JP3181128B2 - Semiconductor process equipment - Google Patents
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子製造プロセ
スにおいて使用されるウエハ搬送用カセットおよび半導
体プロセス装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer transfer cassette and a semiconductor processing apparatus used in a semiconductor device manufacturing process.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般にウエハプロセスは、洗浄工程、酸
化工程、不純物導入工程、薄膜形成工程等のいくつかの
基本工程の組み合せからなり、それらがリソグラフィ工
程を軸として反復して行なわれる。そして、上記各工程
の処理はそれぞれ洗浄装置、酸化装置、イオン注入装
置、薄膜形成装置等のプロセス装置で行なわれている。
従来、これらプロセス装置間のウエハの搬送はウエハケ
ースによって行なわれており、搬送されたウエハのプロ
セス装置への着脱は、ピンセット、真空ピンセット、搬
送用アーム等により直接触って行なっていた。2. Description of the Related Art Generally, a wafer process comprises a combination of several basic steps such as a cleaning step, an oxidation step, an impurity introduction step, a thin film formation step, and the like, which are repeatedly performed with a lithography step as an axis. The processing in each of the above steps is performed by a processing device such as a cleaning device, an oxidation device, an ion implantation device, and a thin film forming device.
Conventionally, the transfer of a wafer between these process devices is performed by a wafer case, and the transfer of the transferred wafer to and from the process device is performed by direct contact with tweezers, vacuum tweezers, a transfer arm, or the like.
【0003】上述したプロセス装置のうち、ウエハに多
孔質化を行なうための、従来の陽極化成装置について以
下に説明する。[0003] Among the above-mentioned process apparatuses, a conventional anodizing apparatus for making a wafer porous will be described below.
【0004】図5は、従来の陽極化成装置の一例の概略
断面図である。図5に示すように、この陽極化成装置
は、内部に正電極501が配置された下槽503と、内
部に負電極502が配置された上槽504とを有し、S
iからなるウエハ512は、下槽503と上槽504と
の間に挟まれて装着される。また、上槽504および下
槽503の、ウエハ512が接触する部位には、それぞ
れ上槽シール506および下槽シール505が設けられ
ている。FIG. 5 is a schematic sectional view of an example of a conventional anodizing apparatus. As shown in FIG. 5, this anodizing apparatus has a lower tank 503 in which a positive electrode 501 is disposed, and an upper tank 504 in which a negative electrode 502 is disposed.
The wafer 512 made of i is mounted between the lower tank 503 and the upper tank 504. Further, upper tank seal 506 and lower tank seal 505 are provided in the upper tank 504 and the lower tank 503 at portions where the wafers 512 come into contact with each other.
【0005】この陽極化成装置にウエハ512を装着す
る際には、まず、ウエハ512が載置された搬送用アー
ム508を上槽504と下槽503との間に移動させ、
さらに下方に移動させて下槽503上にウエハ512を
載置する。次に、搬送用アーム508を取り去り、上槽
504を降下させてウエハ512に押圧する。これによ
り、上槽504および下槽503はそれぞれ密閉され
る。When the wafer 512 is mounted on the anodizing apparatus, first, the transfer arm 508 on which the wafer 512 is mounted is moved between the upper tank 504 and the lower tank 503.
The wafer 512 is further moved downward to place the wafer 512 on the lower tank 503. Next, the transfer arm 508 is removed, and the upper tank 504 is lowered and pressed against the wafer 512. Thereby, the upper tank 504 and the lower tank 503 are each sealed.
【0006】そして、密閉された上槽504にHF溶液
を満たし、ウエハ512と負電極502との間の電気的
な接触をとる。一方、下槽503には電解液を満たし、
ウエハ512と正電極501との間の電気的な接触をと
る。この状態で各電極501、502間に電位を与える
と、ウエハ512の上面がHF溶液により多孔質化され
る。Then, the sealed upper tank 504 is filled with an HF solution, and an electrical contact is established between the wafer 512 and the negative electrode 502. On the other hand, the lower tank 503 is filled with an electrolyte,
An electrical contact is made between the wafer 512 and the positive electrode 501. When a potential is applied between the electrodes 501 and 502 in this state, the upper surface of the wafer 512 is made porous by the HF solution.
【0007】図6は、従来の陽極化成装置の他の例の概
略断面図である。この陽極化成装置は、下槽603の内
部に、レバー613aの動作により上下方向に移動可能
に設けられた押し当て機構613を有する。その他の構
成については、図5に示したものと同様である。この陽
極化成装置にウエハ612を装着する際には、押し当て
機構613の上端を下槽603の上端より突出させた状
態で、搬送用アーム608によりウエハ612を押し当
て機構613に載置し、搬送用アーム608を取り去
る。次に、押し当て機構613を降下させてウエハ61
2を下槽603上に載置させる。それ以降は、図5に示
したものと同様にしてウエハ612の上面の多孔質化を
行なう。FIG. 6 is a schematic sectional view of another example of the conventional anodizing apparatus. This anodizing apparatus has a pressing mechanism 613 provided inside the lower tank 603 so as to be vertically movable by the operation of a lever 613a. Other configurations are the same as those shown in FIG. When mounting the wafer 612 on this anodizing apparatus, the wafer 612 is placed on the pressing mechanism 613 by the transfer arm 608 with the upper end of the pressing mechanism 613 protruding from the upper end of the lower tank 603. The transfer arm 608 is removed. Next, the pressing mechanism 613 is lowered and the wafer 61 is pressed.
2 is placed on the lower tank 603. Thereafter, the upper surface of the wafer 612 is made porous in the same manner as shown in FIG.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たウエハプロセスでは、ウエハをプロセス装置に装着す
る際に一度ウエハを収納しているウエハケースからウエ
ハを搬送用アーム等で保持し、それから装置への装着お
よび取り外しを行なう二段階の操作となり、しかも各工
程毎に前記搬送用アーム等がウエハを保持するので、ウ
エハにパーティクルが付着したり傷が発生しやすいとい
う問題点があった。またプロセス装置においては、取り
扱いを慎重に行なうべきウエハを直接取り扱わなければ
ならず、構造が非常に複雑なものになってしまうという
問題点もあった。However, in the above-described wafer process, when a wafer is mounted on a processing apparatus, the wafer is once held by a transfer arm or the like from a wafer case containing the wafer and then transferred to the apparatus. This involves a two-stage operation of mounting and removing, and furthermore, since the transfer arm or the like holds the wafer for each process, there is a problem that particles are easily attached to the wafer and scratches are easily generated. Further, in a process apparatus, there is a problem that a wafer to be carefully handled must be directly handled, and the structure becomes very complicated.
【0009】上述した各問題点は、ウエハへの陽極化成
工程に限らず、イオン注入工程、洗浄工程、および薄膜
形成工程等においても同様に発生する。The above-described problems occur not only in the anodization step for a wafer but also in the ion implantation step, the cleaning step, the thin film forming step, and the like.
【0010】特に図5に示した陽極化成装置において
は、搬送用アームがウエハを支持している部位よりも内
側に下槽シールがなければウエハを下槽に載置すること
ができないので、電解液とウエハとの接触面積が小さく
なる。これにより、ウエハ周端部での電界が不均一にな
り、ウエハの多孔質化の速度がウエハ周端部では中心部
より遅くなるという問題点があった。In particular, in the anodizing apparatus shown in FIG. 5, the wafer cannot be placed on the lower tank unless the lower arm seal is provided inside the portion where the transfer arm supports the wafer. The contact area between the liquid and the wafer is reduced. As a result, the electric field at the peripheral edge of the wafer becomes non-uniform, and the speed of making the wafer porous is slower at the peripheral edge of the wafer than at the center.
【0011】一方、図6に示した陽極化成装置では、押
し当て機構を設けることにより下槽シールの位置を、搬
送用アームがウエハを支持している部位と同じ位置とす
ることができるので、電解液とウエハとの接触面積を大
きくすることができるものの、下槽に押し当て機構が設
けられることによりウエハにかかる電界の不均一、液流
の乱れを発生し、多孔質化の速度がウエハ面内で不均一
になるという問題点があった。また、押し当て機構を設
けることにより装置構成が複雑になるという問題点もあ
った。On the other hand, in the anodizing apparatus shown in FIG. 6, the position of the lower tank seal can be set to the same position as the position where the transfer arm supports the wafer by providing the pressing mechanism. Although the contact area between the electrolyte and the wafer can be increased, the provision of a pressing mechanism in the lower tank causes non-uniformity of the electric field applied to the wafer and disturbance of the liquid flow, and the speed of making the wafer porous increases. There is a problem that the surface becomes uneven. In addition, there is another problem that the configuration of the apparatus becomes complicated by providing the pressing mechanism.
【0012】そこで本発明は、簡単な構造でウエハへの
パーティクルの付着や傷の発生を抑えることを可能とす
る半導体プロセス装置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a semiconductor processing apparatus capable of suppressing the attachment of particles to a wafer and the generation of scratches with a simple structure.
【0013】[0013]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の半導体プロセス装置は、ウエハ載置部に着脱可
能な平板状の部材からなるウエハ搬送用カセットと電解
液を収容するための上槽と下槽とを具備し、前記電解液
を用いてウエハを処理する半導体プロセス装置であっ
て、前記ウエハ搬送用カセットは、前記平板状の部材に
形成された、処理すべきウエハが前記平板状の部材の一
面側からのみ挿入可能な開口と、前記開口に挿入された
ウエハの外周縁部を支持するために、前記開口の内側壁
に一体的に設けられた支持部とを有し、 前記上槽と前記
下槽との間の前記ウエハ載置部に前記上槽と前記下槽と
で挟まれて装着されることを特徴とする。 In order to achieve the above object, a semiconductor processing apparatus according to the present invention is detachable from a wafer mounting portion.
Transfer cassette consisting of functional plate-shaped member and electrolysis
An upper tank and a lower tank for containing a liquid,
Semiconductor processing equipment that processes wafers using
The wafer transfer cassette includes an opening formed in the plate-shaped member, into which a wafer to be processed can be inserted only from one side of the plate-shaped member, and an outer peripheral edge of the wafer inserted into the opening. parts to support, have a support part which is provided integrally with the inner wall of the opening, the said upper tank
The upper tank and the lower tank in the wafer mounting portion between the lower tank
It is characterized by being sandwiched between and attached.
【0014】また、前記支持部が前記開口の内側壁の全
周にわたって設けられるとともに、前記支持部の前記ウ
エハとの接触部にはシール部材が設けられているもので
あってもよい。 Further, the support portion may be provided all around the inner wall of the opening, and a seal member may be provided at a contact portion of the support portion with the wafer .
【0015】さらに、前記半導体プロセス装置は、正電
極と負電極とを有する陽極化成装置であってもよい。 Further, the semiconductor processing device may be
An anodizing apparatus having a pole and a negative electrode may be used.
【0016】[0016]
【作用】上記のとおり構成された本発明の半導体プロセ
ス装置では、処理すべきウエハは、ウエハ搬送用カセッ
トの平板状の部材に形成された開口に挿入され、開口の
内側壁に一体的に設けられた支持部により外周縁部が支
持される。このようにしてウエハを支持したウエハ搬送
用カセットは、上槽と下槽との間のウエハ載置部に、上
槽と下槽とで挟まれて装着される。これにより、ウエハ
をウエハ搬送用カセットにセットしたまま槽の内部に電
解液を満たすことができる。つまり、ウエハをウエハ搬
送用カセットの開口に一度セットすれば、それ以降はウ
エハに接触することなくウエハプロセスが行われ、ウエ
ハへのパーティクルの付着や傷の発生が抑えられる。 According to the present invention, there is provided a semiconductor processor configured as described above.
In scan device, a wafer to be processed, a wafer carrying cassette
The opening is formed in an opening formed in the flat plate-like member, and the outer peripheral edge is supported by a support portion integrally provided on the inner side wall of the opening. Wafer transfer supporting the wafer in this way
Cassette is placed on the wafer mounting section between the upper and lower tanks.
It is mounted between the tank and the lower tank. As a result, the wafer is charged into the tank while the wafer is set in the wafer transfer cassette.
Fill solution can be filled. That is, once the wafer is set in the opening of the wafer transfer cassette, the wafer process is performed thereafter without contacting the wafer, and the adhesion of particles to the wafer and the generation of scratches are suppressed.
【0017】[0017]
【0018】[0018]
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0019】(第1実施例)図1は、本発明のウエハ搬
送用カセット(以下、「ウエハカセット」という。)の
第1実施例を用いた陽極化成装置の概略断面図である。
この陽極化成装置はウエハプロセスに用いられるプロセ
ス装置の一例で、半導体素子製造工程のうちウエハ11
2の表面に多孔質化を行なうためのものである。図1に
示すように、陽極化成装置のベース100には、正電極
101を介して筒状の下槽103が固定されている。下
槽103には、ウエハ112の多孔質化の際に下槽10
3に注入される電解液を循環させるための電解液循環路
110が形成されるとともに、ウエハ載置部である下槽
103の上端面には、その全周にわたって下槽シール1
05が設けられている。(First Embodiment) FIG. 1 is a schematic sectional view of an anodizing apparatus using a first embodiment of a wafer transfer cassette (hereinafter, referred to as "wafer cassette") of the present invention.
This anodizing apparatus is an example of a processing apparatus used for a wafer process, and includes a wafer 11 in a semiconductor element manufacturing process.
2 to make the surface porous. As shown in FIG. 1, a cylindrical lower tank 103 is fixed to a base 100 of the anodizing apparatus via a positive electrode 101. The lower tank 103 contains a lower tank 10 when the wafer 112 is made porous.
An electrolyte circulation path 110 for circulating the electrolyte injected into the lower tank 103 is formed on the upper end surface of the lower tank 103 serving as a wafer mounting portion.
05 is provided.
【0020】下槽103の上方には筒状の上槽104が
上下方向に移動可能に設けられており、上槽104の上
端は、上槽104の上端面に固定された負電極102に
よって塞がれている。上槽104にも、下槽103と同
様にウエハ112の多孔質化の際に上槽104に注入さ
れるHF溶液を循環させるためのHF溶液循環路109
が形成されるとともに、上槽104の下端面の、ウエハ
112の外周部と当接する部位には、その全周にわたっ
て上槽シール106が設けられている。また、上槽10
4および下槽103の内部には、それぞれに注入される
HF溶液および電解液を層流化させるための層流化メッ
シュ111が設けられている。Above the lower tank 103, a cylindrical upper tank 104 is provided movably in the vertical direction. The upper end of the upper tank 104 is closed by a negative electrode 102 fixed to the upper end surface of the upper tank 104. Is peeling. Similarly to the lower tank 103, the HF solution circulation path 109 for circulating the HF solution injected into the upper tank 104 when the wafer 112 is made porous is provided in the upper tank 104.
Is formed, and an upper tank seal 106 is provided over the entire periphery of the lower end surface of the upper tank 104 at a portion in contact with the outer peripheral portion of the wafer 112. In addition, the upper tank 10
A laminarized mesh 111 for laminarizing the HF solution and the electrolytic solution respectively injected therein is provided inside the lower tank 4 and the lower tank 103.
【0021】一方、ウエハ112を載置したウエハカセ
ット108は、下槽103と上槽104との間に移動可
能に設けられている。以下に、このウエハカセット10
8の構成について図2を参照して説明する。図2は、図
1に示したウエハカセットの概略斜視図である。図2に
示すように、ウエハカセット108は平板状の部材から
なり、その中央部には、ウエハ112(図1参照)がは
め込まれる、ウエハ112の外形と同形状の開口108
aが形成されている。開口108aの内側壁の下部に
は、開口108aにはめ込まれたウエハ112の外周縁
部を支持するための支持部としての段差部108bが、
開口108aの内側壁の全周にわたって一体的に設けら
れている。そして、段差部108bの上面には、その全
周にわたってシール部材としてのウエハシール107が
設けられ、ウエハ112はこのウエハシール107上に
載置される。On the other hand, the wafer cassette 108 on which the wafers 112 are placed is movably provided between the lower tank 103 and the upper tank 104. Below, this wafer cassette 10
8 will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a schematic perspective view of the wafer cassette shown in FIG. As shown in FIG. 2, the wafer cassette 108 is formed of a plate-shaped member, and has an opening 108 having the same shape as the outer shape of the wafer 112, in the center of which a wafer 112 (see FIG. 1) is fitted.
a is formed. At the lower portion of the inner wall of the opening 108a, a step portion 108b as a supporting portion for supporting the outer peripheral edge of the wafer 112 fitted into the opening 108a is provided.
It is provided integrally over the entire circumference of the inner wall of the opening 108a. A wafer seal 107 is provided on the upper surface of the step portion 108b as a seal member over the entire periphery thereof, and the wafer 112 is placed on the wafer seal 107.
【0022】上述した構成に基づいて、ウエハ112を
載置したウエハカセット108は、下槽103と上槽1
04との間に移動され、そのまま下槽103上に載置さ
れる。ウエハカセット108が下槽103上に載置され
たら、ウエハカセット108に上槽104をかぶせ、上
槽104の自重あるいは加圧手段(不図示)により、上
槽104に下向きの力を加える。これにより、ウエハ1
12と上槽シール106とが密着し、上槽104の内部
が密閉される。同様に、ウエハ112とウエハシール1
07とが密着するとともに、ウエハカセット108と下
槽シール105とが密着し、下槽103の内部が密閉さ
れる。Based on the above-described configuration, the wafer cassette 108 on which the wafers 112 are placed is placed in the lower tank 103 and the upper tank 1.
04 and is placed on the lower tank 103 as it is. When the wafer cassette 108 is placed on the lower tank 103, the upper tank 104 is put on the wafer cassette 108, and a downward force is applied to the upper tank 104 by the weight of the upper tank 104 or by a pressing means (not shown). Thereby, the wafer 1
12 and the upper tank seal 106 adhere to each other, and the inside of the upper tank 104 is sealed. Similarly, the wafer 112 and the wafer seal 1
07, the wafer cassette 108 and the lower tank seal 105 are in close contact, and the inside of the lower tank 103 is sealed.
【0023】上槽104および下槽103を密閉後、上
槽104にHF溶液を満たし、ウエハ112と負電極1
02との間の電気的な接触をとる。一方、下槽103に
は電解液を満たし、ウエハ112と正電極101との間
の電気的な接触をとる。このとき、上槽104に満たさ
れたHF溶液は、HF溶液循環路109により循環され
るとともに、上槽104内に設けられた層流化メッシュ
111によって層流となりウエハ112にあてられる。
同様に、下層103に満たされた電解液は、電解液循環
路110により循環されるとともに、下槽103内に設
けられた層流化メッシュ111によって層流となりウエ
ハ112にあてられる。この状態で各電極101、10
2間に電位を与えると、HF溶液によりウエハ112の
上面の多孔質化が行なわれる。After sealing the upper tank 104 and the lower tank 103, the upper tank 104 is filled with an HF solution, and the wafer 112 and the negative electrode 1 are filled.
02 and make electrical contact with it. On the other hand, the lower tank 103 is filled with an electrolytic solution to make electrical contact between the wafer 112 and the positive electrode 101. At this time, the HF solution filled in the upper tank 104 is circulated by the HF solution circulation path 109, and becomes a laminar flow by the laminar mesh 111 provided in the upper tank 104, and is applied to the wafer 112.
Similarly, the electrolyte solution filled in the lower layer 103 is circulated through the electrolyte circulation path 110, and becomes a laminar flow by the laminar mesh 111 provided in the lower tank 103, and is applied to the wafer 112. In this state, each of the electrodes 101, 10
When a potential is applied between the two, the upper surface of the wafer 112 is made porous by the HF solution.
【0024】上述したように本実施例では、ウエハ11
2をウエハカセット108上に載置したままウエハ11
2の多孔質化を行なうことができるので、ウエハ112
の表面に触れることなくウエハ112の陽極化成装置へ
の装着および取り外しが行なえ、ウエハ112の表面の
汚染や傷の発生を抑えることができる。また、ウエハ1
12の裏面はわずかな面積で支持されているので、ウエ
ハ112に電界を均一に印加することができ、ウエハ1
12の多孔質化の速度をウエハ面内で均一にすることが
できる。As described above, in this embodiment, the wafer 11
2 while the wafer 11 is placed on the wafer cassette 108.
2 can be made porous, the wafer 112
The wafer 112 can be attached to and detached from the anodizing apparatus without touching the surface of the wafer 112, so that contamination and scratches on the surface of the wafer 112 can be suppressed. Also, wafer 1
12 is supported by a small area, an electric field can be uniformly applied to the wafer 112, and the wafer 1
12 can be made uniform in the wafer plane.
【0025】なお、ウエハ112の陽極化成によってH
F溶液中にパーティクルが増えることが実験により確認
されており、その数は、大きさが0.2μm以上のもの
でHF溶液1cc中に数千個である。そこで、このパー
ティクルによるウエハ112の表面の汚染を減らすため
には、HF溶液循環路109中にフィルタリングの機構
を備え、HF溶液中のパーティクルを濾過することが効
果的である。It should be noted that the anodization of the wafer 112 causes H
It has been confirmed by experiments that particles increase in the F solution, and the number thereof is 0.2 μm or more and is several thousand in 1 cc of the HF solution. Therefore, in order to reduce the contamination of the surface of the wafer 112 by the particles, it is effective to provide a filtering mechanism in the HF solution circulation path 109 to filter the particles in the HF solution.
【0026】本実施例では、ウエハカセット108を陽
極化成工程に取り入れた例を説明したが、その前後の工
程にも取り入れれば、ウエハ112はウエハカセット1
08から取り外すことなく複数の工程を経ることがで
き、ウエハ112の表面の汚染や傷の発生をより抑える
ことができる。さらに、工程間でのウエハ112のウエ
ハカセット108からの着脱が必要なくなることから、
ウエハ112の取り扱いが容易になるので、前工程の終
了から次工程の開始までの時間も短縮することができ、
ウエハ112の処理を効率的に行なうことができる。例
えば、本実施例で述べた陽極化成工程が終了したら、陽
極化成を終了したウエハ112をウエハカセット108
に載置したまま洗浄装置に移すことで、ウエハ112の
ウエハカセット108からの着脱を必要とせずに次工程
の洗浄を行なうことができる。この場合、洗浄装置はウ
エハ112をウエハカセット108ごと着脱できる構造
となっている必要がある。同様に、イオン注入装置や薄
膜形成装置等、他のプロセス装置に取り入れる場合も、
ウエハ112をウエハカセット108ごと着脱できる構
造となっている必要がある。In the present embodiment, an example in which the wafer cassette 108 is incorporated in the anodizing step is described.
A plurality of steps can be performed without detaching from the wafer 08, and the occurrence of contamination and scratches on the surface of the wafer 112 can be further suppressed. Further, since it is not necessary to attach and detach the wafer 112 from the wafer cassette 108 between processes,
Since the handling of the wafer 112 is facilitated, the time from the end of the previous process to the start of the next process can also be reduced,
The processing of the wafer 112 can be performed efficiently. For example, when the anodization step described in the present embodiment is completed, the wafer 112 that has been subjected to the anodization is transferred to the wafer cassette 108.
By transferring the wafer 112 to the cleaning apparatus while the wafer 112 is placed on the wafer, the wafer 112 can be cleaned in the next step without having to remove the wafer 112 from the wafer cassette 108. In this case, the cleaning device needs to have a structure in which the wafer 112 can be attached and detached together with the wafer cassette 108. Similarly, when incorporating into other process equipment such as ion implantation equipment and thin film formation equipment,
It is necessary to have a structure in which the wafer 112 can be attached and detached together with the wafer cassette 108.
【0027】(第2実施例)第1実施例では、陽極化成
装置にも使用できるウエハカセットについて説明した
が、本実施例では、液体のシールを必要とする工程を経
ない場合、すなわち、イオン注入、洗浄、蒸着等液体の
シールを必要としない工程で使用されるウエハカセット
について説明する。(Second Embodiment) In the first embodiment, a wafer cassette which can be used in an anodizing apparatus has been described. However, in this embodiment, when a process which requires a liquid seal is not performed, A wafer cassette used in a process that does not require a liquid seal such as injection, cleaning, and vapor deposition will be described.
【0028】図3は、本発明のウエハカセットの第2実
施例の概略斜視図である。本実施例のウエハカセット2
08は、第1実施例のものと同様の開口208aおよび
段差部108bが形成されている他に、ウエハカセット
208の側壁の一部位から開口208aに達する切込み
208cが形成されている。これにより、真空ピンセッ
トや台を用いて、ウエハをウエハカセット208に容易
に着脱できるようになる。FIG. 3 is a schematic perspective view of a second embodiment of the wafer cassette according to the present invention. Wafer cassette 2 of the present embodiment
In addition to the opening 208a and the step portion 108b similar to those of the first embodiment, a notch 08c is formed from one portion of the side wall of the wafer cassette 208 to the opening 208a. Thus, the wafer can be easily attached to and detached from the wafer cassette 208 using vacuum tweezers or a table.
【0029】(第3実施例)図4は、本発明のウエハカ
セットの第3実施例の概略斜視図である。本実施例のウ
エハカセット308は、第1実施例のものと同様の開口
308aが4つ形成されたものである。各開口308a
にはそれぞれ、第1実施例のものと同様の段差部308
bが形成されるとともに、各段差部308bの上面にそ
れぞれウエハシール307が設けられている。これによ
り、1つのウエハカセット308で4枚のウエハを載置
することができるので、より効率的にウエハの処理を行
なうことができる。(Third Embodiment) FIG. 4 is a schematic perspective view of a wafer cassette according to a third embodiment of the present invention. The wafer cassette 308 of the present embodiment has four openings 308a similar to those of the first embodiment. Each opening 308a
Have step portions 308 similar to those of the first embodiment.
b is formed, and a wafer seal 307 is provided on the upper surface of each step portion 308b. Thus, four wafers can be placed in one wafer cassette 308, so that wafer processing can be performed more efficiently.
【0030】本実施例では、4枚のウエハが載置可能な
ウエハカセット308の例を示したが、その数は必要に
応じて増減してもよい。また、液体のシールを必要とし
ない工程で使用される場合には、各ウエハシール307
は必ずしも必要なものではなく、さらに、各開口308
a毎に第2実施例で述べた切込み208c(図3参照)
を形成してもよい。In this embodiment, an example of the wafer cassette 308 on which four wafers can be placed has been described, but the number may be increased or decreased as needed. When used in a process that does not require a liquid seal, each wafer seal 307 may be used.
Is not always necessary, and furthermore, each opening 308
The cut 208c described in the second embodiment for each a (see FIG. 3)
May be formed.
【0031】[0031]
【発明の効果】本発明は以上説明したとおり構成されて
いるので、以下に記載する効果を奏する。Since the present invention is configured as described above, the following effects can be obtained.
【0032】本発明の半導体プロセス装置は、ウエハ搬
送用カセットが、ウエハが挿入される開口と、開口に挿
入されたウエハを支持する支持部とを有し、上槽と下槽
との間のウエハ載置部に上槽と下槽とで挟まれて装着さ
れる構成とすることで、ウエハをウエハ搬送用カセット
に一度セットすれば、それ以降はウエハに接触すること
なくウエハへの処理を行うことができるので、ウエハへ
のパーティクルの付着や傷の発生を抑えることができ
る。しかも、ウエハの、各工程間の搬送をウエハ搬送用
カセットごと行うことができるので、ウエハの取り扱い
が容易になり、ウエハの処理を効率的に行うことができ
るようになる。 The semiconductor processing apparatus of the present invention, the wafer transportable
A transfer cassette having an opening into which the wafer is inserted, and a support portion for supporting the wafer inserted into the opening ; an upper tank and a lower tank
Between the upper and lower tanks.
Configuration and a child that, if set once the wafer to wafer transfer cassette, since thereafter can be processed to the wafer without contacting the wafer, the particle adhesion and scratches on the wafer occurred Can be suppressed. In addition, wafer transfer between each process is performed for wafer transfer.
Handling of wafers can be performed for each cassette
Can be performed easily and wafer processing can be performed efficiently.
Become so.
【0033】また、支持部を開口の内側壁の全周にわた
って設けるとともに、支持部のウエハとの接触部にシー
ル部材を設けることで、特に半導体プロセス装置を陽極
化成装置に適用した場合には、ウエハを最小限の面積で
支持することができるので、ウエハに印加される電界が
均一になり、ウエハの多孔質化の速度をウエハ面内で均
一にすることができる。In addition, by providing the support portion over the entire inner wall of the opening and providing a seal member at the contact portion of the support portion with the wafer, especially when the semiconductor processing apparatus is applied to an anodizing apparatus, Since the wafer can be supported with a minimum area, the electric field applied to the wafer becomes uniform, and the speed of making the wafer porous can be made uniform within the wafer plane.
【0034】[0034]
【0035】[0035]
【図1】本発明のウエハ搬送用カセットの第1実施例を
用いた陽極化成装置の概略断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view of an anodizing apparatus using a wafer transfer cassette according to a first embodiment of the present invention.
【図2】図1に示したウエハカセットの概略斜視図であ
る。FIG. 2 is a schematic perspective view of the wafer cassette shown in FIG.
【図3】本発明のウエハ搬送用カセットの第2実施例の
概略斜視図である。FIG. 3 is a schematic perspective view of a wafer transfer cassette according to a second embodiment of the present invention.
【図4】本発明のウエハ搬送用カセットの第3実施例の
概略斜視図である。FIG. 4 is a schematic perspective view of a wafer transfer cassette according to a third embodiment of the present invention.
【図5】従来の陽極化成装置の一例の概略断面図であ
る。FIG. 5 is a schematic sectional view of an example of a conventional anodizing apparatus.
【図6】従来の陽極化成装置の他の例の概略断面図であ
る。FIG. 6 is a schematic sectional view of another example of the conventional anodizing apparatus.
100 ベース 101 正電極 102 負電極 103 下槽 104 上槽 105 下槽シール 106 上槽シール 107、307 ウエハシール 108、208、308 ウエハカセット 108a、208a、308a 開口 108b、208b、308b 段差部 109 HF溶液循環路 110 電解液循環路 111 層流化メッシュ 112 ウエハ 208c 切込み 100 Base 101 Positive electrode 102 Negative electrode 103 Lower tank 104 Upper tank 105 Lower tank seal 106 Upper tank seal 107, 307 Wafer seal 108, 208, 308 Wafer cassette 108a, 208a, 308a Opening 108b, 208b, 308b Step 109 HF solution Circuit 110 Electrolyte circuit 111 Laminarized mesh 112 Wafer 208c Cut
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/68 H01L 21/288 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/68 H01L 21/288
Claims (3)
からなるウエハ搬送用カセットと電解液を収容するため
の上槽と下槽とを具備し、前記電解液を用いてウエハを
処理する半導体プロセス装置であって、 前記ウエハ搬送用カセットは、 前記平板状の部材に形成された、処理すべきウエハが前
記平板状の部材の一面側からのみ挿入可能な開口と、前
記開口に挿入されたウエハの外周縁部を支持するため
に、前記開口の内側壁に一体的に設けられた支持部とを
有し、 前記上槽と前記下槽との間の前記ウエハ載置部に前記上
槽と前記下槽とで挟まれて装着されることを特徴とする
半導体プロセス装置。 A flat member detachable from a wafer mounting portion.
Wafer transfer cassette and electrolyte
Comprising an upper tank and a lower tank, and
A semiconductor processing apparatus for processing, wherein the wafer transfer cassette has an opening formed in the plate-shaped member, into which a wafer to be processed can be inserted only from one side of the plate-shaped member; to support the outer peripheral edge portion of the inserted wafers, have a support part which is provided integrally with the inner wall of the opening, to the wafer table between the lower tank and the upper tank Above
It is characterized by being mounted between the tank and the lower tank.
Semiconductor process equipment.
わたって設けられるとともに、前記支持部の前記ウエハ
との接触部にはシール部材が設けられている、請求項1
に記載の半導体プロセス装置。2. The device according to claim 1, wherein the support portion is provided around the entire inner wall of the opening, and a seal member is provided at a contact portion of the support portion with the wafer.
7. The semiconductor process device according to item 1 .
電極とを有する陽極化成装置である、請求項1に記載の
半導体プロセス装置。 3. The semiconductor processing device according to claim 1, wherein the positive electrode is connected to a negative electrode.
The anodizing apparatus according to claim 1, wherein the anodizing apparatus has an electrode.
Semiconductor process equipment.
Priority Applications (4)
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---|---|---|---|
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US08/148,341 US5458755A (en) | 1992-11-09 | 1993-11-08 | Anodization apparatus with supporting device for substrate to be treated |
EP93118093A EP0597428B1 (en) | 1992-11-09 | 1993-11-08 | Anodization apparatus with supporting device for substrate to be treated |
DE69312636T DE69312636T2 (en) | 1992-11-09 | 1993-11-08 | Anodizing apparatus with a carrier device for the substrate to be treated |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP73293A JP3181128B2 (en) | 1993-01-06 | 1993-01-06 | Semiconductor process equipment |
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JPH06204330A JPH06204330A (en) | 1994-07-22 |
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Family
ID=11481907
Family Applications (1)
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JP73293A Expired - Lifetime JP3181128B2 (en) | 1992-11-09 | 1993-01-06 | Semiconductor process equipment |
Country Status (1)
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1993
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