JP3170717B2 - 投影露光装置及び方法 - Google Patents
投影露光装置及び方法Info
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- JP3170717B2 JP3170717B2 JP18255791A JP18255791A JP3170717B2 JP 3170717 B2 JP3170717 B2 JP 3170717B2 JP 18255791 A JP18255791 A JP 18255791A JP 18255791 A JP18255791 A JP 18255791A JP 3170717 B2 JP3170717 B2 JP 3170717B2
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- interferometer
- stage
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェハや液晶用ガ
ラスプレート等の基板に塗布された感光層を露光する投
影露光装置に関し、特にオフ・アクシス方式のアライメ
ント系（投影光学系の外部に固定された系、又は投影光
学系のみを介して基板を観察する系）を備えた投影露光
装置に関する。
ラスプレート等の基板に塗布された感光層を露光する投
影露光装置に関し、特にオフ・アクシス方式のアライメ
ント系（投影光学系の外部に固定された系、又は投影光
学系のみを介して基板を観察する系）を備えた投影露光
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、オフ・アクシス・アライメント系
を備えた投影露光装置（以下、便宜上ステッパーと呼
ぶ）では、特開昭５３−５６９７５号公報、特開昭５６
−１３４７３７号公報等に開示されているように、感光
基板（以下、ウェハとする）を保持してステップ・アン
ド・リピート方式で２次元移動するウェハステージ上
に、基準となるマーク板を固設し、この基準マーク板を
使ってオフ・アクシス・アライメント系と投影光学系と
の間の距離、所謂ベースライン量を管理していた。図４
は上記各公報に開示されたベースライン計測の原理を模
式的に表わした図である。図４において、主コンデンサ
ーレンズＩＣＬは、露光時にレチクル（マスク）Ｒを均
一に照明するものである。レチクルＲはレチクルステー
ジＲＳＴに保持され、このレチクルステージＲＳＴはレ
チクルＲの中心ＣＣを投影レンズＰＬの光軸ＡＸと合致
させるように移動される。一方、ウェハステージＷＳＴ
上には、ウェハ表面に形成されたアライメントマークと
同等の基準マークＦＭが付設され、この基準マークＦＭ
が投影レンズＰＬの投影視野内の所定位置にくるように
ステージＷＳＴを位置決めすると、レチクルＲの上方に
設けられたＴＴＲ（スルーザレチクル）方式のアライメ
ント系ＤＤＡによって、レチクルＲのマークＲＭと基準
マークＦＭとが同時に検出される。マークＲＭとレチク
ルＲの中心ＣＣとの距離Ｌａは設計上予め定まった値で
あり、投影レンズＰＬの像面側（ウェハ側）におけるマ
ークＲＭの投影点と中心ＣＣの投影点との距離は、Ｌａ
／Ｍとなる。ここでＭは、ウェハ側からレチクル側を見
たときの投影レンズＰＬの倍率であり、１／５縮小投影
レンズの場合はＭ＝５である。
を備えた投影露光装置（以下、便宜上ステッパーと呼
ぶ）では、特開昭５３−５６９７５号公報、特開昭５６
−１３４７３７号公報等に開示されているように、感光
基板（以下、ウェハとする）を保持してステップ・アン
ド・リピート方式で２次元移動するウェハステージ上
に、基準となるマーク板を固設し、この基準マーク板を
使ってオフ・アクシス・アライメント系と投影光学系と
の間の距離、所謂ベースライン量を管理していた。図４
は上記各公報に開示されたベースライン計測の原理を模
式的に表わした図である。図４において、主コンデンサ
ーレンズＩＣＬは、露光時にレチクル（マスク）Ｒを均
一に照明するものである。レチクルＲはレチクルステー
ジＲＳＴに保持され、このレチクルステージＲＳＴはレ
チクルＲの中心ＣＣを投影レンズＰＬの光軸ＡＸと合致
させるように移動される。一方、ウェハステージＷＳＴ
上には、ウェハ表面に形成されたアライメントマークと
同等の基準マークＦＭが付設され、この基準マークＦＭ
が投影レンズＰＬの投影視野内の所定位置にくるように
ステージＷＳＴを位置決めすると、レチクルＲの上方に
設けられたＴＴＲ（スルーザレチクル）方式のアライメ
ント系ＤＤＡによって、レチクルＲのマークＲＭと基準
マークＦＭとが同時に検出される。マークＲＭとレチク
ルＲの中心ＣＣとの距離Ｌａは設計上予め定まった値で
あり、投影レンズＰＬの像面側（ウェハ側）におけるマ
ークＲＭの投影点と中心ＣＣの投影点との距離は、Ｌａ
／Ｍとなる。ここでＭは、ウェハ側からレチクル側を見
たときの投影レンズＰＬの倍率であり、１／５縮小投影
レンズの場合はＭ＝５である。
【０００３】また投影レンズＰＬの外側（投影視野外）
には、オフ・アクシス方式のウェハ・アライメント系Ｏ
ＷＡが固設される。ウェハ・アライメント系ＯＷＡの光
軸は、投影像面側では投影レンズＰＬの光軸ＡＸと平行
である。そしてウェハ・アライメント系ＯＷＡの内部に
は、ウェハ上のマーク、又は基準マークＦＭをアライメ
ントする際の基準となる指標マークＴＭがガラス板に設
けられ、投影像面（ウェハ表面、又は基準マークＦＭの
面）とほぼ共役に配置される。
には、オフ・アクシス方式のウェハ・アライメント系Ｏ
ＷＡが固設される。ウェハ・アライメント系ＯＷＡの光
軸は、投影像面側では投影レンズＰＬの光軸ＡＸと平行
である。そしてウェハ・アライメント系ＯＷＡの内部に
は、ウェハ上のマーク、又は基準マークＦＭをアライメ
ントする際の基準となる指標マークＴＭがガラス板に設
けられ、投影像面（ウェハ表面、又は基準マークＦＭの
面）とほぼ共役に配置される。
【０００４】さて、ベースライン量ＢＬは、図４に示す
ように、レチクルマークＲＭと基準マークＦＭとがアラ
イメントされたときのステージＷＳＴの位置Ｘ1 と、指
標マークＴＭと基準マークＦＭとがアライメントされた
ときのステージＷＳＴの位置Ｘ2 とをレーザ干渉計等で
計測し、その差（Ｘ1 −Ｘ2 ）を計算することで求めら
れる。このベースライン量ＢＬは、後でウェハ上のマー
クをウェハ・アライメント系ＯＷＡでアライメントして
投影レンズＰＬの直下に送り込むときの基準量となるも
のである。すなわちウェハ上の１ショット（被露光領
域）の中心とウェハ上のマークとの間隔をＸＰ、ウェハ
マークが指標マークＴＭと合致したときのウェハステー
ジＷＳＴの位置をＸ3 とすると、ショット中心とレチク
ル中心ＣＣとを合致させるためには、ウェハステージＷ
ＳＴを次式の位置に移動させればよい。
ように、レチクルマークＲＭと基準マークＦＭとがアラ
イメントされたときのステージＷＳＴの位置Ｘ1 と、指
標マークＴＭと基準マークＦＭとがアライメントされた
ときのステージＷＳＴの位置Ｘ2 とをレーザ干渉計等で
計測し、その差（Ｘ1 −Ｘ2 ）を計算することで求めら
れる。このベースライン量ＢＬは、後でウェハ上のマー
クをウェハ・アライメント系ＯＷＡでアライメントして
投影レンズＰＬの直下に送り込むときの基準量となるも
のである。すなわちウェハ上の１ショット（被露光領
域）の中心とウェハ上のマークとの間隔をＸＰ、ウェハ
マークが指標マークＴＭと合致したときのウェハステー
ジＷＳＴの位置をＸ3 とすると、ショット中心とレチク
ル中心ＣＣとを合致させるためには、ウェハステージＷ
ＳＴを次式の位置に移動させればよい。
【０００５】 Ｘ3 −ＢＬ−ＸＰ（又はＸ3 −ＢＬ＋ＸＰ） 尚、この計算式は原理的に一次元方向のみを表わしてい
るだけで、実際には２次元で考える必要があり、さらに
ＴＴＲアライメント系ＤＤＡ（すなわちマークＲＭ）の
配置、ウェハ・アライメント系ＯＷＡの配置等によって
も計算方法が異なる。
るだけで、実際には２次元で考える必要があり、さらに
ＴＴＲアライメント系ＤＤＡ（すなわちマークＲＭ）の
配置、ウェハ・アライメント系ＯＷＡの配置等によって
も計算方法が異なる。
【０００６】いずれにしろ、オフ・アクシス方式のウェ
ハ・アライメント系ＯＷＡを用いてウェハ上のマーク位
置を検出した後、一定量だけウェハステージＷＳＴを送
り込むだけで、ただちにレチクルＲのパターンをウェハ
上のショット領域に正確に重ね合わせて露光することが
できる。
ハ・アライメント系ＯＷＡを用いてウェハ上のマーク位
置を検出した後、一定量だけウェハステージＷＳＴを送
り込むだけで、ただちにレチクルＲのパターンをウェハ
上のショット領域に正確に重ね合わせて露光することが
できる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記の如き従来の技術
では、オフ・アクシス方式のアライメント系ＯＷＡの検
出中心点（指標マークＴＭの中心）と、レチクルＲのマ
ークＲＭの投影レンズＰＬによる投影点との位置関係
（ベースライン量ＢＬ）を計測する際、その相対距離
は、ウェハステージＷＳＴを移動させてレーザ干渉計で
求めている。このため、ウェハステージＷＳＴが図４の
位置Ｘ1 にある時と、位置Ｘ2 にある時とで、ウェハス
テージＷＳＴの走り精度、特にヨーイングによる誤差が
生じる。通常、ウェハステージＷＳＴの座標位置は、ス
テージ移動平面内で互いに直交する測長軸をもつ１組の
レーザ干渉計（Ｘ方向用とＹ方向用）によって計測され
ているが、この１組のレーザ干渉計は投影レンズＰＬに
対してアッベ条件を満すように配置される。このためオ
フ・アクシス・アライメント系ＯＷＡで基準マークＦＭ
を検出する場合、そのマークＦＭの測定位置（Ｘ2 ）に
はアッベ誤差が含まれることになる。このアッベ誤差、
あるいはステージＷＳＴのヨーイングによって、各アラ
イメントセンサー（ＤＤＡ、ＯＷＡ）の検出分解能をい
くら高めたとしても、ベースライン量ＢＬの計測精度に
は自ずと限界が生じてしまう。
では、オフ・アクシス方式のアライメント系ＯＷＡの検
出中心点（指標マークＴＭの中心）と、レチクルＲのマ
ークＲＭの投影レンズＰＬによる投影点との位置関係
（ベースライン量ＢＬ）を計測する際、その相対距離
は、ウェハステージＷＳＴを移動させてレーザ干渉計で
求めている。このため、ウェハステージＷＳＴが図４の
位置Ｘ1 にある時と、位置Ｘ2 にある時とで、ウェハス
テージＷＳＴの走り精度、特にヨーイングによる誤差が
生じる。通常、ウェハステージＷＳＴの座標位置は、ス
テージ移動平面内で互いに直交する測長軸をもつ１組の
レーザ干渉計（Ｘ方向用とＹ方向用）によって計測され
ているが、この１組のレーザ干渉計は投影レンズＰＬに
対してアッベ条件を満すように配置される。このためオ
フ・アクシス・アライメント系ＯＷＡで基準マークＦＭ
を検出する場合、そのマークＦＭの測定位置（Ｘ2 ）に
はアッベ誤差が含まれることになる。このアッベ誤差、
あるいはステージＷＳＴのヨーイングによって、各アラ
イメントセンサー（ＤＤＡ、ＯＷＡ）の検出分解能をい
くら高めたとしても、ベースライン量ＢＬの計測精度に
は自ずと限界が生じてしまう。
【０００８】そこで本発明は、ベースライン計測時に生
じるステージのヨーイングに起因した計測精度の劣化を
極力押えるような構成、及びシーケンスを備えた投影露
光装置を得ることを目的とする。
じるステージのヨーイングに起因した計測精度の劣化を
極力押えるような構成、及びシーケンスを備えた投影露
光装置を得ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決する為の手段】本発明では、オフ・アクシ
ス・アライメント系を備えた投影露光装置に関するもの
で、ここで言うオフ・アクシス・アライメント系とは、
投影光学系の外部に別設されてウェハ上、又は基準板上
のマークを検出する系、もしくはレチクルを介さずに投
影光学系のみを介してウェハ上、又は基準板上のマーク
を検出する系の両方を意味する。
ス・アライメント系を備えた投影露光装置に関するもの
で、ここで言うオフ・アクシス・アライメント系とは、
投影光学系の外部に別設されてウェハ上、又は基準板上
のマークを検出する系、もしくはレチクルを介さずに投
影光学系のみを介してウェハ上、又は基準板上のマーク
を検出する系の両方を意味する。
【００１０】さらに本発明では、オフ・アクシス・アラ
イメント系の検出中心点に対してアッベ条件を満すよう
に配置され、基板ステージ（ＷＳＴ）の２次元座標位置
を計測する１対の第１干渉計（ＩＦＸ1 、ＩＦＹ）と、
従来と同様に投影光学系の光軸位置に対してアッベ条件
を満す１対の第２干渉計（ＩＦＸ2 、ＩＦＹ）とを設け
る。
イメント系の検出中心点に対してアッベ条件を満すよう
に配置され、基板ステージ（ＷＳＴ）の２次元座標位置
を計測する１対の第１干渉計（ＩＦＸ1 、ＩＦＹ）と、
従来と同様に投影光学系の光軸位置に対してアッベ条件
を満す１対の第２干渉計（ＩＦＸ2 、ＩＦＹ）とを設け
る。
【００１１】そして、レチクルの装置に対するアライメ
ントのために、基板ステージ上に固定された基準マーク
板（ＦＰ）が投影光学系（ＰＬ）の直下に位置したと
き、第１干渉計による座標測定値（Ｌｆ）と第２干渉計
による座標測定値（Ｌｅ）とが互いに等しくなるよう
に、主制御系（１４）からの指令（設定手段）によっ
て、いずれか一方の干渉計の内部カウンタ（ＵＤＣ１
２）の計数値（ＤＸ2 ）を、他方の干渉計の内部カウン
タ（ＵＤＣ１１）へプリセットするようにした。
ントのために、基板ステージ上に固定された基準マーク
板（ＦＰ）が投影光学系（ＰＬ）の直下に位置したと
き、第１干渉計による座標測定値（Ｌｆ）と第２干渉計
による座標測定値（Ｌｅ）とが互いに等しくなるよう
に、主制御系（１４）からの指令（設定手段）によっ
て、いずれか一方の干渉計の内部カウンタ（ＵＤＣ１
２）の計数値（ＤＸ2 ）を、他方の干渉計の内部カウン
タ（ＵＤＣ１１）へプリセットするようにした。
【００１２】
【作用】本発明では、投影光学系に関してアッベ条件を
満す第２干渉計と、オフ・アクシス・アライメント系に
関してアッベ条件を満す第１干渉計とを設け、レチクル
アライメント時、又はレチクルのアライメント誤差のチ
ェック時に基準マーク（ＦＰ）が投影光学系の下に位置
するような基準ステージ位置で第１干渉計と第２干渉計
の測定値を同一にプリセットする。このため、そのプリ
セット以後、オフ・アクシス・アライメント系（ＯＷ
Ａ）を使って第１干渉計で検出されたウェハ上のマーク
の位置情報は、第２干渉計の測定値に基づいた基板ステ
ージの位置制御にそのまま導入することができる。すな
わち、ヨーイングによる誤差量を計測して、ベースライ
ン量に補正として加える等の処理が不要となるととも、
プリセット後は第１干渉計、第２干渉計のどちらの測定
値に切り替えてステージ位置制御を行なっても、何ら支
障が生じない。
満す第２干渉計と、オフ・アクシス・アライメント系に
関してアッベ条件を満す第１干渉計とを設け、レチクル
アライメント時、又はレチクルのアライメント誤差のチ
ェック時に基準マーク（ＦＰ）が投影光学系の下に位置
するような基準ステージ位置で第１干渉計と第２干渉計
の測定値を同一にプリセットする。このため、そのプリ
セット以後、オフ・アクシス・アライメント系（ＯＷ
Ａ）を使って第１干渉計で検出されたウェハ上のマーク
の位置情報は、第２干渉計の測定値に基づいた基板ステ
ージの位置制御にそのまま導入することができる。すな
わち、ヨーイングによる誤差量を計測して、ベースライ
ン量に補正として加える等の処理が不要となるととも、
プリセット後は第１干渉計、第２干渉計のどちらの測定
値に切り替えてステージ位置制御を行なっても、何ら支
障が生じない。
【００１３】
【実施例】図１は本発明の実施例による投影露光装置の
構成を示し、図２は図１の装置のウェハステージとレー
ザ干渉計との配置、及び制御系のブロックを示す。図１
において、所定のパターン領域ＰＡを有するレチクルＲ
は不図示のレチクルステージ上に保持され、パターン領
域ＰＡの中心点に投影レンズＰＬの光軸ＡＸが通るよう
に位置決めされる。このレチクルステージは、モータに
よって同図中のｘ方向、ｙ方向、及びθ（光軸ＡＸを中
心とした回転）方向に微動され、投影レンズＰＬを介し
たウェハとのアライメント（ダイ・バイ・ダイアライメ
ント）や、レチクルＲ自体の装置に対するアライメント
（レチクルアライメント）のためにレチクルＲを移動す
る。またレチクルＲのパターン領域ＰＡの周辺４ヶ所に
は、レチクルアライメント（又はダイバイダイアライメ
ント）用のマークＲＭx 1 、ＲＭx 2 、ＲＭy 1 、ＲＭ
y 2 が設けられる。マークＲＭx 1 、ＲＭx 2 はレチク
ル側の直交座標系ｘｙのｘ軸方向の位置合わせや、位置
ずれ検出に使われ、マークＲＭy 1 、ＲＭy2 は直交座
標系ｘｙのｙ軸方向の位置合わせ、位置ずれ検出に使わ
れる。これら４つのマークはいずれも投影レンズＰＬの
視野領域内に配置される。
構成を示し、図２は図１の装置のウェハステージとレー
ザ干渉計との配置、及び制御系のブロックを示す。図１
において、所定のパターン領域ＰＡを有するレチクルＲ
は不図示のレチクルステージ上に保持され、パターン領
域ＰＡの中心点に投影レンズＰＬの光軸ＡＸが通るよう
に位置決めされる。このレチクルステージは、モータに
よって同図中のｘ方向、ｙ方向、及びθ（光軸ＡＸを中
心とした回転）方向に微動され、投影レンズＰＬを介し
たウェハとのアライメント（ダイ・バイ・ダイアライメ
ント）や、レチクルＲ自体の装置に対するアライメント
（レチクルアライメント）のためにレチクルＲを移動す
る。またレチクルＲのパターン領域ＰＡの周辺４ヶ所に
は、レチクルアライメント（又はダイバイダイアライメ
ント）用のマークＲＭx 1 、ＲＭx 2 、ＲＭy 1 、ＲＭ
y 2 が設けられる。マークＲＭx 1 、ＲＭx 2 はレチク
ル側の直交座標系ｘｙのｘ軸方向の位置合わせや、位置
ずれ検出に使われ、マークＲＭy 1 、ＲＭy2 は直交座
標系ｘｙのｙ軸方向の位置合わせ、位置ずれ検出に使わ
れる。これら４つのマークはいずれも投影レンズＰＬの
視野領域内に配置される。
【００１４】さて、図２に示したように、レチクルＲの
パターン領域ＰＡの投影像は感光基板としてのウェハＷ
上に結像される。ウェハＷはステップアンドリピート方
式、又はステップアンドスキャン方式で直交座標系ＸＹ
内を平行移動するウェハステージＷＳＴ上にホルダーＷ
Ｈを介して保持される。ホルダーＷＨはステージＷＳＴ
上でθ方向に微動可能であり、ウェハＷのプリアライメ
ント後のローテーションを補正する。またステージＷＳ
Ｔの周囲２辺には、直交座標系ＸＹのＸ軸と平行な反射
面を有する移動鏡ＩＭｙと、Ｙ軸と平行な反射面を有す
る移動鏡ＩＭｘとが固定されている。移動鏡ＩＭｙの反
射面には、Ｙ軸と平行にレーザ干渉計ＩＦＹからのレー
ザビームが照射される。干渉計ＩＦＹは移動鏡ＩＦＹか
らの反射ビームと所定位置に固設された参照鏡からの反
射ビームとを干渉させて、移動鏡ＩＭｙ、すなわちウェ
ハステージＷＳＴのＹ方向に関する基準位置からの移動
距離を測定する。
パターン領域ＰＡの投影像は感光基板としてのウェハＷ
上に結像される。ウェハＷはステップアンドリピート方
式、又はステップアンドスキャン方式で直交座標系ＸＹ
内を平行移動するウェハステージＷＳＴ上にホルダーＷ
Ｈを介して保持される。ホルダーＷＨはステージＷＳＴ
上でθ方向に微動可能であり、ウェハＷのプリアライメ
ント後のローテーションを補正する。またステージＷＳ
Ｔの周囲２辺には、直交座標系ＸＹのＸ軸と平行な反射
面を有する移動鏡ＩＭｙと、Ｙ軸と平行な反射面を有す
る移動鏡ＩＭｘとが固定されている。移動鏡ＩＭｙの反
射面には、Ｙ軸と平行にレーザ干渉計ＩＦＹからのレー
ザビームが照射される。干渉計ＩＦＹは移動鏡ＩＦＹか
らの反射ビームと所定位置に固設された参照鏡からの反
射ビームとを干渉させて、移動鏡ＩＭｙ、すなわちウェ
ハステージＷＳＴのＹ方向に関する基準位置からの移動
距離を測定する。
【００１５】同様に、移動鏡ＩＭｘに対しては２つのレ
ーザ干渉計ＩＦＸ1、ＩＦＸ2 がＸ方向に対向して設け
られている。このうち干渉計ＩＦＸ2 のレーザビームの
中心である測長軸と、干渉計ＩＦＹの測長軸（ビーム中
心）との各延長線は、投影レンズＰＬの光軸ＡＸの位置
で直交するように設定される。図２において、光軸ＡＸ
を中心とした円Ｉｆは投影レンズＰＬの視野領域（イメ
ージフィールド）であり、イメージフィールドＩｆが含
まる大きさの基準板ＦＰは、ウェハＷ上の表面とほぼ同
じ高さになるようにステージＷＳＴに固定される。
ーザ干渉計ＩＦＸ1、ＩＦＸ2 がＸ方向に対向して設け
られている。このうち干渉計ＩＦＸ2 のレーザビームの
中心である測長軸と、干渉計ＩＦＹの測長軸（ビーム中
心）との各延長線は、投影レンズＰＬの光軸ＡＸの位置
で直交するように設定される。図２において、光軸ＡＸ
を中心とした円Ｉｆは投影レンズＰＬの視野領域（イメ
ージフィールド）であり、イメージフィールドＩｆが含
まる大きさの基準板ＦＰは、ウェハＷ上の表面とほぼ同
じ高さになるようにステージＷＳＴに固定される。
【００１６】この基準板ＦＰには図１に示したように、
その中心点Ｆccが投影レンズＰＬの光軸ＡＸと合致した
とき、レチクルＲの４つのマークＲＭx1 、ＲＭx 2 、
ＲＭy 1 、ＲＭy 2 の夫々の投影像とアライメントされ
る４つの基準マークＦＭＸ1 、ＦＭＸ2 、ＦＭＹ1 、Ｆ
ＭＹ2 が形成されている。この４つの基準マークＦＭは
投影レンズＰＬとレチクルＲとを介して、４つの対応す
るレチクルマークＲＭとともにスルーザレチクル方式
（以下、ＴＴＲ方式と呼ぶ）のアライメント系（マーク
検出手段）ＤＤＸ1 、ＤＤＸ2 、ＤＤＹ1 、ＤＤＹ2 の
夫々によって検知される。このＴＴＲ方式のアライメン
ト系については、いくつかの方式が実用化され、公知に
なっているため、ここではその詳細な説明を省略する
が、代表的な方式としては、投影レンズＰＬによってレ
チクルＲ側へ逆投影された基準マークＦＭの像とレチク
ルマークＲＭの像とをテレビカメラ等で撮像し、その画
像信号に基づいて位置ずれ検出を行なう方式や、集光さ
れたレーザビームのスポット光をレチクルＲ、投影レン
ズＰＬを介して基準板ＦＰ上に照射し、レチクルマーク
ＲＭ、基準マークＦＭを横切るように１次元走査したと
きに各マークから発生する回折光や散乱光を、投影レン
ズＰＬの瞳ＥＰと共役な面内で選択的に光電検出して基
準マークＦＭとレチクルマークＲＭとの位置ずれ量を検
出する方式等がある。ＴＴＲ方式のアライメント系は、
その他に、ウェハＷ上のショット領域に付随したアライ
メントマーク（ウェハマークとする）とレチクルマーク
ＲＭとの位置ずれ検出に使うこともある。
その中心点Ｆccが投影レンズＰＬの光軸ＡＸと合致した
とき、レチクルＲの４つのマークＲＭx1 、ＲＭx 2 、
ＲＭy 1 、ＲＭy 2 の夫々の投影像とアライメントされ
る４つの基準マークＦＭＸ1 、ＦＭＸ2 、ＦＭＹ1 、Ｆ
ＭＹ2 が形成されている。この４つの基準マークＦＭは
投影レンズＰＬとレチクルＲとを介して、４つの対応す
るレチクルマークＲＭとともにスルーザレチクル方式
（以下、ＴＴＲ方式と呼ぶ）のアライメント系（マーク
検出手段）ＤＤＸ1 、ＤＤＸ2 、ＤＤＹ1 、ＤＤＹ2 の
夫々によって検知される。このＴＴＲ方式のアライメン
ト系については、いくつかの方式が実用化され、公知に
なっているため、ここではその詳細な説明を省略する
が、代表的な方式としては、投影レンズＰＬによってレ
チクルＲ側へ逆投影された基準マークＦＭの像とレチク
ルマークＲＭの像とをテレビカメラ等で撮像し、その画
像信号に基づいて位置ずれ検出を行なう方式や、集光さ
れたレーザビームのスポット光をレチクルＲ、投影レン
ズＰＬを介して基準板ＦＰ上に照射し、レチクルマーク
ＲＭ、基準マークＦＭを横切るように１次元走査したと
きに各マークから発生する回折光や散乱光を、投影レン
ズＰＬの瞳ＥＰと共役な面内で選択的に光電検出して基
準マークＦＭとレチクルマークＲＭとの位置ずれ量を検
出する方式等がある。ＴＴＲ方式のアライメント系は、
その他に、ウェハＷ上のショット領域に付随したアライ
メントマーク（ウェハマークとする）とレチクルマーク
ＲＭとの位置ずれ検出に使うこともある。
【００１７】さて、本実施例では、図１のように、投影
レンズＰＬの外側にオフ・アクシス方式のアライメント
系（マーク検出手段）ＯＷＡが固定されている。このオ
フ・アクシス・アライメント系ＯＷＡは、ウェハＷ上の
アライメントマークを画像として検出するために、顕微
鏡対物レンズと、その拡大像を撮像するテレビカメラ
（ＣＣＤ等）とを含む。また、アライメント系ＯＷＡは
投影レンズＰＬとは別設されているため、独自に色消し
が行なわれた光学系（対物レンズ）を有し、対物レンズ
を介してウェハＷ上の観察領域を一様照明する光は、２
００〜３５０nm程度の波長幅を持つハロゲンランプ等か
ら作られる。その照明光は当然のことながらウェハＷ上
のレジストの感光帯域をはずしてある。
レンズＰＬの外側にオフ・アクシス方式のアライメント
系（マーク検出手段）ＯＷＡが固定されている。このオ
フ・アクシス・アライメント系ＯＷＡは、ウェハＷ上の
アライメントマークを画像として検出するために、顕微
鏡対物レンズと、その拡大像を撮像するテレビカメラ
（ＣＣＤ等）とを含む。また、アライメント系ＯＷＡは
投影レンズＰＬとは別設されているため、独自に色消し
が行なわれた光学系（対物レンズ）を有し、対物レンズ
を介してウェハＷ上の観察領域を一様照明する光は、２
００〜３５０nm程度の波長幅を持つハロゲンランプ等か
ら作られる。その照明光は当然のことながらウェハＷ上
のレジストの感光帯域をはずしてある。
【００１８】このようなオフ・アクシス・アライメント
系ＯＷＡの内部には、例えばウェハＷ上のマークの位置
ずれを検出するための指標マークが設けられ、この指標
マークとウェハマークとの拡大像がテレビカメラで撮像
される。従ってオフ・アクシス・アライメント系ＯＷＡ
によってウェハＷ上のマーク位置を検出する場合は、指
標マークとウェハマークとをテレビカメラで撮像してい
るときのウェハステージＷＳＴの座標位置（Ｘｗ、Ｙ
ｗ）を記憶しておき、指標マークとウェハマークとの
Ｘ、Ｙ方向の位置ずれ量（ΔＸ、ΔＹ）を画像信号処理
によって求めた後、座標値（Ｘｗ−ΔＸ、Ｙｗ−ΔＹ）
として算出する必要がある。このようにウェハステージ
ＷＳＴの座標位置を読み取る必要があるため、図２にも
示したように、オフ・アクシス・アライメント系ＯＷＡ
の検出中心点Ｐｄは、Ｙ方向用の干渉計ＩＦＹの測長軸
の延長線とＸ方向用の干渉計ＩＦＸ1 の測長軸の延長線
とが直交する点に設定されている。ここでオフ・アクシ
ス・アライメント系ＯＷＡの検出中心点Ｐｄとは、必ず
しも対物レンズの光軸位置とは限らず、むしろ内部の指
標マークによって決まる仮想的な点である。すなわち、
指標マークを対物レンズを介してウェハＷ上に投影した
とき、その指標マークの投影点を基準として一定の位置
のところに検出中心点Ｐｄが存在すると考え、オフ・ア
クシス・アライメント系ＯＷＡが、検出中心点Ｐｄに対
するウェハマークの位置ずれ量（ΔＸ、ΔＹ）を求めて
いると考えるのである。
系ＯＷＡの内部には、例えばウェハＷ上のマークの位置
ずれを検出するための指標マークが設けられ、この指標
マークとウェハマークとの拡大像がテレビカメラで撮像
される。従ってオフ・アクシス・アライメント系ＯＷＡ
によってウェハＷ上のマーク位置を検出する場合は、指
標マークとウェハマークとをテレビカメラで撮像してい
るときのウェハステージＷＳＴの座標位置（Ｘｗ、Ｙ
ｗ）を記憶しておき、指標マークとウェハマークとの
Ｘ、Ｙ方向の位置ずれ量（ΔＸ、ΔＹ）を画像信号処理
によって求めた後、座標値（Ｘｗ−ΔＸ、Ｙｗ−ΔＹ）
として算出する必要がある。このようにウェハステージ
ＷＳＴの座標位置を読み取る必要があるため、図２にも
示したように、オフ・アクシス・アライメント系ＯＷＡ
の検出中心点Ｐｄは、Ｙ方向用の干渉計ＩＦＹの測長軸
の延長線とＸ方向用の干渉計ＩＦＸ1 の測長軸の延長線
とが直交する点に設定されている。ここでオフ・アクシ
ス・アライメント系ＯＷＡの検出中心点Ｐｄとは、必ず
しも対物レンズの光軸位置とは限らず、むしろ内部の指
標マークによって決まる仮想的な点である。すなわち、
指標マークを対物レンズを介してウェハＷ上に投影した
とき、その指標マークの投影点を基準として一定の位置
のところに検出中心点Ｐｄが存在すると考え、オフ・ア
クシス・アライメント系ＯＷＡが、検出中心点Ｐｄに対
するウェハマークの位置ずれ量（ΔＸ、ΔＹ）を求めて
いると考えるのである。
【００１９】以上のように、干渉計ＩＦＹ、ＩＦＸ1 と
オフ・アクシス・アライメント系ＯＷＡとを配置する
と、アライメント系ＯＷＡによるマーク位置検出のと
き、アッベ誤差（サイン誤差）は零になる。同様に干渉
計ＩＦＹ、ＩＦＸ2 についても、投影レンズＰＬに対し
てアッベ条件を満すように配置されたことになる。さ
て、図２において干渉計ＩＦＸ1 から出力されるアップ
ダウンパルスＵＤＰ１は、プリセット可能なアップダウ
ンカウンタ（ＵＤＣ）１１で可逆計数され、その計数値
ＤＸ1 はステージＷＳＴのＸ方向の座標値として主制御
系１４へ出力される。同様に干渉計ＩＦＸ2 から出力さ
れるアップダウンパルスＵＤＰ2 はプリセット可能なＵ
ＤＣ１２で計数され、その計数値ＤＸ2 はステージＷＳ
ＴのＸ方向の座標値として主制御系１４へ出力される。
干渉計ＩＦＹ1 についても同様にして、ＵＤＣ１０によ
ってアップダウンパルスが計数され、その計数値ＤＹが
主制御系１４へ送られる。これら各干渉計からのアップ
ダウンパルスは、ステージＷＳＴが、例えば0.０１μｍ
移動するたびに１パルスとなるように定められている。
オフ・アクシス・アライメント系ＯＷＡとを配置する
と、アライメント系ＯＷＡによるマーク位置検出のと
き、アッベ誤差（サイン誤差）は零になる。同様に干渉
計ＩＦＹ、ＩＦＸ2 についても、投影レンズＰＬに対し
てアッベ条件を満すように配置されたことになる。さ
て、図２において干渉計ＩＦＸ1 から出力されるアップ
ダウンパルスＵＤＰ１は、プリセット可能なアップダウ
ンカウンタ（ＵＤＣ）１１で可逆計数され、その計数値
ＤＸ1 はステージＷＳＴのＸ方向の座標値として主制御
系１４へ出力される。同様に干渉計ＩＦＸ2 から出力さ
れるアップダウンパルスＵＤＰ2 はプリセット可能なＵ
ＤＣ１２で計数され、その計数値ＤＸ2 はステージＷＳ
ＴのＸ方向の座標値として主制御系１４へ出力される。
干渉計ＩＦＹ1 についても同様にして、ＵＤＣ１０によ
ってアップダウンパルスが計数され、その計数値ＤＹが
主制御系１４へ送られる。これら各干渉計からのアップ
ダウンパルスは、ステージＷＳＴが、例えば0.０１μｍ
移動するたびに１パルスとなるように定められている。
【００２０】主制御系１４はＵＤＣ１０、１１、１２の
夫々にプリセット（又はリセット）の信号Ｓ1 、Ｓ2 、
Ｓ3 を出力する。このうちＵＤＣ１１、１２については
プリセット信号Ｓ1 、Ｓ2 に応答して特別なプリセット
が行なわれる。すなわち、プリセット信号（パルス）Ｓ
1 が出力されたときは、ＵＤＣ１２の計数値ＤＸ2がＵ
ＤＣ１１にプリセットされ、プリセット信号（パルス）
Ｓ2 が出力されたときは、ＵＤＣ１１の計数値ＤＸ1 が
ＵＤＣ１２にプリセットされる。尚、ＵＤＣ１０、１
１、１２には、ウェハステージＷＳＴを原点位置に位置
決めしたとき、零リセット信号が主制御系１４から送ら
れるようになっている。
夫々にプリセット（又はリセット）の信号Ｓ1 、Ｓ2 、
Ｓ3 を出力する。このうちＵＤＣ１１、１２については
プリセット信号Ｓ1 、Ｓ2 に応答して特別なプリセット
が行なわれる。すなわち、プリセット信号（パルス）Ｓ
1 が出力されたときは、ＵＤＣ１２の計数値ＤＸ2がＵ
ＤＣ１１にプリセットされ、プリセット信号（パルス）
Ｓ2 が出力されたときは、ＵＤＣ１１の計数値ＤＸ1 が
ＵＤＣ１２にプリセットされる。尚、ＵＤＣ１０、１
１、１２には、ウェハステージＷＳＴを原点位置に位置
決めしたとき、零リセット信号が主制御系１４から送ら
れるようになっている。
【００２１】さてＴＴＲアライメント処理系１６は、Ｔ
ＴＲ方式のアライメント系ＤＤＸ1 、ＤＤＸ2 、ＤＤＹ
1 、ＤＤＹ2 の夫々で検出されたマーク位置ずれ情報Ｓ
Ｘ1 、ＳＸ2 、ＳＹ1 、ＳＹ2 に基づいて各種アライメ
ント誤差やレチクルステージ、又はウェハステージＷＳ
Ｔの位置補正量を算出し、主制御系１４へその結果を出
力する。オフ・アクシスアライメント処理系１８はアラ
イメント系ＯＷＡで検出された複数のウェハマークの
Ｘ、Ｙ方向の各位置ずれ情報ＳＧｘ、ＳＧｙに基づい
て、ウェハＷ上のショット領域の中心点座標、ショット
領域の配列の規則性、ウェハＷの伸縮、歪み等を演算に
よって求め、その結果を主制御系１４へ出力する。ステ
ージドライバー２０は、ウェハステージＷＳＴをＸ方
向、Ｙ方向の夫々へ駆動するためのモータ２１、２２を
制御するもので、先の処理系１６、１８からの結果とＵ
ＤＣ１０、１１、１２からの座標値（ＤＸ1 、ＤＸ2 、
ＤＹ）とに基づいてウェハステージＷＳＴを精密に位置
決めする。
ＴＲ方式のアライメント系ＤＤＸ1 、ＤＤＸ2 、ＤＤＹ
1 、ＤＤＹ2 の夫々で検出されたマーク位置ずれ情報Ｓ
Ｘ1 、ＳＸ2 、ＳＹ1 、ＳＹ2 に基づいて各種アライメ
ント誤差やレチクルステージ、又はウェハステージＷＳ
Ｔの位置補正量を算出し、主制御系１４へその結果を出
力する。オフ・アクシスアライメント処理系１８はアラ
イメント系ＯＷＡで検出された複数のウェハマークの
Ｘ、Ｙ方向の各位置ずれ情報ＳＧｘ、ＳＧｙに基づい
て、ウェハＷ上のショット領域の中心点座標、ショット
領域の配列の規則性、ウェハＷの伸縮、歪み等を演算に
よって求め、その結果を主制御系１４へ出力する。ステ
ージドライバー２０は、ウェハステージＷＳＴをＸ方
向、Ｙ方向の夫々へ駆動するためのモータ２１、２２を
制御するもので、先の処理系１６、１８からの結果とＵ
ＤＣ１０、１１、１２からの座標値（ＤＸ1 、ＤＸ2 、
ＤＹ）とに基づいてウェハステージＷＳＴを精密に位置
決めする。
【００２２】次に本実施例の動作について説明するが、
全体的なシーケンスは概ね公知であるため、詳しい説明
は省略し、特徴となるシーケンスのみについて説明す
る。まず、ウェハＷをホルダーＷＨ上にプリアライメン
トして載置する前に、レチクルＲをレチクルステージ上
に載置する。レチクルＲについても機械的なプリアライ
メントによってレチクルステージ上に保持される。この
際、干渉計ＩＦＹ、ＩＦＸ1 、ＩＦＸ2 のＵＤＣ１０、
１１、１２はウェハステージＷＳＴの原点位置におけて
零リセットされているものとする。
全体的なシーケンスは概ね公知であるため、詳しい説明
は省略し、特徴となるシーケンスのみについて説明す
る。まず、ウェハＷをホルダーＷＨ上にプリアライメン
トして載置する前に、レチクルＲをレチクルステージ上
に載置する。レチクルＲについても機械的なプリアライ
メントによってレチクルステージ上に保持される。この
際、干渉計ＩＦＹ、ＩＦＸ1 、ＩＦＸ2 のＵＤＣ１０、
１１、１２はウェハステージＷＳＴの原点位置におけて
零リセットされているものとする。
【００２３】次に主制御系１４は、ステージドライバー
２０を介してウェハステージＷＳＴを図１、又は図２の
ように位置決めするようにモータ２１、２２を制御す
る。ウェハステージＷＳＴの原点位置に対する図１（又
は図２）の位置は予め決まっているので、基準板ＦＰの
中心点Ｆccは、投影レンズＰＬの光軸ＡＸに対して数μ
ｍ程度の精度で位置決めされる。この位置決めが達成さ
れると、ウェハステージＷＳＴは干渉計ＩＦＹ、ＩＦＸ
2 の制御のもとでサーボロックされる。
２０を介してウェハステージＷＳＴを図１、又は図２の
ように位置決めするようにモータ２１、２２を制御す
る。ウェハステージＷＳＴの原点位置に対する図１（又
は図２）の位置は予め決まっているので、基準板ＦＰの
中心点Ｆccは、投影レンズＰＬの光軸ＡＸに対して数μ
ｍ程度の精度で位置決めされる。この位置決めが達成さ
れると、ウェハステージＷＳＴは干渉計ＩＦＹ、ＩＦＸ
2 の制御のもとでサーボロックされる。
【００２４】その後、ＴＴＲ方式のアライメント系ＤＤ
Ｘ1 、ＤＤＸ2 、ＤＤＹ1 、ＤＤＹ 2 を使って、レチク
ルマークＲＭと基準マークＦＭとの位置ずれ量ＳＸ1 、
ＳＸ 2 、ＳＹ1 、ＳＹ2 を求める。処理系１６はそれら
の位置ずれ量に基づいてレチクルＲの中心点と基準板Ｆ
Ｐの中心点ＦccとのＸ、Ｙ方向の位置ずれ量と、θ方向
の相対回転誤差量とを算出する。主制御系１４は、この
位置ずれ量と回転誤差量とがともに零に追い込まれるよ
うに、レチクルステージを微動するためのモータ（不図
示）等を駆動する。レチクルステージの駆動は、ＴＴＲ
アライメント系でマーク位置ずれを逐次検出して処理系
１６から得られる位置ずれ量や回転誤差量に基づいたク
ローズ制御でもよいし、レチクルステージの位置を高精
度に測定するセンサーがある場合は、オープン制御でも
よい。
Ｘ1 、ＤＤＸ2 、ＤＤＹ1 、ＤＤＹ 2 を使って、レチク
ルマークＲＭと基準マークＦＭとの位置ずれ量ＳＸ1 、
ＳＸ 2 、ＳＹ1 、ＳＹ2 を求める。処理系１６はそれら
の位置ずれ量に基づいてレチクルＲの中心点と基準板Ｆ
Ｐの中心点ＦccとのＸ、Ｙ方向の位置ずれ量と、θ方向
の相対回転誤差量とを算出する。主制御系１４は、この
位置ずれ量と回転誤差量とがともに零に追い込まれるよ
うに、レチクルステージを微動するためのモータ（不図
示）等を駆動する。レチクルステージの駆動は、ＴＴＲ
アライメント系でマーク位置ずれを逐次検出して処理系
１６から得られる位置ずれ量や回転誤差量に基づいたク
ローズ制御でもよいし、レチクルステージの位置を高精
度に測定するセンサーがある場合は、オープン制御でも
よい。
【００２５】以上の動作によって、レチクルＲは基準板
ＦＰ上の基準マークＦＭを基準としてアライメントされ
たことになる。このように基準板ＦＰに対してレチクル
Ｒを精密にアライメントするときのウェハステージＷＳ
Ｔの位置で、２つの干渉計ＩＦＸ1 、ＩＦＸ2 の各ＵＤ
Ｃ１１、１２が相互にプリセットされる。具体的には、
その時点でウェハステージＷＳＴのサーボロックに使っ
ている干渉計ＩＦＸ2 用のＵＤＣ１２の測定値ＤＸ
2が、他方の干渉計ＩＦＸ1 用のカウンタＵＤＣ１１へ
プリセットされるように、主制御系１４はプリセット信
号Ｓ1 を出力する。
ＦＰ上の基準マークＦＭを基準としてアライメントされ
たことになる。このように基準板ＦＰに対してレチクル
Ｒを精密にアライメントするときのウェハステージＷＳ
Ｔの位置で、２つの干渉計ＩＦＸ1 、ＩＦＸ2 の各ＵＤ
Ｃ１１、１２が相互にプリセットされる。具体的には、
その時点でウェハステージＷＳＴのサーボロックに使っ
ている干渉計ＩＦＸ2 用のＵＤＣ１２の測定値ＤＸ
2が、他方の干渉計ＩＦＸ1 用のカウンタＵＤＣ１１へ
プリセットされるように、主制御系１４はプリセット信
号Ｓ1 を出力する。
【００２６】ただし、その直前にカウンタＵＤＣ１１の
測定値ＤＸ1 が主制御系１４に読み込まれ、測定値ＤＸ
2 との差分が演算されて、その差分もしくは読み込まれ
た測定値ＤＸ1 が記憶される。これら記憶した値は、干
渉計ＩＦＸ1 とＩＦＸ2 との相互の測定関係を元に戻す
際に必要となる。以上までの動作が本発明で特徴的なシ
ーケンスであり、後は基準板ＦＰ上の基準マークＦＭが
オフ・アクシス・アライメント系ＯＷＡで順次検出され
るように、ウェハステージＷＳＴを移動、位置決めし、
そのときのウェハステージＷＳＴの各位置を干渉計ＩＦ
Ｘ1 、ＩＦＹによって測定して記憶する。さらにオフ・
アクシスアライメント処理系１８によって検出中心Ｐｄ
に対する各基準マークＦＭの位置ずれ量を求め、その位
置ずれ量と記憶されたステージの各位置との情報に基づ
いて、直交座標系ＸＹ上での検出中心点Ｐｄとレチクル
Ｒの中心点の投影点との相対位置関係（ベースライン）
を算出して記憶する。
測定値ＤＸ1 が主制御系１４に読み込まれ、測定値ＤＸ
2 との差分が演算されて、その差分もしくは読み込まれ
た測定値ＤＸ1 が記憶される。これら記憶した値は、干
渉計ＩＦＸ1 とＩＦＸ2 との相互の測定関係を元に戻す
際に必要となる。以上までの動作が本発明で特徴的なシ
ーケンスであり、後は基準板ＦＰ上の基準マークＦＭが
オフ・アクシス・アライメント系ＯＷＡで順次検出され
るように、ウェハステージＷＳＴを移動、位置決めし、
そのときのウェハステージＷＳＴの各位置を干渉計ＩＦ
Ｘ1 、ＩＦＹによって測定して記憶する。さらにオフ・
アクシスアライメント処理系１８によって検出中心Ｐｄ
に対する各基準マークＦＭの位置ずれ量を求め、その位
置ずれ量と記憶されたステージの各位置との情報に基づ
いて、直交座標系ＸＹ上での検出中心点Ｐｄとレチクル
Ｒの中心点の投影点との相対位置関係（ベースライン）
を算出して記憶する。
【００２７】以後、ウェハＷをホルダーＷＨ上に載置
し、オフ・アクシス・アライメント系ＯＷＡでウェハＷ
上のいくつかのショット領域に付随したウェハマークを
検出するとき等は、ウェハステージＷＳＴの座標位置計
測として干渉計ＩＦＸ1 、ＩＦＹを用いるようにし、露
光を行なうときは干渉計ＩＦＸ2 、ＩＦＹの測定値のも
とでウェハステージＷＳＴの位置制御を行なうようにす
る。
し、オフ・アクシス・アライメント系ＯＷＡでウェハＷ
上のいくつかのショット領域に付随したウェハマークを
検出するとき等は、ウェハステージＷＳＴの座標位置計
測として干渉計ＩＦＸ1 、ＩＦＹを用いるようにし、露
光を行なうときは干渉計ＩＦＸ2 、ＩＦＹの測定値のも
とでウェハステージＷＳＴの位置制御を行なうようにす
る。
【００２８】すなわち、基準板ＦＰを基準としてレチク
ルＲをアライメントすることができるウェハステージＷ
ＳＴの位置で、２つの干渉計ＩＦＸ1 、ＩＦＸ2 の夫々
の内部カウンタ（ＵＤＣ１１、ＵＤＣ１２）を同一値に
プリセットした後では、オフ・アクシス・アライメント
系ＯＷＡによるマーク検出時に干渉計ＩＦＸ1 で測定さ
れた値を、露光時に干渉計ＩＦＸ2 の測定値に基づいて
ウェハステージＷＳＴを位置決めするために必要な値と
してそのまま導入することができる。つまり、ウェハス
テージＷＳＴのヨーイングによる位置誤差が、オフ・ア
クシスアライメント時と露光時との間で生じないことに
なる。
ルＲをアライメントすることができるウェハステージＷ
ＳＴの位置で、２つの干渉計ＩＦＸ1 、ＩＦＸ2 の夫々
の内部カウンタ（ＵＤＣ１１、ＵＤＣ１２）を同一値に
プリセットした後では、オフ・アクシス・アライメント
系ＯＷＡによるマーク検出時に干渉計ＩＦＸ1 で測定さ
れた値を、露光時に干渉計ＩＦＸ2 の測定値に基づいて
ウェハステージＷＳＴを位置決めするために必要な値と
してそのまま導入することができる。つまり、ウェハス
テージＷＳＴのヨーイングによる位置誤差が、オフ・ア
クシスアライメント時と露光時との間で生じないことに
なる。
【００２９】以上で説明したシーケンスについて、図３
を参照してさらに詳しく述べる。図３はレチクルアライ
メント時における基準マークＦＭと移動鏡ＩＭｙ、及び
干渉計ＩＦＹ、ＩＦＸ1 、ＩＦＸ2 の配置関係を誇張し
て表わしたものである。まず前提として、干渉計ＩＦＹ
の測長軸と干渉計ＩＦＸ1 、ＩＦＸ2 の各測長軸とは、
精密に直交しているものとし、オフ・アクシス・アライ
メント系ＯＷＡのＸ方向の検出中心ＰＤｘとＹ方向の検
出中心とＰＤｙの交点（Ｐｄ）と、基準板ＦＰの中心点
Ｆccとは干渉計ＩＦＹの測長軸上に位置するものとす
る。さて、基準板ＦＰはウェハステージＷＳＴ上へ取り
付ける際に、移動鏡ＩＭｘの反射面に対して回転誤差θ
ｆをもつ。そこでこの回転誤差θｆを予め精密に測定し
ておき、レチクルアライメントの際に誤差θｆが補正さ
れるようにレチクルステージを位置決めすると、図３中
のｒ2 に示すようにレチクルＲは移動鏡ＩＭｘの反射面
に対してローテーションなくアライメントされる。尚、
図３中のｒ1 は基準マークＦＭに対してレチクルマーク
ＲＭを誤差零でアライメントしたときのレチクルの位置
を示し、中心点Ｆccを通る直線Ｋ1 はレチクルＲの中心
を通りＹ方向に伸びる線を表わし、誤差θｆが補正され
るようにレチクルＲをアライメントしたとき、直線Ｋ1
は移動鏡ＩＭｘの反射面と平行になる。
を参照してさらに詳しく述べる。図３はレチクルアライ
メント時における基準マークＦＭと移動鏡ＩＭｙ、及び
干渉計ＩＦＹ、ＩＦＸ1 、ＩＦＸ2 の配置関係を誇張し
て表わしたものである。まず前提として、干渉計ＩＦＹ
の測長軸と干渉計ＩＦＸ1 、ＩＦＸ2 の各測長軸とは、
精密に直交しているものとし、オフ・アクシス・アライ
メント系ＯＷＡのＸ方向の検出中心ＰＤｘとＹ方向の検
出中心とＰＤｙの交点（Ｐｄ）と、基準板ＦＰの中心点
Ｆccとは干渉計ＩＦＹの測長軸上に位置するものとす
る。さて、基準板ＦＰはウェハステージＷＳＴ上へ取り
付ける際に、移動鏡ＩＭｘの反射面に対して回転誤差θ
ｆをもつ。そこでこの回転誤差θｆを予め精密に測定し
ておき、レチクルアライメントの際に誤差θｆが補正さ
れるようにレチクルステージを位置決めすると、図３中
のｒ2 に示すようにレチクルＲは移動鏡ＩＭｘの反射面
に対してローテーションなくアライメントされる。尚、
図３中のｒ1 は基準マークＦＭに対してレチクルマーク
ＲＭを誤差零でアライメントしたときのレチクルの位置
を示し、中心点Ｆccを通る直線Ｋ1 はレチクルＲの中心
を通りＹ方向に伸びる線を表わし、誤差θｆが補正され
るようにレチクルＲをアライメントしたとき、直線Ｋ1
は移動鏡ＩＭｘの反射面と平行になる。
【００３０】一方、この状態のときウェハステージＷＳ
Ｔの位置決めサーボ制御は干渉計ＩＦＸ2 、ＩＦＹに基
づいて行なわれているが、このときの干渉計ＩＦＸ2 の
測定値（ＤＸ2 ）をＬｅ、干渉計ＩＦＸ1 の測定値（Ｄ
Ｘ1 ）をＬｆとすると、主制御系１４はそのΔＬｙ（Ｌ
ｆ−Ｌｅ）を算出して記憶する。測定値Ｌｅ、Ｌｆはウ
ェハステージＷＳＴが原点位置にあったときの移動鏡Ｉ
Ｍｘの反射面の位置を基準にしたものであり、その基準
は図３中に直線Ｌirで表わされる。そこで差ΔＬｙを記
憶した後に、干渉計ＩＦＸ1 の測定値Ｌｆが干渉計ＩＦ
Ｘ2 の測定値Ｌｅと等しくなるようにＵＤＣ１１をプリ
セットすると、２つの干渉計ＩＦＸ1 、ＩＦＸ2 の基準
は直線Ｌir' のように変化する。この直線Ｌir' は移動
鏡ＩＭｘの反射面と平行になり、かつ直線Ｋ1 とも平行
になる。従って、以後オフ・アクシス・アライメント系
ＯＷＡでウェハＷ上のマーク、又は基準板ＦＰ上の基準
マークＦＭを検出し、そのＸ方向の位置を干渉計ＩＦＸ
1 を使って検出した座標値は、そのまま干渉計ＩＦＸ2
で計測される値と一対一に対応し、露光時のウェハステ
ージＷＳＴの位置決め制御は、ステージのヨーイング等
を考慮した補正演算等をすることなく干渉計ＩＦＸ2 、
ＩＦＹによる制御へ切り替えられる。
Ｔの位置決めサーボ制御は干渉計ＩＦＸ2 、ＩＦＹに基
づいて行なわれているが、このときの干渉計ＩＦＸ2 の
測定値（ＤＸ2 ）をＬｅ、干渉計ＩＦＸ1 の測定値（Ｄ
Ｘ1 ）をＬｆとすると、主制御系１４はそのΔＬｙ（Ｌ
ｆ−Ｌｅ）を算出して記憶する。測定値Ｌｅ、Ｌｆはウ
ェハステージＷＳＴが原点位置にあったときの移動鏡Ｉ
Ｍｘの反射面の位置を基準にしたものであり、その基準
は図３中に直線Ｌirで表わされる。そこで差ΔＬｙを記
憶した後に、干渉計ＩＦＸ1 の測定値Ｌｆが干渉計ＩＦ
Ｘ2 の測定値Ｌｅと等しくなるようにＵＤＣ１１をプリ
セットすると、２つの干渉計ＩＦＸ1 、ＩＦＸ2 の基準
は直線Ｌir' のように変化する。この直線Ｌir' は移動
鏡ＩＭｘの反射面と平行になり、かつ直線Ｋ1 とも平行
になる。従って、以後オフ・アクシス・アライメント系
ＯＷＡでウェハＷ上のマーク、又は基準板ＦＰ上の基準
マークＦＭを検出し、そのＸ方向の位置を干渉計ＩＦＸ
1 を使って検出した座標値は、そのまま干渉計ＩＦＸ2
で計測される値と一対一に対応し、露光時のウェハステ
ージＷＳＴの位置決め制御は、ステージのヨーイング等
を考慮した補正演算等をすることなく干渉計ＩＦＸ2 、
ＩＦＹによる制御へ切り替えられる。
【００３１】尚、ステップアンドリピート方式でウェハ
ステージＷＳＴを、例えばＹ方向にステッピングされる
場合、ステージＷＳＴは移動鏡ＩＭｘの反射面の方向に
沿って移動していく。このため、レチクルＲをｒ2 のよ
うに誤差θf だけ補正してアライメントしておくと、ウ
ェハＷ上に露光された複数のショット領域の配列によっ
て決まる配列座標系に対して、ショット領域毎のローテ
ーション、いわゆるチップローテーションが無視できる
程に小さくなる。
ステージＷＳＴを、例えばＹ方向にステッピングされる
場合、ステージＷＳＴは移動鏡ＩＭｘの反射面の方向に
沿って移動していく。このため、レチクルＲをｒ2 のよ
うに誤差θf だけ補正してアライメントしておくと、ウ
ェハＷ上に露光された複数のショット領域の配列によっ
て決まる配列座標系に対して、ショット領域毎のローテ
ーション、いわゆるチップローテーションが無視できる
程に小さくなる。
【００３２】また、本実施例では、オフ・アクシス・ア
ライメント系ＯＷＡは１本しか設けていないが、２本以
上を設ける場合でも、同様にアッベ条件を満足する干渉
計を増設すればよい。さらに投影レンズのイメージフィ
ールドが大きく、イメージフィールド内の周辺部に検出
中心点を有するＴＴＬオフ・アクシス・アライメント系
（実質的に投影レンズのみを介してウェハマークを検出
する方式）に対してもアッベ条件を満すように干渉計を
配置してよい。またＸ方向の干渉計が２本とＹ方向の干
渉計が２本の場合は、Ｘ方向用とＹ方向用とでそれぞれ
相互プリセットを行なえばよい。また、図３での説明で
は、干渉計ＩＦＸ2 のＵＤＣ１２の測定値Ｌｅ（Ｄ
Ｘ2 ）を、干渉計ＩＦＸ1 のＵＤＣ１１にプリセットす
るとしたが、その逆方向にプリセットしたもよい。すな
わち、ＵＤＣ１１の測定値ＬｆをＵＤＣ１２へプリセッ
トしてもよい。ただし、この場合はプリセットの前に、
ウェハステージＷＳＴの位置決め制御を干渉計ＩＦ
Ｘ1 、ＩＦＹによる制御に切り替えておく必要がある。
ライメント系ＯＷＡは１本しか設けていないが、２本以
上を設ける場合でも、同様にアッベ条件を満足する干渉
計を増設すればよい。さらに投影レンズのイメージフィ
ールドが大きく、イメージフィールド内の周辺部に検出
中心点を有するＴＴＬオフ・アクシス・アライメント系
（実質的に投影レンズのみを介してウェハマークを検出
する方式）に対してもアッベ条件を満すように干渉計を
配置してよい。またＸ方向の干渉計が２本とＹ方向の干
渉計が２本の場合は、Ｘ方向用とＹ方向用とでそれぞれ
相互プリセットを行なえばよい。また、図３での説明で
は、干渉計ＩＦＸ2 のＵＤＣ１２の測定値Ｌｅ（Ｄ
Ｘ2 ）を、干渉計ＩＦＸ1 のＵＤＣ１１にプリセットす
るとしたが、その逆方向にプリセットしたもよい。すな
わち、ＵＤＣ１１の測定値ＬｆをＵＤＣ１２へプリセッ
トしてもよい。ただし、この場合はプリセットの前に、
ウェハステージＷＳＴの位置決め制御を干渉計ＩＦ
Ｘ1 、ＩＦＹによる制御に切り替えておく必要がある。
【００３３】ところで図１に示したＴＴＲ方式のアライ
メント系ＤＤＸ1 、ＤＤＸ2 、ＤＤＹ1 、ＤＤＹ2 、あ
るいはオフ・アクシス・アライメント系ＯＷＡとして
は、例えば特開平２−２３１５０４号公報に開示されて
いるように、２本の可干渉性ビームをレチクル上、又は
ウェハ上で所定の角度で交差するように照射し、レチク
ル、又はウェハ上の格子パターン上に干渉縞を作り、格
子パターンから生ずる回折光（±１次光、又は０次、±
２次光）を光電検出することによって、ウェハ上の格子
パターンの座標位置、あるいはレチクルの格子パターン
とウェハ上の格子パターンとの相対位置ずれ量を求める
２光束干渉アライメント方式を採用してもよい。この方
式は、特に基準板ＦＰを使ったレチクルＲのアライメン
ト時に極めて有効である。すなわち、基準板ＦＰ上の各
基準マークＦＭを格子パターンにし、レチクルＲ上の各
レチクルマークＲＭも格子パターンとし、２光束干渉ア
ライメント方式のＴＴＲアライメント系で各レチクルマ
ークＲＭと各基準マークＦＭとの位置ずれ量を求める。
この位置ずれ量の計測分解能は、干渉計ＩＦＸ1 、ＩＦ
Ｘ2 、ＩＦＹの分解能（±0.０１μｍ）よりも高くする
ことができる。
メント系ＤＤＸ1 、ＤＤＸ2 、ＤＤＹ1 、ＤＤＹ2 、あ
るいはオフ・アクシス・アライメント系ＯＷＡとして
は、例えば特開平２−２３１５０４号公報に開示されて
いるように、２本の可干渉性ビームをレチクル上、又は
ウェハ上で所定の角度で交差するように照射し、レチク
ル、又はウェハ上の格子パターン上に干渉縞を作り、格
子パターンから生ずる回折光（±１次光、又は０次、±
２次光）を光電検出することによって、ウェハ上の格子
パターンの座標位置、あるいはレチクルの格子パターン
とウェハ上の格子パターンとの相対位置ずれ量を求める
２光束干渉アライメント方式を採用してもよい。この方
式は、特に基準板ＦＰを使ったレチクルＲのアライメン
ト時に極めて有効である。すなわち、基準板ＦＰ上の各
基準マークＦＭを格子パターンにし、レチクルＲ上の各
レチクルマークＲＭも格子パターンとし、２光束干渉ア
ライメント方式のＴＴＲアライメント系で各レチクルマ
ークＲＭと各基準マークＦＭとの位置ずれ量を求める。
この位置ずれ量の計測分解能は、干渉計ＩＦＸ1 、ＩＦ
Ｘ2 、ＩＦＹの分解能（±0.０１μｍ）よりも高くする
ことができる。
【００３４】そして求まった位置ずれ量に、基準板ＦＰ
の取り付け誤差θｆによる各マークのオフセット量を加
えてレチクルステージをＸ、Ｙ、θ方向にサーボ制御す
ればよい。尚、レチクルＲがアライメントされた後、２
光束干渉アライメント方式のＴＴＲアライメント系でレ
チクルＲに対して基準板ＦＰが位置サーボ制御されるよ
うに、ＴＴＲアライメント系で検出される位置ずれ量の
みに基づいたステージドライバー２０の制御を開始し、
ウェハステージＷＳＴの位置を、アライメントされたレ
チクルＲを基準としてサーボロックした状態で、２つの
干渉計ＩＦＸ1 、ＩＦＸ2 の測定値を等しくプリセット
するようにしてもよい。この場合、２つの干渉計ＩＦＸ
1 、ＩＦＸ2 はウェハステージＷＳＴの位置制御に寄与
していないので、両方をプリセットしてもよい。
の取り付け誤差θｆによる各マークのオフセット量を加
えてレチクルステージをＸ、Ｙ、θ方向にサーボ制御す
ればよい。尚、レチクルＲがアライメントされた後、２
光束干渉アライメント方式のＴＴＲアライメント系でレ
チクルＲに対して基準板ＦＰが位置サーボ制御されるよ
うに、ＴＴＲアライメント系で検出される位置ずれ量の
みに基づいたステージドライバー２０の制御を開始し、
ウェハステージＷＳＴの位置を、アライメントされたレ
チクルＲを基準としてサーボロックした状態で、２つの
干渉計ＩＦＸ1 、ＩＦＸ2 の測定値を等しくプリセット
するようにしてもよい。この場合、２つの干渉計ＩＦＸ
1 、ＩＦＸ2 はウェハステージＷＳＴの位置制御に寄与
していないので、両方をプリセットしてもよい。
【００３５】また、レチクルアライメント、あるいはレ
チクルアライメント後の残留誤差のチェックについて
は、ＴＴＲアライメント系以外に、ウェハステージＷＳ
Ｔの基準板ＦＰ上に設けた発光型のマークをレチクルＲ
へ逆投影し、発光マークの像とレチクルマークＲＭとの
相対位置を検出する方式、あるいは基準板ＦＰのスリッ
ト状のマークの下に光電素子を設け、基準板上に結像し
たレチクルマークＲＭの投影像を、その光電素子で受光
して投影像の位置を検出する方式でもよい。
チクルアライメント後の残留誤差のチェックについて
は、ＴＴＲアライメント系以外に、ウェハステージＷＳ
Ｔの基準板ＦＰ上に設けた発光型のマークをレチクルＲ
へ逆投影し、発光マークの像とレチクルマークＲＭとの
相対位置を検出する方式、あるいは基準板ＦＰのスリッ
ト状のマークの下に光電素子を設け、基準板上に結像し
たレチクルマークＲＭの投影像を、その光電素子で受光
して投影像の位置を検出する方式でもよい。
【００３６】ところで、基準板ＦＰの取り付け誤差θｆ
を予め精密に測定する方法として、試し焼きを使う方法
がある。この場合、ステッパー評価用のテストレチクル
等を図１中に示してＴＴＲアライメント系ＤＤＸ1 、Ｄ
ＤＸ2 、ＤＤＹ1 、ＤＤＹ2 を使って基準板ＦＰに対し
て精密にアライメントする。すなわち、このレチクルア
ライメントでは、取り付け誤差θｆを伴った基準板ＦＰ
に対してテストレチクルが位置合わせされ、その結果、
テストレチクルは図３中のｒ1 のようにセットされる。
を予め精密に測定する方法として、試し焼きを使う方法
がある。この場合、ステッパー評価用のテストレチクル
等を図１中に示してＴＴＲアライメント系ＤＤＸ1 、Ｄ
ＤＸ2 、ＤＤＹ1 、ＤＤＹ2 を使って基準板ＦＰに対し
て精密にアライメントする。すなわち、このレチクルア
ライメントでは、取り付け誤差θｆを伴った基準板ＦＰ
に対してテストレチクルが位置合わせされ、その結果、
テストレチクルは図３中のｒ1 のようにセットされる。
【００３７】次にその状態で、ウェハホルダーＷＨ上に
レジストを塗布したテストウェハ（ベア・シリコン等）
を、フラットＯＦを基準としてプリアライメントして載
置する。そして、テストレチクルのパターン領域ＰＡの
投影像の大きさに応じたピッチでウェハステージＷＳＴ
をＸ方向、Ｙ方向にステッピッグさせては露光すること
を繰り返す。このとき、ウェハステージＷＳＴのＸ方
向、Ｙ方向の移動はあくまでも移動鏡ＩＭｘ、ＩＭｙの
反射面に従ったものとなる。
レジストを塗布したテストウェハ（ベア・シリコン等）
を、フラットＯＦを基準としてプリアライメントして載
置する。そして、テストレチクルのパターン領域ＰＡの
投影像の大きさに応じたピッチでウェハステージＷＳＴ
をＸ方向、Ｙ方向にステッピッグさせては露光すること
を繰り返す。このとき、ウェハステージＷＳＴのＸ方
向、Ｙ方向の移動はあくまでも移動鏡ＩＭｘ、ＩＭｙの
反射面に従ったものとなる。
【００３８】図５は、このときテストウェハＷ上に形成
されるテストレチクルのショット領域ＴＳの露光時にお
ける配置を誇張して示したものである。図５において、
直交座標系Ｘｒ、Ｙｒはテストレチクルの座標系であ
り、ウェハＷ上の複数のショット領域ＴＳの夫々は、い
ずれもその座標系Ｘｒ、Ｙｒに対して回転ずれはない。
ところがステップアンドリピート方式でのウェハステー
ジＷＳＴのスッテピングは移動鏡ＩＭｘ、ＩＭｙに従っ
て行なわれるから、各ショット領域ＴＳの中心点で規定
される配列座標系（直交）αβは移動鏡ＩＭｘ、ＩＭｙ
の各反射面と平行になる。このため図５から明らかなよ
うに、ウェハ上の各ショット領域ＴＳは配列座標系αβ
を基準としてみると、あたかもチップローテーションが
生じたかのように観測される。
されるテストレチクルのショット領域ＴＳの露光時にお
ける配置を誇張して示したものである。図５において、
直交座標系Ｘｒ、Ｙｒはテストレチクルの座標系であ
り、ウェハＷ上の複数のショット領域ＴＳの夫々は、い
ずれもその座標系Ｘｒ、Ｙｒに対して回転ずれはない。
ところがステップアンドリピート方式でのウェハステー
ジＷＳＴのスッテピングは移動鏡ＩＭｘ、ＩＭｙに従っ
て行なわれるから、各ショット領域ＴＳの中心点で規定
される配列座標系（直交）αβは移動鏡ＩＭｘ、ＩＭｙ
の各反射面と平行になる。このため図５から明らかなよ
うに、ウェハ上の各ショット領域ＴＳは配列座標系αβ
を基準としてみると、あたかもチップローテーションが
生じたかのように観測される。
【００３９】従って、このようにテスト露光されたウェ
ハを現像した後、各ショット領域ＴＳ内のテストマーク
（バーニア等）を使って、配列座標系αβに対する各シ
ョット領域ＴＳの平均的な回転誤差量Δθｃをステッパ
ーの計測機能、もしくは他の測定機を使って求めれば、
その誤差量Δθｃが実質的に取り付け誤差θｆと等しい
ことになる。
ハを現像した後、各ショット領域ＴＳ内のテストマーク
（バーニア等）を使って、配列座標系αβに対する各シ
ョット領域ＴＳの平均的な回転誤差量Δθｃをステッパ
ーの計測機能、もしくは他の測定機を使って求めれば、
その誤差量Δθｃが実質的に取り付け誤差θｆと等しい
ことになる。
【００４０】尚、チップローテーション計測のためのテ
スト露光の際に特殊なスッテピングを行なう手法があ
る。それはテストレチクルのパターン領域ＰＡの最外周
部の複数ヶ所に配置されたバーニアパターンが、隣接す
るショット領域の露光時に互いにオーバーラップするよ
うにスッテピングさせるのである。その具体例を図６
（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示す。
スト露光の際に特殊なスッテピングを行なう手法があ
る。それはテストレチクルのパターン領域ＰＡの最外周
部の複数ヶ所に配置されたバーニアパターンが、隣接す
るショット領域の露光時に互いにオーバーラップするよ
うにスッテピングさせるのである。その具体例を図６
（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示す。
【００４１】図６（Ａ）はテストレチクルＴＲのパター
ン領域ＰＡ内のバーニアパターン配置の一例を示し、領
域ＰＡの周辺の４辺の夫々には、図６（Ｂ）に示した回
折格子状のバーニアパターンＧＰの複数個が所定位置に
形成されている。これらバーニアパターンＧＰのうち、
座標Ｘｒ、ＹｒのＹｒ軸と平行なパターン領域ＰＡの辺
に沿って形成されたものは、いずれも回折格子のピッチ
方向がＹｒ方向と一致するように定められ、Ｘｒ軸と平
行なパターン領域ＰＡの辺に沿って形成されたものは、
いずれも回折格子のピッチ方向がＸｒ方向と一致するよ
うに定められる。またそれら複数のバーニアパターンＧ
Ｐの夫々は、テストレチクルＴＲの中心点ＣＲに対して
予め決められた位置に形成され、その位置関係は他の測
定機によって精密に計測され、テストレチクルのバーニ
ア配置精度（誤差）として求められているものとする。
ン領域ＰＡ内のバーニアパターン配置の一例を示し、領
域ＰＡの周辺の４辺の夫々には、図６（Ｂ）に示した回
折格子状のバーニアパターンＧＰの複数個が所定位置に
形成されている。これらバーニアパターンＧＰのうち、
座標Ｘｒ、ＹｒのＹｒ軸と平行なパターン領域ＰＡの辺
に沿って形成されたものは、いずれも回折格子のピッチ
方向がＹｒ方向と一致するように定められ、Ｘｒ軸と平
行なパターン領域ＰＡの辺に沿って形成されたものは、
いずれも回折格子のピッチ方向がＸｒ方向と一致するよ
うに定められる。またそれら複数のバーニアパターンＧ
Ｐの夫々は、テストレチクルＴＲの中心点ＣＲに対して
予め決められた位置に形成され、その位置関係は他の測
定機によって精密に計測され、テストレチクルのバーニ
ア配置精度（誤差）として求められているものとする。
【００４２】さて図６（Ｂ）に示した回折格子状のバー
ニアパターンＧＰは、一定ピッチ（ウェハ上で例えば４
μｍ）でラインアンドスペースを形成したもので、各ラ
インとスペースはウェハ上で例えば２μｍである。この
ようなバーニアパターンＧＰを有するパターン領域ＰＡ
をスッテピングによりウェハへ焼き付けるとき、図６
（Ｃ）に示すように、隣接するショット領域同志がＸ方
向、Ｙ方向の各ステップ方向に一部オーバーラップする
ようにステップ移動する。図６（Ｃ）は、図５に示した
複数のショット領域のうちの１つを特定のショット領域
ＴＳａとして着目し、それに隣接した４つのショット領
域ＴＳ 1 、ＴＳ2 、ＴＳ3 、ＴＳ4 の配置を誇張して示
したものである。図５からもわかるように、チップロー
テーションが存在すると、隣接するショット領域同志は
スッテピング方向とほぼ直交する方向に相対位置ずれを
起したように観察される。例えば図６（Ｃ）において、
α（Ｘ）方向のステッピングによって形成されるショッ
ト領域ＴＳ1 とＴＳ3 は、着目するショット領域ＴＳａ
に対してβ（Ｙ）方向にずれ、β（Ｙ）方向のステッピ
ングによって形成されるショット領域ＴＳ 2 、ＴＳ
4 は、ショット領域ＴＳａに対してα（Ｘ）方向にずれ
ている。そこで各ショット領域のオーバーラップ部分
（斜線部）に、チップローテーションによってずれる方
向と格子状バーニアパターンＧＰのピッチ方向とを合致
させ、かつ隣接ショット領域の各バーニアパターンがス
テッピング方向に少しずれて並置されるようにステッピ
ングを行なう。
ニアパターンＧＰは、一定ピッチ（ウェハ上で例えば４
μｍ）でラインアンドスペースを形成したもので、各ラ
インとスペースはウェハ上で例えば２μｍである。この
ようなバーニアパターンＧＰを有するパターン領域ＰＡ
をスッテピングによりウェハへ焼き付けるとき、図６
（Ｃ）に示すように、隣接するショット領域同志がＸ方
向、Ｙ方向の各ステップ方向に一部オーバーラップする
ようにステップ移動する。図６（Ｃ）は、図５に示した
複数のショット領域のうちの１つを特定のショット領域
ＴＳａとして着目し、それに隣接した４つのショット領
域ＴＳ 1 、ＴＳ2 、ＴＳ3 、ＴＳ4 の配置を誇張して示
したものである。図５からもわかるように、チップロー
テーションが存在すると、隣接するショット領域同志は
スッテピング方向とほぼ直交する方向に相対位置ずれを
起したように観察される。例えば図６（Ｃ）において、
α（Ｘ）方向のステッピングによって形成されるショッ
ト領域ＴＳ1 とＴＳ3 は、着目するショット領域ＴＳａ
に対してβ（Ｙ）方向にずれ、β（Ｙ）方向のステッピ
ングによって形成されるショット領域ＴＳ 2 、ＴＳ
4 は、ショット領域ＴＳａに対してα（Ｘ）方向にずれ
ている。そこで各ショット領域のオーバーラップ部分
（斜線部）に、チップローテーションによってずれる方
向と格子状バーニアパターンＧＰのピッチ方向とを合致
させ、かつ隣接ショット領域の各バーニアパターンがス
テッピング方向に少しずれて並置されるようにステッピ
ングを行なう。
【００４３】こうして焼き付けられたウェハを現像する
と、ショット領域ＴＳａの周辺の４辺の夫々に、一対の
格子状バーニアパターンＧＰのレジスト像が形成され
る。一対のバーニアレジストパターンはチップローテー
ションによって、ピッチ方向にわずかに位置ずれを起こ
している。この位置ずれ量を高精度に測定することによ
って、チップローテーション量Δθｃ、すなわち、取り
付け誤差θｆが求まる。
と、ショット領域ＴＳａの周辺の４辺の夫々に、一対の
格子状バーニアパターンＧＰのレジスト像が形成され
る。一対のバーニアレジストパターンはチップローテー
ションによって、ピッチ方向にわずかに位置ずれを起こ
している。この位置ずれ量を高精度に測定することによ
って、チップローテーション量Δθｃ、すなわち、取り
付け誤差θｆが求まる。
【００４４】ここで、具体例をあげると、図６（Ａ）の
テストレチクル中のバーニアパターンＧＰのうち、レチ
クル中心点ＣＲを通りＸｒ軸と平行な線上に、中心点Ｃ
Ｒに対して対称的に位置する２つのバーニアパターンＧ
Ｐａ、ＧＰｂに着目する。このとき、ショット領域ＴＳ
ａとショット領域ＴＳ1 とのオーバーラップ部分（左側
のオーバーラップ部とする）では、領域ＴＳａに付随し
たバーニアレジストパターンＧＰａに対して、領域ＴＳ
1 のバーニアレジストパターンＧＰｂはＹ方向の正に位
置ずれを起し、ショット領域ＴＳａとショット領域ＴＳ
3 とのオーバーラップ部分（右側のオーバーラップ部と
する）では、領域ＴＳａに付随したバーニアレジストパ
ターンＧＰｂに対して、領域ＴＳ3 のバーニアレジスト
パターンＧＰａはＹ方向の負に位置ずれを起す。
テストレチクル中のバーニアパターンＧＰのうち、レチ
クル中心点ＣＲを通りＸｒ軸と平行な線上に、中心点Ｃ
Ｒに対して対称的に位置する２つのバーニアパターンＧ
Ｐａ、ＧＰｂに着目する。このとき、ショット領域ＴＳ
ａとショット領域ＴＳ1 とのオーバーラップ部分（左側
のオーバーラップ部とする）では、領域ＴＳａに付随し
たバーニアレジストパターンＧＰａに対して、領域ＴＳ
1 のバーニアレジストパターンＧＰｂはＹ方向の正に位
置ずれを起し、ショット領域ＴＳａとショット領域ＴＳ
3 とのオーバーラップ部分（右側のオーバーラップ部と
する）では、領域ＴＳａに付随したバーニアレジストパ
ターンＧＰｂに対して、領域ＴＳ3 のバーニアレジスト
パターンＧＰａはＹ方向の負に位置ずれを起す。
【００４５】そこでテストレチクル上でのバーニアパタ
ーンＧＰａ、ＧＰｂのＸｒ方向の間隔をウェハ側に換算
した値をＬＤとして、左側のオーバーラップ部で求めた
Ｙ方向の位置ずれ量をΔＹg 1 とし、右側のオーバーラ
ップ部で求めたＹ方向の位置ずれ量をΔＹg 2 としたと
き、チップローテーションΔθｃ（＝θｆ）は次式で算
出される。
ーンＧＰａ、ＧＰｂのＸｒ方向の間隔をウェハ側に換算
した値をＬＤとして、左側のオーバーラップ部で求めた
Ｙ方向の位置ずれ量をΔＹg 1 とし、右側のオーバーラ
ップ部で求めたＹ方向の位置ずれ量をΔＹg 2 としたと
き、チップローテーションΔθｃ（＝θｆ）は次式で算
出される。
【００４６】 Δθｃ≒（ΔＹg 1 −ΔＹg 2 ）／ＬＤ このような手法で、着目するショット領域ＴＳａ内の他
の複数対のバーニアレジストパターンＧＰの相対位置ず
れ量を求めて複数個のチップローテーション量Δθｃを
算出した後、それらを平均化することによって、より精
度の高い取り付け誤差θｆが求まる。またウェハ上の複
数の異なる位置に着目するショット領域ＴＳａを設定
し、その複数位置の夫々で求めた平均化されたチップロ
ーテーション量Δθｃを、さらに平均化すると、ウェハ
ステージＷＳＴのランダムなステッピング誤差による影
響が低減されることになる。
の複数対のバーニアレジストパターンＧＰの相対位置ず
れ量を求めて複数個のチップローテーション量Δθｃを
算出した後、それらを平均化することによって、より精
度の高い取り付け誤差θｆが求まる。またウェハ上の複
数の異なる位置に着目するショット領域ＴＳａを設定
し、その複数位置の夫々で求めた平均化されたチップロ
ーテーション量Δθｃを、さらに平均化すると、ウェハ
ステージＷＳＴのランダムなステッピング誤差による影
響が低減されることになる。
【００４７】尚、図６（Ｂ）のバーニアパターンＧＰの
レジスト像の２つがピッチ方向と直交する方向に並置さ
れた場合、２つのバーニアレジストパターンのピッチ方
向の位置ずれ量は、例えば特開昭６２−５６８１８号公
報に開示されているような干渉縞を使った位置ずれ測定
機を使うことで極めて高精度に測定できる。この公報に
開示された方式によれば、２つのバーニアレジストパタ
ーンの夫々にピッチ方向に対称的に傾いた２本のレーザ
ビームを同時に照射して、バーニアレジストパターンの
格子ピッチＰｇの１／２のピッチの干渉縞を作るととも
に、２本のレーザビーム間に一対の周波数差Δｆを与え
る。このとき２つのバーニアレジストパターンの夫々か
ら垂直に発生する±１次回折光の干渉光は周波数Δｆの
ビート光となり、この干渉光を個別に光電検出すると、
周波数Δｆの２つの交流信号（正弦波）が得られる。と
ころが、２つのバーニアレジストパターンがピッチ方向
に位置ずれ（格子ピッチＰｇの１／２以内）を起してい
ると、その位置ずれ量に比例して、２つの交流信号に位
相差φが生じる。そこで位相差計等を用いて２つの交流
信号の位相差φ（±１８０°以内）を計測し、それを位
置ずれ量に換算すればよい。ちなみに位相差計測にフー
リエ変換を利用したとすると、位相差計測の分解能とし
て±0.５°程度が安定に得られる。格子ピッチＰｇがウ
ェハ上で４μｍであるとすると、Ｐｇ／２の位置ずれが
位相差の３６０°に対応（±Ｐｇ／４が±１８０°に対
応）するから、±0.５°の位相計測分解能のとき、位置
ずれ検出分解能は±Ｐｇ／（４・１８０／0.５）とな
り、約±2.８nmとなる。この値は通常の測長用のレーザ
干渉計の分解能に対して１桁以上高いものである。
レジスト像の２つがピッチ方向と直交する方向に並置さ
れた場合、２つのバーニアレジストパターンのピッチ方
向の位置ずれ量は、例えば特開昭６２−５６８１８号公
報に開示されているような干渉縞を使った位置ずれ測定
機を使うことで極めて高精度に測定できる。この公報に
開示された方式によれば、２つのバーニアレジストパタ
ーンの夫々にピッチ方向に対称的に傾いた２本のレーザ
ビームを同時に照射して、バーニアレジストパターンの
格子ピッチＰｇの１／２のピッチの干渉縞を作るととも
に、２本のレーザビーム間に一対の周波数差Δｆを与え
る。このとき２つのバーニアレジストパターンの夫々か
ら垂直に発生する±１次回折光の干渉光は周波数Δｆの
ビート光となり、この干渉光を個別に光電検出すると、
周波数Δｆの２つの交流信号（正弦波）が得られる。と
ころが、２つのバーニアレジストパターンがピッチ方向
に位置ずれ（格子ピッチＰｇの１／２以内）を起してい
ると、その位置ずれ量に比例して、２つの交流信号に位
相差φが生じる。そこで位相差計等を用いて２つの交流
信号の位相差φ（±１８０°以内）を計測し、それを位
置ずれ量に換算すればよい。ちなみに位相差計測にフー
リエ変換を利用したとすると、位相差計測の分解能とし
て±0.５°程度が安定に得られる。格子ピッチＰｇがウ
ェハ上で４μｍであるとすると、Ｐｇ／２の位置ずれが
位相差の３６０°に対応（±Ｐｇ／４が±１８０°に対
応）するから、±0.５°の位相計測分解能のとき、位置
ずれ検出分解能は±Ｐｇ／（４・１８０／0.５）とな
り、約±2.８nmとなる。この値は通常の測長用のレーザ
干渉計の分解能に対して１桁以上高いものである。
【００４８】従って、このような干渉縞を使った位置ず
れ測定機能がステッパーのアライメント系に組み込まれ
ているときは、現像後のウェハをそのステッパーに載せ
て自動計測を行なうことで、ただちにチップローテーシ
ョンΔθｃ、及び基準板ＦＰの取り付け誤差θｆが求ま
るので、その値をステッパーのコンピュータ内に装置定
数として記憶させるまでの動作が自動でできるといった
利点がある。また、そのような高分解能、高精度な自己
計測システムを備えたステッパーであれば、基準板ＦＰ
の取り付け誤差は、直接基準マークの位置関係を測定す
ることによっても求めることができる。この場合は、基
準マークの一部に図５と同様の回折格子状のマークを入
れておく必要がある。
れ測定機能がステッパーのアライメント系に組み込まれ
ているときは、現像後のウェハをそのステッパーに載せ
て自動計測を行なうことで、ただちにチップローテーシ
ョンΔθｃ、及び基準板ＦＰの取り付け誤差θｆが求ま
るので、その値をステッパーのコンピュータ内に装置定
数として記憶させるまでの動作が自動でできるといった
利点がある。また、そのような高分解能、高精度な自己
計測システムを備えたステッパーであれば、基準板ＦＰ
の取り付け誤差は、直接基準マークの位置関係を測定す
ることによっても求めることができる。この場合は、基
準マークの一部に図５と同様の回折格子状のマークを入
れておく必要がある。
【００４９】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、第１干渉
計を使って感光基板上のマーク位置を検出した結果は、
そのまま第2干渉計を使った露光時のステージ位置制御
につかえることになり、ステージのヨーイング等を考慮
した補正演算を逐次行う必要がないといった利点があ
る。
計を使って感光基板上のマーク位置を検出した結果は、
そのまま第2干渉計を使った露光時のステージ位置制御
につかえることになり、ステージのヨーイング等を考慮
した補正演算を逐次行う必要がないといった利点があ
る。
【図１】本発明の実施例による投影露光装置の構成を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図２】図１の装置のウェハステージ上の構成と制御系
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図３】本実施例の動作を説明する図である。
【図４】従来の投影露光装置におけるベースライン計測
を説明する図である。
を説明する図である。
【図５】基準板の取り付け誤差を試し焼きによって求め
る際のウェハ上のショット配列を示す図である。
る際のウェハ上のショット配列を示す図である。
【図６】チップローテーション計測のためのテストレチ
クルのパターン配置とステッピングの方法とを説明する
図である。
クルのパターン配置とステッピングの方法とを説明する
図である。
ＰＬ 投影レンズ Ｒ レチクル ＲＭx 1 、ＲＭx 2 、ＲＭy 1 、ＲＭy 2 レチクルマ
ーク Ｗ ウェハ ＷＳＴ ウェハステージ ＦＰ 基準板 ＦＭＸ1 、ＦＭＸ2 、ＦＭＹ1 、ＦＭＹ2 基準マーク ＯＷＡ オフ・アクシス・アライメント系 Ｐｄ 検出中心点 ＤＤＸ1 、ＤＤＸ2 、ＤＤＹ1 、ＤＤＹ2 ＴＴＲ方式
のアライメント系 ＩＦＹ、ＩＦＸ1 、ＩＦＸ2 レーザ干渉計 １０、１１、１２ アップダウンカウンタ（ＵＤＣ） １４ 主制御系 Ｓ1 、Ｓ2 、Ｓ3 プリセット信号
ーク Ｗ ウェハ ＷＳＴ ウェハステージ ＦＰ 基準板 ＦＭＸ1 、ＦＭＸ2 、ＦＭＹ1 、ＦＭＹ2 基準マーク ＯＷＡ オフ・アクシス・アライメント系 Ｐｄ 検出中心点 ＤＤＸ1 、ＤＤＸ2 、ＤＤＹ1 、ＤＤＹ2 ＴＴＲ方式
のアライメント系 ＩＦＹ、ＩＦＸ1 、ＩＦＸ2 レーザ干渉計 １０、１１、１２ アップダウンカウンタ（ＵＤＣ） １４ 主制御系 Ｓ1 、Ｓ2 、Ｓ3 プリセット信号
Claims (25)
- 【請求項１】 マスクのパターン像を感光基板上に投影
する投影光学系と、前記感光基板を保持するステージ
と、前記ステージの位置情報を検出する互いに測長軸が
平行な第１及び第２干渉計とを備えた投影露光装置にお
いて、 前記基板ステージに設けられ、基準マークが形成された
基準板と、 前記基準板上の基準マークが前記投影光学系の投影視野
領域内に配置されるように前記ステージが位置決めされ
た状態で、前記第１干渉計の測定値と前記第２干渉計の
測定値とを対応付ける設定手段とを有することを特徴と
する投影露光装置。 - 【請求項２】 前記設定手段は、前記第１及び第２干渉
計の各測定値を同一値に設定することを特徴とする請求
項１に記載の投影露光装置。 - 【請求項３】 マスクのパターン像を感光基板上に投影
する投影光学系と、前記感光基板を保持するステージ
と、前記ステージの位置情報を検出する互いに測長軸が
平行な第１及び第２干渉計とを備えた投影露光装置にお
いて、 前記投影光学系を介して前記ステージ上の基準マークを
検出する検出手段と、 前記検出手段が前記基準マークを検出するときの前記ス
テージの位置で、前記第１及び前記第２干渉計の各測定
値を対応付ける設定手段とを備えたことを特徴とする投
影露光装置。 - 【請求項４】 前記検出手段は、前記基準マークと前記
マスクに形成される特定マークとを検出することによっ
て各マークの相対的な位置関係を検出し、 前記設定手段は、前記検出手段が前記相対的な位置関係
を検出するときの前記ステージの位置で、前記第１及び
前記第２干渉計の各測定値を対応付ける ことを特徴とす
る請求項３に記載の投影露光装置。 - 【請求項５】 マスクのパターン像を感光基板上に投影
する投影光学系と、前記感光基板を保持するステージ
と、前記ステージの位置情報を検出する互いに測長軸が
平行な第１及び第２干渉計とを備えた投影露光装置にお
いて、 前記投影光学系を介して前記基準マークと前記マスクに
形成される特定マークとの相対的な位置関係を検出する
検出手段と、 前記検出手段が前記相対的な位置関係を検出するときの
前記ステージの位置で 、前記第１干渉計の測定値を設定
する設定手段とを備えたことを特徴とする投影露光装
置。 - 【請求項６】 前記検出手段は、前記マスクに形成され
る複数の特定マークの各々と前記基準マークとを検出す
ることを特徴とする請求項４又は５に記載の投影露光装
置 - 【請求項７】 前記検出手段から出力される前記特定マ
ークと前記基準マークとの相対位置関係に関する複数の
情報に基づいて、前記第１干渉計、又は前記第２干渉計
によって規定される座標系に対する前記マスクのアライ
メントを行う位置合わせ手段を更に備えたことを特徴と
する請求項６に記載の投影露光装置。 - 【請求項８】 前記基準マークは、前記複数の特定マー
クにそれぞれ対応する複数のマークを有することを特徴
とする請求項６又は７に記載の投影露光装置。 - 【請求項９】 前記複数のマークは、前記ステージに設
けられる単一の基準板に形成されることを特徴とする請
求項８に記載の投影露光装置。 - 【請求項１０】 前記感光基板上のマークを検出するア
ライメント系と、前記検出手段と前記アライメント系と
でそれぞれ前記基準マークを検出して、前記アライメン
ト系のベースライン量を決定する計測手段とを更に備え
たことを特徴とする請求項３〜９のいずれか一項に記載
の投影露光装置。 - 【請求項１１】 前記アライメント系は、前記投影光学
系を介して前記感光基板上のマーク、又は前記基準マー
クを検出することを特徴とする請求項１０に記載の投影
露光装置。 - 【請求項１２】 前記アライメント系は、前記投影光学
系の外部に別設される対物光学系を有し、前記対物光学
系を介して前記感光基板上のマーク、又は前記基準マー
クを検出することを特徴とする請求項１０に記載の投影
露光装置。 - 【請求項１３】 前記アライメント系は、前記感光基板
上のマーク、又は前記基準マークにブロードバンドの照
明光を照射し、前記対物光学系を介して前記マークの像
を撮像素子で検出することを特徴とする請求項１２に記
載の投影露光装置。 - 【請求項１４】 前記アライメント系はその検出中心点
が前記第１干渉計の測長軸上に配置されることを特徴と
する請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の投影露光
装置。 - 【請求項１５】 前記アライメント系は、前記感光基板
上のマーク、又は前記基準マークの検出時に前記第１干
渉計で検出される位置情報を用いることを特徴とする請
求項１４に記載の投影露光装置。 - 【請求項１６】 前記第２干渉計はその測長軸が前記投
影光学系の光軸位置を通り、前記感光基板の露光時に前
記第２干渉計で検出される位置情報を用いて前記ステー
ジの移動を制御する駆動制御手段を更に備えることを特
徴とする請求項３〜１５のいずれか一項に記載の投影露
光装置。 - 【請求項１７】 互いに平行な測長軸を有する第１及び
第２干渉計を用いて、感光基板を保持するステージを移
動して、投影光学系を介してマスクのパターンを前記感
光基板上に投影露光する方法において、 前記基準板上の基準マークが前記投影光学系の投影視野
領域内に配置されるように前記ステージを位置決めし、
前記ステージが位置決めされた状態で前記第１干渉計の
測定値と前記第２干渉計の測定値とを対応付けることを
特徴とする投影露光方法。 - 【請求項１８】 互いに平行な測長軸を有する第１及び
第２干渉計を用いて、感光基板を保持するステージを移
動して、投影光学系を介してマスクのパターンを前記感
光基板上に投影露光する方法において、 前記投影光学系を介して前記ステージ上の基準マークが
検出されるときの前記ステージの位置で、前記第１及び
前記第２干渉計の各測定値を対応付けることを特徴とす
る投影露光方法。 - 【請求項１９】 前記ステージは、前記基準マークと前
記マスクに形成される特定マークとが検出されるように
位置決めされることを特徴とする請求項１８に記載の投
影露光方法。 - 【請求項２０】 互いに平行な測長軸を有する第１及び
第２干渉計を用いて、感光基板を保持するステージを移
動して、投影光学系を介してマスクのパターンを前記感
光基板上に投影露光する方法において、 前記投影光学系を介して前記基準マークと前記マスクに
形成される特定マーク との相対的な位置関係が検出され
るときの前記ステージの位置で、前記第１干渉計の測定
値を設定することを特徴とする投影露光方法。 - 【請求項２１】 前記ステージは、前記マスクに形成さ
れる複数の特定マークの各々と前記基準マークとが検出
されるように位置決めされることを特徴とする請求項１
９又は２０に記載の投影露光方法。 - 【請求項２２】 前記ステージの位置決め時に、前記基
準マークと前記特定マークとの相対位置関係に基づい
て、前記第１干渉計又は前記第２干渉計によって規定さ
れる座標系に対する前記マスクのアライメントを行うこ
とを特徴とする請求項１９〜２１のいずれか一項に記載
の投影露光方法。 - 【請求項２３】 前記感光基板上のマークを検出するア
ライメント系で前記基準マークを検出し、前記アライメ
ント系の検出結果と前記基準マークと前記マスク上の特
定マークとの相対位置関係とに基づいて、前記アライメ
ント系のベースライン量を決定することを特徴とする請
求項１９〜２２のいずれか一項に記載の投影露光方法。 - 【請求項２４】 前記第１干渉計の測長軸は前記感光基
板上のマークを検出するアライメント系の検出中心点と
対応付けられ、前記アライメント系による前記感光基板
上のマーク、又は前記基準マークの検出時に前記第１干
渉計で検出される位置情報を用いることを特徴とする請
求項１７〜２３のいずれか一項に記載の投影露光方法。 - 【請求項２５】 前記第２干渉計の測長軸は前記投影光
学系の光軸位置と対応付けられ、前記感光基板の露光時
に前記第２干渉計で検出される位置情報を用いて前記ス
テージの移動を制御することを特徴とする請求項１７〜
２４のいずれか一項に記載の投影露光方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18255791A JP3170717B2 (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 投影露光装置及び方法 |
| US07/998,642 US5243195A (en) | 1991-04-25 | 1992-12-29 | Projection exposure apparatus having an off-axis alignment system and method of alignment therefor |
| US09/002,884 USRE36730E (en) | 1991-04-25 | 1998-01-05 | Projection exposure apparatus having an off-axis alignment system and method of alignment therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18255791A JP3170717B2 (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 投影露光装置及び方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000274552A Division JP3277929B2 (ja) | 2000-09-11 | 2000-09-11 | 投影露光装置および方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529194A JPH0529194A (ja) | 1993-02-05 |
| JP3170717B2 true JP3170717B2 (ja) | 2001-05-28 |
Family
ID=16120361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18255791A Expired - Fee Related JP3170717B2 (ja) | 1991-04-25 | 1991-07-23 | 投影露光装置及び方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3170717B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110379941A (zh) * | 2019-07-31 | 2019-10-25 | 昆山梦显电子科技有限公司 | 高分辨率Micro-OLED的制备方法以及显示模组 |
-
1991
- 1991-07-23 JP JP18255791A patent/JP3170717B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110379941A (zh) * | 2019-07-31 | 2019-10-25 | 昆山梦显电子科技有限公司 | 高分辨率Micro-OLED的制备方法以及显示模组 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0529194A (ja) | 1993-02-05 |
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