JP3185947B2 - ガスセンサ - Google Patents
ガスセンサInfo
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Description
【０００１】
【発明の利用分野】この発明は薄膜ガスセンサに関し、
特にその経時特性の改良に関する。
特にその経時特性の改良に関する。
【０００２】
【従来技術】発明者らは、ＳｎＯ2薄膜の抵抗値を用い
たガスセンサを検討した。しかしながら得られたガスセ
ンサは経時安定性が低く、１カ月程度使用すると、抵抗
値が１０倍程度変化してしまった（図５参照）。そこで
発明者は、ＳｎＯ2薄膜への添加物により経時安定性を
改善することを試み、２３種の添加元素についてスクリ
ーニングを行った。その結果、Ｗ,Ｍｏ,ＶがＳｎＯ2薄
膜の経時安定性の改善に有効であることを見い出し、こ
の発明に到った。
たガスセンサを検討した。しかしながら得られたガスセ
ンサは経時安定性が低く、１カ月程度使用すると、抵抗
値が１０倍程度変化してしまった（図５参照）。そこで
発明者は、ＳｎＯ2薄膜への添加物により経時安定性を
改善することを試み、２３種の添加元素についてスクリ
ーニングを行った。その結果、Ｗ,Ｍｏ,ＶがＳｎＯ2薄
膜の経時安定性の改善に有効であることを見い出し、こ
の発明に到った。
【０００３】ここで関連する先行技術を示すと、特開昭
６３−３１３,０４８号公報は、ＳｎＯ2薄膜へのＺｎや
Ｐｂの添加が、Ｈ2Ｓ感度の向上に有効であることを示
している。発明者の実験では、スクリーニングした２３
種の元素の中で、ＺｎはＷ,Ｍｏ,Ｖに次いで、ＳｎＯ2
薄膜の安定化に有効であった。ＳｎＯ2／Ｚｎ系センサ
の経時特性を図４に示すと、ＳｎＯ2単味の薄膜に比べ
経時変化は抑制されているが、なお大きな経時変化があ
る。
６３−３１３,０４８号公報は、ＳｎＯ2薄膜へのＺｎや
Ｐｂの添加が、Ｈ2Ｓ感度の向上に有効であることを示
している。発明者の実験では、スクリーニングした２３
種の元素の中で、ＺｎはＷ,Ｍｏ,Ｖに次いで、ＳｎＯ2
薄膜の安定化に有効であった。ＳｎＯ2／Ｚｎ系センサ
の経時特性を図４に示すと、ＳｎＯ2単味の薄膜に比べ
経時変化は抑制されているが、なお大きな経時変化があ
る。
【０００４】
【発明の課題】この発明の課題は、経時変化が小さな薄
膜ガスセンサを提供することにある。
膜ガスセンサを提供することにある。
【０００５】
【発明の構成】この発明は、ＳnＯ2薄膜の抵抗値を用い
たガスセンサにおいて、前記のＳnＯ2薄膜を、Ｓｎ原子
に対する原子比でＷ，Ｍｏ，Ｖからなる群の少なくとも
一員の元素の酸化物を、０．１〜４０％添加した、膜厚
１００〜２０００ｎｍの薄膜としたことを特徴とする。
たガスセンサにおいて、前記のＳnＯ2薄膜を、Ｓｎ原子
に対する原子比でＷ，Ｍｏ，Ｖからなる群の少なくとも
一員の元素の酸化物を、０．１〜４０％添加した、膜厚
１００〜２０００ｎｍの薄膜としたことを特徴とする。
【０００６】Ｗ,Ｍｏ,ＶはいずれもＳｎＯ2薄膜の抵抗
値を安定化し、ガス感度については、ＷはＨ2Ｓやその
誘導体への感度を高め、Ｍｏはアルコール等の含酸素有
機化合物やアンモニアとその誘導体への感度を高める。
またＶは、アルコール等の化合物やアンモニア系化合物
への感度と、Ｈ2Ｓやその誘導体への感度とをバランス
させる。Ｗ,Ｍｏ,Ｖを比較すると、ＷやＭｏでは大きな
ガス感度が得られるのに対して、Ｖではガス感度が減少
する。添加量については４％を中心に実験し、０.１〜
４０％の範囲としたが、添加量を１０％超に増すとガス
感度が減少し、かつ高抵抗化する。一方添加量を０.５
％未満とすると、経時変化の抑制が不十分となる。この
結果、最も好ましい添加元素はＷとＭｏで、添加量は一
般的には０.１〜４０％、好ましくは０.５〜１０％とす
る。
値を安定化し、ガス感度については、ＷはＨ2Ｓやその
誘導体への感度を高め、Ｍｏはアルコール等の含酸素有
機化合物やアンモニアとその誘導体への感度を高める。
またＶは、アルコール等の化合物やアンモニア系化合物
への感度と、Ｈ2Ｓやその誘導体への感度とをバランス
させる。Ｗ,Ｍｏ,Ｖを比較すると、ＷやＭｏでは大きな
ガス感度が得られるのに対して、Ｖではガス感度が減少
する。添加量については４％を中心に実験し、０.１〜
４０％の範囲としたが、添加量を１０％超に増すとガス
感度が減少し、かつ高抵抗化する。一方添加量を０.５
％未満とすると、経時変化の抑制が不十分となる。この
結果、最も好ましい添加元素はＷとＭｏで、添加量は一
般的には０.１〜４０％、好ましくは０.５〜１０％とす
る。
【０００７】
【０００８】
【ガスセンサの構造と調製】図７に、薄膜ガスセンサの
構造を示す。図において、２はアルミナ基板、４はＳｎ
Ｏ2系の薄膜で、６,８は薄膜電極、１０はヒータであ
る。ガスセンサの構造自体は、任意である。
構造を示す。図において、２はアルミナ基板、４はＳｎ
Ｏ2系の薄膜で、６,８は薄膜電極、１０はヒータであ
る。ガスセンサの構造自体は、任意である。
【０００９】実施例のガスセンサは、次のようにして製
造した。２室の反応性スパッタリング装置を用い、基板
２を逆スパッタリングして清浄化した後に、第１のスパ
ッタリング室でＳｎＯ2ターゲットを用い、反応性スパ
ッタリングにより、ＳｎＯ2膜を約６００ｎｍ厚に成膜
した。第２のスパッタリング室では、Ｗ,Ｍｏ,Ｖ等の金
属ターゲットを用い、反応性スパッタリングにより、Ｗ
Ｏ3,ＭｏＯ3,Ｖ2Ｏ5等の薄膜をＳｎＯ2膜上に積層し
た。スパッタリング過程で基板は水冷し、スパッタリン
グガスはＯ2３０％−Ａｒ７０％の混合ガスを用いた。
スパッタリングはＲＦスパッタリングで行い、投入電力
は４００Ｗとした。成膜後のガスセンサを、空気中で５
００℃に１時間加熱し、成膜時の歪を除くと共に、結晶
成長を行わせた。
造した。２室の反応性スパッタリング装置を用い、基板
２を逆スパッタリングして清浄化した後に、第１のスパ
ッタリング室でＳｎＯ2ターゲットを用い、反応性スパ
ッタリングにより、ＳｎＯ2膜を約６００ｎｍ厚に成膜
した。第２のスパッタリング室では、Ｗ,Ｍｏ,Ｖ等の金
属ターゲットを用い、反応性スパッタリングにより、Ｗ
Ｏ3,ＭｏＯ3,Ｖ2Ｏ5等の薄膜をＳｎＯ2膜上に積層し
た。スパッタリング過程で基板は水冷し、スパッタリン
グガスはＯ2３０％−Ａｒ７０％の混合ガスを用いた。
スパッタリングはＲＦスパッタリングで行い、投入電力
は４００Ｗとした。成膜後のガスセンサを、空気中で５
００℃に１時間加熱し、成膜時の歪を除くと共に、結晶
成長を行わせた。
【００１０】スパッタリングガスの組成は、例えばＯ2
２０％−Ａｒ８０％〜Ｏ2８０％−Ａｒ２０％程度の範
囲で変えても良い。スパッタリングに変えて、ＣＶＤや
真空蒸着等の他の成膜法を用いても良く、基板の冷却や
加熱の有無は任意である。２室のスパッタリングに変え
て、ＳｎＯ2／Ｗ混合ターゲット等を用い、最初からほ
ぼ均一な組成の膜を成膜しても良く、また単味のＳｎＯ
2膜の成膜後に、ＷやＭｏ,Ｖの塩の溶液やこれらの元素
の有機金属化合物溶液に、ＳｎＯ2膜を浸し、熱分解し
てＷやＭｏ,Ｖの酸化物を担持させても良い。
２０％−Ａｒ８０％〜Ｏ2８０％−Ａｒ２０％程度の範
囲で変えても良い。スパッタリングに変えて、ＣＶＤや
真空蒸着等の他の成膜法を用いても良く、基板の冷却や
加熱の有無は任意である。２室のスパッタリングに変え
て、ＳｎＯ2／Ｗ混合ターゲット等を用い、最初からほ
ぼ均一な組成の膜を成膜しても良く、また単味のＳｎＯ
2膜の成膜後に、ＷやＭｏ,Ｖの塩の溶液やこれらの元素
の有機金属化合物溶液に、ＳｎＯ2膜を浸し、熱分解し
てＷやＭｏ,Ｖの酸化物を担持させても良い。
【００１１】ＳnＯ2系薄膜４の膜厚は、ＷやＭｏ，Ｖ酸
化物との合計膜厚で１００〜２０００ｎｍとし、薄膜４
にはこれ以外にＰｔやＰｄ等の貴金属触媒等を第３成分
として添加しても良い。
化物との合計膜厚で１００〜２０００ｎｍとし、薄膜４
にはこれ以外にＰｔやＰｄ等の貴金属触媒等を第３成分
として添加しても良い。
【００１２】
【測定条件】得られたガスセンサを３４０℃に加熱し、
２日間エージングした後に、測定を開始する。エージン
グ２日後のデータが初期特性で、経時特性の０日目に相
当する。特性は４〜５個のセンサの平均値で現し、測定
に用いたガス濃度は、原則としてＨ2ＳやＣＨ3ＳＨが各
３ｐｐｍ、エタノールやアンモニア,Ｈ2等のＨ2Ｓ系以
外のガスが各３００ｐｐｍである。センサは常時ヒータ
１０で３４０℃に保った。
２日間エージングした後に、測定を開始する。エージン
グ２日後のデータが初期特性で、経時特性の０日目に相
当する。特性は４〜５個のセンサの平均値で現し、測定
に用いたガス濃度は、原則としてＨ2ＳやＣＨ3ＳＨが各
３ｐｐｍ、エタノールやアンモニア,Ｈ2等のＨ2Ｓ系以
外のガスが各３００ｐｐｍである。センサは常時ヒータ
１０で３４０℃に保った。
【００１３】
【結果】図１〜図５に、経時特性に関するデータを示
す。抵抗値はＨ2Ｓ ３ｐｐｍ中の抵抗値の初期値を基準
として示した。センサは、単味のＳｎＯ2膜以外に、添
加元素として実施例のＷ,Ｍｏ,Ｖ、比較例のＺｎ,Ｃｕ,
Ａｌ,Ｉｎ,Ｓｂ,Ｂｉ,Ｐｂ,Ｃｅ,Ｎｂ,Ｔａ,Ｍｎ,Ｒｅ,
Ｎｉ,Ｙ,Ｓ,Ｍｇ,Ｆｅ,Ｃｒ,Ｒｕ,Ｃｏの合計２３種を
検討した。これらの添加元素は、添加量４％を中心に添
加量を変化させ、いずれも酸化物として担持されるよう
に添加した。
す。抵抗値はＨ2Ｓ ３ｐｐｍ中の抵抗値の初期値を基準
として示した。センサは、単味のＳｎＯ2膜以外に、添
加元素として実施例のＷ,Ｍｏ,Ｖ、比較例のＺｎ,Ｃｕ,
Ａｌ,Ｉｎ,Ｓｂ,Ｂｉ,Ｐｂ,Ｃｅ,Ｎｂ,Ｔａ,Ｍｎ,Ｒｅ,
Ｎｉ,Ｙ,Ｓ,Ｍｇ,Ｆｅ,Ｃｒ,Ｒｕ,Ｃｏの合計２３種を
検討した。これらの添加元素は、添加量４％を中心に添
加量を変化させ、いずれも酸化物として担持されるよう
に添加した。
【００１４】これらの内、経時変化の抑制に有効なの
は、実質的にＷ,Ｍｏ,Ｖの３種のみであった。図１にＳ
ｎＯ2／Ｗ（Ｗ／Ｓｎの原子比が４％）系センサの、９
０日間の経時特性を示す。同様に図２に、ＳｎＯ2／Ｍ
ｏ（Ｍｏ／Ｓｎの原子比が４％）系センサの９０日間の
経時特性を示す。また図３に、ＳｎＯ2／Ｖ（Ｖ／Ｓｎ
の原子比が２％）系センサの、９０日間の経時特性を示
す。
は、実質的にＷ,Ｍｏ,Ｖの３種のみであった。図１にＳ
ｎＯ2／Ｗ（Ｗ／Ｓｎの原子比が４％）系センサの、９
０日間の経時特性を示す。同様に図２に、ＳｎＯ2／Ｍ
ｏ（Ｍｏ／Ｓｎの原子比が４％）系センサの９０日間の
経時特性を示す。また図３に、ＳｎＯ2／Ｖ（Ｖ／Ｓｎ
の原子比が２％）系センサの、９０日間の経時特性を示
す。
【００１５】Ｗ,Ｍｏ,Ｖ以外の添加元素で、最も有効で
あったのはＺｎである。図４に、ＳｎＯ2／Ｚｎ（Ｚｎ
／Ｓｎの原子比が４％）系センサの経時特性を示す。比
較例の内でＺｎ以外の添加物では、図４よりもさらに経
時変化が著しい結果が得られた。また図５に、ＳｎＯ2
単味のセンサの経時特性を示す。
あったのはＺｎである。図４に、ＳｎＯ2／Ｚｎ（Ｚｎ
／Ｓｎの原子比が４％）系センサの経時特性を示す。比
較例の内でＺｎ以外の添加物では、図４よりもさらに経
時変化が著しい結果が得られた。また図５に、ＳｎＯ2
単味のセンサの経時特性を示す。
【００１６】図５から明らかなように、単味のＳｎＯ2
センサの経時安定性は著しく低く、これにＺｎを加えて
も経時安定性はなお不十分である。例えば図４のＳｎＯ
2／Ｚｎセンサでは、エタノール感度とＨ2Ｓ感度とが逆
転しクロスする。また９０日後のエタノール３００ｐｐ
ｍ中での抵抗値は、空気中での抵抗値の初期値に等し
い。
センサの経時安定性は著しく低く、これにＺｎを加えて
も経時安定性はなお不十分である。例えば図４のＳｎＯ
2／Ｚｎセンサでは、エタノール感度とＨ2Ｓ感度とが逆
転しクロスする。また９０日後のエタノール３００ｐｐ
ｍ中での抵抗値は、空気中での抵抗値の初期値に等し
い。
【００１７】これに対して図１〜図３の、ＳｎＯ2／Ｗ
やＳｎＯ2／Ｍｏ,ＳｎＯ2／Ｖのセンサははるかに安定
であり、ＳｎＯ2／ＷセンサではＨ2Ｓ感度やＣＨ3ＳＨ
感度が高いとの、特色のある相対感度が得られた。また
図２のＳｎＯ2／Ｍｏセンサでは、エタノールやアンモ
ニア,メチルアミン,アニリン,アセトン,酢酸エチルへの
感度が高く、相対感度はアンモニアとその誘導体,アル
コール等の含酸素有機化合物に高かった。図３のＳｎＯ
2／Ｖセンサでは、Ｈ2Ｓ感度とエタノール感度がバラン
スし、ガス選択性の低い結果が得られた。
やＳｎＯ2／Ｍｏ,ＳｎＯ2／Ｖのセンサははるかに安定
であり、ＳｎＯ2／ＷセンサではＨ2Ｓ感度やＣＨ3ＳＨ
感度が高いとの、特色のある相対感度が得られた。また
図２のＳｎＯ2／Ｍｏセンサでは、エタノールやアンモ
ニア,メチルアミン,アニリン,アセトン,酢酸エチルへの
感度が高く、相対感度はアンモニアとその誘導体,アル
コール等の含酸素有機化合物に高かった。図３のＳｎＯ
2／Ｖセンサでは、Ｈ2Ｓ感度とエタノール感度がバラン
スし、ガス選択性の低い結果が得られた。
【００１８】ＷやＭｏ添加量の影響を表１,表２に示
す。表から明らかなように、ＷやＭｏ,Ｖ等の添加物は
０.２〜３６％の添加量の範囲で実際に有効であるが、
０.６％以上の添加で経時特性が著しく改善され（表
２）、１０％超の添加では感度が急激に低下する（表
１,２）。このため添加量は好ましくは０.５〜１０％と
する。
す。表から明らかなように、ＷやＭｏ,Ｖ等の添加物は
０.２〜３６％の添加量の範囲で実際に有効であるが、
０.６％以上の添加で経時特性が著しく改善され（表
２）、１０％超の添加では感度が急激に低下する（表
１,２）。このため添加量は好ましくは０.５〜１０％と
する。
【００１９】
【表１】 表１ Ｗ添加量依存性 Ｗ添加量 初期感度 経時特性（７０日間）初期抵抗（％ atom／Ｓn atom）Ｈ2Ｓ（３ppm）（７０日後／初期値） Ｈ2Ｓ（３ppm） … ４０ １３５ ７．５ ０.２ ３０ ２５ ８ ０.８ １２ ３.５ １０ ２ １１ ２.６ ８ ４ ９ １.７ １０ ８ ８ １.５ ５０ ３５ ５ １.３ ８００ ＊ 感度は空気中とＨ2Ｓ３ppm中との抵抗値の比,測定
温度は３４０℃。 ＊ 経時特性はＨ2Ｓ３ppm中での抵抗値の変化を示す。 ＊ 抵抗値はＫΩ単位。
温度は３４０℃。 ＊ 経時特性はＨ2Ｓ３ppm中での抵抗値の変化を示す。 ＊ 抵抗値はＫΩ単位。
【００２０】
【表２】 表２ Ｍo添加量依存性 Ｍｏ添加量 初期感度 経時特性（７０日間）初期抵抗（％ atom／Ｓn atom）エタノール３００ppm（７０日後／初期値）Ｈ2Ｓ３ppm中 … ８.５ １４５ ７５ ０.３ １０ １８ １０ ０.６ １６ ２.６ ３０ ４ ９.５ １.７ ２５ ８ ８.５ １.４ ４０ １５ ６ １.５ １２０ ３６ ４ １.３ １５００ ＊ 感度は空気中とエタノール３００ppm中との抵抗値
の比,測定温度は３４０℃。 ＊ 経時特性はエタノール３００ppm中での抵抗値の変
化を示す。 ＊ 抵抗値はＫΩ単位。
の比,測定温度は３４０℃。 ＊ 経時特性はエタノール３００ppm中での抵抗値の変
化を示す。 ＊ 抵抗値はＫΩ単位。
【００２１】図６に、ＳｎＯ2／Ｗセンサ（Ｗ／Ｓｎ＝
４％）について、ガス濃度特性を示す。測定温度は３４
０℃で、より温度を下げるとＨ2ＳやＣＨ3ＳＨへの相対
感度が増し、エタノールやアンモニアへの相対感度が低
下した。図１〜図６のいずれの結果でも、Ｈ2感度は低
く、これ以外にＣＯ感度もＨ2感度と同様に低かった。
またiso−Ｃ4Ｈ10感度は極めて低く、現在までの結果で
は、Ｈ2Ｓとその誘導体、アルコール等の含酸素有機化
合物、アンモニアとその誘導体が主な検出対象となる。
４％）について、ガス濃度特性を示す。測定温度は３４
０℃で、より温度を下げるとＨ2ＳやＣＨ3ＳＨへの相対
感度が増し、エタノールやアンモニアへの相対感度が低
下した。図１〜図６のいずれの結果でも、Ｈ2感度は低
く、これ以外にＣＯ感度もＨ2感度と同様に低かった。
またiso−Ｃ4Ｈ10感度は極めて低く、現在までの結果で
は、Ｈ2Ｓとその誘導体、アルコール等の含酸素有機化
合物、アンモニアとその誘導体が主な検出対象となる。
【００２２】
【発明の効果】この発明では、経時変化が小さく、Ｈ2
ＳやＣＨ3ＳＨ等の硫化水素の誘導体、エタノール等の
アルコールやアセトン、アセトアルデヒド等の含酸素有
機化合物、アンモニアやメチルアミン,アニリン等のア
ンモニア誘導体に高感度な薄膜ガスセンサが得られる。
ＳやＣＨ3ＳＨ等の硫化水素の誘導体、エタノール等の
アルコールやアセトン、アセトアルデヒド等の含酸素有
機化合物、アンモニアやメチルアミン,アニリン等のア
ンモニア誘導体に高感度な薄膜ガスセンサが得られる。
【図１】 実施例のＳｎＯ2／Ｗ系薄膜センサの、動
作温度３４０℃での９０日間の経時特性を示す特性図
作温度３４０℃での９０日間の経時特性を示す特性図
【図２】 実施例のＳｎＯ2／Ｍｏ系薄膜センサの、
動作温度３４０℃での９０日間の経時特性を示す特性図
動作温度３４０℃での９０日間の経時特性を示す特性図
【図３】 実施例のＳｎＯ2／Ｖ系薄膜センサの、動
作温度３４０℃での９０日間の経時特性を示す特性図
作温度３４０℃での９０日間の経時特性を示す特性図
【図４】 従来例のＳｎＯ2／Ｚｎ系薄膜センサの、
動作温度３４０℃での９０日間の経時特性を示す特性図
動作温度３４０℃での９０日間の経時特性を示す特性図
【図５】 従来例のＳｎＯ2単味の薄膜センサの、動
作温度３４０℃での９０日間の経時特性を示す特性図
作温度３４０℃での９０日間の経時特性を示す特性図
【図６】 実施例のＳｎＯ2／Ｗ系薄膜センサの、動
作温度３４０℃でのガス濃度特性を示す特性図
作温度３４０℃でのガス濃度特性を示す特性図
【図７】 実施例の薄膜ガスセンサの断面図
２ 基板 ４ 金属酸化物半導体薄膜 ６，８ 薄膜電極 １０ ヒータ
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭52−70892（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−50168（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−100752（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−100753（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−171352（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01N 27/12
Claims (3)
- 【請求項１】 ＳnＯ2薄膜の抵抗値を用いたガスセンサ
において、 前記のＳnＯ2薄膜を、Ｓｎ原子に対する原子比でＷ，Ｍ
ｏ，Ｖからなる群の少なくとも一員の元素の酸化物を、
０．１〜４０％添加した、膜厚１００〜２０００ｎｍの
薄膜としたことを特徴とするガスセンサ。 - 【請求項２】 前記の添加元素をＷとしたことを特徴と
する、請求項１のガスセンサ。 - 【請求項３】 前記の添加元素をＭｏとしたことを特徴
とする、請求項１のガスセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18318092A JP3185947B2 (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | ガスセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18318092A JP3185947B2 (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | ガスセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH063310A JPH063310A (ja) | 1994-01-11 |
| JP3185947B2 true JP3185947B2 (ja) | 2001-07-11 |
Family
ID=16131175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18318092A Expired - Fee Related JP3185947B2 (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | ガスセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3185947B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
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|---|---|---|---|---|
| DE4439754A1 (de) * | 1994-10-31 | 1996-05-02 | Kossbiel Ernst | Hochwasserschutzelement aus Stahl |
| JP5906531B2 (ja) * | 2012-02-10 | 2016-04-20 | 新コスモス電機株式会社 | 半導体式ガス検知素子 |
| JP2015034796A (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-19 | 新コスモス電機株式会社 | 半導体式ガス検知素子 |
| CN103995026B (zh) * | 2014-05-29 | 2016-03-30 | 华中师范大学 | 基于酒精分子印迹机制设计高性能酒精气体传感器及其制备方法 |
| CN105116024A (zh) * | 2015-08-31 | 2015-12-02 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种基于薄膜技术的电力变压器油中氢气在线监测系统 |
| CN109613100A (zh) * | 2018-12-07 | 2019-04-12 | 吉林大学 | 基于三维蛋白石结构SnO2-ZnO复合物纳米敏感材料的丙酮气体传感器及其制备方法 |
| KR102278741B1 (ko) * | 2019-06-05 | 2021-07-16 | 경북대학교 산학협력단 | 황화수소 센서 및 이의 제조방법 |
| CN114577860B (zh) * | 2022-01-14 | 2024-01-30 | 浙江大学 | 一种金属氧化物低温氢气敏感材料及其制备方法 |
-
1992
- 1992-06-16 JP JP18318092A patent/JP3185947B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH063310A (ja) | 1994-01-11 |
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