたものを用いて
おり、メッキ工程を経ない。このため、従来の配線基板
にように、コア基板に生じたクラックに水分が侵入して
絶縁抵抗が低下することがないので、信頼性の高い配線
基板とすることができる。また、第１、第２絶縁層や孔
内絶縁層が、その中に層間用金属柱を埋め込んで絶縁を
保っているので、金属柱同士（従ってコア基板の貫通孔
同士）の間隔を小さくして、高密度配線の配線基板とす
ることが出来る。

【００１２】しかも、第１絶縁層と第２絶縁層とでコア
基板を挟んだ構造となっているので、コア基板の材質や
厚さの選択により、配線基板全体の曲げ強度等の強度や
剛性も調節することが出来る。さらに、層間用金属柱
は、予め成形されたものであるので、メッキで形成され
たスルーホール導体等に比して、緻密で導電率が高い。
また、引張り応力や繰り返し屈曲応力などに対する耐久
性が高いため、応力によるクラックで破断することがな
い。

【００１３】ここで、コア基板は、孔内絶縁層によって
層間用金属柱と絶縁されているので、熱膨張率や熱伝導
率、曲げ強度、曲げ剛性等を勘案して選択すればよく、
その材質としては、絶縁性（非導電性）のものだけでな
く、導電性のものでも良い。従って、アルミナ、ムライ
ト、窒化アルミニウム等のセラミックやガラス、エポキ
シ樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂等の樹脂、あるい
は、これらの樹脂とガラス繊維やポリエステル繊維等の
ポリマー繊維、金属繊維、カーボン繊維との複合材料
（例えば、ガラスエポキシ）、これらの樹脂とセラミッ
ク粉末との複合材料などが挙げられる。さらに、銅、銅
合金、アルミニウム、アルミニウム合金等の金属でもよ
い。さらに、片面あるいは両面のみが金属からなるもの
も挙げられる。例えば、ガラスエポキシ等からなる絶縁
板の片面あるいは両面に、銅板等の金属板を貼り付け
た、片面あるいは両面銅張り絶縁板のような、金属板と
絶縁板との層状複合材でもよい。

【００１４】さらに、孔内絶縁層の材質としては、耐熱
性や吸湿性等を考慮して選択すればよいが、エポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂等の樹脂が挙げられる。
なお、樹脂の中には、シリカ等の無機物やプラスチック
粉末の充填剤等を含んでいても良い。また、樹脂とセラ
ミック粉末の複合材料を用いても良い。また、第１、第
２絶縁層の材質についても、耐熱性や吸湿性等を考慮し
て選択すればよいが、具体的には、エポキシ樹脂、ポリ
イミド樹脂、ＢＴ樹脂等の樹脂や、ガラスーエポキシ樹
脂複合材料、ガラス−ＢＴ樹脂複合材料、ポリエステル
繊維−エポキシ樹脂複合材料等の樹脂とガラス繊維やポ
リマー繊維との複合材料、樹脂とセラミック粉末の複合
材料などが挙げられる。

【００１５】また、層間用金属柱の材質は、導電性が高
く、適度な剛性を有しているものがよく、例えば、銅、
金、銀、アルミニウム等が挙げられる。また具体的に
は、ワイヤボンディングに用いるワイヤ（ボンディング
ワイヤ）を用いると、入手が容易で好ましい。また、第
１及び第２配線層の材質も、導電性等を考慮して選択す
ればよいが、銅、銀、金、ニッケル等が挙げられる。な
お、本明細書において、上面、下面の表現を用いている
が、各面を区別するために便宜的に用いたものであっ
て、例えば、本発明の配線基板の使用等における上下方
向を定めたものではない。また、ある層の上面あるいは
下面に別の層などを形成する場合に、上面上、下面上等
の表現をすることがあるが、例えば、下面上とは、ある
層の下面の図中下側を指す。

【００１６】ついで、請求項２に記載の解決手段は、請
求項１に記載の配線基板であって、前記コア基板は、少
なくとも上面及び下面のいずれかが金属からなる金属表
面コア基板であることを特徴とする配線基板である。

【００１７】本発明によれば、コア基板の少なくとも上
面及び下面のいずれかが金属からなるので、金属表面コ
ア基板の上下に形成する第１，第２配線層の間でのシー
ルド効果が得られ、信号配線等に雑音が入り込むのを防
ぐことができる。また、コア基板の少なくとも上面及び
下面のいずれかが金属からなるので、配線基板全体の熱
伝導性が良くなり、例えば、集積回路チップ等からの発
熱を、素早く配線基板全体に逃がすことができるなど、
放熱性を向上させることができる。

【００１８】ここで、金属表面コア基板の上面及び下面
を構成する金属としては、導電性が高く、適度な剛性を
有し、加工が容易なものがよく、具体的には、銅、黄
銅、青銅、銀、アルミニウム、アルミニウム合金等が挙
げられる。かかる金属表面コア基板としては、コア基板
全体が、金属製のものが挙げられる他、片面あるいは両
面のみが金属からなるものも挙げられる。例えば、エポ
キシ等の樹脂板や、ガラスエポキシ等の複合材料、セラ
ミック等からなる絶縁板の片面あるいは両面に、銅板等
の金属板を貼り付けた、片面あるいは両面銅張り絶縁板
のような、金属板と絶縁板との層状複合材でもよい。

【００１９】さらに、請求項３に記載の解決手段は、請
求項２に記載の配線基板であって、前記第１絶縁層を貫
通し、前記複数の第１配線層のうちのいずれかと前記金
属表面コア基板の金属からなる上面とを接続する金属柱
であって、予め成形され、上記第１絶縁層内に埋め込ま
れてなる第１コア用金属柱、および、前記第２絶縁層を
貫通し、前記複数の第２配線層のうちのいずれかと前記
金属表面コア基板の金属からなる下面とを接続する金属
柱であって、予め成形され、上記第２絶縁層内に埋め込
まれてなる第２コア用金属柱、の少なくともいずれかを
有することを特徴とする配線基板である。

【００２０】即ち、本発明においては、銅板のようにコ
ア基板全体が金属からなり、その上面及び下面の少なく
ともいずれかにコア用金属柱が設けられたもの、両面銅
張り絶縁板のように両面（上面及び下面）が金属からな
り、その上下面の少なくともいずれかにコア用金属柱が
形成されたもの、および、片面銅張り絶縁板のようにコ
ア基板の上面および下面のいずれかが金属からなり、そ
の金属からなる面にコア用金属柱が形成されたものが含
まれる。

【００２１】本発明によれば、金属表面コア基板の金属
からなる上面又は下面が、第１または第２コア用金属柱
を介して、第１または第２配線層と接続している。この
ため、コア基板の上面又は下面も、第１、第２配線層と
同じく、電源電位層やグランド電位層、あるいは信号配
線として利用することができる。特に、金属表面コア基
板の上面や下面を電源電位あるいはグランド電位にして
用いる場合、即ち、コア基板の上面や下面をパワープレ
ーンあるいはグランドプレーンとして用いる場合には、
配線層をパワープレーン等として用いる場合に比較し
て、面積が大きく取れるため、必要な位置から容易に電
源やグランドの電位を取り出すことができる。また、容
易に電源やグランド配線と接続することが出きる。その
上、金属表面コア基板の金属の厚さは、配線層に比較し
て厚くできるので、プレーン内で生じる抵抗やインダク
タンスを小さくでき、配線基板の電気的特性を向上させ
ることができる。

【００２２】特に、金属表面コア基板として、ガラスエ
ポキシ等の絶縁板の上下面を金属の薄板で挟んだ構造の
ものを使用した場合には、金属表面コア基板の上面と下
面とで、例えば上面はグランド、下面は電源というよう
に、別の電位になるようにすることができる。この場合
には、金属表面コア基板は、コンデンサとしての役割を
も果たすことが出来る。

【００２３】ここで、第１コア用金属柱および第２コア
用金属柱の材質は、層間用金属柱と同様な材質が好まし
い。即ち、導電性が高く、適度な剛性を有しているもの
がよく、例えば、銅、銅合金、金、銀、アルミニウム、
アルミニウム合金等が挙げられる。また具体的には、ワ
イヤボンディングに用いるワイヤ（ボンディングワイ
ヤ）を用いると、入手が容易で好ましい。

【００２４】ついで、請求項４に記載の解決手段は、上
面及び下面を有し、複数の貫通孔を備えるコア基板と、
底板と該底板の上面のうち上記コア基板の貫通孔に対応
した位置に立設された層間用金属柱とを備える金属柱立
設体とを、上記コア基板の下面と上記底板の上面とを向
き合わせて上記貫通孔内を上記層間用金属柱が貫通する
ようにして組み合わせ、かつ、少なくとも上記コア基板
の下面と上記底板の上面との間およびコア基板の上面上
に未硬化絶縁物を配置する工程と、加熱して上記未硬化
絶縁物を硬化させ、コア基板の下面側の第２絶縁層およ
び上面側の第１絶縁層を形成する工程と、上記底板を除
去し、上記第１絶縁層の上面および第２絶縁層の下面
を、それぞれ整面し、上記層間用金属柱の上端部及び下
端部をそれぞれ露出させる工程と、上記第１絶縁層の上
面上および第２絶縁層の下面上に、上記露出させた層間
用金属柱とそれぞれ接続する第１配線層および第２配線
層を形成する工程と、を有する配線基板の製造方法であ
る。

【００２５】本発明によれば、コア基板の貫通孔内を層
間用金属柱が貫通するように組み合わせ、その後、未硬
化絶縁物を硬化させるので、層間用金属柱のまわりを取
り囲むようにして孔内絶縁層や第１、第２絶縁層が形成
される。このため、層間用金属柱に接する孔内絶縁層や
第１、第２絶縁層にクラックを生じることもなく、メッ
キ液等を用いることもないので、信頼性の高い配線基板
とすることができる。また、従来のスルーホール導体の
ように、メッキによらず上下を導通する層間用金属柱を
形成することが出来るので、工程が簡単になる。また、
予め成形された層間用金属柱を第１、第２及び孔内絶縁
層内に埋め込むので、メッキで形成されたスルーホール
導体と異なり、導電性が高くなる。また、応力に対する
耐久性も高くなるので、応力による破断を生じなくな
る。

【００２６】ここで、未硬化絶縁物は、未硬化樹脂を含
んでいるものであり、未硬化樹脂のみであってもよい
が、一部にガラス繊維やポリエステル等のポリマー繊維
を含んだものでも良い。ここで、未硬化樹脂としては、
エポキシ、ポリイミド、ＢＴその他の熱硬化性樹脂の未
硬化状態のものが挙げられる。なお、未硬化樹脂中に
は、シリカ等の無機物やプラスチック粉末等の充填剤を
含んでいても良い。具体的に言えば、エポキシ樹脂ペー
スト等の樹脂ペーストの他、エポキシ樹脂等の樹脂ペー
ストを半硬化状態としたプリプレグや、ガラス不織布等
の繊維にエポキシ樹脂等の樹脂ペースト含浸させ半硬化
状態としたプリプレグ等が挙げられる。

【００２７】また、底板の材質は、層間用金属柱の材質
や金属柱立設体の形成方法等を考慮して選択するが、
銅、黄銅、アルミニウム等の金属板、あるいはガラスエ
ポキシ等の樹脂基板表面に、銅層などを貼付けあるいは
メッキして形成したものなどが挙げられる。また、整面
の手法としては、研削砥石による平面研削やバフ研磨等
が挙げられる。

【００２８】さらに、金属柱立設体としては、底板の表
面の所定位置にワイヤボンディング法によりワイヤを立
設して金属体としたものが挙げられる。即ち、請求項４
に記載の配線基板の製造方法において、前記金属柱立設
体は、ワイヤボンディング法により、ワイヤの一端を前
記底板の表面の所定位置に固着し、かつ該ワイヤを立設
して金属体としてなる金属柱立設体であることを特徴と
すると良い。このようにすると、所望の位置に所望の高
さの金属柱を容易に形成できる。このため、少数ロット
の製品の製作や、設計の変更や試作品の製作に容易に対
応することも出来る。なお、このようにした場合には、
底板は、金属板であっても、ガラスエポキシ等の樹脂基
板表面に、銅層などを貼付けあるいはメッキして形成し
たものでもよい。

【００２９】さらに、金属柱立設体としては、金属板を
一方の面からエッチング加工し、金属柱と他方の面近傍
の部分を残すようにして形成したものも挙げられる。即
ち、請求項４に記載の配線基板の製造方法において、前
記金属柱立設体は、立設体用金属板を一方の面からエッ
チング加工し、金属柱と他方の面近傍の部分を残して成
形してなる金属柱立設体であることを特徴とすると良
い。

【００３０】このようにすると、多くの金属柱が立設さ
れた金属柱立設体が一挙に形成できる。このため、多数
の金属柱を必要とするものにおいて、安価に製造出来
る。また、金属柱と底板とが一体となっているので、金
属柱の脱落を生じることがない。さらに、金属柱立設体
の形成手法としては、底板に金属ワイヤあるいは金属柱
をロウ材を介して溶接する方法も挙げられる。

【００３１】また、未硬化絶縁物の配置方法としては、
樹脂ペーストを用いる場合には、スプレー法、静電スプ
レー法、カーテンコート法、ダイコート法、スピンコー
ト法等により、樹脂ペーストを金属柱立設体の底板上面
やコア基板の上下面等に塗布する方法が挙げられる。即
ち、請求項４に記載の配線基板の製造方法において、前
記未硬化絶縁物を配置する工程は、樹脂ペーストを前記
底板の上面及び前記コア基板の下面の少なくともいずれ
かに塗布し、金属柱立設体とコア基板とを重ね、さら
に、コア基板の上面に樹脂ペーストを塗布する工程であ
ることを特徴とすると良い。このようにすると、金属柱
や貫通孔の配置に拘わらず、確実に未硬化絶縁物を配置
でき、金属柱に対応させた位置に予め貫通孔を形成した
プリプレグを用意しておく等の作業が不要となる。

【００３２】また、未硬化絶縁物の配置方法として、予
め層間用金属柱に対応する位置に貫通孔（金属柱用貫通
孔）を空けたプリプレグを用意し、この貫通孔に層間用
金属柱が貫通するようにして、プリプレグを底板の上面
に重ね、あるいはプリプレグをコア基板の上面に重ねる
方法が挙げられる。即ち、請求項４に記載の配線基板の
製造方法において、前記未硬化絶縁物を配置する工程
は、前記金属柱立設体と、予め前記層間用金属柱に対応
する位置に金属柱用貫通孔を空けた第２プリプレグと、
前記コア基板と、予め前記層間用金属柱に対応する位置
に金属柱用貫通孔を空けた第１プリプレグと、を重ねる
工程であることを特徴とすると良い。

【００３３】このようにすれば、金属柱立設体やコア基
板とプリプレグとを重ねて、プリプレグを硬化させるだ
けで、容易に第１及び第２絶縁層を形成できる。なお、
プリプレグを硬化させるには、単に加熱するだけでも良
いが、真空熱プレスによって、プレスしつつ加熱するの
が望ましい。コア基板の貫通孔や金属柱用貫通孔にも確
実に樹脂が流動して、これらの貫通孔を確実に埋めるこ
とが出来るからである。

【００３４】なお、加熱によりプリプレグの樹脂が流動
してコア基板の貫通孔内に充填されるので、孔内絶縁層
も形成される。即ち、使用するプリプレグが樹脂を半硬
化させたものである場合には、孔内絶縁層も第１及び第
２絶縁層も樹脂製の絶縁層となる。一方、プリプレグ
に、繊維（ガラス不織布等）に樹脂ペーストを含浸させ
て半硬化状態としたものを用いた場合には、樹脂のみが
流動してコア基板の貫通穴内に充填されるので、孔内絶
縁層は樹脂製となり、第１及び第２絶縁層は樹脂とガラ
ス繊維等の繊維との複合材製となる。この場合、第１及
び第２絶縁層がガラス繊維等で強化されるので、配線基
板全体の強度を向上させることもできる。

【００３５】その他、第１、第２プリプレグをコア基板
や金属柱立設体と重ねる前に、予め、あるいは重ねる途
中で、コア基板の貫通穴内に、樹脂ペーストを充填する
ようにしても良い。このようにすれば、さらに確実に貫
通孔内に樹脂が充填されて、孔内絶縁層を確実に形成す
ることができる。

【００３６】なお、場合によっては、これらを組み合わ
せる方法でも良い。即ち、金属立設体の底板とコア基板
との間には、プリプレグを挟み、コア基板の上面には、
樹脂ペーストを塗布しても良い。また、この逆に、底板
の上面に樹脂ペーストを塗布しコア基板を重ね、コア基
板の上面にはプリプレグを重ねてもよい。

【００３７】さらに、請求項５に記載の解決手段は、請
求項４に記載の配線基板の製造方法であって、前記コア
基板は、少なくとも前記上面及び下面のいすれかが金属
からなり、金属からなる上面に形成された第１コア用金
属柱および金属からなる下面に形成された第２コア用金
属柱の少なくともいずれかを有する金属表面コア基板で
あり、前記層間用金属柱の上下端部を露出させる工程に
おいて、上記金属表面コア基板に形成された上記第１コ
ア用金属柱および第２コア用金属柱の頂部をも露出さ
せ、前記第１、第２配線層を形成する工程において、上
記露出させた第１、第２コア用金属柱と接続する第１、
第２配線層をも形成する、ことを特徴とする配線基板の
製造方法である。

【００３８】本発明によれば、コア基板は、少なくとも
上面及び下面のいずれかが金属からなり、この金属表面
コア基板には、第１コア用金属柱および第２コア用金属
柱の少なくともいずれかが形成されている。しかも、層
間用金属柱の上下端部を露出させる工程において、金属
表面コア基板に形成された第１コア用金属柱および第２
コア用金属柱の頂部をも露出させる。さらに、第１、第
２配線層を形成する工程において、この露出させた第
１、第２コア用金属柱と接続する第１、第２配線層をも
形成する。

【００３９】即ち、金属表面コア基板上面に第１コア用
金属柱が形成されている場合には、層間用金属柱の上下
端部を露出させる工程において、この第１コア用金属柱
の頂部を露出させ、さらに、第１、第２配線層を形成す
る工程において、これと接続する第１配線層を形成す
る。同様に、金属表面コア基板下面に第２コア用金属柱
が形成されている場合には、この第２コア用金属柱の頂
部を露出させ、さらに、これと接続する第２配線層を形
成する。さらに、金属表面コア基板上面に第１コア用金
属柱が、下面に第２コア用金属柱が形成されている場合
には、これら第１、第２コア用金属柱の頂部をそれぞれ
露出させ、さらに、これとそれぞれ接続する第１、第２
配線層を形成する。

【００４０】従って、金属表面コア基板の少なくとも上
面及び下面のいずれかは、第１、第２コア用金属柱によ
って、第１、第２配線層と接続するので、金属表面コア
基板の上面や下面が、グランド電位層や電源電位層、あ
るいは信号配線として利用できるようなる。しかも、第
１、第２コア用金属柱は、予め金属表面コア基板の上面
や下面に形成されているものを用い、これらのコア用金
属柱も第１、第２絶縁層内に埋め込むので、メッキ工程
を経ないで形成でき、工程が簡単になる。

【００４１】なお、第１、第２コア用金属柱の形成方法
としては、金属表面コア基板の上面及び下面の所定位置
に、ワイヤボンディング法によりワイヤを立設したもの
が挙げられる。即ち、請求項５に記載の配線基板の製造
方法において、前記第１コア用金属柱および第２コア用
金属柱は、ワイヤボンディング法により、ワイヤの一端
を前記金属表面コア基板の上面及び下面の所定位置に固
着し、かつ該ワイヤを立設して形成したことを特徴とす
ると良い。このようにすると、所望の位置に所望の高さ
の第１，第２金属柱を容易に形成できる。このため、少
数ロットの製品の製作や、設計の変更や試作品の製作に
容易に対応することも出来る。

【００４２】さらに、第１、第２コア用金属柱の形成方
法としては、金属板を一方あるいは両方の面からエッチ
ング加工し、第１、第２コア用金属柱の少なくともいず
れかと金属からなる金属表面コア基板の部分を残すよう
にして形成したものも挙げられる。即ち、請求項５に記
載の配線基板の製造方法において、前記第１コア用金属
柱および第２コア用金属柱の少なくともいずれかを有す
る金属表面コア基板は、コア用金属板を一方または両方
の面からエッチング加工し、第１コア用金属柱及び第２
コア用金属柱の少なくともいずれかと金属からなる金属
表面コア基板の部分を残して成形してなる金属柱立設体
であることを特徴とすると良い。

【００４３】このようにすると、多くの第１，第２金属
柱が立設された金属表面コア基板が一挙に形成できる。
このため、多数の第１、第２コア用金属柱を必要とする
ものにおいて、安価に製造出来る。また、第１、第２コ
ア用金属柱と金属表面コア基板とが一体となっているの
で、第１，第２コア用金属柱の脱落を生じることがな
い。さらに、第１，第２コア用金属柱を有する金属表面
コア基板の形成手法としては、金属表面コア基板の金属
表面に金属ワイヤあるいは第１，第２コア用金属柱をロ
ウ材を介して溶接する方法も挙げられる。また、金属表
面コア基板の上面等に、メッキによって第１、第２コア
用金属柱を形成しても良い。

【００４４】さらに、下部配線層と、上部配線層と、上
記下部配線層と上部配線層との間に介在し、上面が平坦
に整面された層間絶縁層と、上記下部配線層と上部配線
層とを接続するビアであって、予め成形されたワイヤか
らなり、上記層間絶縁層内に埋め込まれてなり、頂部が
上記層間絶縁層の上面から露出するビアと、を有する配
線基板とすることもできる。

【００４５】このようにすると、ビアが予め成形された
ワイヤで出来ているので、ビアをメッキ等で形成する場
合に比較して、ビアの導電性を高くできる。また、強度
が高いため、上部配線層や下部配線層と層間絶縁層との
熱膨張率の違いなどによって生じる応力がビアに掛かっ
ても、ビアにクラックが入ることがない。また、導電性
や強度を考慮してビアの径を変えるのに、ワイヤの径を
変えれば足りる。

【００４６】ここで、ビアを構成するワイヤの材質とし
ては、銅、銅合金銀、金、アルミニウム、アルミニウム
合金等が挙げられ、下部及び上部配線層の材質を考慮し
て選択するとよい。また、下部配線層、上部配線層の材
質には、銅、銀、金、ニッケル等が挙げられる。さら
に、層間絶縁層の材質としては、エポキシ、ポリイミ
ド、ＢＴ等の樹脂や、これらの樹脂とガラス繊維やポリ
マー繊維等との複合材料等を用いることができる。

【００４７】さらに、下部絶縁層上に形成された下部配
線層の上面の所定位置に、ワイヤボンディング法によ
り、ワイヤの一端を固着し、かつ該ワイヤを所定高さに
立設したビアを形成する工程と、上記ビアを立設したま
ま、上記下部絶縁層の上面および下部配線層の上面に未
硬化絶縁物を配置する工程と、加熱して上記未硬化絶縁
物を硬化させて、層間絶縁層とする工程と、該層間絶縁
層の上面を整面し、上記ビアの頂部を露出させる工程
と、上記層間絶縁層の上面に、上記露出したビアと接続
する上部配線層を形成する工程と、を有する配線基板の
製造方法とすることもできる。

【００４８】このようにすると、ワイヤボンディング法
により予め成形されたワイヤを用いたビアを形成するこ
とが出来る。ワイヤは予め成形されているので、従来の
ようにメッキ等で形成する工程が不要であり、様々な薬
品を使用するメッキ液やメッキ装置、洗浄装置等が不要
となるので、安価に形成できる。また、予め成形された
ワイヤを用いるので、ビアの導電性が高く、かつ強度が
高い。

【００４９】ここで、下部配線層の上面の所定部位に、
ワイヤボンディング法によりワイヤを立設する方法とし
ては、公知の技法によればよく、例えば、熱圧着や超音
波圧着によってワイヤの一端を下部配線層に固着する。

【００５０】また、未硬化絶縁物を配置する方法として
は、樹脂ペーストを用いる場合には、スプレー法、カレ
ンダー法、スピンコート法等により、下部絶縁層および
下部配線層上に樹脂ペーストを塗布する方法が挙げられ
る。即ち、上記配線基板の製造方法において、前記未硬
化絶縁物を配置する工程は、樹脂ペーストを前記下部絶
縁層及び下部配線層の上面に塗布する工程であることを
特徴とすると良い。このようにすると、立設したビアの
配置に拘わらず、確実に未硬化絶縁物を配置でき、予め
プリプレグに貫通孔を形成しておく等の作業が不要とな
る。

【００５１】また、未硬化絶縁物の配置方法として、予
め立設したビアに対応する位置に貫通孔（ビア用貫通
孔）を空けたプリプレグを用意し、この貫通孔をビアが
貫通するようにして、プリプレグを下部絶縁層および下
部配線層の上面に重ねる方法が挙げられる。即ち、上記
配線基板の製造方法において、前記未硬化絶縁物を配置
する工程は、予め前記立設したビアに対応する位置にビ
ア用貫通孔を空けたプリプレグを前記下部絶縁層および
下部配線層の上面に重ねることを特徴とすると良い。

【００５２】即ち、下部絶縁層上に形成された下部配線
層の上面の所定位置に、ワイヤボンディング法により、
ワイヤの一端を固着し、かつ該ワイヤを所定高さに立設
したビアを形成する工程と、上記ビアを立設したまま、
予め上記立設したビアに対応する位置にビア用貫通孔を
空けたプリプレグを上記下部絶縁層の上面および下部配
線層の上面に重ねる工程と、加熱して上記プリプレグを
硬化させて、層間絶縁層とする工程と、該層間絶縁層の
上面を整面し、上記ビアの頂部を露出させる工程と、上
記層間絶縁層の上面に、上記露出したビアと接続する上
部配線層を形成する工程と、を有する配線基板の製造方
法とすると良い。

【００５３】このようにすれば、上記作用及び効果に加
え、下部絶縁層および下部配線層とプリプレグとを重ね
て、プリプレグを硬化させるだけで、容易に層間絶縁層
を形成できる。なお、プリプレグには、前述したよう
に、樹脂ペーストを半硬化状態としたものや、ガラス不
織布等の繊維に樹脂ペーストを含浸させて半硬化状態と
したものなどがあるまた、プリプレグを硬化させるに
は、単に加熱するだけでも良いが、真空熱プレスによっ
て、プレスしつつ加熱するのが望ましい。ビア用貫通孔
にも樹脂が流動して、これらの貫通孔を確実に埋めるこ
とが出来るからである。

【００５４】さらに、上面を有し、ビアを立設するため
のビア立設用パッドをこの上面に有し、上面が平坦に整
面されたベース基板と、上部配線層と、上記ビア立設用
パッドと上部配線層との間に介在するパッド配線間絶縁
層と、上記ビア立設用パッドと上部配線層とを接続する
ビアであって、予め成形されたワイヤからなり、上記パ
ッド配線間絶縁層内に埋め込まれてなり、頂部が上記層
間絶縁層の上面から露出するビアと、を有する配線基板
とすることもできる。

【００５５】このようにすると、ビアが予め成形された
ワイヤで出来ているので、ビアをメッキ等で形成する場
合に比較して、ビアの導電性を高くできる。また、強度
が高いため、上部配線層とベース基板やパッド配線間絶
縁層との熱膨張率の違いなどによって生じる応力がビア
に掛かっても、ビアにクラックが入ることがない。ま
た、導電性や強度を考慮してビアの径を変えるのに、ワ
イヤの径を変えれば足りる。

【００５６】ここで、ビアを構成するワイヤの材質とし
ては、銅、銅合金、銀、金、アルミニウム、アルミニウ
ム合金等が挙げられ、ビア立設用パッド及び上部配線層
の材質を考慮して選択するとよい。上部配線層の材質に
は、銅、銀、金、ニッケル等が挙げられる。また、ビア
立設用パッドの材質も、銅、銀、金、ニッケル等が挙げ
られるが、さらに、タングステンやモリブデン等を基材
とし、表面に銅、銀、金、ニッケル等からなる層を形成
しても良い。さらに、パッド配線間絶縁層の材質として
は、エポキシ、ポリイミド、ＢＴ等の樹脂や、これらの
樹脂とガラス繊維やポリマー繊維等との複合材料等を用
いることができる。

【００５７】また、ベース基板の材質としては、その上
面にビア立設用パッドを形成でき、パッド配線間絶縁層
等を形成する際の加熱等に耐えられる耐熱性を有するも
のの中から適宜選択すればよい。具体的には、アルミ
ナ、窒化アルミニウム等のセラミックからなる基板や、
ガラスエポキシ等の複合材料からなる基板等が挙げられ
る。特に、セラミック製のベース基板を用いると、配線
基板全体の剛性が向上するので、好ましい。なお、この
ベース基板内にも、配線が形成されたものを用いると、
さらに、高密度配線を実現することが出来る。

【００５８】さらに、ベース基板の上面に形成されたビ
ア立設用パッドに、ワイヤボンディング法により、ワイ
ヤの一端を固着し、かつ該ワイヤを所定高さに立設した
ビアを形成する工程と、上記ビアを立設したまま、上記
ベース基板の上面に未硬化絶縁物を配置する工程と、加
熱して上記未硬化絶縁物を硬化させ、パッド配線間絶縁
層とする工程と、該パッド配線間絶縁層の上面を整面
し、上記ビアの頂部を露出させる工程と、上記パッド配
線間絶縁層の上面に、上記露出したビアと接続する上部
配線層を形成する工程と、を有する配線基板の製造方法
とすることもできる。

【００５９】このようにすると、ワイヤボンディング法
により予め成形されたワイヤを用いたビアを形成するこ
とが出来る。ワイヤは予め成形されているので、従来の
ようにメッキ等で形成する工程が不要であり、様々な薬
品を使用するメッキ液やメッキ装置、洗浄装置等が不要
となるので、安価に形成できる。また、予め成形された
ワイヤを用いるので、ビアの導電性が高く、かつ強度が
高い。

【００６０】ここで、ビア立設用パッドに、ワイヤボン
ディング法によりワイヤを立設する方法としては、既に
公知の技法によって形成すればよく、例えば、熱圧着や
超音波圧着によってワイヤの一端をビア立設用パッドに
固着する。

【００６１】また、未硬化絶縁物を配置する方法として
は、樹脂ペーストを用いる場合には、スプレー法、カレ
ンダー法、スピンコート法等により、ベース基板上に樹
脂ペーストを塗布する方法が挙げられる。即ち、上記配
線基板の製造方法において、前記未硬化絶縁物を配置す
る工程は、樹脂ペーストを前記ベース基板の上面に塗布
する工程であることを特徴とすると良い。このようにす
ると、立設したワイヤの配置に拘わらず、確実に未硬化
絶縁物を配置でき、予めプリプレグに貫通孔を形成して
おく等の作業が不要となる。

【００６２】また、未硬化絶縁物の配置方法として、予
め立設したビアに対応する位置に貫通孔（ビア用貫通
孔）を空けたプリプレグを用意し、この貫通孔をビアが
貫通するようにして、プリプレグをベース基板の上面に
重ねる方法が挙げられる。即ち、上記配線基板の製造方
法において、前記未硬化絶縁物を配置する工程は、予め
前記立設したビアに対応する位置にビア用貫通孔を空け
たプリプレグを前記ベース基板の上面に重ねることを特
徴とすると良い。

【００６３】即ち、ベース基板の上面に形成されたビア
立設用パッドに、ワイヤボンディング法により、ワイヤ
の一端を固着し、かつ該ワイヤを所定高さに立設したビ
アを形成する工程と、上記ビアを立設したまま、予め上
記立設したビアに対応する位置にビア用貫通孔を空けた
プリプレグを上記ベース基板の上面に重ねる未硬化絶縁
物を配置する工程と、加熱して上記プリプレグ未硬化絶
縁物を硬化させ、パッド配線間絶縁層とする工程と、該
パッド配線間絶縁層の上面を整面し、上記ビアの頂部を
露出させる工程と、上記パッド配線間絶縁層の上面に、
上記露出したビアと接続する上部配線層を形成する工程
と、を有する配線基板の製造方法とすると良い。

【００６４】このようにすれば、上記作用及び効果に加
え、ベース基板とプリプレグとを重ねて、プリプレグを
硬化させるだけで、容易にパッド配線間絶縁層を形成で
きる。なお、プリプレグには、前述したように、樹脂ペ
ーストを半硬化状態としたものや、ガラス不織布等の繊
維に樹脂ペーストを含浸させて半硬化状態としたものな
どがある。また、プリプレグを硬化させるには、単に加
熱するだけでも良いが、真空熱プレスによって、プレス
しつつ加熱するのが望ましい。ビア用貫通孔にも樹脂が
流動して、これらの貫通孔を確実に埋めることが出来る
からである。

【００６５】

【発明の実施の形態】（実施形態１） 本発明の第１の実施の形態を、図面と共に説明する。図
１は、本実施形態に掛かる配線基板１００の構造を説明
するための部分拡大断面図である。この配線基板１００
は、コア基板である金属板１０１を中心として、図中上
下方向に、それぞれ３層の絶縁層を有し、またそれぞれ
３層の配線層を備えている。金属板１０１は、銅からな
り、上面１０１ａと下面１０１ｂの間を貫通する貫通孔
１０１ｈが所定位置に形成されている。また、金属板１
０１の上面１０１ａおよび下面１０１ｂには、それぞれ
エポキシ樹脂からなる第１絶縁層１０３および第２絶縁
層１０５が形成されており、さらに、貫通孔１０１ｈ内
には、孔内絶縁層１０７としてエポキシ樹脂が充填され
ている。

【００６６】また、銅からなる層間用金属柱１０９が、
貫通孔１０１ｈの中心、即ち、孔内絶縁層１０７の中心
を貫き、さらに第１および第２絶縁層１０３，１０５を
も貫いて形成されている。またこの層間用金属柱１０９
は、予め成形された銅ワイヤを各絶縁層内に埋め込んだ
ものであり、第１絶縁層１０３の上面１０３ａ上に形成
された複数の第１配線層１１１と、第２絶縁層１０５の
下面１０５ｂ上に形成された複数の第２配線層１１２と
の間を接続している。なお、これらの配線層はいずれも
銅からなる。

【００６７】さらに、この第１配線層１１１の所定位置
には、銅ワイヤからなる第１ビア１１３が立設されてお
り、第１絶縁層１０３および第１配線層１１１上に形成
されたエポキシ樹脂からなる第１層間絶縁層１１５内に
埋め込まれている。また、この第１ビア１１３は、第１
配線層１１１と、第１層間絶縁層１１５の上面１１５ａ
上に形成された銅からなる第３配線層１１７と、を接続
している。同様に、第２配線層１１２の所定位置には、
銅ワイヤからなる第２ビア１１４が立設されており、第
２絶縁層１０５および第２配線層１１２上に形成された
第２層間絶縁層１１６内に埋め込まれている。また、こ
の第２ビア１１４は、第１配線層１１２と、第２層間絶
縁層１１６の下面１１６ｂ上に形成された第４配線層１
１８と、を接続している。

【００６８】さらに同様に、第３配線層１１７の所定位
置には、第３ビア１１９が立設されており、第１層間絶
縁層１１５の上面１１５ａ上に形成された第３層間絶縁
層１２１内に埋め込まれている。また、この第３ビア１
１７は、第３配線層１１７と、第３層間絶縁層１２１の
上面１２１ａ上に形成された第５配線層１２３と、を接
続している。また同様に、第４配線層１１８の所定位置
には、第４ビア１２０が立設されており、第２層間絶縁
層１１６の下面１１６ｂ上に形成された第４層間絶縁層
１２２内に埋め込まれている。また、この第４ビア１２
０は、第４配線層１１８と、第４層間絶縁層１２２の下
面１２２ｂ上に形成された第６配線層１２４と、を接続
している。

【００６９】かかる配線基板１００においては、中心の
コア基板として金属板１０１を用いており、従来のよう
にガラス−エポキシ樹脂複合材料等をコア基板としてい
ないので、貫通孔１０１ｈを穿孔したときにクラックを
生じない。また、層間用金属柱１０９は、予め成形され
た銅ワイヤであり、メッキによって貫通孔内に形成され
たものではないので、メッキ液や洗浄液が貫通孔１０１
ｈに触れることもない。従って、貫通孔１０１ｈ（従っ
て、層間用金属柱１０９）の間隔を小さくしても、絶縁
抵抗が低下することはない。

【００７０】さらに、層間用金属柱１０９は、予め成形
された銅ワイヤであるので、例えば、同様な寸法の層間
用金属柱をメッキによって形成した場合に比較して、導
電率も高く、第１配線層１１１と第２配線層１１２とを
低抵抗で接続することができる。さらに、銅ワイヤであ
るため、緻密で強度も高い。従って、金属板１０１と第
１、第２絶縁層１０３，１０５等との熱膨張率の違いに
起因する応力等が層間用金属柱１０９に掛かっても、ク
ラックを生じて破断することがないため、信頼性の高い
配線基板１００とすることができる。

【００７１】また、この配線基板１００は、例えば、第
１配線層１１１を下部配線層とし、第３配線層１１７を
上部配線層とすると、この間に形成された第１層間絶縁
層１１５内には、第１配線層（下部配線層）１１１と第
３配線層（上部配線層）１１７とを接続し、ワイヤから
なる第１ビア１１３が埋め込まれた状態で形成されてい
る。

【００７２】ビア１１３も、予め成形された銅ワイヤか
らなるので、例えば、同様な寸法のビアをメッキによっ
て形成した場合に比較して、導電率も高くなり、第１配
線層１１１と第３配線層１１７とを低抵抗で接続するこ
とができる。さらに、銅ワイヤは、緻密で強度も高い。
従って、第１、第３配線層１１１，１１７等と、第１層
間絶縁層１１５等との熱膨張率の違いに起因する応力等
がビア１１３に掛かっても、クラックを生じて破断する
ことがないため、信頼性の高い配線基板１００とするこ
とができる。なお、同様な関係は、第２〜第４ビア１１
４，１１９，１２０についても言えることである。

【００７３】ついで、この配線基板１００の製造方法に
ついて説明する。図２〜図４は、配線基板１００の製造
工程を説明する説明図である。まず、銅からなる金属板
１０１を用意し、図２(a) に示すように、所定位置に貫
通孔１０１ｈを穿孔する。別途、銅からなる底板Ｈを用
意し、この上面Ｈａのうち、貫通孔１０１ｈに対応する
位置に、ワイヤボンディング法により、銅からなるワイ
ヤの一端を固着し、さらに所定長さに切断して立設し
て、層間用金属柱Ｗ０を備える金属柱立設体Ｓを形成す
る（図２(b) 参照）。本例では、銅線の先端をトーチで
溶融させてボール状とし、キャピラリで底板Ｈ上に圧着
しつつ加熱して、底板上面Ｈａに金属柱Ｗ０を固着した
ため、図２(b) に示すように、固着部分Ｗ０ｈは、径大
のネイルヘッド（釘頭）状の形状となる。

【００７４】なお、金属板１０１の上下面１０１ａ、１
０１ｂおよび貫通孔１０１ｈ内、さらに層間用金属柱Ｗ
０の表面は、後で形成する第１、第２絶縁層及び孔内絶
縁層との密着性を向上させるため、表面を粗化しておく
のが良く、具体的には、公知の手法である、黒化処理、
マイクロエッチング、あるいは針状Ｎｉ−Ｃｕメッキ等
の手法が挙げられる。本例では、図示しないが、黒化処
理を用いた。

【００７５】ついで、金属板１０１と金属柱立設体Ｓの
２者を組み合わせる。即ち、まず金属柱立設体Ｓの底板
上面Ｈａに、エポキシ樹脂ペーストをスピンコート法に
より塗布し、さらに、この上に金属板１０１の下面１０
１ｂと底板上面Ｈａとが向き合うようにして金属板１０
１を載せる。このとき、貫通孔１０１ｈ内を層間用金属
柱Ｗ０が貫通するように配置する。さらに、金属板１０
１の上面に、スピンコート法により同じエポキシ樹脂ペ
ーストを塗布する。

【００７６】このようにすると、貫通孔１０１ｈ内にも
エポキシ樹脂ペーストが充填される。その後、加熱して
エポキシ樹脂を硬化させることで、図２(c) に示すよう
に、金属板下面１０１ｂと底板上面Ｈａとの間には、第
２絶縁層１０５’が形成され、同様に、金属板上面１０
１ａには、第１絶縁層１０３’が形成される。また、貫
通孔１０１ｈ内には、孔内絶縁層１０７が形成される。
このようにすることにより、底板Ｈに立設された層間用
金属柱Ｗ０は第１、第２絶縁層１０３’，１０５’およ
び孔内絶縁層１０７内に埋め込まれた状態となる。

【００７７】その後、底板Ｈをエッチングにより溶解し
て除去し、さらに、第１絶縁層１０３’の上面および第
２絶縁層１０５’下面を所定の厚さに研磨して整面する
と共に、層間用金属柱Ｗ０の上下端面をそれぞれ露出さ
せる。これにより、図２(d)に示すように、金属板１０
１の上下に第１絶縁層１０３および第２絶縁層１０５が
形成される。また、第１、第２絶縁層１０３，１０５お
よび孔内絶縁層１０７を貫通し、端面１０９ａ，ｂがそ
れぞれ第１絶縁層上面１０３ａおよび第２絶縁層下面１
０５ｂから露出した層間用金属柱１０９が形成される。
このように、以上の工程においては、メッキ法を用いる
ことも無く、また、樹脂層にドリル等によって穿孔する
こともないので、従来のように、コア基板として用いた
ガラス−エポキシ樹脂複合材料等にクラックが生じ、こ
のクラック内にメッキ液や洗浄液が浸透する心配がな
い。

【００７８】さらに、第１絶縁層上面１０３ａ上及び第
２絶縁層下面１０５ｂ上に、サブトラクティブ法により
第１、第２配線層１１１，１１２を形成する。即ち、図
３(a) に示すように、無電解メッキおよび電解メッキに
より、第１絶縁層上面１０３ａ上および第２絶縁層下面
１０５ｂ上の全面に、それぞれ銅層Ｃ１，Ｃ２を形成す
る。この銅層Ｃ１，Ｃ２は、後述する第１、第２配線層
を形成するためのもので、層間用金属柱１０９と銅層Ｃ
１，Ｃ２とは、端面１０９ａ，ｂでそれぞれ接続・導通
している。

【００７９】なお、銅層Ｃ１，Ｃ２（第１、第２配線層
１１１，１１２）を形成するのに先立ち、整面された第
１絶縁層上面１０３ａおよび第２絶縁層上面１０５ｂを
粗化処理し、銅層Ｃ１，Ｃ２（第１，第２配線層１１
１，１１２）との密着性を向上させるのが好ましい。具
体的には、公知の手法として、過マンガン酸カリウムや
過マンガン酸ナトリウム等の酸化剤を用いて粗化処理す
る方法が挙げられる。本例では、図示しないが、過マン
ガン酸ナトリウムで粗化処理をした。

【００８０】ついで、この銅層Ｃ１，Ｃ２上に、それぞ
れ所定パターンのエッチングレジストＤ１，Ｄ２を形成
する。具体的には、フォトレジストを銅層Ｃ１，Ｃ２上
に全面に塗布し、露光・現像してエッチングレジストＤ
１，Ｄ２を形成する。

【００８１】その後、露出した銅層Ｃ１，Ｃ２をエッチ
ングにより除去し、さらにエッチングレジストＤ１，Ｄ
２も除去することにより、図３(b) に示すように、第
１、第２絶縁層１０３，１０５上に第１、第２配線層１
１１，１１２をそれぞれ形成する。第１配線層１１１と
第２配線層１１２とは、層間用金属柱１０９を介して電
気的に接続している。

【００８２】さらに、第１配線層１１１の上面１１１ａ
の所定位置および第２配線層１１２の下面１１２ｂの所
定位置に、ワイヤボンディング法により銅からなるワイ
ヤを用いて、それぞれ第１ビア１１３および第２ビア１
１４を形成する。即ち、銅からなるワイヤの一端を固着
し、さらに所定長さに切断して立設し、ビアとする。本
例では、銅線の先端をトーチで溶融させてボール状と
し、キャピラリで第１、第２配線層１１１，１１２上に
圧着しつつ加熱してワイヤを固着したため、図３(c) に
示すように、ビアの固着部分１１３ｈ，１１４ｈは、ネ
イルヘッド状の形状となる。その後、第１、第２配線層
１１１，１１２の表面、およびビア１１３，１１４の表
面を、前記したのと同様に粗化処理すると良い。本例で
は、黒化処理を行った。

【００８３】ついで、第１絶縁層上面１０３ａおよび第
１配線層上面１１１ａ上に、また、第２絶縁層下面１０
５ｂおよび第２配線層下面１１２ｂ上に、カレンダーコ
ート法により、エポキシ樹脂ペーストを塗布し、第１、
第２ビア１１３，１１４を立設したまま樹脂ペーストで
埋めるようにする。さらに、加熱して、エポキシ樹脂ペ
ーストを硬化させ、第１層間絶縁層１１５’及び第２層
間絶縁層１１６’を形成する。このように、ビア（第
１、第２ビア）を形成するのに、ワイヤを用いたので、
ビア製造工程において、メッキや洗浄工程を経る必要が
無く、細い径の貫通孔内にメッキによってビアを形成す
る場合よりも、確実にビアが形成できる。

【００８４】この第１、第２層間絶縁層１１５’，１１
６’の表面を所定厚さに研磨し、図４(a) に示すよう
に、平坦に整面する。これにより、第１層間絶縁層１１
５、第２層間絶縁層１１６が形成される。このとき、各
ビアの頂部、即ち、第１ビア１１３の上端１１３ａおよ
び第２ビア１１４の下端１１４ｂが、それぞれ第１層間
絶縁層上面１１５ａおよび第２層間絶縁層下面１１６ｂ
から露出するようにする。さらに、第１、第２配線層１
１１，１１２を形成したのと同様に、第１、第２層間絶
縁層の上下面１１５ａ，１１６ｂの表面をそれぞれ粗化
した上で、サブトラクティブ法により、第１層間絶縁層
上面１１５ａ上および第２層間絶縁層下面１１６ｂ上
に、第３配線層１１７および第４配線層１１８を形成す
る。これにより、例えば、下部配線層となる第１配線層
１１１と、上部配線層となる第３配線層１１７とが、第
１層間絶縁層１１５を挟んで形成されており、この２つ
の配線層を第１ビア１１３が接続した構造となる。

【００８５】同様にして、第３配線層上面１１７ａ及び
第４配線層下面１１８ｂに、ワイヤボンディング法によ
り第３、第４ビア１１９，１２０を形成し、各配線層お
よびビアを黒化処理する。その後、さらに、第１層間絶
縁層上面１１５ａおよび第３配線層上面１１７ａ上に、
また、第２層間絶縁層下面１１６ｂおよび第４配線層下
面１１８ｂ上に、エポキシ樹脂を塗布し硬化させて、第
３、第４層間絶縁層１２１’，１２２’を形成する（図
４(b)参照）。なお、第３、第４ビアを形成する位置
は、その下方又は上方に第１または第２ビア１１３，１
１４がある位置でも良いし、無い位置でも良い。例え
ば、第１ビアと第３ビアが積み重ねられて形成された場
合には、いわゆるスタックドビアの構造となる。即ち、
本発明では、スタックドビアを容易に形成することがで
きる。

【００８６】ついで、第３、第４層間絶縁層１２１’、
１２２’の表面を研磨して整面し、所定厚さの第３、第
４層間絶縁層１２１，１２２とし、さらに、その表面１
２１ａ，１２２ｂから第３、第４ビアの頂部１１９ａ，
１２０ｂを露出させる（図４(c)参照）。

【００８７】その後、前記した第１層間絶縁層等と同様
に、第３，第４絶縁層１２１，１２２の表面を粗化した
上で、サブトラクティブ法により、第３層間絶縁層上面
１２１ａおよび第４層間絶縁層下面１２２ｂ上に、それ
ぞれ第５，第６配線層１２３、１２４を形成し、図１に
示す配線基板１００を完成した。なお、本実施形態で
は、例えば、下部配線層となる第３配線層１１７と、上
部配線層となる第５配線層１２３とが、第３層間絶縁層
１２１を挟んで形成されており、この２つの配線層を第
３ビア１１９が接続した構造となっている。

【００８８】上記実施形態１においては、第１〜第６配
線層を、いずれもサブトラクティブ法によって形成した
例を示したが、セミアディティブ法やフルアディティブ
法等いずれの方法を用いて各配線層を形成しても良い。
即ち、例えば、セミアディティブ法によれば、一旦、絶
縁層（例えば第１絶縁層１０３）上全面に無電解メッキ
層を形成し、ついで所定パターンのメッキレジストを形
成する。さらに、無電解メッキ層を電極として電解メッ
キを施して露出部に電解メッキ層を立ち上げる。その
後、メッキレジストを除去し、エッチングにより露出し
た無電解メッキ層を除去することで独立パターンの配線
層（例えば、第１配線層１１１）を形成する。

【００８９】（実施形態２） つぎに、本発明の第２の実施の形態を図５〜図７と共に
説明する。本実施形態における配線基板２００は、上記
実施形態１において説明した配線基板１００（図１参
照）と同様な構造を有しているが、その製造方法や材質
において異なる部分があるので、異なる部分を中心に説
明し、同様な部分については省略する。

【００９０】図５(a) に示す金属板２０１は、実施形態
１で使用したものと同様なものであり、上下面２０１
ａ，ｂの間を貫通する貫通孔２０１ｈが形成された銅板
である。一方、図５(b) に示す金属柱立設体Ｓ’は、実
施形態１で底板Ｈ上にワイヤボンディングによってワイ
ヤからなる層間用金属柱を形成したのとは異なり、底板
Ｈ’と層間用金属柱Ｗ０’とが、一体の部材から形成さ
れている。具体的には、金属柱立設体Ｓ’は、厚い銅板
を片面（図中上面）から、層間用金属柱Ｗ０’部分を残
しつつ、エッチングすることによって、形成したもので
ある。このようにすると、複数の層間用金属柱Ｗ０’を
同時に形成することができるので、多数の層間用金属柱
Ｗ０’を形成する場合に容易に金属柱立設体Ｓ’を形成
することができる。

【００９１】なお、実施形態１と同様に、金属板２０１
及び層間用金属柱Ｗ０’の表面には、粗化処理として黒
化処理がなされている。また、以降の工程においても、
ビアや配線層に黒化処理を施すことも、実施形態１と同
様である。

【００９２】ついで、図５(c) に示すように、この金属
板２０１と金属柱立設体Ｓ’とを組み合わせる。本実施
形態では、予め、層間用金属柱Ｗ０’に対応した位置に
貫通孔（金属柱用貫通孔）Ｐ１ｈ，Ｐ２ｈをそれぞれ穿
孔した板状の第１、第２プリプレグＰ１，Ｐ２を用い
る。即ち、まず、底板Ｈ’の上面Ｈａ’上に第２プリプ
レグＰ２を重ねる。このとき貫通孔Ｐ２ｈを層間用金属
柱Ｗ０’が貫通するようにする。ついで、金属板２０１
を第２プリプレグＰ２上に重ね、さらに、第１プレプレ
グＰ１を重ねる。このとき、貫通孔２０１ｈおよびＰ１
ｈを層間用金属柱Ｗ０’が貫通するようにする。

【００９３】なお、第１、第２プリプレグＰ１，Ｐ２
は、いずれもガラス不織布にエポキシ樹脂ペーストを含
浸させて半硬化状態としたものであり、板状の形状を有
し、加熱によってエポキシ樹脂が軟化し、その後硬化し
てガラス繊維とエポキシ樹脂との複合材となるものであ
る。

【００９４】このようにして組み合わせた後、図中上下
方向から真空中でプレスしつつ加熱する。すると、第
１、第２プリプレグＰ１，Ｐ２中のエポキシ樹脂が軟化
・流動して、貫通孔２０１ｈ内、および貫通孔Ｐ１ｈ、
Ｐ２ｈ内に充填され、その後硬化する。これにより、貫
通孔２０１ｈ内には、エポキシ樹脂からなる孔内絶縁層
２０７が形成され、一方、金属板２０１の上下には、ガ
ラス−エポキシ樹脂複合材料からなる第１、第２絶縁層
２０３，２０５が形成される。また、金属柱Ｗ０’は、
孔内絶縁層２０７及び第１，第２絶縁層２０３，２０５
に埋め込まれた状態となる。

【００９５】第１、第２プリプレグＰ１，Ｐ２を用いる
と、予め貫通孔Ｐ１ｈ、Ｐ２ｈを形成しておく必要があ
るが、実施態様１で説明した樹脂ペーストを用いる場合
に比して、単に重ねるだけで済むので、工程が容易にな
る。また、絶縁層の厚さを所定の値に制御するのが容易
である利点もある。さらに、配線基板の強度や熱膨張率
を考慮すると、ガラス繊維等と樹脂とを複合化したもの
（複合材）を用いるのが好ましい。ガラス繊維等が含ま
れたプリプレグを用いた場合には、このような複合材を
用いた絶縁層を容易に形成できる点でも都合がよい。

【００９６】なお、プリプレグに貫通孔（例えばＰ１
ｈ）を穿孔する際に、ガラス繊維とエポキシ樹脂との間
にクラックが発生するように考えられる。しかし、たと
えクラックが発生していたとしても、実際には、その後
の加熱処理により、エポキシ樹脂は軟化してガラス繊維
と密着するので、プリプレグの状態で貫通孔を穿孔する
ことによるクラック等の問題は生じない。

【００９７】その後、前記実施形態１と同様に、底板
Ｈ’を除去し、第１絶縁層２０３の上面２０３ａおよび
第２絶縁層２０５の下面２０５ｂを研磨して整面し、層
間用金属柱２０９の上下面２０９ａ，ｂをそれぞれ露出
させる（図５(d)参照）。

【００９８】ついで、前記実施形態１と同様に、第１絶
縁層上面２０３ａおよび第２絶縁層下面２０５ｂ上に、
第１、第２配線層２１１，２１２を形成する（図６(a)
参照）。なお、第１、第２配線層を、サブトラクティブ
法の他、セミアディティブ法やフルアディティブ法等を
用いて形成しても良いこと、整面された第１、第２絶縁
層の上下面２０３ａ，２０５ｂを粗化しておくことも、
実施形態１と同様である。さらに、後述する絶縁層の表
面（上下面）を粗化しておくのも同様である。

【００９９】さらに、図６(b) に示すように、この第
１，第２配線層２１１，２１２の所定位置に、ワイヤボ
ンディング法により、銅ワイヤからなる第１、第２ビア
２１３，２１４を形成する。この第１、第２ビア２１
１，２１２の形成方法は、実施形態１と同様な方法によ
る。別途、予め第１、第２ビア２１１，２１２に対応す
る位置にそれぞれ貫通孔（ビア用貫通孔）Ｐ３ｈ、Ｐ４
ｈを空けた第３，第４プリプレグＰ３，Ｐ４を用意して
おく。この第３プリプレグＰ３を、第１ビア２１１が貫
通孔Ｐ３ｈ内に挿入されるようにして、第１配線層２１
１の上面２１１ａ上に配置し、同様に、第４プリプレグ
Ｐ４を、第２ビア２１２が、貫通孔Ｐ４ｈ内に挿入され
るようにして、第２配線層２１２の下面２１２ｂ上に配
置する。なお、これらのプリプレグＰ３，Ｐ４も、上記
プリプレグと同様に、板状で、ガラス不織布にエポキシ
樹脂を含浸させて半硬化状態としたものである。

【０１００】その後、第３，第４プリプレグＰ３，Ｐ４
を上下から真空中でプレスしつつ加熱する。すると、プ
リプレグ内のエポキシ樹脂が軟化・流動して、貫通孔Ｐ
３ｈ、Ｐ４ｈ内を埋め、さらに、エポキシ樹脂の流動及
びガラス繊維の変形により、第１、第２配線層２１１，
２１２間の第１、第２絶縁層の上下面２０３ａ，２０５
ｂが露出した部分にも、エポキシ樹脂やガラス繊維が埋
められて、硬化する。これにより、第１絶縁層２０３お
よび第１配線層２１１上に、ガラス−エポキシ樹脂複合
材料からなる第１層間絶縁層２１５が形成される。ま
た、第２絶縁層２０５および第２配線層２１２上に、ガ
ラス−エポキシ樹脂複合材料からなる第２層間絶縁層２
１６が形成される。また、第１、第２ビア２１３，２１
４は、第１、第２層間絶縁層２１５，２１６に埋め込ま
れた状態となる。なお、プリプレグを用いる利点は、上
記プリプレグＰ１，Ｐ２の場合と同様である。

【０１０１】その後、前記実施形態１と同様に、第１層
間絶縁層２１５の上面２１５ａおよび第２層間絶縁層２
１６の下面２１６ｂを研磨して整面し、第１ビア２１３
の上面２１３ａおよび第２ビア２１４の下面２１４ｂを
それぞれ露出させる。ついで、第１層間絶縁層上面２１
５ａおよび第２層間絶縁層下面２１６ｂ上に、サブトラ
クティブ法により、第３、第４配線層２１７，２１８を
形成する（図６(c) 参照）。なお、第３、第４配線層２
１７，２１８を、サブトラクティブ法の他、セミアディ
ティブ法やフルアディティブ法等を用いて形成しても良
いことも、実施形態１と同様である。

【０１０２】以降は、上記と同様にして、ワイヤボンデ
ィング法、プリプレグおよびサブトラクティブ法を用い
て、第３，第４ビア２１９，２２０、第３，第４層間絶
縁層２２１，２２２及び第５，第６配線層２２３，２２
４を形成することで、実施形態１（図１参照）と同様な
構造の配線基板２００が完成する（図７参照）。本実施
形態の配線基板２００が、実施形態１の配線基板１００
と異なる点は、第１、第２絶縁層２０３，２０５や第１
〜第４絶縁層２１５，２１６，２２１，２２２が、エポ
キシ樹脂ではなくて、ガラス不織布とエポキシ樹脂とが
複合されたガラス−エポキシ樹脂複合材料で構成されて
いる点である。

【０１０３】なお、本実施形態では、いずれの絶縁層を
形成するのにもプリプレグを用いた例を示したが、例え
ば、第１、第２絶縁層の形成には、第１、第２プリプレ
グＰ１，Ｐ２を用い、第１、第２層間絶縁層の形成に
は、樹脂ペーストを用いてもよく、この逆でも良い。ま
た、第１絶縁層の形成にはプリプレグを用い、第２絶縁
層の形成には樹脂ペーストを用いるなど、適宜組み合わ
せても良い。なお、硬化収縮量や熱膨張率をできるだけ
一致させて、配線基板の反り・曲がりを防止するため
に、第１絶縁層と第２絶縁層、あるいは第１層間絶縁層
と第２層間絶縁層というように、対になって形成される
絶縁層には、同じ材質のものを用いるようにすると良
い。

【０１０４】（実施形態３） つぎに、本発明の第３の実施の形態を説明する。本実施
形態における配線基板（図示しない）は、上記実施形態
１および２において説明した配線基板１００，２００
（図１、図５参照）と同様な構造を有しており、同様な
手法で形成する。しかし、実施形態１，２でコア基板に
用いた銅からなる金属板１０１，２０１に代えて、コア
基板にアルミナセラミック（アルミナ約９２％）からな
るセラミック板を用いた点で異なる。このように、本実
施形態の配線基板は、剛性の高いセラミック板をコア基
板として用いたので、配線基板全体の剛性が高くなり、
曲げ等の応力に対して、変形しにくくなる。従って、例
えば、配線基板に集積回路チップ等を取り付けた場合に
も、撓み変形等によって、フリップチップ接続部分が破
断する等の不具合を生じにくく、接続信頼性を高くする
ことが出来る。

【０１０５】なお、コア基板としてセラミック板を用い
たので、実施形態１，２と異なり、コア基板に粗化処理
（黒化処理等）は出来ないことは言うまでもない。ま
た、本実施形態では、コア基板としてアルミナ製セラミ
ック板を用いたが、その他のセラミック、例えば、ムラ
イト、窒化アルミニウム、ガラスセラミック等を用いて
もよい。また、ガラス板を用いてもよいし、エポキシ樹
脂板等の樹脂板やガラスエポキシ等の複合材料を用いて
も良い。なお、エポキシ樹脂板やガラスエポキシ等の複
合材料をコア基板に用いる場合には、配線基板の剛性
は、セラミック板を用いた場合に比して低下するが、各
絶縁層とコア基板の熱膨張率が近似した値となるので、
熱応力が層間用金属柱やビア等に掛かりにくくなる利点
がある。

【０１０６】（実施形態４） ついで、本発明の第４の実施の形態について、図８〜図
１０と共に説明する。図８に示す本実施形態における配
線基板４００は、上記実施形態１において説明した配線
基板１００（図１参照）と同様な構造を有しており、同
様な手法で形成する。このため、各部分を表す名称や記
号（番号）も、実施形態１と変わらない部分について
は、同じとして説明する。

【０１０７】ただし、本実施形態においては、コア基板
である金属板１０１の上下面１０１ａ，１０１ｂ上に、
それぞれ銅ワイヤからなる第１、第２コア用金属柱４０
２，４０３が形成されている。さらに、図８において、
左右２つずつ形成された第１、第２配線層１１１，１１
２のうち、図中左側に形成された第１，第２配線層１１
１Ａ，１１２Ａと、第１、第２コア用金属柱４０２，４
０３とがそれぞれ接続している点で、実施形態１と異な
る。ここで、以下では、図中左側に形成された第１配線
層を、左側第１配線層１１１Ａ、右側に形成された第１
配線層を右側第１配線層１１１Ｂのように、左側、右側
の名称、およびＡ、Ｂの記号で区別することとする。こ
のため、本実施形態においては、第５，第６配線層１２
３，１２４の内、図中左側に形成された左側第５，第６
配線層１２３Ａ，１２４Ａは、金属板１０１と導通する
ことになる。一方、図中右側第５，第６配線層１２３
Ｂ，１２４Ｂは、実施形態１と同様に、金属板１０１と
は絶縁している。

【０１０８】このように構成した本実施形態の配線基板
４００では、金属板１０１が、配線基板４００の全面に
わたって、共通の電位を持つこととなる。従って、金属
板１０１が、左側第５配線層１２３Ａあるいは左側第６
配線層１２４Ａを通じて、例えば、グランド電位とされ
た場合、即ち、金属板１０１が接地された場合、グラン
ド電位が要求される他の位置において、図８に示したよ
うに、第１、第２コア用金属柱４０２，４０３を用いる
ことで、容易にグランド電位を取り出すことができる。
また逆に、任意の場所で接続して、容易に金属板１０１
をグランド電位とすることができる。しかも、金属板１
０１は、配線層１１１等に比較して容易に厚く形成でき
るので、自己インダクタンスも小さく、抵抗も小さなノ
イズの生じにくいグランドプレーンとして活用すること
が出来る。なお、金属板１０１を、信号配線として用い
ることももちろん可能である。

【０１０９】また、第１、第２コア用金属柱４０２，４
０３は、いずれも互いに接続している左側第１、第２配
線層１１１Ａ，１１２Ａに接続しており、しかも、第２
コア用金属柱４０３は、２つ接続している。これは、金
属板１０１と一連の配線（配線層１２３Ａ−１１１Ａ−
１１２Ａ−１２４Ａ）との接続抵抗を小さくするためで
ある。従って、必要に応じて、第１、第２コア用金属柱
の数は増減すればよい。

【０１１０】つぎに、配線基板４００の製造方法につい
て、実施形態１の配線基板１００と異なる部分を中心に
説明する。本実施形態においては、図９(a) に示すよう
に、実施形態１と同様な金属板１０１の上下面１０１
ａ，１０１ｂに、それぞれ第１，第２コア用金属柱４０
２，４０３を形成する。このコア用金属柱は、いずれ
も、銅ワイヤを公知のワイヤボンディング法により、上
下面１０１ａ，１０１ｂの所定位置に立設したものであ
る。なお、各コア用金属柱の高さは、後述するように、
第１、第２絶縁層１０３，１０５の厚さより高く、かつ
第２絶縁層１０５’の厚さよりも低くしておくと良い。
第１，第２コア用金属柱４０２，４０３の形成方法とし
ては、上記ワイヤボンディング法による他、実施形態２
において、金属柱立設体Ｓ’を形成したのと同様にし
て、エッチングにより、金属板上下面１０１ａ，１０１
ｂに、金属板１０１と一体のコア用金属柱４０２，４０
３を形成しても良い。

【０１１１】ついで、実施形態１と同様に、図９(b)に
示す金属柱立設体Ｓを用い、図９(c)に示すように、金
属板１０１と金属柱立設体Ｓとを組み合わせ、絶縁層１
０３’、１０５’を形成する。ただし、図９(c) におい
ては、第１，第２コア用金属柱４０２，４０３が形成さ
れている点で異なる。

【０１１２】さらに、実施形態１と同様に、底板Ｈを除
去し、第１絶縁層１０３’の上面および第２絶縁層１０
５’の下面を整面し、層間用金属柱１０９の上下端部を
露出させる。このとき、第１、第２コア用金属柱４０
２，４０３の上下端部４０２ａ，４０３ｂも露出させる
（図９(d)参照）。

【０１１３】ついで、実施形態１と同様にして、第１絶
縁層上面１０３ａ上及び第２絶縁層下面１０５ｂ上に、
サブトラクティブ法により第１、第２配線層１１１，１
１２を形成する。即ち、図１０(a) に示すように、第１
絶縁層上面１０３ａ上および第２絶縁層下面１０５ｂ上
の全面に、それぞれ銅層Ｃ１，Ｃ２を形成する。つい
で、この銅層Ｃ１，Ｃ２上に、それぞれ所定パターンの
エッチングレジストＤ１，Ｄ２を形成する。

【０１１４】その後、露出した銅層Ｃ１，Ｃ２をエッチ
ングにより除去し、さらにエッチングレジストＤ１，Ｄ
２も除去することにより、図１０(b) に示すように、第
１、第２絶縁層１０３，１０５上に第１、第２配線層１
１１，１１２をそれぞれ形成する。第１配線層１１１と
第２配線層１１２とは、層間用金属柱１０９を介して電
気的に接続している。また、第１、第２コア用金属柱４
０２，４０３もそれぞれ、左側第１、第２配線層１１１
Ａ，１１２Ａと電気的に接続する。従って、金属板１０
１が、左側第１、第２配線層１１１Ａ，１１２Ａと接続
することになる。一方、右側第１、第２配線層１１１
Ｂ，１１２Ｂは、金属板１０１とは絶縁されている。

【０１１５】さらに、実施形態１と同様に、第１配線層
１１１の上面１１１ａの所定位置および第２配線層１１
２の下面１１２ｂの所定位置に、ワイヤボンディング法
により銅からなるワイヤを用いて、それぞれ第１ビア１
１３および第２ビア１１４を形成する。ついで、第１絶
縁層上面１０３ａおよび第１配線層上面１１１ａ上に、
また、第２絶縁層下面１０５ｂおよび第２配線層下面１
１２ｂ上に、カレンダーコート法により、エポキシ樹脂
ペーストを塗布し、第１、第２ビア１１３，１１４を立
設したまま樹脂ペーストで埋めるようにする。さらに、
加熱して、エポキシ樹脂ペーストを硬化させ、第１層間
絶縁層１１５’及び第２層間絶縁層１１６’を形成する
（図１０(c)参照）。以降は、実施形態１と同様な工程
を経て、図８に示す配線基板４００が完成する。

【０１１６】本実施形態によれば、金属板１０１と、左
側第１，第２配線層１１１Ａ，１１２Ａとを接続する第
１，第２コア用金属柱４０２，４０３にも、ワイヤを用
いているので、メッキや洗浄工程を経る必要が無く、容
易に配線基板４００を形成することができる。また、細
い径の第１，第２コア用金属柱４０２，４０３でも、確
実に形成することができる。

【０１１７】（実施形態５） つぎに、本発明の第５の実施の形態を、図１１〜図１３
と共に説明する。図１１に示す本実施形態における配線
基板５００は、上記実施形態１および４において説明し
た配線基板１００，４００（図１、図８参照）と同様な
構造を有しており、同様な手法で形成する。このため、
各部分を表す名称や記号（番号）も、実施形態１と変わ
らない部分については、同じとして説明する。

【０１１８】ただし、本実施形態では、上記実施形態
１，４でコア基板に用いた銅からなる金属板１０１に代
えて、コア基板５０１にガラス−エポキシ樹脂複合材料
（ＪＩＳ：ＦＲ−４）からなる絶縁板５０１Ｓの両面に
銅からなる薄板５０１Ｔ、５０１Ｕを貼り合わせた、両
面銅張り絶縁板を用いた点で異なる。また、銅薄板５０
１Ｔは、図１１中、左右２つの第１配線層１１１のう
ち、左側第１配線層１１１Ａに、第１コア用金属柱５０
２を介して接続しており、一方、銅薄板５０１Ｕは、左
右２つの第２配線層１１２のうち、右側第２配線層１１
２Ｂに、第２コア用金属柱５０３を介して接続している
点でも異なる。このため、本実施形態においては、第
５，第６配線層１２３，１２４のうち、左側第５，第６
配線層１２３Ａ，１２４Ａは、銅薄板５０１Ｔと導通し
ており、一方、右側第５，第６配線層１２３Ｂ，１２４
Ｂは、銅薄板５０１Ｕと導通している。

【０１１９】このように構成した本実施形態の配線基板
５００では、コア基板５０１の２つの銅薄板５０１Ｔ，
Ｕが、それぞれ配線基板５００の全面にわたって、共通
の電位を持つこととなる。従って、銅薄板５０１Ｔが、
左側第５配線層１２３Ａあるいは左側第６配線層１２４
Ａを通じて、例えば、グランド電位とされた場合、即
ち、銅薄板５０１Ｔが接地され、グランドプレーンとさ
れた場合、グランド電位が要求される他の位置におい
て、図１１に示したように、第１コア用金属柱５０２を
用いることで、容易にグランド電位を取り出すことがで
きる。同様に、銅薄板５０１Ｕが、右側第６配線層１２
３Ｂあるいは右側第６配線層１２４Ｂを通じて、例え
ば、電源電位とされた場合、即ち、銅薄板５０１Ｕがパ
ワープレーンとされた場合、電源電位が要求される他の
位置において、図１１に示したように、第２コア用金属
柱５０３を用いることで、容易に電源電位を取り出すこ
とができる。しかも、銅薄板５０１Ｔ，Ｕは、配線層１
１１等に比較して面積を大きく取れ、容易に厚く形成で
きるので、自己インダクタンスも小さく、抵抗も小さな
ノイズの生じにくいグランドプレーン、パワープレーン
として活用することが出来る。

【０１２０】さらに、銅薄板５０１Ｔと５０１Ｕとを異
なる電位、例えば、上述したように、グランドプレーン
とパワープレーンとした場合、銅薄板５０１Ｔと５０１
Ｕとは、絶縁層５０１Ｓを誘電体層とするコンデンサを
形成する。従って、このコンデンサにより、電源やグラ
ンド電位に侵入したノイズを効率的に除去することも可
能となる。なお、銅薄板５０１Ｔ，Ｕを、それぞれある
いは一方のみ信号配線として用いることももちろん可能
である。

【０１２１】また、図１１においては、第１、第２コア
用金属柱５０２，５０３は、１つずつ形成されている
が、銅薄板５０１Ｔ，Ｕと第１、第２配線層１１１，１
１２との接続抵抗を小さくするために、多数のコア用金
属柱を形成して接続して良いことはもちろんである。従
って、必要に応じて、第１、第２コア用金属柱５０２，
５０３の数は増減すればよい。

【０１２２】つぎに、配線基板５００の製造方法につい
て、実施形態１および４の配線基板１００、４００と異
なる部分を中心に説明する。本実施形態においては、図
１２(a) に示すように、コア基板５０１は、ガラス−エ
ポキシ樹脂複合材料からなる絶縁板５０１Ｓの両面に銅
薄板５０１Ｔ，Ｕを貼り付けた両面銅張り絶縁板であ
り、実施形態１と同様に貫通孔５０１ｈが穿孔されてい
る。コア基板５０１の上下面５０１ａ，５０１ｂには、
それぞれ第１，第２コア用金属柱５０２，５０３を形成
する。これらのコア用金属柱は、いずれも、銅ワイヤを
公知のワイヤボンディング法により、上下面５０１ａ，
５０１ｂの所定位置に立設したものである。なお、各コ
ア用金属柱の高さは、後述するように、第１、第２絶縁
層１０３，１０５の厚さより高く、かつ整面前の第２絶
縁層１０５’の厚さよりも低くしておくと良い。

【０１２３】ついで、実施形態１，４と同様に、図１２
(b) に示す金属柱立設体Ｓを用い、図１２(c) に示すよ
うに、コア基板５０１と金属柱立設体Ｓとを組み合わ
せ、絶縁層１０３’、１０５’を形成する。ただし、図
１２(c) においては、第１，第２コア用金属柱５０２、
５０３が形成されている点で異なる。

【０１２４】さらに、実施形態１，４と同様に、底板Ｈ
を除去し、第１絶縁層１０３’の上面および第２絶縁層
１０５’の下面を整面し、層間用金属柱１０９の上下端
部を露出させる。このとき、第１、第２コア用金属柱５
０２，５０３の上下端部５０２ａ，５０３ｂも露出させ
る。

【０１２５】ついで、実施形態１と同様にして、第１絶
縁層上面１０３ａ上及び第２絶縁層下面１０５ｂ上に、
サブトラクティブ法により第１、第２配線層１１１，１
１２を形成する。即ち、図１３(a) に示すように、第１
絶縁層上面１０３ａ上および第２絶縁層下面１０５ｂ上
の全面に、それぞれ銅層Ｃ１，Ｃ２を形成する。つい
で、この銅層Ｃ１，Ｃ２上に、それぞれ所定パターンの
エッチングレジストＤ１，Ｄ２を形成する。

【０１２６】その後、露出した銅層Ｃ１，Ｃ２をエッチ
ングにより除去し、さらにエッチングレジストＤ１，Ｄ
２も除去することにより、図１３(b) に示すように、第
１、第２絶縁層１０３，１０５上に第１、第２配線層１
１１，１１２をそれぞれ形成する。第１配線層１１１と
第２配線層１１２とは、層間用金属柱１０９を介して電
気的に接続している。また、第１、第２コア用金属柱５
０２，５０３もそれぞれ、左側第１配線層１１１Ａ、お
よび、右側第２配線層１１２Ｂと電気的に接続する。従
って、銅薄板５０１Ｔが、左側第１配線層１１１Ａと、
銅薄板５０１Ｕが、右側第２配線層１１２Ｂと接続する
ことになる。

【０１２７】さらに、第１配線層１１１の上面１１１ａ
の所定位置および第２配線層１１２の下面１１２ｂの所
定位置に、ワイヤボンディング法により銅からなるワイ
ヤを用いて、それぞれ第１ビア１１３および第２ビア１
１４を形成する。ついで、第１絶縁層上面１０３ａおよ
び第１配線層上面１１１ａ上に、また、第２絶縁層下面
１０５ｂおよび第２配線層下面１１２ｂ上に、カレンダ
ーコート法により、エポキシ樹脂ペーストを塗布し、第
１、第２ビア１１３，１１４を立設したまま樹脂ペース
トで埋めるようにする。さらに、加熱して、エポキシ樹
脂ペーストを硬化させ、第１層間絶縁層１１５’及び第
２層間絶縁層１１６’を形成する（図１３(c)参照）。
以降は、実施形態１と同様な工程を経て、図１２に示す
配線基板５００が完成する。

【０１２８】本実施形態によれば、銅薄板５０１Ｔ，Ｕ
と、第１，第２配線層１１１，１１２とを接続する第
１，第２コア用金属柱５０２，５０３をも、ワイヤを用
いているので、メッキや洗浄工程を経る必要が無く、容
易に配線基板を形成することができる。また、細い径の
第１，第２コア用金属柱５０２，５０３でも、確実に形
成することができる。

【０１２９】本実施形態では、コア基板５０１としてガ
ラス−エポキシ樹脂複合材料を絶縁板５０１Ａとした両
面銅張り絶縁板を用いたが、絶縁板５０１Ｓに、ガラス
−ＢＴ樹脂複合材料等の複合材料や、エポキシ樹脂板等
の樹脂板、さらには、アルミナ、ムライト、窒化アルミ
ニウム等のセラミックを用いてもよい。なお、エポキシ
樹脂板やガラスエポキシ等の複合材料を絶縁板５０１Ｓ
に用いる場合には、各絶縁層とコア基板の熱膨張率が近
似した値となるので、熱応力が各金属柱やビア等に掛か
りにくくなる。一方、セラミックを絶縁板５０１Ｓに用
いる場合には、配線基板５００の剛性を高くできる。さ
らに、両面銅張り絶縁板でなく、片面銅張り絶縁板を用
いても良い。なお、この場合には、コア用金属柱も銅板
の張られた側に形成することは、言うまでもない。

【０１３０】（実施形態６） つぎに、本発明の第６の実施の形態を、図１４，１５と
共に説明する。上記実施形態１〜５においては、いずれ
も図中上下方向に略対称に絶縁層や配線層が形成された
配線基板を示したが、本実施形態においては、非対称の
場合の例として、ベース基板の一方の面にのみ、配線層
や絶縁層を形成するものを示す。図１４に示す本実施形
態における配線基板６００は、セラミック製配線基板６
５０をベース基板とし、その上面６５０ａ上に、２層の
絶縁層６１５，６２１、３層の配線層６１１，６１７，
６２３、およびこれらを接続する２段のビア６１３，６
１９を有している。

【０１３１】ベース基板６５０の絶縁層６５１，６５２
…は、アルミナを主成分とするアルミナセラミックから
なり、その基板内部に形成され、絶縁層６５１，６５２
を貫通するビア６６１，６６２、および内部配線層６７
１は、いずれもタングステンを主成分とし、同時焼成に
よって形成されたものである。また、ベース基板６５０
の上面６５０ａは、研磨によって平滑化されており、そ
の上には、第１配線層６１１が形成されている。この第
１配線層６１１は、Ｔｉ／Ｍｏ／Ｃｕの順に積層された
スパッタリング層の上に、Ｃｕメッキが施されたもので
ある。

【０１３２】さらに、この第１配線層６１１上の所定位
置には、ワイヤボンディング法により、銅ワイヤからな
る第１ビア６１３が形成され、エポキシ樹脂からなる第
１層間絶縁層６１５に、この第１ビア６１３が埋め込ま
れている。また、第１層間絶縁層６１５上面には、Ｃｕ
メッキからなる第２配線層６１７が形成され、第１ビア
６１３を介して第１配線層６１１と接続している。さら
に、第２配線層６１７の所定位置には、ワイヤボンディ
ング法により、銅ワイヤからなる第２ビア６１９が形成
され、エポキシ樹脂からなる第２層間絶縁層６２１に、
この第２ビア６１９が埋め込まれている。また、第２層
間絶縁層６２１上面には、Ｃｕメッキからなる第３配線
層６２３が形成され、第２ビア６１９を介して第２配線
層６１７と接続している。

【０１３３】従って、第１配線層６１１と第２配線層６
１７との間について着目すると、第１配線層６１１は下
部配線層となり、第２配線層６１７は上部配線層とな
る。また、この間には第１層間絶縁層６１５が形成され
ており、ワイヤからなり第１層間絶縁層６１５に埋め込
まれた第１ビア６１３は、下部配線層と上部配線層とを
接続していることになる。なお、同様な関係は、第２配
線層６１７と第３配線層６２３との間でも言えることで
ある。

【０１３４】ついで、この配線基板６００の製造方法に
ついて簡単に説明する。まず、図１５(a)に示すよう
に、公知の手法により、上記した内部構造を有するアル
ミナセラミック製の配線基板からなるベース基板６５０
を形成し、上面６５０ａを研磨により平滑化する。つい
で、ベース基板上面６５０ａの略全面に、Ｔｉ層、Ｍｏ
層、Ｃｕ層（いずれも図示しない）を、スパッタリング
によりこの順に堆積させる。その後、フォトレジストを
塗布し、露光現像して、所定パターン開口を形成し、Ｔ
ｉ／Ｍｏ／Ｃｕ層を共通電極として、Ｃｕ電解メッキを
施す。これにより、開口部分にＣｕメッキ層が形成され
る。その後、フォトレジストを除去し、露出する各スパ
ッタ層をエッチングにより除去することで、Ｔｉ／Ｍｏ
／Ｃｕ／Ｃｕメッキの層構成からなる第１配線層６１１
を形成した。なお、第１配線層６１１の層構成や材質に
ついては、その他のものでも良いことはもちろんであ
り、例えば、Ｔｉ／Ｍｏ／Ｃｕスパッタ層＋Ｎｉ／Ａｕ
メッキの層構成や、サブトラクティブ法やセミアディテ
ィブ法により、無電解Ｃｕメッキ＋電解Ｃｕメッキの層
構成を有する第１配線層を形成しても良い。

【０１３５】ついで、前記実施形態１において、第１、
第２ビア１１３，１１４や第１、第２層間絶縁層１１
５，１１６を形成したのと同様にして、第１ビア６１３
や第１層間絶縁層６１５を形成する。まず、第１配線層
６１１の上面の所定位置に、ワイヤボンディング法によ
り銅からなるワイヤを用いて、第１ビア６１３を形成す
る。即ち、銅からなるワイヤの一端を固着し、さらに所
定長さに切断して立設し、第１ビア６１３とする。

【０１３６】その後、ベース基板上面６５０ａ上および
第１配線層上面６１１ａ上に、カレンダーコート法によ
り、エポキシ樹脂ペーストを塗布し、第１ビア６１３を
立設したまま樹脂ペーストで埋めるようにする。さら
に、加熱して、エポキシ樹脂ペーストを硬化させ、第１
層間絶縁層６１５’を形成する。このように、ビア（第
１ビア）を形成するのに、ワイヤを用いたので、ビア製
造工程において、メッキや洗浄工程を経る必要が無く、
細い径の貫通孔内にメッキによってビアを形成する場合
よりも、確実にビアが形成できる。

【０１３７】この第１層間絶縁層６１５’の表面を所定
厚さに研磨し、図１５(c) に示すように、平坦に整面
し、第１層間絶縁層６１５を形成する。このとき、第１
ビア６１３の上端６１３ａが、第１層間絶縁層上面６１
５ａから露出するようにする。さらに、実施形態１にお
いて、第１、第２配線層１１１，１１２を形成したのと
同様に、第１層間絶縁層の上面６１５ａを粗化した上
で、サブトラクティブ法により、第１層間絶縁層上面６
１５ａ上に、第２配線層６１７を形成する。これによ
り、下部配線層となる第１配線層６１１と、上部配線層
となる第２配線層６１７とが、第１層間絶縁層６１５を
挟んで形成されており、この２つの配線層を第１ビア６
１３が接続した構造となる。

【０１３８】その後は、実施形態１において、第３、第
４ビア１１９，１２０、第３、第４層間絶縁層１２１，
１２２、および第５，第６配線層１２３、１２４を形成
したのと同様にして、第２ビア６１９、第２層間絶縁層
６２１、および第３配線層６２３を形成して、配線基板
６００を完成させる。これにより、下部配線層となる第
２配線層６１７と、上部配線層となる第３配線層６２３
とが、第２層間絶縁層６２１を挟んで形成されており、
この２つの配線層を第２ビア６１９が接続した構造とな
る。

【０１３９】なお、第２ビア６１９を形成する位置が、
その下方に第１ビア６１３がある位置でも良いし、無い
位置でも良いことも実施形態１と同様である。従って、
第１ビアと第２ビアを積み重ねて、いわゆるスタックド
ビアの構造を容易に形成できる。本実施形態の配線基板
６００は、剛性の高いセラミック配線基板をベース基板
６５０として用いたので、配線基板６００全体の剛性が
高くなり、曲げ等の応力に対して、変形しにくくなる。
従って、例えば、配線基板６００に集積回路チップ等を
取り付けた場合にも、撓み変形等によって、フリップチ
ップ接続部分が破断する等の不具合を生じにくく、接続
信頼性を高くすることが出来る。さらに、ベース基板６
５０としてセラミック配線基板を用いたので、複雑で高
密度な配線を実現することが出来る。

【０１４０】（実施形態７） つぎに、本発明の第７の実施の形態を、図１６、図１７
と共に説明する。本実施形態は、上記実施形態６に近似
しており、その製造方法も似ている。ただし、実施形態
６においては、ベース基板６５０として、セラミック製
配線基板を用い、ベース基板上面に６５０ａに配線層６
１１を形成し、その上に第１ビア６１３を形成した。一
方、本実施形態においては、上下を接続するビアが多数
形成された単層のセラミック製配線基板を用い、ビアの
上部に形成されたパッド上に第１ビアが形成されている
点で異なる。

【０１４１】即ち、図１６に示す本実施形態における配
線基板７００は、セラミック製配線基板７５０をベース
基板とし、その上面７５０ａ上に、２層の絶縁層７１
５，７２１、２層の配線層７１７，７２３、および２段
のビア７１３，７１９を有している。ベース基板７５０
は、アルミナを主成分とするアルミナセラミックからな
る単層の絶縁層７５１を有する。この絶縁層の上下面７
５０ａ，７５０ｂを貫通するビア７６１、および上下面
７５０ａ，ｂでビア７６１を覆うビア立設用パッド７７
１およびパッド７７２は、いずれもタングステンを主成
分とし、同時焼成によって形成されたものである。な
お、ビア立設用パッド７７１上面には、Ｎｉ／Ｃｕメッ
キ層（図示しない）が、この順に形成され、パッド７７
２上面には、Ｎｉ／Ａｕメッキ層（図示しない）が、こ
の順に形成されている。ただし、ビア立設用パッド７７
１の上面にも、Ｎｉ／Ｃｕメッキ層に代えてＮｉ／Ａｕ
メッキ層を形成しても良い。

【０１４２】さらに、ビア立設用パッド７７１上の所定
位置には、ワイヤボンディング法により、銅ワイヤから
なる第１ビア７１３が形成され、エポキシ樹脂からなる
パッド配線間絶縁層７１５に、この第１ビア７１３が埋
め込まれている。また、パッド配線間絶縁層７１５上面
には、Ｃｕメッキからなる第２配線層７１７が形成さ
れ、第１ビア７１３を介してビア立設用パッド７７１と
接続している。さらに、第２配線層７１７の所定位置に
は、ワイヤボンディング法により、銅ワイヤからなる第
２ビア７１９が形成され、エポキシ樹脂からなる第２層
間絶縁層７２１に、この第２ビア７１９が埋め込まれて
いる。また、第２層間絶縁層７２１上面には、Ｃｕメッ
キからなる第３配線層７２３が形成され、第２ビア７１
９を介して第２配線層７１７と接続している。

【０１４３】従って、ビア立設用パッド７７１と第２配
線層７１７との間について着目すると、第２配線層７１
７は上部配線層となる。また、ビア立設用パッド７７１
と第２配線層７１７との間にはパッド配線間絶縁層７１
５が形成されており、ワイヤからなりパッド配線間絶縁
層７１５に埋め込まれた第１ビア７１３は、ビア立設用
パッド７１７と第２配線層（上部配線層）７１７とを接
続していることになる。

【０１４４】ついで、この配線基板７００の製造方法に
ついて簡単に説明する。まず、公知の手法により、図１
７(a) に示すような上記した内部構造を有するアルミナ
セラミック製の配線基板を形成し、ビア立設用パッド７
７１上面にはＮｉ／Ｃｕメッキ層を形成しておく。ビア
立設用パッド７７１の上面にＣｕ層を設けておくのは、
後述する銅ワイヤのボンディングにおいて、接続性を向
上させるためである。

【０１４５】ついで、上記実施形態１において、第１、
第２ビア１１３，１１４や第１、第２層間絶縁層１１
５，１１６を形成したのと同様にして、第１ビア７１３
や第１層間絶縁層７１５を形成する。まず、ビア立設用
パッド７７１の上面に、ワイヤボンディング法により銅
からなるワイヤを用いて、第１ビア７１３を形成する。
即ち、銅からなるワイヤの一端を固着し、さらに所定長
さに切断して立設し、第１ビア７１３とする。

【０１４６】その後、ベース基板上面７５０ａ上および
ビア立設用パッド７７１上に、カレンダーコート法によ
り、エポキシ樹脂ペーストを塗布し、第１ビア７１３を
立設したまま樹脂ペーストで埋めるようにする。さら
に、加熱して、エポキシ樹脂ペーストを硬化させ、パッ
ド配線間絶縁層７１５’を形成する。このように、ビア
（第１ビア）を形成するのに、ワイヤを用いたので、ビ
ア製造工程において、メッキや洗浄工程を経る必要が無
く、細い径の貫通孔内にメッキによってビアを形成する
場合よりも、確実にビアが形成できる。

【０１４７】このパッド配線間絶縁層７１５’の表面を
所定厚さに研磨し、図１７(c) に示すように、平坦に整
面し、パッド配線間絶縁層７１５を形成する。このと
き、第１ビア７１３の上端７１３ａが、パッド配線間絶
縁層上面７１５ａから露出するようにする。さらに、実
施形態１において、第１、第２配線層１１１，１１２を
形成したのと同様に、パッド配線間絶縁層の上面７１５
ａを粗化した上で、サブトラクティブ法により、パッド
配線間絶縁層上面７１５ａ上に、第２配線層７１７を形
成する。これにより、ビア立設用パッド７７１と、上部
配線層となる第２配線層７１７とが、パッド配線間絶縁
層７１５を挟んで形成されており、ビア立設用パッドと
上部配線層とを第１ビア７１３が接続した構造となる。

【０１４８】その後は、実施形態１において、第３、第
４ビア１１９，１２０、第３、第４層間絶縁層１２１，
１２２、および第５，第６配線層１２３、１２４を形成
したのと同様にして、第２ビア７１９、層間絶縁層７２
１、および第３配線層７２３を形成して、配線基板７０
０を完成させる。これにより、下部配線層となる第２配
線層７１７と、上部配線層となる第３配線層７２３と
が、層間絶縁層７２１を挟んで形成されており、この２
つの配線層を第２ビア７１９が接続した構造となる。

【０１４９】なお、第２ビア７１９を形成する位置が、
その下方に第１ビア７１３がある位置でも良いし、無い
位置でも良いことも実施形態１、６と同様である。従っ
て、第１ビアと第２ビアを積み重ねて、いわゆるスタッ
クドビアの構造を容易に形成できる。本実施形態の配線
基板７００は、剛性の高いセラミック配線基板をベース
基板７５０として用いたので、配線基板７００全体の剛
性が高くなり、曲げ等の応力に対して、変形しにくくな
る。従って、例えば、配線基板７００に集積回路チップ
等を取り付けた場合にも、撓み変形等によって、フリッ
プチップ接続部分が破断する等の不具合を生じにくく、
接続信頼性を高くすることが出来る。

【０１５０】上記実施形態４〜７においては、各絶縁層
を形成するのに、エポキシ樹脂ペーストを塗布して形成
した例を示したが、実施形態２において示したように、
ガラス不織布にエポキシ樹脂を含浸させたガラスエポキ
シのような複合材料を用いて、各絶縁層を形成しても良
いことは言うまでもない。なお、この場合には、実施形
態２に示したように、各金属柱やビアの位置に合わせ
て、予め貫通孔を形成しておくと良い。

【０１５１】以上においては、本発明を実施形態１〜７
に即して説明したが、本発明は、上記実施形態に限定さ
れるものではなく、本発明の範囲を逸脱しない限り、適
宜変更して適用することができることは言うまでもな
い。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態１にかかる配線基板の部分拡大断面図
である。

【図２】実施形態１にかかる配線基板の製造方法のう
ち、層間用金属柱を露出させる工程までを説明する説明
図である。

【図３】実施形態１にかかる配線基板の製造方法のう
ち、第１、第２ビアを埋め込む工程までを説明する説明
図である。

【図４】実施形態１にかかる配線基板の製造方法のう
ち、第３、第４ビアを露出させる工程までを説明する説
明図である。

【図５】実施形態２にかかる配線基板の製造方法のう
ち、層間用金属柱を露出させる工程までを説明する説明
図である。

【図６】実施形態２にかかる配線基板の製造方法のう
ち、第３、第４配線層を形成する工程までを説明する説
明図である。

【図７】実施形態２にかかる配線基板の部分拡大断面図
である。

【図８】実施形態４にかかる配線基板の部分拡大断面図
である。

【図９】実施形態４にかかる配線基板の製造方法のう
ち、層間用金属柱およびコア用金属柱を露出させる工程
までを説明する説明図である。

【図１０】実施形態４にかかる配線基板の製造方法のう
ち、第１、第２ビアを埋め込む工程までを説明する説明
図である。

【図１１】実施形態５にかかる配線基板の部分拡大断面
図である。

【図１２】実施形態５にかかる配線基板の製造方法のう
ち、層間用金属柱およびコア用金属柱を露出させる工程
までを説明する説明図である。

【図１３】実施形態５にかかる配線基板の製造方法のう
ち、第１、第２ビアを埋め込む工程までを説明する説明
図である。

【図１４】実施形態６にかかる配線基板の部分拡大断面
図である。

【図１５】実施形態６にかかる配線基板の製造方法のう
ち、第２配線層を形成する工程までを説明する説明図で
ある。

【図１６】実施形態７にかかる配線基板の部分拡大断面
図である。

【図１７】実施形態７にかかる配線基板の製造方法のう
ち、第２配線層を形成する工程までを説明する説明図で
ある。

【図１８】従来の配線基板の構造を説明するための部分
拡大断面図である。

【符号の説明】

１００、２００，３００，４００，５００，６００，７
００ 配線基板 １０１，２０１ 金属板 １０１ｈ，２０１ｈ 貫通孔 １０３，２０３ 第１絶縁層 １０５，２０５ 第２絶縁層 １０７，２０７ 孔内絶縁層 １０９，２０９ 層間用金属柱 １１１，２１１ 第１配線層 １１２，２１２ 第２配線層 １１３，２１３ 第１ビア １１４，２１４ 第２ビア １１５，２１５ 第１層間絶縁層 １１６，２１６ 第２層間絶縁層 １１７，２１７ 第３配線層 １１８，２１８ 第４配線層 １１９，２１９ 第３ビア １２０，２２０ 第４ビア １２１，２２１ 第３層間絶縁層 １２２，２２２ 第４層間絶縁層 １２３，２２３ 第５配線層 １２４，２２４ 第６配線層 ４０２，４０３、５０２，５０３ コア用金属柱 ５０１ コア基板 ６５０，７５０ ベース基板 ７７１ ビア立設用パッド

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西浦 光二 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日本特殊陶業株式会社内 (56)参考文献 特開 平６−21654（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H05K 3/46

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 上面及び下面を有し、複数の貫通孔を備
   えるコア基板と、 該貫通孔内に充填されてなる孔内絶縁層と、 上記コア基板の上面に形成された第１絶縁層と、 上記コア基板の下面に形成された第２絶縁層と、 上記第１絶縁層の上面に形成された複数の第１配線層
   と、 上記第２絶縁層の下面に形成された複数の第２配線層
   と、 上記第１絶縁層と孔内絶縁層と第２絶縁層とを貫通し、
   上記複数の第１配線層のうちのいずれかと上記複数の第
   ２配線層のうちのいずれかとを接続する金属柱であっ
   て、予め成形され、上記第１絶縁層、第２絶縁層および
   孔内絶縁層内に埋め込まれてなる層間用金属柱と、 を有することを特徴とする配線基板。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の配線基板であって、 前記コア基板は、少なくとも上面及び下面のいずれかが
   金属からなる金属表面コア基板であることを特徴とする
   配線基板。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の配線基板であって、 前記第１絶縁層を貫通し、前記複数の第１配線層のうち
   のいずれかと前記金属表面コア基板の金属からなる上面
   とを接続する金属柱であって、予め成形され、上記第１
   絶縁層内に埋め込まれてなる第１コア用金属柱、 および、前記第２絶縁層を貫通し、前記複数の第２配線
   層のうちのいずれかと前記金属表面コア基板の金属から
   なる下面とを接続する金属柱であって、予め成形され、
   上記第２絶縁層内に埋め込まれてなる第２コア用金属
   柱、 の少なくともいずれかを有することを特徴とする配線基
   板。
4. 【請求項４】 上面及び下面を有し、複数の貫通孔を備
   えるコア基板と、 底板と該底板の上面のうち上記コア基板の貫通孔に対応
   した位置に立設された層間用金属柱とを備える金属柱立
   設体とを、 上記コア基板の下面と上記底板の上面とを向き合わせて
   上記貫通孔内を上記層間用金属柱が貫通するようにして
   組み合わせ、 かつ、少なくとも上記コア基板の下面と上記底板の上面
   との間およびコア基板の上面上に未硬化絶縁物を配置す
   る工程と、 加熱して上記未硬化絶縁物を硬化させ、コア基板の下面
   側の第２絶縁層および上面側の第１絶縁層を形成する工
   程と、 上記底板を除去し、上記第１絶縁層の上面および第２絶
   縁層の下面を、それぞれ整面し、上記層間用金属柱の上
   端部及び下端部をそれぞれ露出させる工程と、 上記第１絶縁層の上面上および第２絶縁層の下面上に、
   上記露出させた層間用金属柱とそれぞれ接続する第１配
   線層および第２配線層を形成する工程と、 を有する配線基板の製造方法。
5. 【請求項５】 請求項４に記載の配線基板の製造方法で
   あって、 前記コア基板は、少なくとも前記上面及び下面のいすれ
   かが金属からなり、金属からなる上面に形成された第１
   コア用金属柱および金属からなる下面に形成された第２
   コア用金属柱の少なくともいずれかを有する金属表面コ
   ア基板であり、 前記層間用金属柱の上下端部を露出させる工程におい
   て、上記金属表面コア基板に形成された上記第１コア用
   金属柱および第２コア用金属柱の頂部をも露出させ、 前記第１、第２配線層を形成する工程において、上記露
   出させた第１、第２コア用金属柱と接続する第１、第２
   配線層をも形成する、 ことを特徴とする配線基板の製造方法。