JP3172890B2 - マグネトロンスパッタ方法 - Google Patents
マグネトロンスパッタ方法Info
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- JP3172890B2 JP3172890B2 JP13978292A JP13978292A JP3172890B2 JP 3172890 B2 JP3172890 B2 JP 3172890B2 JP 13978292 A JP13978292 A JP 13978292A JP 13978292 A JP13978292 A JP 13978292A JP 3172890 B2 JP3172890 B2 JP 3172890B2
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マグネトロンスパッタ
方法に関する。
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】マグネトロンスパッタは、陰極側のタ−
ゲットの表面付近に、磁界を利用して高密度のプラズマ
を形成し、このプラズマ中のイオンをタ−ゲットに衝突
させて叩き出された粒子を、対向する陽極側の被処理体
上に推積させる成膜技術であり、被膜の密着性が優れて
いる上、コントロ−ル因子も少ないため、ウエハを大量
処理するのに適しており、例えばＤＲＡＭのビット線を
形成する場合などに適用されている。
ゲットの表面付近に、磁界を利用して高密度のプラズマ
を形成し、このプラズマ中のイオンをタ−ゲットに衝突
させて叩き出された粒子を、対向する陽極側の被処理体
上に推積させる成膜技術であり、被膜の密着性が優れて
いる上、コントロ−ル因子も少ないため、ウエハを大量
処理するのに適しており、例えばＤＲＡＭのビット線を
形成する場合などに適用されている。
【０００３】この方法を利用して半導体を成膜する装置
は、図４に示すように真空チャンバ１内にタ−ゲット１
１及びウエハ支持台１２を対向して配置すると共に、タ
−ゲット１１の表面（下面）付近に磁場を形成するよう
に裏面（上面）側に磁石ユニット１３をタ−ゲット１１
の周方向に移動自在に（公転可能に）設けて構成されて
おり、この装置では真空チャンバ１内に不活性ガスを導
入すると共に、タ−ゲット１１及び真空チャンバ１間に
電圧Ｅを印加してプラズマを発生させ、このプラズマの
イオンをタ−ゲット１１に衝突させてタ−ゲット１１よ
り叩き出された粒子がウエハＷ表面に堆積される。
は、図４に示すように真空チャンバ１内にタ−ゲット１
１及びウエハ支持台１２を対向して配置すると共に、タ
−ゲット１１の表面（下面）付近に磁場を形成するよう
に裏面（上面）側に磁石ユニット１３をタ−ゲット１１
の周方向に移動自在に（公転可能に）設けて構成されて
おり、この装置では真空チャンバ１内に不活性ガスを導
入すると共に、タ−ゲット１１及び真空チャンバ１間に
電圧Ｅを印加してプラズマを発生させ、このプラズマの
イオンをタ−ゲット１１に衝突させてタ−ゲット１１よ
り叩き出された粒子がウエハＷ表面に堆積される。
【０００４】ここでタ−ゲット１１の表面全体に均一な
プラズマを形成することは極めて困難であるため、上述
の装置ではプラズマリングを発生させてこれをタ−ゲッ
ト１１の表面に沿って回転させ、当該表面を均一にスパ
ッタするようにしている。
プラズマを形成することは極めて困難であるため、上述
の装置ではプラズマリングを発生させてこれをタ−ゲッ
ト１１の表面に沿って回転させ、当該表面を均一にスパ
ッタするようにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところでプラズマ中の
イオンによりスパッタされたタ−ゲット１１の粒子はタ
−ゲット１１の表面から例えば余弦分布形状の角度分布
で放出され、しかもタ−ゲット１１をウエハよりも可成
り大きくすることは装置が大型化して得策ではないこと
から、ウエハＷに対して均一な膜付けを行なうためには
タ−ゲット１１の表面をその周縁にできるだけ近い領域
までプラズマによりなぞること即ち磁石ユニット１３の
公転領域の外縁部をできるだけタ−ゲット１１の周縁側
に位置させることが必要である。
イオンによりスパッタされたタ−ゲット１１の粒子はタ
−ゲット１１の表面から例えば余弦分布形状の角度分布
で放出され、しかもタ−ゲット１１をウエハよりも可成
り大きくすることは装置が大型化して得策ではないこと
から、ウエハＷに対して均一な膜付けを行なうためには
タ−ゲット１１の表面をその周縁にできるだけ近い領域
までプラズマによりなぞること即ち磁石ユニット１３の
公転領域の外縁部をできるだけタ−ゲット１１の周縁側
に位置させることが必要である。
【０００６】一方、タ−ゲット１１の表面側ではプラズ
マリングが形成されるため、真空チャンバ１内の圧力が
１．０ｍＴｏｒｒ程度と可成り低い場合には、磁石ユニ
ット１３をタ−ゲット１１の周縁に近づけすぎると、磁
力線が水平となる部分がタ−ゲット１１からはみ出して
電子がタ−ゲット１１の表面（下面）領域から飛び出し
て消失してしまうので、プラズマの着火性が悪くなる。
マリングが形成されるため、真空チャンバ１内の圧力が
１．０ｍＴｏｒｒ程度と可成り低い場合には、磁石ユニ
ット１３をタ−ゲット１１の周縁に近づけすぎると、磁
力線が水平となる部分がタ−ゲット１１からはみ出して
電子がタ−ゲット１１の表面（下面）領域から飛び出し
て消失してしまうので、プラズマの着火性が悪くなる。
【０００７】このため従来では真空チャンバ１内の圧力
を例えば２．０ｍＴｏｒｒ程度に設定することによって
プラズマの着火性を向上させるようにしていたが、その
ため次のような問題があった。即ち真空チャンバ１内に
は例えば高純度のアルゴンガスが導入されるが、この気
体中には極僅かではあるが不純物が混入しているため、
真空チャンバ１内の気体量が多くなるとウエハＷとタ−
ゲット１１の表面に混入する不純物が多くなり、この結
果歩留まりが低下するといった問題も生じる。
を例えば２．０ｍＴｏｒｒ程度に設定することによって
プラズマの着火性を向上させるようにしていたが、その
ため次のような問題があった。即ち真空チャンバ１内に
は例えば高純度のアルゴンガスが導入されるが、この気
体中には極僅かではあるが不純物が混入しているため、
真空チャンバ１内の気体量が多くなるとウエハＷとタ−
ゲット１１の表面に混入する不純物が多くなり、この結
果歩留まりが低下するといった問題も生じる。
【０００８】本発明はこのような事情のもとになされた
ものであり、その目的は、低圧力気体雰囲気中でプラズ
マを確実に着火させることができ、これにより被処理体
への不純物の混入を抑えることができると共に、有限の
大きさのタ−ゲットを用いてもウエハＷに対して均一な
膜付けを行なうことができるマグネトロンスパッタ方法
を提供することにある。
ものであり、その目的は、低圧力気体雰囲気中でプラズ
マを確実に着火させることができ、これにより被処理体
への不純物の混入を抑えることができると共に、有限の
大きさのタ−ゲットを用いてもウエハＷに対して均一な
膜付けを行なうことができるマグネトロンスパッタ方法
を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、磁石ユニット
をターゲットの周方向に移動させて当該ターゲットの表
面に沿ってプラズマリングを回転させるマグネトロンス
パッタ方法において、ターゲットの周縁部と前記ターゲ
ットの中心部との間で磁石ユニットを移動させる移動機
構を設け、プラズマ着火時は前記ターゲットの周縁部よ
りも内方側に磁石ユニットを位置させ、プラズマ着火後
は前記周縁部に移動させることを特徴とする。この場合
ターゲットの周縁部よりも内方側とは、例えばターゲッ
トの中心部である。
をターゲットの周方向に移動させて当該ターゲットの表
面に沿ってプラズマリングを回転させるマグネトロンス
パッタ方法において、ターゲットの周縁部と前記ターゲ
ットの中心部との間で磁石ユニットを移動させる移動機
構を設け、プラズマ着火時は前記ターゲットの周縁部よ
りも内方側に磁石ユニットを位置させ、プラズマ着火後
は前記周縁部に移動させることを特徴とする。この場合
ターゲットの周縁部よりも内方側とは、例えばターゲッ
トの中心部である。
【００１０】
【作用】プラズマ着火時には移動機構によって磁石ユニ
ットをタ−ゲットの中心部の着火位置に置くことによ
り、磁石ユニットをタ−ゲットの周縁部に位置させて着
火する場合に比べて低い圧力でもプラズマが確実に着火
する。一方、プラズマ着火後はプラズマリングが安定す
ると共にタ−ゲットの周縁部からはみ出してもプラズマ
が消火しないので、磁石ユニットをタ−ゲットの周縁部
の所定位置に移動させて周方向に公転させることによっ
てタ−ゲット周縁部までスパッタすることができる。従
って、低圧力気体雰囲気中でプラズマが確実に着火する
と共に、タ−ゲット表面が均一にスパッタされる。
ットをタ−ゲットの中心部の着火位置に置くことによ
り、磁石ユニットをタ−ゲットの周縁部に位置させて着
火する場合に比べて低い圧力でもプラズマが確実に着火
する。一方、プラズマ着火後はプラズマリングが安定す
ると共にタ−ゲットの周縁部からはみ出してもプラズマ
が消火しないので、磁石ユニットをタ−ゲットの周縁部
の所定位置に移動させて周方向に公転させることによっ
てタ−ゲット周縁部までスパッタすることができる。従
って、低圧力気体雰囲気中でプラズマが確実に着火する
と共に、タ−ゲット表面が均一にスパッタされる。
【００１１】
【実施例】図１は本発明の実施例を示す縦断側面図であ
る。図１中２は真空チャンバであり、この真空チャンバ
２の上部にはマグネトロンカソ−ド３が設けられると共
に、真空チャンバ２の下部には、前記マグネトロンカソ
−ド３と対向するよう被処理体としての半導体ウエハＷ
を載置するための載置台４が加熱機構４１の上に配置さ
れている。この加熱機構４１の周囲にはカバ−板４２が
設けられている。前記真空チャンバ２には、イオン化ガ
スである例えばアルゴンガスを導入するためのガス導入
管２１及び所定の圧力に減圧するための排気管２２が接
続されている。
る。図１中２は真空チャンバであり、この真空チャンバ
２の上部にはマグネトロンカソ−ド３が設けられると共
に、真空チャンバ２の下部には、前記マグネトロンカソ
−ド３と対向するよう被処理体としての半導体ウエハＷ
を載置するための載置台４が加熱機構４１の上に配置さ
れている。この加熱機構４１の周囲にはカバ−板４２が
設けられている。前記真空チャンバ２には、イオン化ガ
スである例えばアルゴンガスを導入するためのガス導入
管２１及び所定の圧力に減圧するための排気管２２が接
続されている。
【００１２】前記マグネトロンカソ−ド３は、真空チャ
ンバ２の上面に絶縁リング３０を介して取り付けられた
有底筒状体３１を備えており、この筒状体３１の下面に
は、周縁下面が内方側に傾斜した例えばアルミニウムよ
りなる円形状のタ−ゲット５が着脱自在に取り付けられ
ている。また真空チャンバ２とタ−ゲット５との間には
タ−ゲット５側がカソ−ドとなるように図示しない直流
電源が接続されている。
ンバ２の上面に絶縁リング３０を介して取り付けられた
有底筒状体３１を備えており、この筒状体３１の下面に
は、周縁下面が内方側に傾斜した例えばアルミニウムよ
りなる円形状のタ−ゲット５が着脱自在に取り付けられ
ている。また真空チャンバ２とタ−ゲット５との間には
タ−ゲット５側がカソ−ドとなるように図示しない直流
電源が接続されている。
【００１３】前記筒状体３１の中空部内には冷却水が満
たされていると共に、当該筒状体３１の上面を貫通して
回転軸３２が挿入されており、この回転軸３２の上部外
周にはモ−タ３３に設けられた歯車３３ａと歯合する歯
車３２ａが設けられている。一方、回転軸３２の下部に
は一端が回転軸３２に接続されて水平に支持されると共
に、長さ方向に図示しないガイド用切欠部が形成されて
いる例えば板状体よりなる保持体３２ｂが設けられてい
る。前記保持体３２ｂには、図２に示すように中心部に
吊設部をなす軸部６ａが取り付けられた磁石ユニット６
が、当該軸部６ａの頭頂部が保持体３２ｂのガイト用切
欠部と係合して水平方向に移動自在に吊設されている。
前記磁石ユニット６は図３に示すように内側がＳ極、外
側がＮ極となるように着磁された複数の磁石体６１によ
り構成されており、また当該磁石ユニット６の外周面に
は後述する移動機構７の一部を構成するシリンダ７３の
一端が接続されている。
たされていると共に、当該筒状体３１の上面を貫通して
回転軸３２が挿入されており、この回転軸３２の上部外
周にはモ−タ３３に設けられた歯車３３ａと歯合する歯
車３２ａが設けられている。一方、回転軸３２の下部に
は一端が回転軸３２に接続されて水平に支持されると共
に、長さ方向に図示しないガイド用切欠部が形成されて
いる例えば板状体よりなる保持体３２ｂが設けられてい
る。前記保持体３２ｂには、図２に示すように中心部に
吊設部をなす軸部６ａが取り付けられた磁石ユニット６
が、当該軸部６ａの頭頂部が保持体３２ｂのガイト用切
欠部と係合して水平方向に移動自在に吊設されている。
前記磁石ユニット６は図３に示すように内側がＳ極、外
側がＮ極となるように着磁された複数の磁石体６１によ
り構成されており、また当該磁石ユニット６の外周面に
は後述する移動機構７の一部を構成するシリンダ７３の
一端が接続されている。
【００１４】前記移動機構７は図２に示すとおり、例え
ばエア−供給管７１、シリンダ作動部７２及びシリンダ
７３により構成されており、エア−供給管７１は一端側
が図示しないエア−供給源に接続されると共に、途中回
転軸３２を貫通して他端側がシリンダ作動部７２に接続
されている。前記シリンダ作動部７２は前記シリンダ７
３を常時縮退する方向（図２中シリンダ作動部７２の方
向）に付勢された図示しないバネを内蔵し、前記エア−
供給管７１から供給されるエア−によってこのバネの復
元力に抗してシリンダ７３を押し出すように構成されて
いる。前記シリンダ７３は縮退時には磁石ユニット６が
タ−ゲット５の周縁部よりも内方側の所定位置即ち磁力
線が水平となる部分がタ−ゲットの表面領域内となる位
置に置かれ、またエア−供給管７１よりのエア−供給に
よって押し出されているときには、磁石ユニット６の外
縁部がタ−ゲト５の周縁部（磁力線が水平となる部分が
タ−ゲットの表面領域から若干はみ出す位置）に置かれ
るようにストロ−クが設定されている。
ばエア−供給管７１、シリンダ作動部７２及びシリンダ
７３により構成されており、エア−供給管７１は一端側
が図示しないエア−供給源に接続されると共に、途中回
転軸３２を貫通して他端側がシリンダ作動部７２に接続
されている。前記シリンダ作動部７２は前記シリンダ７
３を常時縮退する方向（図２中シリンダ作動部７２の方
向）に付勢された図示しないバネを内蔵し、前記エア−
供給管７１から供給されるエア−によってこのバネの復
元力に抗してシリンダ７３を押し出すように構成されて
いる。前記シリンダ７３は縮退時には磁石ユニット６が
タ−ゲット５の周縁部よりも内方側の所定位置即ち磁力
線が水平となる部分がタ−ゲットの表面領域内となる位
置に置かれ、またエア−供給管７１よりのエア−供給に
よって押し出されているときには、磁石ユニット６の外
縁部がタ−ゲト５の周縁部（磁力線が水平となる部分が
タ−ゲットの表面領域から若干はみ出す位置）に置かれ
るようにストロ−クが設定されている。
【００１５】次に上述実施例の作用について説明する。
まず真空チャンバ２内を図示しない真空ポンプにより排
気管を介して真空引きした後、ガス導入管２１より真空
チャンバ２内に例えばアルゴンガスを所定圧力例えば
０．８ｍＴｏｒｒ程度となるように導入すると共に、シ
リンダ作動部７２内のエア−圧力を解除してバネの復元
力によってシリンダ７３を図２中シリンダ作動部７２の
方向に収縮させることによって、磁石ユニット６をタ−
ゲット５の周縁部より内方側の所定の着火位置に位置さ
せる。そして、タ−ゲット５側をカソ−ドとして図示し
ない直流電源によりタ−ゲット５と真空チャンバ２との
間に直流電圧を印加してアルゴンガスを放電させてプラ
ズマを着火し、プラズマリングを生成する。
まず真空チャンバ２内を図示しない真空ポンプにより排
気管を介して真空引きした後、ガス導入管２１より真空
チャンバ２内に例えばアルゴンガスを所定圧力例えば
０．８ｍＴｏｒｒ程度となるように導入すると共に、シ
リンダ作動部７２内のエア−圧力を解除してバネの復元
力によってシリンダ７３を図２中シリンダ作動部７２の
方向に収縮させることによって、磁石ユニット６をタ−
ゲット５の周縁部より内方側の所定の着火位置に位置さ
せる。そして、タ−ゲット５側をカソ−ドとして図示し
ない直流電源によりタ−ゲット５と真空チャンバ２との
間に直流電圧を印加してアルゴンガスを放電させてプラ
ズマを着火し、プラズマリングを生成する。
【００１６】次いで、プラズマ着火後にエア−供給管７
１よりシリンダ作動部７２内にエア−を供給することに
よって前記バネの付勢力に抗してシリンダ７３を伸長さ
せる。これによって磁石ユニット６を保持体３２ｂに沿
ってタ−ゲット５の周縁部の所定位置に移動させ、更に
モ−タ３３を駆動させギヤ−３３ａ、３２ａを介して回
転軸３２を回転させる。この結果磁石ユニット６が周方
向に移動（公転）してプラズマリングもタ−ゲット５の
周方向に表面をなぞりながら回転し、プラズマ中のイオ
ンがタ−ゲット５の表面に衝突して、アルミニウム粒子
をスパッタする。こうしてスパッタされたアルミニウム
粒子は、加熱機構４１により加熱されたウエハＷの表面
に堆積されていく。
１よりシリンダ作動部７２内にエア−を供給することに
よって前記バネの付勢力に抗してシリンダ７３を伸長さ
せる。これによって磁石ユニット６を保持体３２ｂに沿
ってタ−ゲット５の周縁部の所定位置に移動させ、更に
モ−タ３３を駆動させギヤ−３３ａ、３２ａを介して回
転軸３２を回転させる。この結果磁石ユニット６が周方
向に移動（公転）してプラズマリングもタ−ゲット５の
周方向に表面をなぞりながら回転し、プラズマ中のイオ
ンがタ−ゲット５の表面に衝突して、アルミニウム粒子
をスパッタする。こうしてスパッタされたアルミニウム
粒子は、加熱機構４１により加熱されたウエハＷの表面
に堆積されていく。
【００１７】以上の実施例によれば、プラズマ着火時に
は磁石ユニット６をタ−ゲット５の周縁部よりも内方側
の所定の着火位置に置いているため、磁石ユニット６か
らの磁力線のＺ軸成分が零となる部分がタ−ゲット５の
表面領域上に位置しているの、真空チャンバ２内のアル
ゴンガスの圧力を例えば０．８ｍＴｏｒｒ程度の低圧と
してもプラズマを確実に着火させることができる。従っ
て、アルゴンガス中に含まれる不純物の真空チャンバ２
内への導入を低減できるので、ウエハＷへの不純物の混
入が低減されると共に、アルゴンガス粒子とスパッタさ
れたアルムニウム粒子との衝突頻度も低減するので、ウ
エハＷに対して均一に膜付けを行なうことができ、歩留
まりの低下を防止できる。
は磁石ユニット６をタ−ゲット５の周縁部よりも内方側
の所定の着火位置に置いているため、磁石ユニット６か
らの磁力線のＺ軸成分が零となる部分がタ−ゲット５の
表面領域上に位置しているの、真空チャンバ２内のアル
ゴンガスの圧力を例えば０．８ｍＴｏｒｒ程度の低圧と
してもプラズマを確実に着火させることができる。従っ
て、アルゴンガス中に含まれる不純物の真空チャンバ２
内への導入を低減できるので、ウエハＷへの不純物の混
入が低減されると共に、アルゴンガス粒子とスパッタさ
れたアルムニウム粒子との衝突頻度も低減するので、ウ
エハＷに対して均一に膜付けを行なうことができ、歩留
まりの低下を防止できる。
【００１８】以上において、本発明では移動機構７は上
述の実施例の如くエア−駆動によるものに限られず、例
えばピニオンラックやモ−タ等を組み合わせて磁石ユニ
ット６を移動させるものであってもよい。また、タ−ゲ
ット５としてはタルタン、モリブデン、タングステン等
を用いてもよいし、イオン化ガスとしてはクリプトン、
窒素ガス等を用いることもできる。更に、磁石ユニット
６の磁石体は、内側、外側に夫々着磁する代りに、上面
側及び下面側に夫々Ｎ、Ｓ極の一方及び他方を着磁する
ようにしてもよいし、永久磁石の代りに電磁石を用いて
もよい。
述の実施例の如くエア−駆動によるものに限られず、例
えばピニオンラックやモ−タ等を組み合わせて磁石ユニ
ット６を移動させるものであってもよい。また、タ−ゲ
ット５としてはタルタン、モリブデン、タングステン等
を用いてもよいし、イオン化ガスとしてはクリプトン、
窒素ガス等を用いることもできる。更に、磁石ユニット
６の磁石体は、内側、外側に夫々着磁する代りに、上面
側及び下面側に夫々Ｎ、Ｓ極の一方及び他方を着磁する
ようにしてもよいし、永久磁石の代りに電磁石を用いて
もよい。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、一旦プラズマが着火す
るとその後はプラズマは安定して消えにくいことに着目
して、プラズマ着火時に磁石ユニットをタ−ゲットの周
縁部より中心部に置いて確実にプラズマを着火させるこ
とができる。また、プラズマ着火後、磁石ユニットをタ
−ゲットの周縁部の所定位置に移動させることができる
ので、タ−ゲットの周縁部までスパッタすることができ
る。
るとその後はプラズマは安定して消えにくいことに着目
して、プラズマ着火時に磁石ユニットをタ−ゲットの周
縁部より中心部に置いて確実にプラズマを着火させるこ
とができる。また、プラズマ着火後、磁石ユニットをタ
−ゲットの周縁部の所定位置に移動させることができる
ので、タ−ゲットの周縁部までスパッタすることができ
る。
【図１】本発明の実施例の全体構成を示す縦断側面図で
ある。
ある。
【図２】本発明の実施例の要部を示す縦断側面図であ
る。
る。
【図３】本発明の実施例の要部を示す概観斜視図であ
る。
る。
【図４】マグネトロンスパッタ方法全体の従来例の概略
を示す縦断側面図である。
を示す縦断側面図である。
２ 真空チャンバ ３ マグネトロンカソ−ド ３２ｂ 保持体 ４ 載置台 ５ タ−ゲット ６ 磁石ユニット ７ 移動機構 ７１ エア−供給管 ７２ シリンダ作動部 ７３ シリンダ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山口 博史 山梨県韮崎市藤井町北下条2381番地の１ テル・バリアン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭58−3975（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 14/00 - 14/58 H01L 21/203
Claims (2)
- 【請求項１】 磁石ユニットをターゲットの周方向に移
動させて、当該ターゲットの表面に沿って形成されるプ
ラズマリングを回転させるマグネトロンスパッタ方法に
おいて、 ターゲットの周縁部と前記ターゲットの中心部との間で
磁石ユニットを移動させる移動機構を設け、プラズマ着
火時は前記ターゲットの周縁部よりも内方側に磁石ユニ
ットを位置させ、プラズマ着火後は前記周縁部に移動さ
せることを特徴とするマグネトロンスパッタ方法。 - 【請求項２】 プラズマ着火時はターゲットの中心部に
磁石ユニットを位置させることを特徴とする請求項１記
載のマグネトロンスパッタ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13978292A JP3172890B2 (ja) | 1992-05-01 | 1992-05-01 | マグネトロンスパッタ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13978292A JP3172890B2 (ja) | 1992-05-01 | 1992-05-01 | マグネトロンスパッタ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05311432A JPH05311432A (ja) | 1993-11-22 |
| JP3172890B2 true JP3172890B2 (ja) | 2001-06-04 |
Family
ID=15253300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13978292A Expired - Fee Related JP3172890B2 (ja) | 1992-05-01 | 1992-05-01 | マグネトロンスパッタ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3172890B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7674360B2 (en) * | 2003-12-12 | 2010-03-09 | Applied Materials, Inc. | Mechanism for varying the spacing between sputter magnetron and target |
| JP2008177525A (ja) | 2006-12-20 | 2008-07-31 | Showa Denko Kk | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法、及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子、並びにランプ |
| JP2020015958A (ja) * | 2018-07-26 | 2020-01-30 | 株式会社アルバック | マグネトロンスパッタ装置 |
-
1992
- 1992-05-01 JP JP13978292A patent/JP3172890B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05311432A (ja) | 1993-11-22 |
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