JP3179175B2 - Analysis pretreatment method - Google Patents

Analysis pretreatment method

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JP3179175B2
JP3179175B2 JP08814492A JP8814492A JP3179175B2 JP 3179175 B2 JP3179175 B2 JP 3179175B2 JP 08814492 A JP08814492 A JP 08814492A JP 8814492 A JP8814492 A JP 8814492A JP 3179175 B2 JP3179175 B2 JP 3179175B2
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  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、超微量の不純物の分析
を行うための前処理方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pretreatment method for analyzing an extremely small amount of impurities.

【0002】[0002]

【従来技術】分析前処理として液中の分析対象物質を濃
縮する方法としては、液を蒸発皿上で蒸発乾固する方法
が一般的である。この場合、凹面(蒸発皿面)に広く乾
固した対象物質を高感度で定量する適当な方法がないの
で、通常、該乾固物質を微量の溶解液で再溶解し、液体
試料用の分析機器、例えばICP質量分析装置や液体ク
ロマトグラフ等で分析が行われる。
2. Description of the Related Art As a method for concentrating a substance to be analyzed in a liquid as a pretreatment for analysis, a method of evaporating a liquid on an evaporating dish to dryness is generally used. In this case, since there is no suitable method for quantifying the target substance widely dried on the concave surface (evaporating dish surface) with high sensitivity, the dried substance is usually re-dissolved with a small amount of a dissolving solution, and analyzed for a liquid sample. The analysis is performed by an instrument such as an ICP mass spectrometer or a liquid chromatograph.

【0003】最近になって、平板状表面の局部的領域を
高感度で分析する全反射蛍光X線分析法が開発されてい
る。この分析法において、液状試料を分析対象とする場
合、この液滴を高純度の石英ガラス表面や高純度シリコ
ン単結晶ウェーハ表面に滴下し、これを蒸発乾固させ、
平面上の局部に濃縮させる前処理が行われている。
[0003] Recently, a total reflection X-ray fluorescence analysis method has been developed for analyzing a local area of a flat surface with high sensitivity. In this analysis method, when a liquid sample is to be analyzed, the droplet is dropped on a high-purity quartz glass surface or a high-purity silicon single-crystal wafer surface, and evaporated to dryness,
A pre-treatment for concentrating in a local area on a plane is performed.

【0004】一方、シリコンウェーハ等の表面の金属不
純物を濃縮して、微量(即ち 100μリットル程度)の液
に捕集する前処理方法としては、気相分解装置の中で該
ウェーハ等をHF蒸気で処理した後、酸の液滴を表面張
力によりフッ素樹脂製保持具に保持させ、この液滴を走
査装置によって前記ウェーハの中心から周辺まで渦巻き
状に走査した後、該保持具を受皿に移動させ、金属不純
物を捕集した液を回収する方法が知られている。
[0004] On the other hand, as a pretreatment method for concentrating metal impurities on the surface of a silicon wafer or the like and collecting it in a small amount (ie, about 100 µl) of liquid, the wafer or the like is subjected to HF vapor in a gas phase decomposition apparatus. After that, the acid droplet is held on a fluororesin holder by surface tension, and the droplet is spirally scanned from the center to the periphery of the wafer by a scanning device, and then the holder is moved to a saucer. There is known a method of recovering a liquid that has collected metal impurities.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】全反射蛍光X線分析法
では、X線の照射量が均一な部分で且つ蛍光X線検出器
の窓の中心の直下に液滴試料の乾固部がなければならな
い。通常の装置では、平坦な基板表面部での不純物乾固
領域は大きくとも5〜6mmφ以内で、しかもその位置
(番地)が正確に認識されなければならない。
In the total reflection X-ray fluorescence spectrometry, the dried sample portion of the droplet sample must be located just below the center of the window of the X-ray fluorescence detector in a portion where the dose of X-ray is uniform. Must. In an ordinary apparatus, the impurity dry region on the flat substrate surface portion is at most within 5 to 6 mmφ, and its position (address) must be accurately recognized.

【0006】超高純度のHF溶液中に放射性同位元素59
Feを1ppb 程度溶解させ、あらかじめHFの蒸気を吹き
つけて水化したシリコンウェーハ基板上に20μリット
ルの液を滴下すると、基板上には直径4〜5mmの液滴が
できる。これを徐々に乾固させ、オートラジオグラフで
59Feの乾固状態を調べると、乾固が始まる前の液滴の直
径とほぼ同じ位の大きさまで59Feが存在していることが
認められる。
Radioactive isotope 59 in ultra-high purity HF solution
Fe is dissolved about 1 ppb, when dropping the liquid of 20μ l on a silicon wafer substrate was sparse hydrated by blowing steam pre HF, the substrate may droplet diameter 4 to 5 mm. Let it dry slowly and use an autoradiograph
Examination of the dry state of 59 Fe reveals that 59 Fe is present up to about the same size as the diameter of the droplet before the onset of dryness.

【0007】このような微量不純物の場合、蒸発した液
自体の純度が高いので、基板上で乾固の跡をみることが
できない。しかも液滴の蒸発の初期の段階で液滴がかな
り移動することがあり、乾固部が必ずしも液の滴下位置
と同じではない。これは測定にあたって好ましいことで
はない。乾固位置の把握が正確にできないとすると、基
板上の液滴はなるべく小さい方が望ましいが、例えば液
滴の直径を3mmにしようとすると、滴下液量は5μリッ
トル程度となる。分析装置の検出感度は変わらないの
で、滴下液量を減らすことは液の分析感度が低下するこ
とになる。
[0007] In the case of such trace impurities, since the evaporated liquid itself has a high purity, no trace of drying on the substrate can be seen. In addition, the droplet may move considerably in the initial stage of the evaporation of the droplet, and the dried portion is not always the same as the position where the liquid is dropped. This is not preferable for measurement. If it is not possible to accurately determine the dry position, it is desirable that the droplet on the substrate be as small as possible. For example, if the diameter of the droplet is 3 mm, the amount of the droplet is about 5 μl. Since the detection sensitivity of the analyzer does not change, reducing the amount of the dropped liquid decreases the analysis sensitivity of the liquid.

【0008】従って本発明の第1の目的は、数百μリッ
トルの量の分析試料液を、乾燥基板上の指定された位置
に正確に且つ2〜3mmφ以下の小面積で乾固させること
のできる分析前処理方法を提供することにある。また半
導体分野においては、シリコンウェーハ表面の不純物を
液滴に移行させ、この液を分析する方法が重要となって
おり、本発明においては、その移行操作を伴う分析前処
法を提供することを第2の目的とする。
Accordingly, a first object of the present invention is to dry an analysis sample solution of several hundred μl accurately at a designated position on a dry substrate with a small area of 2 to 3 mmφ or less. It is to provide a treatment method prior to analysis possible. In the semiconductor field also impurities of the silicon wafer surface were transferred to the droplets, serves a method of analyzing the solution is important, in the present invention, treatment before analysis with a transition operation of its
To provide a sense how a second object.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、ほぼ垂
直に保持され、分析試料液を保持することのできる下端
部を備えた細管と、該細管の前記下端部を取り囲むよう
に設けられた分析試料液の飛散を防ぐことのできる端部
を備えた外管とを有してなる器具を使用して前記細管に
予め分析試料液を吸引させておき、該細管の端部を所定
の温度に加熱された疎水性分析試料液乾燥板上に近接さ
せて、前記細管から試料液を前記試料液乾燥板の所定位
置に徐々に連続して吐出させ、その際に吐出された試料
液が該細管の下端部に接するように吐出を行い、同時に
該試料液乾燥板上に吐出された試料液の液滴の蒸発を継
続することにより、継続的に吐出される試料液が特定の
直径以上に広がらないようにしながら該試料液を濃縮乾
固させることを特徴とする分析前処理方法が提供され
る。
According to the present invention, substantially vertical
Lower end that is held directly and can hold the analysis sample solution
A thin tube having a portion, and surrounding the lower end of the thin tube.
End that can prevent the analysis sample solution from scattering
Using an instrument comprising an outer tube with
Aspirate the analysis sample solution in advance, and fit the end of the capillary
Proximity on hydrophobic analysis sample liquid drying plate heated to the temperature of
And transfer the sample liquid from the capillary to a predetermined position on the sample liquid drying plate.
The sample discharged at that time
The liquid is discharged so that the liquid contacts the lower end of the capillary, and at the same time,
The evaporation of the sample liquid droplets discharged onto the sample liquid drying plate is continued.
By connecting the sample liquid continuously,
Concentrate the sample solution to dryness without spreading it beyond its diameter.
A method is provided for pre-analytical processing characterized by consolidating .

【0010】上記細管、外管等は、疎水性の合成樹脂、
例えばポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、4 フ
ッ化エチレンパーフルオロアルコキシエチレン(PF
A)、商品名テフロンAF等のフッ素系樹脂から成って
いることが好ましく、また外管のさらに外側に第2の外
管を設けることもできる。
The thin tube, outer tube, etc. are made of a hydrophobic synthetic resin,
For example, polytetrafluoroethylene (PTFE), tetrafluoroethylene perfluoroalkoxyethylene (PF)
A), preferably made of a fluororesin such as Teflon AF, and a second outer tube may be provided further outside the outer tube.

【0011】[0011]

【0012】疎水性分析試料液乾燥板としては、HFに
浸漬したシリコンウェーハ、有機強アルカリと界面活性
剤の水溶液で加熱超音波処理したシリコンウェーハ、商
品名テフロンAFをごく薄くコートしたシリコンウェー
ハ等が有用である。
Examples of the drying plate for the sample liquid for hydrophobic analysis include a silicon wafer immersed in HF, a silicon wafer heated and ultrasonically treated with an aqueous solution of a strong organic alkali and a surfactant, and a silicon wafer coated with Teflon AF (trade name). Is useful.

【0013】前記器具として、外管のさらに外側にこれ
を取り囲むように第2の外管が設けられている器具を使
用することもでき、この場合には、蒸発物質の排気と同
時に、第2の外管から雰囲気を供給することができる。
[0013] As before Symbol fixtures, the use of instruments second outer tube so as to surround it further outside of the outer tube is provided also in this case, simultaneously with the evacuation of the evaporation material, The atmosphere can be supplied from the second outer tube.

【0014】本発明の分析前処理方法を実施するための
装置として、前記分析前処理器具、該分析前処理器具を
保持するアーム、該アームを移動させるための機構、分
析試料液の乾燥を行うための乾燥板、前記アームに保持
された分析前処理器具の端部が乾燥板の所定の位置に設
定されるように該乾燥板の位置移動を行うための駆動機
構、及び前記アームに保持された分析前処理器具の端部
に対応して前記乾燥板の反対側に設けられた加熱機構を
備えている分析前処理装置が用いることができる
[0014] As an apparatus for carrying out the pretreatment method the onset Ming analysis, the analysis pretreatment instrument arm for holding the pre-analysis treatment instrument, the mechanism for moving the arm, the dry analytical sample liquid A drying plate for performing, a driving mechanism for performing position movement of the drying plate such that an end of the analytical pretreatment instrument held by the arm is set at a predetermined position of the drying plate, and a holding mechanism for holding the arm. has been heated mechanism provided on the opposite side of the pre-analysis process the drying plate in correspondence with the end portion of the instrument can be used is not that minute析前processing apparatus includes a.

【0015】本発明によれば更に、シリコンウェーハ等
の疎水性分析面に付着した不純物を捕集、分析前処理
る方法として、ほぼ垂直に保持され、液を保持すること
のできる下端部を備えた細管と、該細管の前記下端部を
取り囲むように設けられた液の飛散を防ぐことのできる
端部を備えた外管とを有してなる器具を使用して前記細
管中に予め分析面不純物を溶解捕集するための液を吸引
させておき、前記外管の端部が疎水性分析面に近接する
ように該器具を位置せしめ、前記細管から液を吐出させ
て外管内の疎水性分析面上に液滴を形成させ、該液滴が
外管内からはみでないように、必要により外管内を僅か
に減圧しつつ、該器具を移動させて該液滴を疎水性分析
面上を走査することにより、疎水性分析面上の不純物を
液滴中に捕集し、その後、該液滴の全てを分析試料液と
して細管中に吸引し、該細管の端部を所定の温度に加熱
された疎水性分析試料液乾燥板上に近接させて、前記細
管から試料液を前記試料液乾燥板の所定位置に徐々に連
続して吐出させ、その際に吐出された試料液が該細管の
下端部に接するように吐出を行い、同時に該試料液乾燥
板上に吐出された試料液の液滴の蒸発を継続することに
より、継続的に吐出される試料液が特定の直径以上に広
がらないようにしながら該試料液を濃縮乾固させること
を特徴とする分析前処理方法が提供される。
According to the present invention, as a method of collecting impurities adhering to a hydrophobic analysis surface of a silicon wafer or the like and performing a pretreatment for analysis , the method of holding the liquid substantially vertically and holding the liquid
A thin tube having a lower end capable of
We can prevent splash of liquid provided to surround
Using a device having an outer tube with an end.
Aspirate liquid to dissolve and collect impurities on the analytical surface in advance in the tube
Let the end of the outer tube be close to the hydrophobic analysis surface
So that the instrument is positioned and discharge liquid from the capillary.
To form a droplet on the hydrophobic analysis surface in the outer tube.
If necessary, make sure that the inside of the outer tube is slightly
While the pressure is reduced, the device is moved to analyze the droplets for hydrophobicity.
By scanning the surface, impurities on the hydrophobic analysis surface can be removed.
Collected in droplets, and then all of the droplets are combined with the sample liquid for analysis.
And aspirate into the capillary, and heat the end of the capillary to a predetermined temperature.
Close to the dried hydrophobic sample liquid drying plate
The sample liquid is gradually connected from the tube to a predetermined position on the sample liquid drying plate.
The sample liquid discharged at that time is
Discharge so that it contacts the lower end, and at the same time dry the sample liquid
Continue evaporation of sample liquid droplets discharged on the plate
As a result, the sample liquid that is continuously discharged is wider than a specified diameter.
Concentrate the sample solution to dryness without removing it
An analysis pre-processing method is provided.

【0016】上記の前処理方法においても、器具とし
て、外管のさらに外側にこれを取り囲むように第2の外
管が設けられている器具を使用することができる。また
前記液滴の走査のための分析前処理器具の移動を、ロボ
ット機構により行うことができる。
[0016] In the pretreatment method described above, as a vessel device, it is possible to use an instrument the second outer tube so as to surround it further outside of the outer tube is provided. Further, the movement of the pretreatment device for scanning the droplets can be performed by a robot mechanism.

【0017】[0017]

【0018】[0018]

【実施例】本発明を、以下、添付図面に示す具体例に基
づいて詳細に説明する。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The invention will be described in more detail hereinafter with reference to an embodiment shown in the accompanying drawings.

【0019】実施例1 本発明に用いられる二重管構造の分析前処理器具を示す
図1において、この分析前処理器具は、基本的にいっ
て、PTFE製の円柱状の支持体1と、該支持体1の中
心を貫通して延びているPFA製の細管2と、該細管2
とほぼ平行に支持体1に形成されている長孔6と、該支
持体1の下端部に、細管2の先端を囲むように設けられ
ている商品名テフロンAFなる透明なフッ素樹脂製の外
管5(内径:約10mm)とから成っている。
EXAMPLE 1 In FIG. 1 which shows an analytical pretreatment device having a double tube structure used in the present invention , the analytical pretreatment device is basically composed of a cylindrical support 1 made of PTFE, A thin tube 2 made of PFA extending through the center of the support 1;
An elongated hole 6 formed in the support 1 substantially in parallel with a transparent fluororesin made of Teflon AF (trade name) provided at the lower end of the support 1 so as to surround the tip of the thin tube 2. Tube 5 (inner diameter: about 10 mm).

【0020】細管2の先端部3は、内径が約 0.1mm程度
に絞られており、その先端部3とほぼ同一平面上に外管
5の先端部4が位置するように構成されている。また長
孔6の上端部には、排気用チューブを接続するための突
出管部7が形成されている。なお、外管5は、その厚み
を十分に薄くして細管2の先端部3が見えるようにした
PFA管であってもよい。
The distal end 3 of the thin tube 2 is narrowed down to an inner diameter of about 0.1 mm, and the distal end 4 of the outer tube 5 is located on substantially the same plane as the distal end 3. At the upper end of the long hole 6, a protruding tube portion 7 for connecting an exhaust tube is formed. The outer tube 5 may be a PFA tube whose thickness is made sufficiently thin so that the distal end portion 3 of the thin tube 2 can be seen.

【0021】上記の分析前処理器具を用いて、分析試料
液を濃縮しつつ且つ分析試料液乾燥板の特定の位置に直
径2mm以内の乾固部を作る場合の使用方法を説明する。
尚、分析試料液中の分析対象が乾固部にどの程度移行す
るかを、RIトレーサ法で確認するために、59Feで標識
した Fe 0.01ppb のHF10%溶液を用意した。また分析
試料液乾燥板としては、HFに浸漬して表面を疎水化し
たシリコンウェーハを用いた。
A description will be given of a method of using the above-described analytical pretreatment device when concentrating an analytical sample solution and forming a dried portion having a diameter of 2 mm or less at a specific position on an analytical sample solution drying plate.
In addition, in order to confirm by the RI tracer method how much the analysis target in the analysis sample solution migrated to the dried portion, a 0.01% Fe Fe ppb solution labeled with 59 Fe was prepared. Further, a silicon wafer whose surface was hydrophobized by immersion in HF was used as an analytical sample liquid drying plate.

【0022】図2には、上記分析試料液の乾燥に用いる
液滴乾燥装置を示す。即ち、乾燥用ウェーハ8が石英ガ
ラス板10上にノブ11により正確に位置決めされて保持さ
れる。この石英ガラス板10は、XYステージ9によって
水平方向に可動であり、指定された位置で位置固定され
る。石英ガラス板10の下方には、加熱用ハロゲンランプ
12が配置される。このハロゲンランプ12は、内部が通気
空冷できる石英容器13に納めされている。
FIG. 2 shows a droplet drying apparatus used for drying the analysis sample liquid. That is, the drying wafer 8 is accurately positioned and held on the quartz glass plate 10 by the knob 11. The quartz glass plate 10 is horizontally movable by an XY stage 9, and is fixed at a designated position. Below the quartz glass plate 10, a heating halogen lamp
12 are arranged. The halogen lamp 12 is housed in a quartz container 13 whose inside can be ventilated and cooled.

【0023】また石英ガラス板10の上方には、前述した
本発明に用いられる分析前処理器具が配置される。該前
処理器具においては、支持体1にアーム14が接続され、
上下動、回転及びスライド等により、その位置を自在に
調整できるようになっている。さらに、細管2にはディ
スペンサー15が連結され、突出管部7には、超純水によ
る水流ポンプ等の排気機構16が連結されている。
Above the quartz glass plate 10 is disposed the above-mentioned analytical pretreatment instrument used in the present invention. In the pretreatment device, the arm 14 is connected to the support 1,
The position can be freely adjusted by vertical movement, rotation, slide, and the like. Further, a dispenser 15 is connected to the thin tube 2, and an exhaust mechanism 16 such as a water flow pump using ultrapure water is connected to the protruding tube 7.

【0024】まず、アーム14の動作により、前処理器具
の細管2の先端部3が所定の洗浄槽に移され、必要に応
じて薬液処理が行われ、水洗される。次に細管2の先端
部3のみが試料槽に入り、ディスペンサー15を逆に動作
させて、試料液 200μリットルを正確に細管2に吸い込
ませる。また、ステージ9を動作して、ウェーハ8を指
定の位置に設定し、ランプ12により該ウェーハ8を90〜
95℃の温度に加熱しておく。
First, by the operation of the arm 14, the distal end portion 3 of the thin tube 2 of the pretreatment device is moved to a predetermined washing tank, where a chemical solution treatment is performed if necessary, followed by washing with water. Next, only the tip portion 3 of the thin tube 2 enters the sample tank, and the dispenser 15 is operated in reverse to suck 200 μl of the sample solution into the thin tube 2 accurately. Further, the stage 9 is operated to set the wafer 8 at a specified position, and the wafer 8 is
Heat to a temperature of 95 ° C.

【0025】さらに試料液を吸い込んだ細管2を、その
先端部3が前記ウェーハ8上の指定位置に位置するよう
に、アーム14を動作させて前処理器具を移動させる。こ
こで、細管2の先端部3がウェーハ8に対して一定の間
隔となるまで降下した時、排気機構16の動作が開始し、
ディスペンサーを働かせて徐々に試料液の吐出が行わ
れ、細管2の先端部3とウェーハ8との間に小液滴が作
られる。尚、この小液滴の位置が指定された位置となる
ように、予めXYステージ9が調整されてある。液滴の
位置精度は、XYステージ9の精度で決まるが、通常、
± 0.1mm程度であり、分析装置に必要な位置精度は十分
に得られる。尚、乾燥板を加熱装置上で均一に加熱され
る位置に配置し、支持体1、即ち細管2の先端部3がX
Yステージ9で乾燥板の指定の位置に移動する構造であ
ってもよい。
Further, the pretreatment device is moved by operating the arm 14 so that the tip portion 3 of the capillary 2 into which the sample solution has been sucked is positioned at the designated position on the wafer 8. Here, when the distal end portion 3 of the thin tube 2 descends to a certain interval with respect to the wafer 8, the operation of the exhaust mechanism 16 starts,
The sample liquid is gradually discharged by operating the dispenser, and small droplets are formed between the tip 3 of the thin tube 2 and the wafer 8. Note that the XY stage 9 is adjusted in advance so that the position of the small droplet becomes the designated position. The position accuracy of the droplet is determined by the accuracy of the XY stage 9, but usually,
The position accuracy is about ± 0.1 mm, and the position accuracy required for the analyzer can be sufficiently obtained. The drying plate was placed at a position where the drying plate was uniformly heated on the heating device, and the support 1, that is, the tip 3 of the thin tube 2
A structure in which the Y stage 9 moves to a designated position on the drying plate may be used.

【0026】この液滴の直径は、前記液の吐出速度と加
熱による液の蒸発速度に依存する。従って、吐出速度と
ランプ12のランプ電圧とをを適当に調整することによ
り、吐出速度と蒸発速度とは平衡に達し、液の直径は略
一定になる。例えば、前記表面温度(90〜95℃)におい
て吐出速度を10μリットル/分とした時、液滴の直径は
略2mmとなり、そのまま乾固した。
The diameter of the droplet depends on the discharge speed of the liquid and the evaporation rate of the liquid by heating. Therefore, by appropriately adjusting the discharge speed and the lamp voltage of the lamp 12, the discharge speed and the evaporation speed reach equilibrium, and the diameter of the liquid becomes substantially constant. For example, when the discharge speed was 10 μl / min at the above surface temperature (90 to 95 ° C.), the diameter of the droplet was approximately 2 mm, and the droplet was dried as it was.

【0027】従来のように、1滴での乾固であれば、1
〜2μリットル程度の容量の試料液でないと、乾固面積
を2mmφにすることができない。これに対して本発明に
よれば、従来に比して遙に大きな液量の試料液を乾燥板
の予め設定した位置に微小面積で乾固できるようになっ
たことが理解される。
[0027] As in the prior art, if it is dried with one drop, 1
Unless the sample solution has a volume of about 2 μl, the dried area cannot be reduced to 2 mmφ. On the other hand, according to the present invention, it is understood that the sample liquid having a much larger liquid volume than the conventional one can be dried in a small area at a predetermined position on the drying plate.

【0028】上記において、乾固部の放射能量は、当初
の 200μリットル試料液の97%であり、3%が飛散した
ものと思われる。この回収率は、通常の微量不純物を分
析する場合では十分に許されるものである。従って、装
置や環境からの汚染を防ぐことができれば、分析の感度
を大幅に挙げることができ、前記前処理器具を用いた本
発明の前処理方法は極めて有効な方法である。
In the above, the amount of radioactivity in the dried portion was 97% of the initial 200 μl sample solution, and it is considered that 3% was scattered. This recovery is well tolerated when analyzing ordinary trace impurities. Therefore, if contamination from the apparatus and the environment can be prevented, the sensitivity of the analysis can be greatly increased, and the pretreatment method of the present invention using the pretreatment instrument is an extremely effective method.

【0029】尚、比較のために、前記前処理器具におい
て、外管5を取り外して全く同様の実験を行ない、ウェ
ーハ8の全面のオートラジオグラフを行ったところ、か
なり広い範囲に59Feが飛散し、汚染していることが分か
った。さらに、外管5を取り付けて同様の実験を再度行
ったが、外管5の外側のウェーハ部分に59Feの汚染は見
られなかった。本発明において2重管構造の前処理器具
を使用すれば、乾燥板上の複数の番地に、分析用の乾固
部を形成することができ、効率のよい分析を行うことが
可能となる。
[0029] For comparison, in the pretreatment instrument performs exactly the same experiments by removing the outer tube 5, was subjected to entire surface of the autoradiograph of the wafer 8, 59 Fe is scattered rather wide range And found that it was contaminated. Further, the same experiment was performed again with the outer tube 5 attached, but no contamination of 59 Fe was observed in the wafer portion outside the outer tube 5. If a pretreatment device having a double-tube structure is used in the present invention , a dried portion for analysis can be formed at a plurality of addresses on the drying plate, and efficient analysis can be performed.

【0030】実施例2 図3に本発明に用いることができる3重構造の前処理器
具を示す。この前処理器具においては、前記図1の前処
理器具と同様、支持体1に、細管2、長孔6及び外管5
が設けられているとともに、さらに外管5を取り囲むよ
うに、第2の外管17が設けられている。この第2の外管
17と第1の外管5との間の空間は、上方の両外管を連結
する部分を貫通した長孔16に連通しており、この長孔16
の上部には、雰囲気供給用のチューブ(図示せず)と連
結するための突起管19が形成されている。また第2の外
管17の下端部18は、第1の外管5の下端部よりも若干短
くなっており、前記細管2の下端部3及び外管5の下端
部が、第2の外管17の下端部18よりも外方に突出するよ
うになっている。尚、かかる第2の外管17も疎水性の合
成樹脂で構成され、例えば支持体1と一体に形成され
る。
Embodiment 2 FIG. 3 shows a pretreatment device having a triple structure which can be used in the present invention. In this pretreatment device, a thin tube 2, a long hole 6, and an outer tube 5
Is provided, and a second outer tube 17 is provided so as to further surround the outer tube 5. This second outer tube
The space between the outer tube 17 and the first outer tube 5 communicates with a long hole 16 penetrating a portion connecting the upper outer tubes to each other.
A projection tube 19 for connecting to a tube (not shown) for supplying the atmosphere is formed at the upper part of the projection. The lower end 18 of the second outer tube 17 is slightly shorter than the lower end of the first outer tube 5, and the lower end 3 of the thin tube 2 and the lower end of the outer tube 5 are connected to the second outer tube 5. The tube 17 projects outward from the lower end portion 18 of the tube 17. The second outer tube 17 is also made of a hydrophobic synthetic resin, and is formed integrally with the support 1, for example.

【0031】この図3の3重管構造の前処理器具を、図
2と同様にアームに取付け、実施例1と同様に実験を行
った。この場合、長孔6からの排気と同時に、長孔16を
介して、約80℃に加熱した高純度の無塵窒素ガスを、排
気量にバランスさせて供給した。
The pretreatment device having the triple tube structure shown in FIG. 3 was attached to the arm in the same manner as in FIG. 2, and an experiment was conducted in the same manner as in Example 1. In this case, at the same time as the evacuation from the long hole 6, high-purity dust-free nitrogen gas heated to about 80 ° C. was supplied through the long hole 16 while keeping the amount of exhaust gas balanced.

【0032】細管2の末端3に形成される液滴はさらに
小さく制御され、乾固域を1〜1.5mmφとすることがで
きた。59Feの乾固部での回収率は91%となりやや飛散が
多くなったが、分析値への要求が1桁でもよい場合は十
分にこの方法を適用できる。超微量の分析に対して、一
般の高感度分析機器はこの程度の精度であるから、かか
る3重管構造の前処理器具を利用した濃縮処理方法は、
おおむね実用に供することが可能である。
The droplet formed at the end 3 of the thin tube 2 was controlled to be smaller, and the dried region could be made 1 to 1.5 mmφ. The recovery rate in the dried part of 59 Fe was 91%, and the scattering was slightly increased, but this method can be applied sufficiently when the requirement for the analytical value can be one digit. For ultra-trace analysis, general high-sensitivity analyzers have this level of accuracy.
In general, it can be put to practical use.

【0033】実施例3 図1の2重管構造の前処理器具装置において、外管5は
疎水性であるから、その端部で水性液滴を保持しなが
ら、疎水性表面上を移動させることができる。ウェーハ
表面上に、そこに付着した不純物を溶解しつつ分析試料
液滴を作成する方法を、本実施例で説明する。
Embodiment 3 In the pretreatment device having a double tube structure shown in FIG. 1, since the outer tube 5 is hydrophobic, it is moved on a hydrophobic surface while holding an aqueous droplet at its end. Can be. This embodiment describes a method of forming an analysis sample droplet on a wafer surface while dissolving impurities attached thereto.

【0034】ウェーハ表面の不純物をどの程度液滴中に
捕集できるかを調べるために、実施例1と同様に、放射
性同位元素によるトレーサ技術を用いた。シリコン表面
にHF系の薬液から還元性物質の共存で付着したCuは、
気相分解法に後続するHF液滴による捕集では非常に回
収率が悪い。しかもその回収は再現性も悪い。そこでこ
の実施例では、このようにしてシリコンウェーハの鏡面
側だけに付着させた回収が困難であった64Cuの液滴捕集
、分析前処理器具を用いる処理方法で試みた。
In order to examine how much impurities on the wafer surface can be trapped in the droplets, a tracer technique using a radioisotope was used as in Example 1. Cu attached to the silicon surface from a HF-based chemical solution in the presence of a reducing substance,
The collection rate by HF droplets following the gas phase decomposition method is very poor in recovery. Moreover, the recovery is poor in reproducibility. Therefore, in this embodiment, the droplet collecting of the thus 64 recovery was difficult was deposited only on the mirror surface side of the silicon wafer Cu, tried in the processing method using the partial析前treating appliance.

【0035】図4に示す通り、皿状容器21にウェーハ20
を水平に保持固定し、図1に示す前処理器具の外管5の
端部4が上記ウェーハ20の表面に接し、この状態で該処
理器具を自由に走査できるように、前処理器具の支持体
1を所定のロボット機構のアーム22に把持させる。
As shown in FIG.
Is held horizontally, and the end of the outer tube 5 of the pretreatment tool shown in FIG. 1 is brought into contact with the surface of the wafer 20 so that the processing tool can be freely scanned in this state. The body 1 is held by an arm 22 of a predetermined robot mechanism.

【0036】先ず、前記アーム22の動作により、実施例
1と同様に、細管2の先端部3の洗浄を行い、次いでウ
ェーハ表面不純物溶解液の薬液槽に、細管2の先端部3
のみを入れ、ディスペンサー15を逆に作用させて 100〜
200 μリットルの液を吸い込ませる。尚、上記溶解液と
しては、64Cuを溶解させるために、硝酸:水が1:1容
の水溶液にHFを3%加えたものを使用した。
First, by the operation of the arm 22, the tip 3 of the thin tube 2 is cleaned in the same manner as in the first embodiment.
Only, and dispenser 15 works in reverse to 100 ~
Aspirate 200 μl of liquid. In addition, as the above solution, a solution obtained by adding 3% of HF to a 1: 1 aqueous solution of nitric acid and water in order to dissolve 64 Cu was used.

【0037】さらに前記アーム22を動作させて、ウェー
ハ20上の所定の分析領域に、図4の状態となるように前
処理器具を移し、ディスペンサー15を早く動作させて外
管5の内部に前記酸液を吐出させる。この場合、表面張
力によって、液滴は外管5の外部にはみださない。同時
に、外管5の内部に通ずる排気機構16をバルブ23でカッ
トし、別に接続してあるディスペンサー15' をごく僅か
に吸引させて外管5内を僅かに減圧する。
Further, the arm 22 is operated to move the pretreatment device to a predetermined analysis area on the wafer 20 so as to be in the state shown in FIG. Discharge the acid solution. In this case, the droplet does not protrude outside the outer tube 5 due to the surface tension. At the same time, the exhaust mechanism 16 communicating with the inside of the outer tube 5 is cut by the valve 23, and the separately connected dispenser 15 'is slightly sucked to slightly reduce the pressure inside the outer tube 5.

【0038】この状態でロボット機構により、前記アー
ム22を介して、前処理器具を走査させることにより、液
滴をウェーハ20上で走査せしめる。この場合、ウェーハ
20上の液滴の走査は、所謂一筆書となるように行われ
る。また、例えばオリフラに平行からスタートして七曲
り方式の往復走査でウェーハ半分の不純物捕集を行うこ
ともできる。
In this state, the droplets are scanned on the wafer 20 by scanning the pretreatment tool through the arm 22 by the robot mechanism. In this case, the wafer
The scanning of the droplets on 20 is performed in a so-called one-stroke stroke. Further, for example, impurities can be collected on half of the wafer by reciprocating scanning in a seven-curve method starting from parallel to the orientation flat.

【0039】上記液滴を一定速度で移動させることによ
り、ウェーハ上の全面走査を15分かけて終了した。放射
能測定値の比較により、ウェーハ上の64Cuの82%が液滴
中に捕集された。これは、HFのみを単に走査させた場
合に比して、約2倍の値である。尚、本発明は、支持体
1の位置を固定し、皿上容器21をロボット機構で動かし
ても相対的には上記装置と同一となる。
By moving the droplet at a constant speed, the entire surface scan on the wafer was completed over 15 minutes. By comparison of the radioactivity measurements, 82% of the 64 Cu on the wafer was trapped in the droplet. This is about twice the value obtained when only HF is simply scanned. In the present invention, even if the position of the support 1 is fixed and the dish container 21 is moved by a robot mechanism, the apparatus is relatively the same as the above-described apparatus.

【0040】実施例4 実施例3に比して、さらに64Cuの回収率を高くするため
には、硝酸の濃度を60重量%近くまで高くすることが必
要である。しかし、HFを含んでいる場合、還元性の不
純物に該液が接触すると酸化性ガスを発生し、これが液
滴を保持しているシリコン表面を変質・親水性化させ、
この変質面が液を捕捉するため、回収し得る液滴量が減
少する。
Example 4 In order to further increase the recovery rate of 64 Cu as compared with Example 3, it is necessary to increase the concentration of nitric acid to nearly 60% by weight. However, when HF is contained, when the liquid comes into contact with the reducing impurities, an oxidizing gas is generated, which changes the surface of the silicon holding the droplets into a hydrophilic property,
Since the altered surface captures the liquid, the amount of liquid droplets that can be collected is reduced.

【0041】そこで、図3で示されている実施例2で用
いた3重管構造の前処理器具を使用し、実施例3と同様
のウェーハで、硝酸55%、フッ酸2%の水溶液を用い
て、同様の走査を行った。その結果、液滴がウェーハ上
に残存することなく走査が完了し、放射能測定値の比較
により、ウェーハ上の64Cuの93%が液滴中に捕集され
た。これにより、3重管構造の前処理器具の有用性が理
解される。
Therefore, using the pretreatment device having a triple tube structure used in the second embodiment shown in FIG. 3 and using the same wafer as in the third embodiment, an aqueous solution of 55% nitric acid and 2% hydrofluoric acid was used. And the same scan was performed. As a result, the scan was completed without the droplet remaining on the wafer, and 93% of 64 Cu on the wafer was trapped in the droplet by comparing the radioactivity measurements. Thus, the usefulness of the pretreatment device having the triple tube structure is understood.

【0042】実施例5 実施例4のウェーハを用いて同様の走査を行った後、直
ちにディスペンサー15を逆に作用させて液滴の全てを細
管2内に吸い込ませた。この3重管構造の前処理器具
を、実施例1のXYステージの上のアーム14に付け換
え、実施例1と同様に液滴の乾固を指定位置で行った。
形成された液滴は、約 2.5mmの大きさであり、乾固後の
放射能測定値から、ウェーハ上の64Cuの90%が乾固され
ていることが認められた。この結果から、ただ1個の前
処理器具の使用により、ウェーハ上の不純物を濃縮して
乾燥板上の指定位置の小面積に、十分の精度で分析試料
を乾固することができることが了解される。
Example 5 After the same scanning was performed using the wafer of Example 4, the dispenser 15 was immediately operated in reverse to suck all the droplets into the thin tube 2. The pretreatment device having the triple tube structure was replaced with the arm 14 on the XY stage of the first embodiment, and the droplets were dried at a designated position as in the first embodiment.
The droplets formed were about 2.5 mm in size, and the measured radioactivity after drying showed that 90% of the 64 Cu on the wafer had been dried. From these results, it is understood that the use of only one pretreatment tool can concentrate the impurities on the wafer and dry the analysis sample to a small area at the designated position on the drying plate with sufficient accuracy. You.

【0043】[0043]

【発明の効果】本発明の分析前処理方法によれば、分析
試料液を濃縮して分析試料液乾燥板の指定位置に、直径
2〜3mmの乾固を行うことができ、十分に全反射蛍光X
線分析の試料を調製することができる。さらに用いる
具を3重管構造とすることにより、より小さな面積での
乾固が可能となり、すでに広く使用されているが検出感
度の劣るオージェ分光分析やX線光電子分光分析のよう
な表面分析計でも有効な情報を得ることができる濃縮が
可能となる。また本発明によれば、上記前処理器具と同
じ器具を用いて、シリコンウェーハ表面の不純物を捕集
濃縮することが可能となり、この捕集処理を、上記プロ
セスに連続させることにより、固体表面の機器分析をよ
り有効に行うことが可能となった。
According to a separatory 析前 processing method of the present invention, the designated position of the analysis sample solution dried plate was concentrated analytical sample liquid, can be performed dryness diameter 2 to 3 mm, sufficient total Reflected fluorescent X
A sample for line analysis can be prepared. Further, by using a triple tube structure as a tool to be used , it is possible to dry in a smaller area. Even with such a surface analyzer, concentration that can obtain effective information becomes possible. Further, according to the present invention, it is possible to collect and concentrate impurities on the surface of the silicon wafer by using the same equipment as the above-mentioned pretreatment equipment. Instrument analysis can be performed more effectively.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】2重管構造の本発明に用いられる分析前処理器
具を示す図。
FIG. 1 is a diagram showing an analytical pretreatment instrument used in the present invention having a double-tube structure.

【図2】図1の分析前処理器具を用いた分析前処理装置
の全体の構成を簡単に示す図。
FIG. 2 is a diagram simply showing the overall configuration of an analysis pretreatment device using the analysis pretreatment instrument of FIG.

【図3】3重管構造の本発明の方法に用いられる分析前
処理器具を示す図。
FIG. 3 is a diagram showing an analytical pretreatment instrument used in the method of the present invention having a triple tube structure.

【図4】図1の分析前処理器具を用いて、疎水性表面の
微量不純物を液滴中の捕集する方法を説明する図。
FIG. 4 is a view for explaining a method of collecting trace impurities on a hydrophobic surface in a droplet using the pretreatment device for analysis of FIG. 1;

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河合 一男 神奈川県横浜市鶴見区下末吉5−28−3 (56)参考文献 特開 平2−293641(JP,A) 特開 昭61−77737(JP,A) 特開 平2−28533(JP,A) 特開 平5−283498(JP,A) 実開 平2−60873(JP,U) 実開 平3−16061(JP,U) 実開 昭64−5163(JP,U) 実開 平2−2649(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01N 1/28 G01N 23/233 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of front page (72) Inventor Kazuo Kawai 5-28-3 Shimosueyoshi, Tsurumi-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture (56) References JP-A-2-293641 (JP, A) JP-A-61-77777 ( JP, A) JP-A-2-28533 (JP, A) JP-A-5-283498 (JP, A) JP-A-2-60873 (JP, U) JP-A-3-16061 (JP, U) JP Showa 64-5163 (JP, U) Japanese Utility Model Hei 2-2649 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G01N 1/28 G01N 23/233

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 ほぼ垂直に保持され、分析試料液を保持
することのできる下端部を備えた細管と、該細管の前記
下端部を取り囲むように設けられた分析試料液の飛散を
防ぐことのできる端部を備えた外管とを有してなる器具
を使用して前記細管に予め分析試料液を吸引させてお
き、 該細管の端部を所定の温度に加熱された疎水性分析試料
液乾燥板上に近接させて、前記細管から試料液を前記試
料液乾燥板の所定位置に徐々に連続して吐出させ、その
際に吐出された試料液が該細管の端部に接するように
吐出を行い、同時に該試料液乾燥板上に吐出された試料
液の液滴の蒸発を継続することにより、継続的に吐出さ
れる試料液が特定の直径以上に広がらないようにしなが
試料液を濃縮乾固させることを特徴とする分析前処
理方法。
1. An analysis sample liquid is held substantially vertically and holds an analysis sample liquid.
A thin tube having a lower end capable of
The scattering of the analytical sample solution provided to surround the lower end
Using an instrument having an outer tube having an end that can be prevented, an analysis sample solution is previously sucked into the capillary, and the end of the capillary is heated to a predetermined temperature. in proximity to the hydrophobic analytes liquid drying board, the trial sample solution from the previous SL tubules
The liquid is gradually and continuously discharged at a predetermined position on the liquid drying plate.
As the sample liquid discharged in to contact with the lower end portion of the capillary tubes
The sample discharged and simultaneously discharged onto the sample liquid drying plate
By continuously evaporating liquid droplets, it is possible to continuously discharge
Sina As sample liquid does not spread over a particular diameter which is
Analysis pretreatment method characterized by causing the Luo said sample solution concentrated to dryness.
【請求項2】 細管下端部からの試料液の吐出速度と、
前記試料液乾燥板の加熱による蒸発速度とを調整するこ
とにより、試料液乾燥板上に吐出された試料液の直径を
制御する、請求項1に記載の分析前処理方法
2. A discharge speed of a sample liquid from a lower end of a thin tube;
Adjust the evaporation rate by heating the sample liquid drying plate.
The diameter of the sample liquid discharged onto the sample liquid drying plate
The pre-analysis processing method according to claim 1, wherein the method is controlled .
【請求項3】蒸発物質を外管に接続された排気機構によ
り吸引除去しながら行う請求項1に記載の分析前処理方
3. An evacuation mechanism connected to an outer tube for evaporating the substance.
2. The pre-analysis processing method according to claim 1, wherein the pre-analysis processing is performed while removing by suction.
Law .
【請求項4】 前記器具として、外管のさらに外側にこ
れを取り囲むように第2の外管が設けられている器具を
使用し、蒸発物質の排気と同時に、第2の外管から雰囲
気を供給する請求項に記載の分析前処理方法。
As wherein prior Symbol fixtures, using an instrument second outer tube so as to surround it further outside of the outer tube is provided, at the same time as the exhaust evaporation material, the second outer tube The pretreatment method according to claim 3 , wherein an atmosphere is supplied.
【請求項5】 ほぼ垂直に保持され、液を保持すること
のできる下端部を備えた細管と、該細管の前記下端部を
取り囲むように設けられた液の飛散を防ぐことのできる
端部を備えた外管とを有してなる器具を使用して前記細
管中に予め分析面不純物を溶解捕集するための液を吸引
させておき、 前記外管の端部が疎水性分析面に近接するように該器具
を位置せしめ、 前記細管から液を吐出させて外管内の疎水性分析面上
液滴を形成させ、 液滴が外管内からはみでないように、必要により外管
内を僅かに減圧しつつ、該器具を移動させて該液滴を疎
水性分析面上を走査することにより、疎水性分析面上の
不純物を液滴中に捕集し、 その後、該液滴の全てを分析試料液として細管中に吸引
し、 該細管の端部を所定の温度に加熱された疎水性分析試料
液乾燥板上に近接させて、前記細管から試料液を前記試
料液乾燥板の所定位置に徐々に連続して吐出させ、その
際に吐出された試料液が該細管の下端部に接するように
吐出を行い、同時に該試料液乾燥板上に吐出された試料
液の液滴の蒸発を継続することにより、継続的に吐出さ
れる試料液が特定の直径以上に広がらないようにしなが
ら該試料液を濃縮乾固させる ことを特徴とする分析前処
理方法。
5. The liquid is held substantially vertically and holds a liquid.
A thin tube having a lower end capable of
We can prevent splash of liquid provided to surround
Using a device having an outer tube with an end.
A liquid for dissolving and collecting the analysis surface impurities is previously sucked into the tube, the instrument is positioned so that the end of the outer tube is close to the hydrophobic analysis surface, and the liquid is discharged from the thin tube. on hydrophobicity analysis surface of the outer tube Te
Droplets to form, such that the droplets does not protrude from the outer tube, slightly while depressurizing the outer tube as required, it scans on hydrophobicity analysis surface the droplets by moving the instrument , The impurities on the hydrophobic analysis surface are collected in the droplets , and then all of the droplets are sucked into the capillary as the analysis sample solution.
And hydrophobic analytes which are heated end of the capillary tubes to a predetermined temperature
Place the sample solution from the capillary tube close to the sample
The liquid is gradually and continuously discharged at a predetermined position on the liquid drying plate.
So that the sample liquid discharged at the time contacts the lower end of the capillary.
The sample discharged and simultaneously discharged onto the sample liquid drying plate
By continuously evaporating liquid droplets, it is possible to continuously discharge
Make sure that the sample solution does not spread beyond a certain diameter.
And concentrating the sample solution to dryness .
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