JP3171991U - Lighting equipment for promoting plant growth - Google Patents
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Abstract
【課題】植物の成長を促進するための照明設備を提供する。【解決手段】基板ユニット1と、発光ユニット2と、電流制限ユニット3と、制御ユニット4とを備える植物成長促進用照明設備。基板ユニット1は基板本体10を含み、発光ユニット2、電流制限ユニット3、及び制御ユニット4が基板本体10に設けられる。発光ユニット2は、基板本体10に電気的に接続される複数の発光ダイオードチップ20A,20B,20Cをそれぞれ有する発光モジュール2A,2B,2Cを含む。電流制限ユニット3は、発光モジュール2A,2B,2Cにそれぞれ電気的に接続される電流制御チップ30A,30B,30Cを含む。制御ユニット4は、電流制限チップ30A,30B,30Cにそれぞれ電気的に接続されるPWM制御モジュール40A,40B,40Cを含む。【選択図】図10A lighting apparatus for promoting plant growth is provided. A plant growth promoting lighting system comprising a substrate unit, a light emitting unit, a current limiting unit, and a control unit. The substrate unit 1 includes a substrate body 10, and the light emitting unit 2, the current limiting unit 3, and the control unit 4 are provided on the substrate body 10. The light emitting unit 2 includes light emitting modules 2A, 2B, 2C each having a plurality of light emitting diode chips 20A, 20B, 20C electrically connected to the substrate body 10. The current limiting unit 3 includes current control chips 30A, 30B, and 30C that are electrically connected to the light emitting modules 2A, 2B, and 2C, respectively. The control unit 4 includes PWM control modules 40A, 40B, and 40C that are electrically connected to the current limiting chips 30A, 30B, and 30C, respectively. [Selection] Figure 10
Description
本考案は、照明設備に関し、特に植物の成長を促進するための照明設備に関する。 The present invention relates to a lighting equipment, and more particularly to a lighting equipment for promoting the growth of plants.
生活に用いられる照明設備、例えば蛍光灯やタングステンランプをはじめ、現在消費者に徐々に受け入れられつつある省エネ電球に至る照明設備は、日常生活においてこれまで幅広く使用されている。しかし、現状では、植物の成長促進のために適した構造を有する照明設備はあまり提案されていない。また、この種のランプや電球は、光劣化を起こしやすい、高熱が発生しやすい、寿命が短い、割れやすい、リサイクルしにくい等の欠点を有する。 Lighting equipment used in daily life, such as fluorescent lamps and tungsten lamps, and lighting equipment that are gradually being accepted by consumers at present, have been widely used in daily life. However, at present, there have not been many proposals for lighting equipment having a structure suitable for promoting the growth of plants. In addition, this type of lamp or light bulb has drawbacks such that light deterioration is likely to occur, high heat is easily generated, life is short, cracking is difficult, and recycling is difficult.
そこで、植物の成長促進のために適した照明設備が求められている。また、発光体として発光ダイオードを用いる場合における封止構造が求められている。 Therefore, there is a demand for lighting equipment suitable for promoting the growth of plants. Further, there is a demand for a sealing structure when a light emitting diode is used as a light emitter.
本考案は、植物の成長を促進するための照明設備(植物成長促進用照明設備)を提供する。この植物成長促進用照明設備は、基板ユニットと、発光ユニットと、電流制限ユニットと、制御ユニットとを備えることを特徴とする。基板ユニットは基板本体を含み、発光ユニット、電流制限ユニット、及び制御ユニットが、基板本体に設けられる。発光ユニットは、基板本体に電気的に接続される複数の第1の発光ダイオードチップを有する複数第1の発光モジュール、基板本体に電気的に接続される複数の第2の発光ダイオードチップを有する第2の発光モジュール、及び基板本体に電気的に接続される複数の第3の発光ダイオードチップを有する第3の発光モジュールを含む。電流制限ユニットは、第1の発光モジュールに電気的に接続される第1の電流制御チップ、第2の発光モジュールに電気的に接続される第2の電流制限チップ、及び第3の発光モジュールに電気的に接続される第3の電流制限チップを含む。制御ユニットは、第1の電流制限チップに電気的に接続される第1のPWM制御モジュール、第2の電流制限チップに電気的に接続される第2のPWM制御モジュール、及び第3の電流制限チップに電気的に接続される第3のPWM制御モジュールを含む。 The present invention provides lighting equipment (lighting equipment for promoting plant growth) for promoting the growth of plants. The plant growth promoting lighting equipment includes a substrate unit, a light emitting unit, a current limiting unit, and a control unit. The substrate unit includes a substrate body, and the light emitting unit, the current limiting unit, and the control unit are provided on the substrate body. The light emitting unit includes a plurality of first light emitting modules having a plurality of first light emitting diode chips electrically connected to the substrate body, and a second having a plurality of second light emitting diode chips electrically connected to the substrate body. And a third light emitting module having a plurality of third light emitting diode chips electrically connected to the substrate body. The current limiting unit includes a first current control chip electrically connected to the first light emitting module, a second current limiting chip electrically connected to the second light emitting module, and a third light emitting module. A third current limiting chip is included that is electrically connected. The control unit includes a first PWM control module electrically connected to the first current limit chip, a second PWM control module electrically connected to the second current limit chip, and a third current limit A third PWM control module electrically connected to the chip is included.
本考案に係る照明設備は、第1のPWM制御モジュールが所定のパルス周波数で複数の第1の発光ダイオードチップを制御し、第2のPWM制御モジュールが所定のパルス周波数で複数の第2の発光ダイオードチップを制御し、第3のPWM制御モジュールが所定のパルス周波数で複数の第3の発光ダイオードチップを制御するように構成される。これにより、植物の成長を促進することができる。 In the lighting equipment according to the present invention, the first PWM control module controls a plurality of first light emitting diode chips at a predetermined pulse frequency, and the second PWM control module controls a plurality of second light emission at a predetermined pulse frequency. The diode chip is controlled, and the third PWM control module is configured to control the plurality of third light emitting diode chips at a predetermined pulse frequency. Thereby, the growth of a plant can be promoted.
1.第一の実施形態
図1〜図4に示すように、本考案の第一の実施形態に係る植物成長促進用照明設備は、基板ユニット1と、発光ユニット2と、電流制限ユニット3と、制御ユニット4と、サイドフレームユニット5と、封止ユニット6とを備える。
1. 1st embodiment As shown in FIGS. 1-4, the plant growth promotion lighting installation which concerns on 1st embodiment of this invention is the board |
図1及び図2に示すように、基板ユニット1は基板本体10を含む。基板本体10は、基板本体10の上表面に設けられる第1のチップ設置領域10Aと、基板本体10の上表面に設けられる第2のチップ設置領域10Bと、基板本体10の上表面に設けられる第3のチップ設置領域10Cとを有する。図2に示すように、基板本体10は、回路基板100と、回路基板100の底部に設けられる放熱層101と、回路基板100の上表面に設けられる複数の導電パッド102と、回路基板100の上表面に設けられる絶縁層103とを有する構成としても良い。また、複数の導電パッド102が絶縁層103から露出する構成としても良い。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
図1及び図2に示すように、発光ユニット2は、第1の波長を有する光を発する第1の発光モジュール2Aと、第2の波長を有する光を発する第2の発光モジュール2Bと、第3の波長と所定の色温度を有する光を発する第3の発光モジュール2Cとを含む。第1の発光モジュール2Aは、第1のチップ設置領域10Aの上に設けられ、基板本体10に電気的に接続される複数の第1の発光ダイオードチップ20Aを有する。第2の発光モジュール2Bは、第2のチップ設置領域10Bの上に設けられ、基板本体10に電気的に接続される複数の第2の発光ダイオードチップ20Bを有する。第3の発光モジュール2Cは、第3のチップ設置領域10Cの上に設けられ、基板本体10に電気的に接続される複数の第3の発光ダイオードチップ20Cを有する。本実施形態では、第1の発光ダイオードチップ20A、第2の発光ダイオードチップ20B、及び第3の発光ダイオードチップ20Cは、それぞれ同じ個数ずつ設けられている。例えば、それぞれの第1の発光ダイオードチップ20Aは、赤色発光ダイオードのダイ(die)であっても良く、それぞれの第2の発光ダイオードチップ20B及びそれぞれの第3の発光ダイオードチップ20Cは、青色発光ダイオードのダイであっても良い。それぞれの第1の発光ダイオードチップ20A、それぞれの第2の発光ダイオードチップ20B、及びそれぞれの第3の発光ダイオードチップ20Cは、ワイヤボンディング方式で基板本体10に電気的に接続される。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
図1〜図3に示すように、電流制限ユニット3は、基板本体10の上に設けられ、第1の発光モジュール2Aに電気的に接続される第1の電流制限チップ30Aと、基板本体10の上に設けられ、第2の発光モジュール2Bに電気的に接続される第2の電流制限チップ30Bと、基板本体10の上に設けられ、第3の発光モジュール2Cに電気的に接続される第3の電流制限チップ30Cとを含む。例えば、第1の電流制限チップ30A、第2の電流制限チップ30B、及び第3の電流制限チップ30Cは、ワイヤボンディング方式で基板本体10に電気的に接続される。また、第1の電流制限チップ30Aは、包囲式封止用ペースト(周囲を囲むためのペースト)31に囲まれ、封止用ペースト32に覆われるようにしても良い。第2の電流制限チップ30Bは、包囲式封止用ペースト31に囲まれ、封止用ペースト32に覆われるようにしても良い。第3の電流制限チップ30Cは、包囲式封止用ペースト31に囲まれ、封止用ペースト32に覆われるようにしても良い。いずれの封止用ペースト32も、不透光なペーストであっても良い。図3に示すように電流制限ユニット3が定電圧パワーサプライSと発光ユニット2との間に電気的に接続される場合、電流制限ユニット3は定電圧パワーサプライSと発光ユニット2との間で電流を制御するユニットとして機能する。そのため、発光ユニット2は定電圧パワーサプライSから安定的な電流供給を受けることができる。
As shown in FIGS. 1 to 3, the current limiting
図1〜図3に示すように、制御ユニット4は、基板本体10の上に設けられ、第1の電流制限チップ30Aに電気的に接続される第1のPWM(Pulse Width Modulation)制御モジュール40Aと、基板本体10の上に設けられ、第2の電流制限チップ30Bに電気的に接続される第2のPWM制御モジュール40Bと、基板本体10の上に設けられ、第3の電流制限チップ30Cに電気的に接続される第3のPWM制御モジュール40Cとを含む。例えば図3に示すように制御ユニット4が定電圧パワーサプライSと電流制限ユニット3との間に電気的に接続される場合、第1のPWM制御モジュール40Aは所定のパルス周波数(例えば、50Hz、60Hz、・・・、120Hz、又は120Hz以上等)で複数の第1の発光ダイオードチップ20Aを制御し、第2のPWM制御モジュール40Bは所定のパルス周波数で複数の第2の発光ダイオードチップ20Bを制御し、第3のPWM制御モジュール40Cは所定のパルス周波数で複数の第3の発光ダイオードチップ20Cを制御することができる。
As shown in FIGS. 1 to 3, the
図1及び図2に示すように、サイドフレームユニット5は、複数の第1の発光ダイオードチップ20Aを囲むように基板本体10の上表面に形成される第1の包囲式サイドフレームペースト50Aと、複数の第2の発光ダイオードチップ20Bを囲むように基板本体10の上表面に形成される第2の包囲式サイドフレームペースト50Bと、複数の第3の発光ダイオードチップ20Cを囲むように基板本体10の上表面に形成される第3の包囲式サイドフレームペースト50Cとを含む。第1の包囲式サイドフレームペースト50Aは、複数の第1の発光ダイオードチップ20Aを囲むことで、第1のチップ設置領域10Aに対応する第1のペースト位置制限空間500A(図2を参照)を形成する。第2の包囲式サイドフレームペースト50Bは、複数の第2の発光ダイオードチップ20Bを囲むことで、第2のチップ設置領域10Bに対応する第2のペースト位置制限空間500Bを形成する。第3の包囲式サイドフレームペースト50Cは、複数の第3の発光ダイオードチップ20Cを囲むことで、第3のチップ設置領域10Cに対応する第3のペースト位置制限空間500Cを形成する。第1の包囲式サイドフレームペースト50A、第2の包囲式サイドフレームペースト50B、及び第3の包囲式サイドフレームペースト50Cは、互いに所定の距離を空けて離間している。第1のペースト位置制限空間500A、第2のペースト位置制限空間500B、及び第3のペースト位置制限空間500Cも、互いに所定の距離を空けて離間している。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
一実施形態として、第1の包囲式サイドフレームペースト50A、第2の包囲式サイドフレームペースト50B、又は第3の包囲式サイドフレームペースト50Cの製造方法は、少なくとも以下のステップを含む。(1)まず、所定の形状をなして囲むように液体状のペースト(図示せず)を基板本体10の上表面に塗布する。液体状ペーストは、例えば、円形、楕円形、矩形(正方形及び長方形を含む)、菱形、平行四辺形等をなすように任意の形状で塗布することができる。液体状ペーストのチクソ指数(thixotropic index)は4〜6の範囲とすることができ、基板本体10の上表面に液体状ペーストを塗布する圧力は350kPa〜450kPaの範囲とすることができ、基板本体10の上表面に液体状ペーストを塗布する速度は5mm/s〜15mm/sの範囲とすることができる。基板本体10の上表面に液体状ペーストが塗布される起点と終点とはほぼ同じ位置にあるため、起点と終点との交差部は、外観がやや突出する突出部5000として形成される(図1を参照)。(2)次に、液体状ペーストを固化させることにより、第1の包囲式サイドフレームペースト50Aを形成する。液体状ペーストはベーキング方式で硬化することができる。ベーキングの温度は120℃〜140℃の範囲とすることができ、ベーキングの時間は20分〜40分の範囲とすることができる。これにより、第1の包囲式サイドフレームペースト50Aの上表面は円弧形状を呈する(図2を参照)。第1の包囲式サイドフレームペースト50Aの円弧状切線Tの、基板本体10の上表面に対する角度θは40°〜50°の範囲とすることができ、基板本体10の上表面を基準とする第1の包囲式サイドフレームペースト50Aの頂面(頂点を含む面)の高さHは0.3mm〜0.7mmの範囲とすることができ、第1の包囲式サイドフレームペースト50Aの底部の幅Dは1.5mm〜3mmの範囲とすることができる。また、第1の包囲式サイドフレームペースト50Aのチクソ指数は4〜6の範囲とすることができ、第1の包囲式サイドフレームペースト50Aは、無機添加物を含有する白色熱硬化性サイドペーストであっても良い。
As an embodiment, the manufacturing method of the first surrounding
図1及び図2に示すように、封止ユニット6は、第1のペースト位置制限空間500Aの内部に充填されることで複数の第1の発光ダイオードチップ20Aを覆って封止する第1の封止用ペースト60Aと、第2のペースト位置制限空間500Bの内部に充填されることで複数の第2の発光ダイオードチップ20Bを覆って封止する第2の封止用ペースト60Bと、第3のペースト位置制限空間500Cの内部に充填されることで複数の第3の発光ダイオードチップ20Cを覆って封止する第3の封止用ペースト60Cとを含む。第1の封止用ペースト60Aは第1の包囲式サイドフレームペースト50Aに囲まれ、第2の封止用ペースト60Bは第2の包囲式サイドフレームペースト50Bに囲まれ、第3の封止用ペースト60Cは第3の包囲式サイドフレームペースト50Cに囲まれる。
As shown in FIGS. 1 and 2, the sealing
例えば、第1の封止用ペースト60Aは透明なペーストであっても良く、第1の発光モジュール2A(例えば、複数の赤色発光ダイオードのダイを用いる)が発する光の波長(第1の波長)は600nm〜700nmの範囲とすることができる。第2の封止用ペースト60Bは透明なペーストであっても良く、第2の発光モジュール2B(例えば、複数の青色発光ダイオードのダイを用いる)が発する光の波長(第2の波長)は400nm〜500nmの範囲とすることができる。第3の封止用ペースト60Cは蛍光性のペーストであっても良く、第3の発光モジュール2C(例えば、複数の青色発光ダイオードのダイを用いる)が発する光の波長(第3の波長)は400nm〜700nmの範囲とし、且つ、その色温度は2700K〜10000Kの範囲とすることができる。しかしながら、本考案に用いられる封止ユニット6の具体的構成は、これらに限定されるわけではない。
For example, the
図4に示すように、基板ユニット1は、基板本体10の上表面に設けられる複数の正極パッドPと、基板本体10の上表面に設けられる複数の負極パッドNとを有する。それぞれの第1の発光ダイオードチップ20Aは、正極201と負極202とをそれぞれ有する。それぞれの第1の発光ダイオードチップ20Aの正極201は、上述の複数の正極パッドPのうちの少なくとも2つの正極パッドPに対応し、それぞれの第1の発光ダイオードチップ20Aの負極202は、上述の複数の負極パッドNのうちの少なくとも2つの負極パッドNに対応する。それぞれの第2の発光ダイオードチップ20Bは、正極201と負極202とをそれぞれ有する。それぞれの第2の発光ダイオードチップ20Bの正極201は、上述の複数の正極パッドPのうちの少なくとも2つの正極パッドPに対応し、それぞれの第2の発光ダイオードチップ20Bの負極202は、上述の複数の負極パッドNのうちの少なくとも2つの負極パッドNに対応する。それぞれの第3の発光ダイオードチップ20Cは、正極201と負極202とをそれぞれ有する。それぞれの第3の発光ダイオードチップ20Cの正極201は、上述の複数の正極パッドPのうちの少なくとも2つの正極パッドPに対応し、それぞれの第3の発光ダイオードチップ20Cの負極202は、上述の複数の負極パッドNのうちの少なくとも2つの負極パッドNに対応する。
As shown in FIG. 4, the
図4に示すように、それぞれの第1の発光ダイオードチップ20Aの正極201は、ワイヤボンディング方式で上述の対応する少なくとも2つの正極パッドPのうちの1つの正極パッドPに電気的に接続されても良く、それぞれの第1の発光ダイオードチップ20Aの負極202は、ワイヤボンディング方式で上述の対応する少なくとも2つの負極パッドNのうちの1つの負極パッドNに電気的に接続されても良い。それぞれの第2の発光ダイオードチップ20Bの正極201は、ワイヤボンディング方式で上述の対応する少なくとも2つの正極パッドPのうちの1つの正極パッドPに電気的に接続されても良く、それぞれの第2の発光ダイオードチップ20Bの負極202は、ワイヤボンディング方式で上述の対応する少なくとも2つの負極パッドNのうちの1つの負極パッドNに電気的に接続されても良い。それぞれの第3の発光ダイオードチップ20Cの正極201は、ワイヤボンディング方式で上述の対応する少なくとも2つの正極パッドPのうちの1つの正極パッドPに電気的に接続されても良く、それぞれの第3の発光ダイオードチップ20Cの負極202は、ワイヤボンディング方式で上述の対応する少なくとも2つの負極パッドNのうちの1つの負極パッドNに電気的に接続されても良い。
As shown in FIG. 4, the
本実施形態で例示される照明設備は、第1のPWM制御モジュール40Aが所定のパルス周波数で複数の第1の発光ダイオードチップ20Aを制御し、第2のPWM制御モジュールが所定のパルス周波数で複数の第2の発光ダイオードチップ20Bを制御し、第3のPWM制御モジュールが所定のパルス周波数で複数の第3の発光ダイオードチップ20Cを制御するように構成される。これにより、デューティ比を調整して各発光ダイオードチップ20A,20B,20Cの輝度をそれぞれ適切に制御することができる。その結果、植物の成長を促進することができる。
In the lighting equipment exemplified in this embodiment, the first
2.第二の実施形態
本考案の第二の実施形態に係る植物成長促進用照明設備を図5に示す。図5と図3とを比較すると、本考案の第二の実施形態と上記第一の実施形態との最大の相違点は、少なくとも1つのブリッジ整流器70を含むブリッジ整流器ユニット7を備える点にある。すなわち、本実施形態に係る植物成長促進用照明設備は、基板本体10の上に設けられ第1の電流制限チップ30Aに電気的に接続される第1のブリッジ整流器70Aと、基板本体10の上に設けられ第2の電流制限チップ30Bに電気的に接続される第2のブリッジ整流器70Bと、基板本体10の上に設けられ第3の電流制限チップ30Cに電気的に接続される第3のブリッジ整流器70Cとを含むブリッジ整流器ユニット7を更に備える。このとき、制御ユニット4は、ブリッジ整流器ユニット7と電流制限ユニット3との間に電気的に接続される。また、ブリッジ整流器ユニット7は交流電源Aを直流電源に変換しており、電流制限ユニット3は発光ユニット2へ供給する直流電流量を制限することができる。そのため、発光ユニット2は安定的な直流電流の供給を受けることができる。本実施形態に係る植物成長促進用照明設備でも、上記第一の実施形態と同様に植物の成長を促進することができる。
2. Second Embodiment FIG. 5 shows a lighting facility for promoting plant growth according to a second embodiment of the present invention. Comparing FIG. 5 and FIG. 3, the greatest difference between the second embodiment of the present invention and the first embodiment is that a
3.第三の実施形態
本考案の第三の実施形態に係る植物成長促進用照明設備を図6に示す。図6と図3とを比較すると、本考案の第三の実施形態と上記第一の実施形態との最大の相違点は、少なくとも1つのブリッジ整流器70を含むブリッジ整流器ユニット7を含む点にある。また、図6と図5とを比較すると、本考案の第三の実施形態と上記第二の実施形態との最大の相違点は、ブリッジ整流器ユニット7の具体的構成にある。すなわち、本実施形態に係る植物成長促進用照明設備は、基板本体10の上に設けられる1つのブリッジ整流器70を含むブリッジ整流器ユニット7を更に備える。このとき、その1つのブリッジ整流器70が、同時に第1の電流制限チップ30A、第2の電流制限チップ30B、及び第3の電流制限チップ30Cの全てに対して電気的に接続され、制御ユニット4がブリッジ整流器ユニット7と電流制限ユニット3との間に電気的に接続される。なお、2つ以上のブリッジ整流器70が、同時に第1の電流制限チップ30A、第2の電流制限チップ30B、及び第3の電流制限チップ30Cの全てに対して電気的に接続される構成としても良い。本実施形態に係る植物成長促進用照明設備でも、上記の各実施形態と同様に植物の成長を促進することができる。
3. Third Embodiment FIG. 6 shows a plant growth promoting lighting facility according to a third embodiment of the present invention. 6 and 3, the greatest difference between the third embodiment of the present invention and the first embodiment is that it includes a
4.第四の実施形態
本考案の第四の実施形態に係る植物成長促進用照明設備を図7に示す。図7と図5又は図6とを比較すると、本考案の第四の実施形態と上記第二の実施形態又は上記第三の実施形態との最大の相違点は、ブリッジ整流器ユニット7を含まない点にある。すなわち、本実施形態に係る植物成長促進用照明設備では、それぞれの第1の発光ダイオードチップ20A、それぞれの第2の発光ダイオードチップ20B、及びそれぞれの第3の発光ダイオードチップ20Cが全てAC発光ダイオード(AC LED)であれば、ブリッジ整流器ユニット7を省略することができる。本実施形態に係る植物成長促進用照明設備でも、上記の各実施形態と同様に植物の成長を促進することができる。
4). Fourth Embodiment FIG. 7 shows a plant growth promoting lighting facility according to a fourth embodiment of the present invention. When FIG. 7 is compared with FIG. 5 or FIG. 6, the greatest difference between the fourth embodiment of the present invention and the second embodiment or the third embodiment does not include the
5.第五の実施形態
本考案の第五の実施形態に係る植物成長促進用照明設備を図8及び図9に示す。図8と図1とを比較し、図9と図2とを比較すると、本考案の第五の実施形態と上記第一の実施形態との最大の相違点は、サイドフレームユニット5の具体的な配置関係にある。すなわち、本実施形態に係る植物成長促進用照明設備では、第1の包囲式サイドフレームペースト50A、第2の包囲式サイドフレームペースト50B、及び第3の包囲式サイドフレームペースト50Cは、順に接して並ぶように配置される。つまり、所定方向に沿って、第1の包囲式サイドフレームペースト50Aと第2の包囲式サイドフレームペースト50Bとが接して配置され、更に第2の包囲式サイドフレームペースト50Bと第3の包囲式サイドフレームペースト50Cとが接して配置される。なお、第1のペースト位置制限空間500A、第2のペースト位置制限空間500B、及び第3のペースト位置制限空間500Cは、互いに所定の距離を空けて離間している。本実施形態に係る植物成長促進用照明設備でも、上記の各実施形態と同様に植物の成長を促進することができる。
5). Fifth Embodiment FIGS. 8 and 9 show a plant growth promoting lighting facility according to a fifth embodiment of the present invention. 8 and FIG. 1 and FIG. 9 and FIG. 2 are compared, the biggest difference between the fifth embodiment of the present invention and the first embodiment is the specific of the
6.第六の実施形態
本考案の第六の実施形態に係る植物成長促進用照明設備を図10及び図11に示す。図10と図1とを比較し、図11と図2とを比較すると、本考案の第六の実施形態と上記第一の実施形態との最大の相違点は、発光ユニット2の具体的な配置関係にある。すなわち、本実施形態に係る植物成長促進用照明設備では、第1のチップ設置領域10A、第2のチップ設置領域10B、及び第3のチップ設置領域10Cが、中心から径方向外側に向かって記載の順に同心円状に配置される。これに応じて、第1の発光モジュール2A、第2の発光モジュール2B、及び第3の発光モジュール2Cも、中心から径方向外側に向かって記載の順に同心円状に配置される。なお、図示の例のように、第1の発光ダイオードチップ20Aの個数よりも第2の発光ダイオードチップ20Bの個数を多くしても良い。また、第2の発光ダイオードチップ20Bの個数よりも第3の発光ダイオードチップ20Cの個数を多くしても良い。
6). Sixth Embodiment FIGS. 10 and 11 show a plant growth promoting lighting facility according to a sixth embodiment of the present invention. Comparing FIG. 10 with FIG. 1 and comparing FIG. 11 with FIG. 2, the biggest difference between the sixth embodiment of the present invention and the first embodiment is the specific of the
本実施形態では、第1の包囲式サイドフレームペースト50A、第2の包囲式サイドフレームペースト50B、及び第3の包囲式サイドフレームペースト50Cも、中心から径方向外側に向かって記載の順に同心円状に配置される。つまり、第1の包囲式サイドフレームペースト50Aが環状に配置され、第2の包囲式サイドフレームペースト50Bは第1の包囲式サイドフレームペースト50Aを取り囲み、第3の包囲式サイドフレームペースト50Cは第2の包囲式サイドフレームペースト50Bを取り囲む。そして、上述した複数の第1の発光ダイオードチップ20Aは第1の包囲式サイドフレームペースト50Aで取り囲まれ、上述した複数の第2の発光ダイオードチップ20Bは第1の包囲式サイドフレームペースト50Aと第2の包囲式サイドフレームペースト50Bとの間にあり、上述した複数の第3の発光ダイオードチップ20Cは第2の包囲式サイドフレームペースト50Bと第3の包囲式サイドフレームペースト50Cとの間にある。また、第1の封止用ペースト60Aは第1の包囲式サイドフレームペースト50Aで取り囲まれ、第2の封止用ペースト60Bは第1の包囲式サイドフレームペースト50Aと第2の包囲式サイドフレームペースト50Bとの間にあり、第3の封止用ペースト60Cは第2の包囲式サイドフレームペースト50Bと第3の包囲式サイドフレームペースト50Cとの間にある。本実施形態に係る植物成長促進用照明設備でも、上記の各実施形態と同様に植物の成長を促進することができる。
In the present embodiment, the first surrounding
上記の各実施形態で説明した構成は、本考案の好ましい一実施例に過ぎず、本考案の技術的範囲を限定するものではない。従って、本明細書及び図面の記載内容に基づいてなされる均等な変更及び付加は、いずれも本考案の技術的範囲に含まれる。 The configurations described in the above embodiments are merely preferred examples of the present invention, and do not limit the technical scope of the present invention. Accordingly, any equivalent changes and additions made based on the description in the present specification and the drawings are included in the technical scope of the present invention.
1 基板ユニット
10 基板本体
10A 第1のチップ設置領域
10B 第2のチップ設置領域
10C 第3のチップ設置領域
2 発光ユニット
201 正極
202 負極
2A 第1の発光モジュール
20A 第1の発光ダイオードチップ
2B 第2の発光モジュール
20B 第2の発光ダイオードチップ
2C 第3の発光モジュール
20C 第3の発光ダイオードチップ
3 電流制限ユニット
30A 第1の電流制限チップ
30B 第2の電流制限チップ
30C 第3の電流制限チップ
4 制御ユニット
40A 第1のPWM制御モジュール
40B 第2のPWM制御モジュール
40C 第3のPWM制御モジュール
5 サイドフレームユニット
50A 第1の包囲式サイドフレームペースト
500A 第1のペースト位置制限空間
50B 第2の包囲式サイドフレームペースト
500B 第2のペースト位置制限空間
50C 第3の包囲式サイドフレームペースト
500C 第3のペースト位置制限空間
6 封止ユニット
60A 第1の封止用ペースト
60B 第2の封止用ペースト
60C 第3の封止用ペースト
7 ブリッジ整流器ユニット
70 ブリッジ整流器
70A 第1のブリッジ整流器
70B 第2のブリッジ整流器
70C 第3のブリッジ整流器
P 正極パッド
N 負極パッド
DESCRIPTION OF
Claims (15)
前記第1のチップ設置領域の上に設けられ前記基板本体に電気的に接続される複数の第1の発光ダイオードチップを有し、第1の波長を有する光を発するための第1の発光モジュールと、前記第2のチップ設置領域の上に設けられ前記基板本体に電気的に接続される複数の第2の発光ダイオードチップを有し、第2の波長を有する光を発するための第2の発光モジュールと、前記第3のチップ設置領域の上に設けられ前記基板本体に電気的に接続される複数の第3の発光ダイオードチップを有し、第3の波長と所定の色温度とを有する光を発するための第3の発光モジュールと、を含む発光ユニットと、
前記基板本体の上に設けられ前記第1の発光モジュールに電気的に接続される第1の電流制限チップと、前記基板本体の上に設けられ前記第2の発光モジュールに電気的に接続される第2の電流制限チップと、前記基板本体の上に設けられ前記第3の発光モジュールに電気的に接続される第3の電流制限チップと、を含む電流制限ユニットと、
前記基板本体の上に設けられ前記第1の電流制限チップに電気的に接続される第1のPWM制御モジュールと、前記基板本体の上に設けられ前記第2の電流制限チップに電気的に接続される第2のPWM制御モジュールと、前記基板本体の上に設けられ前記第3の電流制限チップに電気的に接続される第3のPWM制御モジュールと、を含む制御ユニットと、
複数の前記第1の発光ダイオードチップを取り囲むように前記基板本体の上表面に形成され、前記第1のチップ設置領域に対応する第1のペースト位置制限空間を形成する第1の包囲式サイドフレームペーストと、複数の前記第2の発光ダイオードチップを取り囲むように前記基板本体の上表面に形成され、前記第2のチップ設置領域に対応する第2のペースト位置制限空間を形成する第2の包囲式サイドフレームペーストと、複数の前記第3の発光ダイオードチップを取り囲むように前記基板本体の上表面に形成され、前記第3のチップ設置領域に対応する第3のペースト位置制限空間を形成する第3の包囲式サイドフレームペーストと、を含むサイドフレームユニットと、
前記第1の包囲式サイドフレームペーストで取り囲まれた前記第1のペースト位置制限空間の内部に充填されて複数の前記第1の発光ダイオードチップを封止する第1の封止用ペーストと、前記第2の包囲式サイドフレームペーストで取り囲まれた前記第2のペースト位置制限空間の内部に充填されて複数の前記第2の発光ダイオードチップを封止する第2の封止用ペーストと、前記第3の包囲式サイドフレームペーストで取り囲まれた前記第3のペースト位置制限空間の内部に充填されて複数の前記第3の発光ダイオードチップを封止する第3の封止用ペーストと、を含む封止ユニットと、
を備える植物成長促進用照明設備。 A substrate unit including a substrate body having a first chip installation area, a second chip installation area, and a third chip installation area provided on the upper surface;
A first light emitting module for emitting light having a first wavelength, having a plurality of first light emitting diode chips provided on the first chip installation region and electrically connected to the substrate body And a plurality of second light emitting diode chips provided on the second chip installation region and electrically connected to the substrate body, and a second for emitting light having a second wavelength A light emitting module; a plurality of third light emitting diode chips which are provided on the third chip placement region and electrically connected to the substrate body; and have a third wavelength and a predetermined color temperature. A light emitting unit comprising: a third light emitting module for emitting light;
A first current limiting chip provided on the substrate body and electrically connected to the first light emitting module; and a first current limiting chip provided on the substrate body and electrically connected to the second light emitting module. A current limiting unit comprising: a second current limiting chip; and a third current limiting chip provided on the substrate body and electrically connected to the third light emitting module;
A first PWM control module provided on the substrate body and electrically connected to the first current limiting chip; and electrically connected to the second current limiting chip provided on the substrate body. A second PWM control module, and a third PWM control module provided on the substrate body and electrically connected to the third current limiting chip;
A first surrounding side frame formed on an upper surface of the substrate body so as to surround the plurality of first light emitting diode chips, and forming a first paste position restriction space corresponding to the first chip placement region. A second enclosure that is formed on the upper surface of the substrate body so as to surround the paste and the plurality of second light emitting diode chips, and forms a second paste position restriction space corresponding to the second chip placement region. And a third paste position restriction space corresponding to the third chip installation region, which is formed on the upper surface of the substrate body so as to surround the plurality of third light emitting diode chips. A side frame unit including three sieving side frame pastes;
A first sealing paste for filling a plurality of the first light emitting diode chips filled in the first paste position restriction space surrounded by the first surrounding side frame paste; A second sealing paste for filling a plurality of second light emitting diode chips filled in the second paste position restriction space surrounded by a second surrounding side frame paste; A third sealing paste that fills the inside of the third paste position restriction space surrounded by three surrounding side frame pastes and seals the plurality of third light emitting diode chips. Stop unit,
Lighting equipment for promoting plant growth.
前記第1のペースト位置制限空間、前記第2のペースト位置制限空間、及び前記第3のペースト位置制限空間は、互いに所定の距離を空けて離間するように配置され、
前記第1の波長は600nm〜700nmの範囲にあり、前記第2の波長は400nm〜500nmの範囲にあり、前記第3の波長は400nm〜700nmの範囲にあり、前記色温度は2700K〜10000Kの範囲にある請求項1に記載の植物成長促進用照明設備。 The first surrounding side frame paste, the second surrounding side frame paste, and the third surrounding side frame paste are arranged so as to be separated from each other by a predetermined distance or in contact with each other in order. And
The first paste position restriction space, the second paste position restriction space, and the third paste position restriction space are arranged so as to be separated from each other by a predetermined distance,
The first wavelength is in the range of 600 nm to 700 nm, the second wavelength is in the range of 400 nm to 500 nm, the third wavelength is in the range of 400 nm to 700 nm, and the color temperature is 2700K to 10,000K. The lighting equipment for promoting plant growth according to claim 1 in the range.
それぞれの前記第1の発光ダイオードチップは正極と負極とをそれぞれ有し、それぞれの前記第1の発光ダイオードチップの正極は複数の前記正極パッドのうちの少なくとも2つの正極パッドに対応し、それぞれの前記第1の発光ダイオードチップの負極は複数の前記負極パッドのうちの少なくとも2つの負極パッドに対応し、
それぞれの前記第2の発光ダイオードチップは正極と負極とをそれぞれ有し、それぞれの前記第2の発光ダイオードチップの正極は複数の前記正極パッドのうちの少なくとも2つの正極パッドに対応し、それぞれの前記第2の発光ダイオードチップの負極は複数の前記負極パッドのうちの少なくとも2つの負極パッドに対応し、
それぞれの前記第3の発光ダイオードチップは正極と負極とをそれぞれ有し、それぞれの前記第3の発光ダイオードチップの正極は複数の前記正極パッドのうちの少なくとも2つの正極パッドに対応し、それぞれの前記第3の発光ダイオードチップの負極は複数の前記負極パッドのうちの少なくとも2つの負極パッドに対応し、
それぞれの前記第1の発光ダイオードチップの正極は前記少なくとも2つの正極パッドのうちの1つの正極パッドに電気的に接続され、それぞれの前記第1の発光ダイオードチップの負極は前記少なくとも2つの負極パッドのうちの1つの負極パッドに電気的に接続され、
それぞれの前記第2の発光ダイオードチップの正極は前記少なくとも2つの正極パッドのうちの1つの正極パッドに電気的に接続され、それぞれの前記第2の発光ダイオードチップの負極は前記少なくとも2つの負極パッドのうちの1つの負極パッドに電気的に接続され、
それぞれの前記第3の発光ダイオードチップの正極は前記少なくとも2つの正極パッドのうちの1つの正極パッドに電気的に接続され、それぞれの前記第3の発光ダイオードチップの負極は前記少なくとも2つの負極パッドのうちの1つの負極パッドに電気的に接続される請求項1又は2に記載の植物成長促進用照明設備。 The substrate unit has a plurality of positive electrode pads and a plurality of negative electrode pads provided on the upper surface of the substrate body,
Each of the first light emitting diode chips has a positive electrode and a negative electrode, and the positive electrode of each of the first light emitting diode chips corresponds to at least two positive electrode pads of the plurality of positive electrode pads, The negative electrode of the first light emitting diode chip corresponds to at least two negative pads of the plurality of negative pads,
Each of the second light emitting diode chips has a positive electrode and a negative electrode, and the positive electrode of each of the second light emitting diode chips corresponds to at least two positive electrode pads of the plurality of positive electrode pads, The negative electrode of the second light emitting diode chip corresponds to at least two negative pads of the plurality of negative pads,
Each of the third light emitting diode chips has a positive electrode and a negative electrode, and the positive electrode of each of the third light emitting diode chips corresponds to at least two positive electrode pads of the plurality of positive electrode pads, The negative electrode of the third light emitting diode chip corresponds to at least two negative pads of the plurality of negative pads,
The positive electrode of each first light emitting diode chip is electrically connected to one positive electrode pad of the at least two positive electrode pads, and the negative electrode of each first light emitting diode chip is the at least two negative electrode pads. Electrically connected to the negative pad of one of the
The positive electrode of each second light emitting diode chip is electrically connected to one positive electrode pad of the at least two positive electrode pads, and the negative electrode of each second light emitting diode chip is the at least two negative electrode pads. Electrically connected to the negative pad of one of the
The positive electrode of each third light emitting diode chip is electrically connected to one positive electrode pad of the at least two positive electrode pads, and the negative electrode of each third light emitting diode chip is the at least two negative electrode pads. The lighting equipment for promoting plant growth according to claim 1 or 2, wherein the lighting equipment is electrically connected to one of the negative electrode pads.
前記少なくとも1つのブリッジ整流器は、前記第1の電流制限チップ、前記第2の電流制限チップ、及び前記第3の電流制限チップの全てに対して電気的に接続され、
前記制御ユニットは、前記ブリッジ整流器ユニットと前記電流制限ユニットとの間に電気的に接続される請求項1から3のいずれか一項に記載の植物成長促進用照明設備。 A bridge rectifier unit including at least one bridge rectifier provided on the substrate body;
The at least one bridge rectifier is electrically connected to all of the first current limiting chip, the second current limiting chip, and the third current limiting chip;
The said control unit is the plant growth promotion lighting installation as described in any one of Claim 1 to 3 electrically connected between the said bridge | bridging rectifier unit and the said current limiting unit.
前記制御ユニットは、前記ブリッジ整流器ユニットと前記電流制限ユニットとの間に電気的に接続される請求項1から3のいずれか一項に記載の植物成長促進用照明設備。 A first bridge rectifier provided on the substrate body and electrically connected to the first current limiting chip; and electrically connected to the second current limiting chip provided on the substrate body. A bridge rectifier unit comprising: a second bridge rectifier, and a third bridge rectifier provided on the substrate body and electrically connected to the third current limiting chip;
The said control unit is the plant growth promotion lighting installation as described in any one of Claim 1 to 3 electrically connected between the said bridge | bridging rectifier unit and the said current limiting unit.
前記第1のチップ設置領域の上に設けられ前記基板本体に電気的に接続される複数の第1の発光ダイオードチップを有し、第1の波長を有する光を発するための第1の発光モジュールと、前記第2のチップ設置領域の上に設けられ前記基板本体に電気的に接続される複数の第2の発光ダイオードチップを有し、第2の波長を有する光を発するための第2の発光モジュールと、前記第3のチップ設置領域の上に設けられ前記基板本体に電気的に接続される複数の第3の発光ダイオードチップを有し、第3の波長と所定の色温度とを有する光を発するための第3の発光モジュールと、を含む発光ユニットと、
前記基板本体の上に設けられ前記第1の発光モジュールに電気的に接続される第1の電流制限チップと、前記基板本体の上に設けられ前記第2の発光モジュールに電気的に接続される第2の電流制限チップと、前記基板本体の上に設けられ前記第3の発光モジュールに電気的に接続される第3の電流制限チップと、を含む電流制限ユニットと、
前記基板本体の上に設けられ前記第1の電流制限チップに電気的に接続される第1のPWM制御モジュールと、前記基板本体の上に設けられ前記第2の電流制限チップに電気的に接続される第2のPWM制御モジュールと、前記基板本体の上に設けられ前記第3の電流制限チップに電気的に接続される第3のPWM制御モジュールと、を含む制御ユニットと、
複数の前記第1の発光ダイオードチップを取り囲むように前記基板本体の上表面に形成され、前記第1のチップ設置領域に対応する第1のペースト位置制限空間を形成する第1の包囲式サイドフレームペーストと、複数の前記第2の発光ダイオードチップを取り囲むように前記基板本体の上表面に形成され、前記第2のチップ設置領域に対応する第2のペースト位置制限空間を形成する第2の包囲式サイドフレームペーストと、複数の前記第3の発光ダイオードチップを取り囲むように前記基板本体の上表面に形成され、前記第3のチップ設置領域に対応する第3のペースト位置制限空間を形成する第3の包囲式サイドフレームペーストと、を含むサイドフレームユニットと、
前記第1の包囲式サイドフレームペーストで取り囲まれ、前記第1のペースト位置制限空間の内部に充填されて複数の前記第1の発光ダイオードチップを封止する第1の封止用ペーストと、前記第1の包囲式サイドフレームペーストと前記第2の包囲式サイドフレームペーストとの間にあり、前記第2のペースト位置制限空間の内部に充填されて複数の前記第2の発光ダイオードチップを封止する第2の封止用ペーストと、前記第2の包囲式サイドフレームペーストと前記第3の包囲式サイドフレームペーストとの間にあり、前記第3のペースト位置制限空間の内部に充填されて複数の前記第3の発光ダイオードチップを封止する第3の封止用ペーストと、を含む封止ユニットと、
を備える植物成長促進用照明設備。 A substrate unit including a substrate body having a first chip installation area, a second chip installation area, and a third chip installation area provided on the upper surface;
A first light emitting module for emitting light having a first wavelength, having a plurality of first light emitting diode chips provided on the first chip installation region and electrically connected to the substrate body And a plurality of second light emitting diode chips provided on the second chip installation region and electrically connected to the substrate body, and a second for emitting light having a second wavelength A light emitting module; a plurality of third light emitting diode chips which are provided on the third chip placement region and electrically connected to the substrate body; and have a third wavelength and a predetermined color temperature. A light emitting unit comprising: a third light emitting module for emitting light;
A first current limiting chip provided on the substrate body and electrically connected to the first light emitting module; and a first current limiting chip provided on the substrate body and electrically connected to the second light emitting module. A current limiting unit comprising: a second current limiting chip; and a third current limiting chip provided on the substrate body and electrically connected to the third light emitting module;
A first PWM control module provided on the substrate body and electrically connected to the first current limiting chip; and electrically connected to the second current limiting chip provided on the substrate body. A second PWM control module, and a third PWM control module provided on the substrate body and electrically connected to the third current limiting chip;
A first surrounding side frame formed on an upper surface of the substrate body so as to surround the plurality of first light emitting diode chips, and forming a first paste position restriction space corresponding to the first chip placement region. A second enclosure that is formed on the upper surface of the substrate body so as to surround the paste and the plurality of second light emitting diode chips, and forms a second paste position restriction space corresponding to the second chip placement region. And a third paste position restriction space corresponding to the third chip installation region, which is formed on the upper surface of the substrate body so as to surround the plurality of third light emitting diode chips. A side frame unit including three sieving side frame pastes;
A first sealing paste surrounded by the first surrounding side frame paste and filled in the first paste position restriction space to seal a plurality of the first light emitting diode chips; Between the first surrounding side frame paste and the second surrounding side frame paste, the inside of the second paste position restriction space is filled to seal a plurality of the second light emitting diode chips. Between the second enclosing side frame paste and the third enclosing side frame paste, and filled in the third paste position restriction space. A third sealing paste for sealing the third light emitting diode chip, and a sealing unit,
Lighting equipment for promoting plant growth.
複数の前記第2の発光ダイオードチップは前記第1の包囲式サイドフレームペーストと前記第2の包囲式サイドフレームペーストとの間にあり、複数の前記第3の発光ダイオードチップは前記第2の包囲式サイドフレームペーストと前記第3の包囲式サイドフレームペーストとの間にあり、
前記第1の波長は600nm〜700nmの範囲にあり、前記第2の波長は400nm〜500nmの範囲にあり、前記第3の波長は400nm〜700nmの範囲にあり、前記色温度は2700K〜10000Kの範囲にある請求項6に記載の植物成長促進用照明設備。 The second surrounding side frame paste surrounds the first surrounding side frame paste, the third surrounding side frame paste surrounds the second surrounding side frame paste;
The plurality of second light emitting diode chips are between the first surrounding side frame paste and the second surrounding side frame paste, and the plurality of third light emitting diode chips are the second surrounding diode chips. Between the side wall paste and the third surrounding side frame paste,
The first wavelength is in the range of 600 nm to 700 nm, the second wavelength is in the range of 400 nm to 500 nm, the third wavelength is in the range of 400 nm to 700 nm, and the color temperature is 2700K to 10,000K. The lighting equipment for promoting plant growth according to claim 6 in the range.
それぞれの前記第1の発光ダイオードチップは正極と負極とをそれぞれ有し、それぞれの前記第1の発光ダイオードチップの正極は複数の前記正極パッドのうちの少なくとも2つの正極パッドに対応し、それぞれの前記第1の発光ダイオードチップの負極は複数の前記負極パッドのうちの少なくとも2つの負極パッドに対応し、
それぞれの前記第2の発光ダイオードチップは正極と負極とをそれぞれ有し、それぞれの前記第2の発光ダイオードチップの正極は複数の前記正極パッドのうちの少なくとも2つの正極パッドに対応し、それぞれの前記第2の発光ダイオードチップの負極は複数の前記負極パッドのうちの少なくとも2つの負極パッドに対応し、
それぞれの前記第3の発光ダイオードチップは正極と負極とをそれぞれ有し、それぞれの前記第3の発光ダイオードチップの正極は複数の前記正極パッドのうちの少なくとも2つの正極パッドに対応し、それぞれの前記第3の発光ダイオードチップの負極は複数の前記負極パッドのうちの少なくとも2つの負極パッドに対応し、
それぞれの前記第1の発光ダイオードチップの正極は前記少なくとも2つの正極パッドのうちの1つの正極パッドに電気的に接続され、それぞれの前記第1の発光ダイオードチップの負極は前記少なくとも2つの負極パッドのうちの1つの負極パッドに電気的に接続され、
それぞれの前記第2の発光ダイオードチップの正極は前記少なくとも2つの正極パッドのうちの1つの正極パッドに電気的に接続され、それぞれの前記第2の発光ダイオードチップの負極は前記少なくとも2つの負極パッドのうちの1つの負極パッドに電気的に接続され、
それぞれの前記第3の発光ダイオードチップの正極は前記少なくとも2つの正極パッドのうちの1つの正極パッドに電気的に接続され、それぞれの前記第3の発光ダイオードチップの負極は前記少なくとも2つの負極パッドのうちの1つの負極パッドに電気的に接続される請求項6又は7に記載の植物成長促進用照明設備。 The substrate unit has a plurality of positive electrode pads and a plurality of negative electrode pads provided on the upper surface of the substrate body,
Each of the first light emitting diode chips has a positive electrode and a negative electrode, and the positive electrode of each of the first light emitting diode chips corresponds to at least two positive electrode pads of the plurality of positive electrode pads, The negative electrode of the first light emitting diode chip corresponds to at least two negative pads of the plurality of negative pads,
Each of the second light emitting diode chips has a positive electrode and a negative electrode, and the positive electrode of each of the second light emitting diode chips corresponds to at least two positive electrode pads of the plurality of positive electrode pads, The negative electrode of the second light emitting diode chip corresponds to at least two negative pads of the plurality of negative pads,
Each of the third light emitting diode chips has a positive electrode and a negative electrode, and the positive electrode of each of the third light emitting diode chips corresponds to at least two positive electrode pads of the plurality of positive electrode pads, The negative electrode of the third light emitting diode chip corresponds to at least two negative pads of the plurality of negative pads,
The positive electrode of each first light emitting diode chip is electrically connected to one positive electrode pad of the at least two positive electrode pads, and the negative electrode of each first light emitting diode chip is the at least two negative electrode pads. Electrically connected to the negative pad of one of the
The positive electrode of each second light emitting diode chip is electrically connected to one positive electrode pad of the at least two positive electrode pads, and the negative electrode of each second light emitting diode chip is the at least two negative electrode pads. Electrically connected to the negative pad of one of the
The positive electrode of each third light emitting diode chip is electrically connected to one positive electrode pad of the at least two positive electrode pads, and the negative electrode of each third light emitting diode chip is the at least two negative electrode pads. The plant growth promoting lighting equipment according to claim 6 or 7, wherein the lighting equipment is electrically connected to one negative electrode pad.
前記少なくとも1つの前記ブリッジ整流器は、前記第1の電流制限チップ、前記第2の電流制限チップ、及び前記第3の電流制限チップの全てに対して電気的に接続され、
前記制御ユニットは、前記ブリッジ整流器ユニットと前記電流制限ユニットとの間に電気的に接続される請求項6から8のいずれか一項に記載の植物成長促進用照明設備。 A bridge rectifier unit including at least one bridge rectifier provided on the substrate body;
The at least one bridge rectifier is electrically connected to all of the first current limiting chip, the second current limiting chip, and the third current limiting chip;
9. The plant growth promoting lighting device according to claim 6, wherein the control unit is electrically connected between the bridge rectifier unit and the current limiting unit. 10.
前記制御ユニットは、前記ブリッジ整流器ユニットと前記電流制限ユニットとの間に電気的に接続される請求項6から8のいずれか一項に記載の植物成長促進用照明設備。 A first bridge rectifier provided on the substrate body and electrically connected to the first current limiting chip; and electrically connected to the second current limiting chip provided on the substrate body. A bridge rectifier unit comprising: a second bridge rectifier, and a third bridge rectifier provided on the substrate body and electrically connected to the third current limiting chip;
9. The plant growth promoting lighting device according to claim 6, wherein the control unit is electrically connected between the bridge rectifier unit and the current limiting unit. 10.
前記第1のチップ設置領域の上に設けられ前記基板本体に電気的に接続される複数の第1の発光ダイオードチップを有し、第1の波長を有する光を発するための第1の発光モジュールと、前記第2のチップ設置領域の上に設けられ前記基板本体に電気的に接続される複数の第2の発光ダイオードチップを有し、第2の波長を有する光を発するための第2の発光モジュールと、前記第3のチップ設置領域の上に設けられ前記基板本体に電気的に接続される複数の第3の発光ダイオードチップを有し、第3の波長と所定の色温度とを有する光を発するための第3の発光モジュールと、を含む発光ユニットと、
前記基板本体の上に設けられ前記第1の発光モジュールに電気的に接続される第1の電流制限チップと、前記基板本体の上に設けられ前記第2の発光モジュールに電気的に接続される第2の電流制限チップと、前記基板本体の上に設けられ前記第3の発光モジュールに電気的に接続される第3の電流制限チップと、を含む電流制限ユニットと、
前記基板本体の上に設けられ前記第1の電流制限チップに電気的に接続される第1のPWM制御モジュールと、前記基板本体の上に設けられ前記第2の電流制限チップに電気的に接続される第2のPWM制御モジュールと、前記基板本体の上に設けられ前記第3の電流制限チップに電気的に接続される第3のPWM制御モジュールと、を含む制御ユニットと、
を備える植物成長促進用照明設備。 A substrate unit including a substrate body having a first chip installation area, a second chip installation area, and a third chip installation area provided on the upper surface;
A first light emitting module for emitting light having a first wavelength, having a plurality of first light emitting diode chips provided on the first chip installation region and electrically connected to the substrate body And a plurality of second light emitting diode chips provided on the second chip installation region and electrically connected to the substrate body, and a second for emitting light having a second wavelength A light emitting module; a plurality of third light emitting diode chips which are provided on the third chip placement region and electrically connected to the substrate body; and have a third wavelength and a predetermined color temperature. A light emitting unit comprising: a third light emitting module for emitting light;
A first current limiting chip provided on the substrate body and electrically connected to the first light emitting module; and a first current limiting chip provided on the substrate body and electrically connected to the second light emitting module. A current limiting unit comprising: a second current limiting chip; and a third current limiting chip provided on the substrate body and electrically connected to the third light emitting module;
A first PWM control module provided on the substrate body and electrically connected to the first current limiting chip; and electrically connected to the second current limiting chip provided on the substrate body. A second PWM control module, and a third PWM control module provided on the substrate body and electrically connected to the third current limiting chip;
Lighting equipment for promoting plant growth.
それぞれの前記第1の発光ダイオードチップは正極と負極とをそれぞれ有し、それぞれの前記第1の発光ダイオードチップの正極は複数の前記正極パッドのうちの少なくとも2つの正極パッドに対応し、それぞれの前記第1の発光ダイオードチップの負極は複数の前記負極パッドのうちの少なくとも2つの負極パッドに対応し、
それぞれの前記第2の発光ダイオードチップは正極と負極とをそれぞれ有し、それぞれの前記第2の発光ダイオードチップの正極は複数の前記正極パッドのうちの少なくとも2つの正極パッドに対応し、それぞれの前記第2の発光ダイオードチップの負極は複数の前記負極パッドのうちの少なくとも2つの負極パッドに対応し、
それぞれの前記第3の発光ダイオードチップは正極と負極とをそれぞれ有し、それぞれの前記第3の発光ダイオードチップの正極は複数の前記正極パッドのうちの少なくとも2つの正極パッドに対応し、それぞれの前記第3の発光ダイオードチップの負極は複数の前記負極パッドのうちの少なくとも2つの負極パッドに対応し、
それぞれの前記第1の発光ダイオードチップの正極は前記少なくとも2つの正極パッドのうちの1つの正極パッドに電気的に接続され、それぞれの前記第1の発光ダイオードチップの負極は前記少なくとも2つの負極パッドのうちの1つの負極パッドに電気的に接続され、
それぞれの前記第2の発光ダイオードチップの正極は前記少なくとも2つの正極パッドのうちの1つの正極パッドに電気的に接続され、それぞれの前記第2の発光ダイオードチップの負極は前記少なくとも2つの負極パッドのうちの1つの負極パッドに電気的に接続され、
それぞれの前記第3の発光ダイオードチップの正極は前記少なくとも2つの正極パッドのうちの1つの正極パッドに電気的に接続され、それぞれの前記第3の発光ダイオードチップの負極は前記少なくとも2つの負極パッドのうちの1つの負極パッドに電気的に接続される請求項11又は12に記載の植物成長促進用照明設備。 The substrate unit has a plurality of positive electrode pads and a plurality of negative electrode pads provided on the upper surface of the substrate body,
Each of the first light emitting diode chips has a positive electrode and a negative electrode, and the positive electrode of each of the first light emitting diode chips corresponds to at least two positive electrode pads of the plurality of positive electrode pads, The negative electrode of the first light emitting diode chip corresponds to at least two negative pads of the plurality of negative pads,
Each of the second light emitting diode chips has a positive electrode and a negative electrode, and the positive electrode of each of the second light emitting diode chips corresponds to at least two positive electrode pads of the plurality of positive electrode pads, The negative electrode of the second light emitting diode chip corresponds to at least two negative pads of the plurality of negative pads,
Each of the third light emitting diode chips has a positive electrode and a negative electrode, and the positive electrode of each of the third light emitting diode chips corresponds to at least two positive electrode pads of the plurality of positive electrode pads, The negative electrode of the third light emitting diode chip corresponds to at least two negative pads of the plurality of negative pads,
The positive electrode of each first light emitting diode chip is electrically connected to one positive electrode pad of the at least two positive electrode pads, and the negative electrode of each first light emitting diode chip is the at least two negative electrode pads. Electrically connected to the negative pad of one of the
The positive electrode of each second light emitting diode chip is electrically connected to one positive electrode pad of the at least two positive electrode pads, and the negative electrode of each second light emitting diode chip is the at least two negative electrode pads. Electrically connected to the negative pad of one of the
The positive electrode of each third light emitting diode chip is electrically connected to one positive electrode pad of the at least two positive electrode pads, and the negative electrode of each third light emitting diode chip is the at least two negative electrode pads. The lighting equipment for plant growth promotion according to claim 11 or 12, which is electrically connected to one of the negative electrode pads.
前記少なくとも1つの前記ブリッジ整流器は、前記第1の電流制限チップ、前記第2の電流制限チップ、及び前記第3の電流制限チップの全てに対して電気的に接続され、
前記制御ユニットは、前記ブリッジ整流器ユニットと前記電流制限ユニットとの間に電気的に接続される請求項11から13のいずれか一項に記載の植物成長促進用照明設備。 A bridge rectifier unit including at least one bridge rectifier provided on the substrate body;
The at least one bridge rectifier is electrically connected to all of the first current limiting chip, the second current limiting chip, and the third current limiting chip;
The lighting equipment for promoting plant growth according to any one of claims 11 to 13, wherein the control unit is electrically connected between the bridge rectifier unit and the current limiting unit.
前記制御ユニットは、前記ブリッジ整流器ユニットと前記電流制限ユニットとの間に電気的に接続される請求項11から13のいずれか一項に記載の植物成長促進用照明設備。 A first bridge rectifier provided on the substrate body and electrically connected to the first current limiting chip; and electrically connected to the second current limiting chip provided on the substrate body. A bridge rectifier unit comprising: a second bridge rectifier, and a third bridge rectifier provided on the substrate body and electrically connected to the third current limiting chip;
The lighting equipment for promoting plant growth according to any one of claims 11 to 13, wherein the control unit is electrically connected between the bridge rectifier unit and the current limiting unit.
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2014180248A (en) * | 2013-03-16 | 2014-09-29 | Zhejiang Jingri Lighting Technology Co Ltd | Plant growth promotion led device and method |
JP2015000036A (en) * | 2013-06-17 | 2015-01-05 | 交和電気産業株式会社 | Illumination device |
CN110771379A (en) * | 2019-11-19 | 2020-02-11 | 温州大学新材料与产业技术研究院 | Laser plant lamp capable of irradiating 180-degree overall and application method thereof |
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2011
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