JP3171657B2 - Cable connection end - Google Patents

Cable connection end

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信幸 瀬間
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はケーブル接続端部に係
り、さらに詳しくは、フリーストリッピングタイプの外
部半導電層を有する高圧ゴム・プラスチック絶縁ケーブ
ルの接続に有用なケーブル接続端部に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cable connection end, and more particularly to a cable connection end useful for connecting a high-pressure rubber-plastic insulated cable having an outer semiconductive layer of a free stripping type.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、外部半導電層を離型性の良い材料
で形成した、いわゆるフリーストリッピングタイプと呼
ばれる外部半導電層を設けた高圧ゴム・プラスチック絶
縁ケーブルが開発され、ケーブル接続時の段剥ぎ作業が
容易で、かつ平滑なケーブル絶縁体露出面が得られるこ
とから注目されている。
2. Description of the Related Art In recent years, a so-called free stripping type high-pressure rubber / plastic insulated cable having an external semiconductive layer formed of a material having good releasability and provided with an external semiconductive layer has been developed. Attention has been paid to the fact that the stripping operation is easy and a smooth exposed surface of the cable insulator is obtained.

【0003】ところで、この種のケーブルの接続部は、
従来のボンドタイプの外部半導電層を有するケーブルの
場合と同様、図2に示すように、端部を段剥して露出さ
せたケーブル1の外部半導電層2からケーブル絶縁体3
に跨って、非架橋の半導電性ゴム・プラスチックテープ
を巻回し、加熱してテープ巻モールド層4を形成し、こ
の上に、図示を省略したが、電解緩和のためのストレス
コーンを装着して構成される。図中、5は導体、6はケ
ーブル遮蔽層、7はケーブルシースである。
[0003] By the way, the connection part of this kind of cable is
As in the case of a conventional cable having a bond type outer semiconductive layer, as shown in FIG.
A non-crosslinked semiconductive rubber / plastic tape is wound over the wire and heated to form a tape wound mold layer 4, on which a stress cone (not shown) for electrolytic relaxation is mounted. It is composed. In the figure, 5 is a conductor, 6 is a cable shielding layer, and 7 is a cable sheath.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、フリー
ストリッピングタイプの外部半導電層2は、素材の特性
上、ボンドタイプのものに比べて厚く形成されており、
したがって、この外部半導電層2上に半導電性ゴム・プ
ラスチックテープの巻回層を設け、これを加熱すると、
外部半導電層2の切断端に生じたギャップに、加熱モー
ルドの際に溶融した半導電性ゴム・プラスチックテープ
が集中する結果、図2の円内部分を拡大して示した図3
に示すように、フリーストリッピングタイプの外部半導
電層2の切断端下部が加熱によって軟化したケーブル絶
縁体3に食い込み、絶縁破壊特性を低下させるという問
題があった。そして、このことが、66〜77kV級以上の超
高圧ケーブルにおける外部半導電層のフリーストリッピ
ングタイプ化を阻む大きな要因となっていた。
However, the external semiconductive layer 2 of the free stripping type is formed thicker than that of the bond type due to the characteristics of the material.
Therefore, when a winding layer of a semiconductive rubber / plastic tape is provided on the outer semiconductive layer 2 and heated,
As a result of the concentration of the semiconductive rubber / plastic tape melted during the heating molding in the gap formed at the cut end of the outer semiconductive layer 2, FIG.
As shown in (1), there is a problem that the lower portion of the cut end of the free-striping type external semiconductive layer 2 bites into the cable insulator 3 softened by heating, thereby deteriorating the dielectric breakdown characteristics. This has been a major factor in preventing the free-stripping type of the external semiconductive layer in the ultra-high voltage cable of 66-77 kV class or more.

【0005】そこで、外部半導電層2の切断端をナイフ
やヤスリなどで面取りしてテーパ処理を施すことも検討
されているが、フリーストリッピングタイプの外部半導
電層2自体が軟質であるため、ボンドタイプの外部半導
電層のように容易に削ることができず、作業に多大な時
間と熟練を要し、しかも、ケーブル絶縁体3を損傷させ
るおそれがあった。その上、外部半導電層2切断端のテ
ーパ処理ができたとしても、フリーストリッピングタイ
プの外部半導電層2自体が軟質であるため、切断端がめ
くれ上がるという不都合があった。
Therefore, it has been considered to chamfer the cut end of the external semiconductive layer 2 with a knife or a file to apply a taper process. However, since the free stripping type external semiconductive layer 2 itself is soft, Unlike the bond type external semiconductive layer, it could not be easily cut off, requiring a great deal of time and skill in work, and possibly damaging the cable insulator 3. In addition, even if the cut end of the outer semiconductive layer 2 can be tapered, the cut end is turned up because the free stripping type external semiconductive layer 2 itself is soft.

【0006】本発明はこのような問題を解決するために
なされたもので、フリーストリッピングタイプの外部半
導電層切断端のケーブル絶縁体への食い込みがなく、し
かも、作業性にも優れたケーブル接続端部を提供するこ
とを目的とする。
The present invention has been made in order to solve such a problem, and a cable connection in which a cut end of a free stripping type external semiconductive layer does not bite into a cable insulator and has excellent workability. The purpose is to provide an end.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明のケーブル接続端
部は、ケーブル端部を段剥して露出させたフリーストリ
ッピングタイプのケーブル外部半導電層の切断端に続く
ケーブル絶縁層上に非架橋の半導電性ゴム・プラスチッ
クテープの巻回による径合せ部を施し、さらに、この径
合せ部上に、前記ケーブル外部半導電層からケーブル絶
縁層に跨って非架橋の半導電性ゴム・プラスチックテー
プを巻回し、加熱してこれらの半導電性ゴム・プラスチ
ックテープ巻回層および径合せ部を一体に融着してなる
ことを特徴とするものである。
According to the present invention, there is provided a cable connecting end having a free end exposed by stepping off the end of the cable.
A non-crosslinked semiconductive rubber / plastic tape is wound on the cable insulating layer following the cut end of the cable type semiconducting outer layer, and the cable outer half is further wound. A non-crosslinked semiconductive rubber / plastic tape is wound from the conductive layer to the cable insulating layer, and then heated to fuse the semiconductive rubber / plastic tape wound layer and the diameter matching portion together. It is characterized by the following.

【0008】[0008]

【作用】本発明のケーブル接続端部においては、ケーブ
ル外部半導電層の切断端に続くケーブル絶縁層上にゴム
・プラスチックテープの巻回による径合せ部を施したこ
とによって、ケーブル外部半導電層切断端のギャップが
なくなるので、径合せ部のゴム・プラスチックテープが
加熱モールドの際に溶融したとしても、締付圧がケーブ
ル外部半導電層切断端下に集中するようなことはない。
したがって、フリーストリッピングタイプという厚いケ
ーブル外部半導電層であっても、その切断端がケーブル
絶縁体へ食い込むことはなく、ケーブルの絶縁破壊特性
が優れたものとなる。
In the cable connection end of the present invention, the diameter of the cable outer semiconductive layer is formed by winding a rubber / plastic tape on the cable insulating layer following the cut end of the cable outer semiconductive layer. Since the gap at the cut end is eliminated, even if the rubber / plastic tape at the diameter matching portion is melted during the heat molding, the tightening pressure does not concentrate below the cut end of the semiconductive layer outside the cable.
Therefore, even with a thick cable outer semiconductive layer of the free stripping type, the cut end does not cut into the cable insulator, and the cable has excellent dielectric breakdown characteristics.

【0009】しかも、その形成にあたっては、特別な工
具や技術を必要とすることがなく、作業性にも優れてい
る。
Moreover, no special tools or techniques are required for the formation, and the workability is excellent.

【0010】[0010]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0011】図1は、本発明の一実施例の66kV級CVケ
ーブルの接続端部の要部を拡大して示す断面図である。
FIG. 1 is an enlarged sectional view showing a main part of a connection end of a 66 kV class CV cable according to an embodiment of the present invention.

【0012】同図において、8は、導体(図示なし)上
に架橋ポリエチレンからなる絶縁体9、酢酸ビニルの重
合度が高いEVAをベースポリマーとする半導電性組成
物の押出しよりなる外部半導電層10、すなわち架橋ポ
リエチレン絶縁体9と融着せず容易に剥取ることができ
るフリーストリッピングタイプの外部半導電層、銅テー
プの巻回よりなる遮蔽層(図示なし)、および塩化ビニ
ル樹脂の押出しよりなるシース(図示なし)が順に施さ
れてなるCVケーブルの段剥された端部を示しており、
フリーストリッピングタイプの外部半導電層10は、ケ
ーブル軸に垂直な面で切断、すなわち、端部がナイフな
どにより面取りされない状態になっている。
In FIG. 1, reference numeral 8 denotes an insulator 9 made of cross-linked polyethylene on a conductor (not shown), and an external semiconductive material formed by extrusion of a semiconductive composition based on EVA having a high degree of polymerization of vinyl acetate as a base polymer. Layer 10, a free stripping type external semiconductive layer that can be easily peeled off without fusing with the crosslinked polyethylene insulator 9, a shielding layer (not shown) made of a copper tape wound, and extrusion of a vinyl chloride resin. 2 shows a stepped end of a CV cable in which sheaths (not shown) are sequentially applied.
The free stripping type external semiconductive layer 10 is cut in a plane perpendicular to the cable axis, that is, the end is not chamfered by a knife or the like.

【0013】しかして、この実施例の接続端部は、フリ
ーストリッピングタイプの外部半導電層10の切断端に
続くケーブル絶縁体9上に、所定の長さに亘って非架橋
の半導電性ポリエチレンテープの巻回による径合せ部1
1が設けられ、さらに、この径合せ部11上にケーブル
外部半導電層9からケーブル絶縁層10に跨って、非架
橋の半導電性ポリエチレンテープ巻回層12が設けら
れ、加熱によりこれらの半導電性ゴム・プラスチックテ
ープ巻回層12と径合せ部11とが一体に融着されて構
成されている。
Thus, the connection end of this embodiment is a non-crosslinked semiconductive polyethylene over a predetermined length on the cable insulator 9 following the cut end of the free stripping type external semiconductive layer 10. Diameter adjustment part 1 by winding tape
Further, a non-crosslinked semiconductive polyethylene tape winding layer 12 is provided on the diameter matching portion 11 so as to extend from the cable outer semiconductive layer 9 to the cable insulating layer 10. The conductive rubber / plastic tape winding layer 12 and the diameter matching portion 11 are integrally fused.

【0014】このようなケーブルの接続端部を形成する
には、まず、CVケーブルの端部を段剥して露出させた
フリーストリッピングタイプの外部半導電層10の切断
端に続くケーブル絶縁層9上に、所定の長さに亘って非
架橋の半導電性ポリエチレンテープを、外径が外部半導
電層10と同径となるように巻回して径合せ部11を形
成する。次いで、この径合せ部11上に、さらに非架橋
の半導電性ポリエチレンテープを、ケーブル外部半導電
層10からケーブル絶縁層9に跨って所定の厚さ、形状
となるように巻回する。この後、この非架橋の半導電性
ポリエチレンテープ巻回層12上に、熱収縮性チューブ
を被着し、その上に、ポリイミドテープのような耐熱高
強度プラスチックテープを抑え巻きして、加圧しながら
加熱することにより、非架橋の半導電性ポリエチレンテ
ープ巻回層12および径合せ部11が一体に融着され
て、上記構成の接続端部が形成される。
In order to form the connection end of such a cable, first, the end of the CV cable is stepped off and exposed, and the cable insulation layer 9 is connected to the cut end of the free stripping type external semiconductive layer 10. Next, a non-crosslinked semiconductive polyethylene tape is wound over a predetermined length so that the outer diameter is the same as that of the outer semiconductive layer 10 to form the diameter adjusting portion 11. Next, a non-crosslinked semiconductive polyethylene tape is further wound on the diameter matching portion 11 so as to have a predetermined thickness and shape across the cable outer semiconductive layer 10 and the cable insulating layer 9. Thereafter, a heat-shrinkable tube is applied onto the non-crosslinked semiconductive polyethylene tape winding layer 12, and a heat-resistant and high-strength plastic tape such as a polyimide tape is pressed and wound thereon, followed by pressing. By heating while heating, the non-crosslinked semiconductive polyethylene tape winding layer 12 and the diameter matching portion 11 are integrally fused to form the connection end having the above-described configuration.

【0015】このように形成されるケーブル接続端部に
おいては、フリーストリッピングタイプの外部半導電層
9の切断端にギャップがないので、加熱の際に、径合せ
部11および非架橋の半導電性ゴム・プラスチックテー
プ巻回層12が溶融しても、応力が一箇所に集中するよ
うなことはなく、外部半導電層10切断端下部がケーブ
ル絶縁層9へ食い込むことはない。したがって、ケーブ
ルの接続端部における絶縁破壊特性が向上し、これを用
いて電気特性に優れたケーブル接続部を形成することが
可能になる。
At the cable connection end thus formed, there is no gap at the cut end of the free stripping type external semiconductive layer 9, so that when heated, the diameter matching portion 11 and the non-crosslinked semiconductive Even if the rubber / plastic tape winding layer 12 is melted, stress does not concentrate at one location, and the lower portion of the cut end of the external semiconductive layer 10 does not cut into the cable insulating layer 9. Therefore, the dielectric breakdown characteristics at the connection end of the cable are improved, and it is possible to form a cable connection portion having excellent electrical characteristics using the same.

【0016】ちなみに、上記実施例の電気性能を調べる
ために、交流耐電圧試験(印加電圧175kVで 3時間に耐
えること)、雷インパルス耐電圧試験(印加電圧 535kV
に連続 3回耐えること)、30日間のヒートサイクル試験
(導体温度90℃、印加電圧90kV、 8時間 ON 16時間 OF
F)および、それに続く交流破壊試験(印加電圧 300k
V)を実施した結果は、いずれも良好であった。
Incidentally, in order to examine the electrical performance of the above embodiment, an AC withstand voltage test (withstand an applied voltage of 175 kV for 3 hours), a lightning impulse withstand voltage test (applied voltage of 535 kV)
), Heat cycle test for 30 days (conductor temperature 90 ° C, applied voltage 90kV, 8 hours ON 16 hours OF
F) and the subsequent AC destruction test (applied voltage 300k
The results of performing V) were all good.

【0017】なお、上記実施例は本発明を66kV級CVケ
ーブルの接続端部に適用した例であるが、本発明はこの
ような実施例に限定されるものではなく、フリーストリ
ッピングタイプの外部半導電層を有する低圧乃至超高圧
の各種ケーブルに適用して、上記実施例と同様の効果を
得ることができる。しかしながら、外部半導電層切断端
のケーブル絶縁層への食い込みが大きな問題となる66kV
級以上のケーブルに適用した場合に特に有用である。
The above embodiment is an example in which the present invention is applied to the connection end of a 66 kV class CV cable. However, the present invention is not limited to such an embodiment, and a free stripping type external half is used. The same effects as in the above embodiment can be obtained by applying the present invention to various cables of a low voltage to an ultra high voltage having a conductive layer. However, the penetration of the cut end of the outer semiconductive layer into the cable insulating layer is a major problem at 66 kV.
It is particularly useful when applied to cables of class or higher.

【0018】[0018]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のケーブル
接続端部によれば、外部半導電層の切断端のケーブル絶
縁層への食い込みが防止され、絶縁破壊特性の向上し
た、信頼性の高い接続部を形成することができる。しか
も、作業は容易で短時間に形成することができ、特に熟
練を要することもない。
As described above, according to the cable connection end portion of the present invention, the cut end of the external semiconductive layer is prevented from biting into the cable insulating layer, and the reliability of the cable with improved dielectric breakdown characteristics is improved. A high connection can be formed. Moreover, the work is easy and can be formed in a short time, and no special skill is required.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例のケーブル接続端部の要部を
拡大して示す断面図。
FIG. 1 is an enlarged sectional view showing a main part of a cable connection end according to an embodiment of the present invention.

【図2】従来のケーブル接続端部を示す断面図。FIG. 2 is a sectional view showing a conventional cable connection end.

【図3】従来のケール接続端部における外部半導電層の
切断端の状態を示す断面図。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a state of a cut end of an external semiconductive layer at a conventional kale connection end.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

8………段剥されたCVケーブル端部 9………ケーブル絶縁層 10………フリーストリッピングタイプの外部半導電層 11………径合せ部 12………非架橋の半導電性ポリエチレンテープ巻回層 8 CV cable end portion stripped off 9 Cable insulation layer 10 Free stripping type external semiconductive layer 11 Diameter matching portion 12 Non-crosslinked semiconductive polyethylene tape Wound layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H02G 15/064 H01R 43/00 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H02G 15/064 H01R 43/00

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 ケーブル端部を段剥して露出させたフリ
ーストリッピングタイプのケーブル外部半導電層の切断
端に続くケーブル絶縁層上に非架橋の半導電性ゴム・プ
ラスチックテープの巻回による径合せ部を施し、さら
に、この径合せ部上に、前記ケーブル外部半導電層から
ケーブル絶縁層に跨って非架橋の半導電性ゴム・プラス
チックテープを巻回し、加熱してこれらの半導電性ゴム
・プラスチックテープ巻回層および径合せ部を一体に融
着してなることを特徴とするケーブル接続端部。
1. A free end exposed by stepping off an end of a cable.
On the cable insulating layer following the cut end of the stripping type cable external semiconductive layer, a non-crosslinked semiconductive rubber / plastic tape is wound to form a diameter-matching portion. A non-crosslinked semiconductive rubber / plastic tape is wound over the cable outer semiconductive layer and over the cable insulation layer, and heated to fuse the semiconductive rubber / plastic tape winding layer and the diameter matching part together. A cable connection end, characterized in that:
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8298904B2 (en) 2011-01-18 2012-10-30 International Business Machines Corporation Compact thermally controlled thin film resistors utilizing substrate contacts and methods of manufacture
US8541864B2 (en) 2011-01-18 2013-09-24 International Business Machines Corporation Compact thermally controlled thin film resistors utilizing substrate contacts and methods of manufacture
US8652922B2 (en) 2011-01-18 2014-02-18 International Business Machines Corporation Compact thermally controlled thin film resistors utilizing substrate contacts and methods of manufacture

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