JP3170072B2 - 座標入力装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、静電結合方式の座標入
力装置に係わり、特に基板に抵抗膜を形成した座標入力
装置に関する。
力装置に係わり、特に基板に抵抗膜を形成した座標入力
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ガラス基板上に抵抗膜を形成し、
この抵抗膜上に一対のＸ軸電極及び、一対のＹ軸電極を
設け、スタイラスペン等をガラス基板に接触させてペン
の指示位置を検出する静電結合式座標入力装置が知られ
ている。かかる座標入力装置の位置検出の原理は、図６
に示すように、例えば一方のＸ軸電極２１ａに交流２２
の検出信号を印加し、抵抗膜２３を介して他方のＸ軸電
極２１ｂにこの検出信号を流し、ガラス基板２４の表面
にスタイラスペン８を接触させることにより、この接触
位置での交流電圧をスタイラスペン８で検出するもので
ある。この検出電圧値は、抵抗膜２３の抵抗により、Ｘ
軸電極２１ａからの距離に応じて所定値だけ減少してい
ることになり、この減少電圧値によりＸ軸の座標位置が
検出されるものである。また、Ｘ軸座標の検出後、検出
信号をＹ軸電極（図示省略）に印加し、同様にスタイラ
スペン８によりピックアップした交流の電圧値によりＹ
軸の座標位置が検出される。
この抵抗膜上に一対のＸ軸電極及び、一対のＹ軸電極を
設け、スタイラスペン等をガラス基板に接触させてペン
の指示位置を検出する静電結合式座標入力装置が知られ
ている。かかる座標入力装置の位置検出の原理は、図６
に示すように、例えば一方のＸ軸電極２１ａに交流２２
の検出信号を印加し、抵抗膜２３を介して他方のＸ軸電
極２１ｂにこの検出信号を流し、ガラス基板２４の表面
にスタイラスペン８を接触させることにより、この接触
位置での交流電圧をスタイラスペン８で検出するもので
ある。この検出電圧値は、抵抗膜２３の抵抗により、Ｘ
軸電極２１ａからの距離に応じて所定値だけ減少してい
ることになり、この減少電圧値によりＸ軸の座標位置が
検出されるものである。また、Ｘ軸座標の検出後、検出
信号をＹ軸電極（図示省略）に印加し、同様にスタイラ
スペン８によりピックアップした交流の電圧値によりＹ
軸の座標位置が検出される。
【０００３】なお、スタイラスペン８とＸ軸，Ｙ軸電極
に接続された抵抗膜２３とは、ガラス基板２４がコンデ
ンサＣとなって容量結合し、その接触位置での電圧値を
スタイラスペンでピックアップできるものである。
に接続された抵抗膜２３とは、ガラス基板２４がコンデ
ンサＣとなって容量結合し、その接触位置での電圧値を
スタイラスペンでピックアップできるものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この種の座
標入力装置２０は、各電極間に抵抗膜２３が介在するた
め、図７に示すように電極２１ａからの検出信号が対向
した電極２１ｂに直進した線形状（破線にて示す）に流
れずに、隣りの抵抗値が低いＹ軸電極２５ａ，２５ｂを
導通して対向の電極２１ｂに流れる（実線にて示す）相
互干渉状態が発生する。この相互干渉状態の発生によ
り、電極２１ａからの距離に応じて電圧値が一定に減少
せず、検出座標位置に誤差が発生してしまう欠点があっ
た。このような欠点をなくするために電極パターンの変
更による線形性の維持又は回路処理による誤差の補正等
が行われているが、依然として誤差が大きく発生し、し
かもこれらのパターン変更は製造が複雑になってコスト
アップになり、又回路補正でもコストアップにもなって
いた。
標入力装置２０は、各電極間に抵抗膜２３が介在するた
め、図７に示すように電極２１ａからの検出信号が対向
した電極２１ｂに直進した線形状（破線にて示す）に流
れずに、隣りの抵抗値が低いＹ軸電極２５ａ，２５ｂを
導通して対向の電極２１ｂに流れる（実線にて示す）相
互干渉状態が発生する。この相互干渉状態の発生によ
り、電極２１ａからの距離に応じて電圧値が一定に減少
せず、検出座標位置に誤差が発生してしまう欠点があっ
た。このような欠点をなくするために電極パターンの変
更による線形性の維持又は回路処理による誤差の補正等
が行われているが、依然として誤差が大きく発生し、し
かもこれらのパターン変更は製造が複雑になってコスト
アップになり、又回路補正でもコストアップにもなって
いた。
【０００５】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、その目的は製造が簡単で安価となり、かつ相
互干渉状態の発生を防止して平行電界を生じさせ、座標
位置の精度を向上させることができる座標入力装置を提
供することにある。
たもので、その目的は製造が簡単で安価となり、かつ相
互干渉状態の発生を防止して平行電界を生じさせ、座標
位置の精度を向上させることができる座標入力装置を提
供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記した本発明の目的を
達成するために、請求項１記載の発明は、一面に抵抗膜
を形成した支持基板と、前記抵抗膜の２辺上に設けられ
て互いに対向する帯状Ｘ軸電極と、前記抵抗膜の残りの
２辺上に設けられて互いに対向する帯状Ｙ軸電極と、前
記抵抗膜と前記Ｘ軸，Ｙ軸電極との間にそれぞれ積層介
在し、前記各電極と前記抵抗膜間とを導通状態又は絶縁
状態に切換える誘電体層とを有すると共に、前記Ｘ軸電
極間又は、Ｙ軸電極間に検出用交流信号を交互に供給す
る検出信号制御部を設けたことを特徴とする。
達成するために、請求項１記載の発明は、一面に抵抗膜
を形成した支持基板と、前記抵抗膜の２辺上に設けられ
て互いに対向する帯状Ｘ軸電極と、前記抵抗膜の残りの
２辺上に設けられて互いに対向する帯状Ｙ軸電極と、前
記抵抗膜と前記Ｘ軸，Ｙ軸電極との間にそれぞれ積層介
在し、前記各電極と前記抵抗膜間とを導通状態又は絶縁
状態に切換える誘電体層とを有すると共に、前記Ｘ軸電
極間又は、Ｙ軸電極間に検出用交流信号を交互に供給す
る検出信号制御部を設けたことを特徴とする。
【０００７】また、請求項２記載の発明は、第１の面に
抵抗膜を形成した誘電体基板と、前記誘電体基板の第２
の面の２辺上に設けられて互いに対向する帯状Ｘ軸電極
と、前記誘電体基板の第２の面の残りの２辺上に設けら
れて互いに対向する帯状Ｙ軸電極とを有すると共に、前
記Ｘ軸電極間又は、Ｙ軸電極間に検出用交流信号を交互
に供給する検出信号制御部を設け、前記誘電体基板は、
前記検出用交流信号の交互の供給に応じて、前記各電極
と前記抵抗膜間とを導通状態又は絶縁状態に切換えるこ
とを特徴とする。
抵抗膜を形成した誘電体基板と、前記誘電体基板の第２
の面の２辺上に設けられて互いに対向する帯状Ｘ軸電極
と、前記誘電体基板の第２の面の残りの２辺上に設けら
れて互いに対向する帯状Ｙ軸電極とを有すると共に、前
記Ｘ軸電極間又は、Ｙ軸電極間に検出用交流信号を交互
に供給する検出信号制御部を設け、前記誘電体基板は、
前記検出用交流信号の交互の供給に応じて、前記各電極
と前記抵抗膜間とを導通状態又は絶縁状態に切換えるこ
とを特徴とする。
【０００８】
【０００９】
【作用】上記手段によれば、支持基板上の抵抗膜と、
Ｘ，Ｙ軸電極との間に誘電体層を介在させているため、
又は誘電体基板の一方面に抵抗膜を形成し、他方面に
Ｘ，Ｙ軸電極を設けているため、安いコストで検出信号
の線形性が維持されて平行電界を生じさせ、正確な座標
位置を検出できる。
Ｘ，Ｙ軸電極との間に誘電体層を介在させているため、
又は誘電体基板の一方面に抵抗膜を形成し、他方面に
Ｘ，Ｙ軸電極を設けているため、安いコストで検出信号
の線形性が維持されて平行電界を生じさせ、正確な座標
位置を検出できる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の第１の実施例を図１〜図４に
基づいて詳細に説明する。ここで、図１（ａ）（ｂ）
は、本発明に係る座標入力装置の上面図及び側面断面
図、図２はこの座標入力装置の等価回路図、図３はこの
座標入力装置の検出電圧レベル一座標位置の関係図、図
４はこの座標入力装置の検出回路図である。
基づいて詳細に説明する。ここで、図１（ａ）（ｂ）
は、本発明に係る座標入力装置の上面図及び側面断面
図、図２はこの座標入力装置の等価回路図、図３はこの
座標入力装置の検出電圧レベル一座標位置の関係図、図
４はこの座標入力装置の検出回路図である。
【００１１】本発明に係る座標入力装置１は、図１
（ａ）（ｂ）に示すように、長方形のガラス基板２の一
面に酸化インジウム等からなる抵抗膜３を形成し、抵抗
膜３の４辺に互いに対向する帯状のＸ軸電極４ａ，４ｂ
及び帯状のＹ軸電極５ａ，５ｂを形成している。各電極
４ａ，４ｂ，５ａ，５ｂは銀ペーストによる印刷で形成
され、Ｘ軸電極４ａ，４ｂの幅はＹ軸電極５ａ，５ｂの
幅より広くなっている。これは、各電極４ａ，４ｂ間の
抵抗値と各電極５ａ，５ｂ間の抵抗値が異なることに起
因している。
（ａ）（ｂ）に示すように、長方形のガラス基板２の一
面に酸化インジウム等からなる抵抗膜３を形成し、抵抗
膜３の４辺に互いに対向する帯状のＸ軸電極４ａ，４ｂ
及び帯状のＹ軸電極５ａ，５ｂを形成している。各電極
４ａ，４ｂ，５ａ，５ｂは銀ペーストによる印刷で形成
され、Ｘ軸電極４ａ，４ｂの幅はＹ軸電極５ａ，５ｂの
幅より広くなっている。これは、各電極４ａ，４ｂ間の
抵抗値と各電極５ａ，５ｂ間の抵抗値が異なることに起
因している。
【００１２】各電極４ａ，４ｂ，５ａ，５ｂと抵抗膜３
との間には誘電体層６ａ〜ｄが積層介在し、誘電体層６
ａ〜ｄは各電極４ａ，４ｂ，５ａ，５ｂよりその幅、長
さを若干大きくしている。これにより、各電極４ａ，４
ｂ，５ａ，５ｂが抵抗膜３に接触することを防止してい
る。誘電体層６が介在することにより、電極４ａ，４
ｂ，５ａ，５ｂに交流が印加されているときは、誘電体
層６がコンデンサとして機能し、電極４ａ，４ｂ，５
ａ，５ｂと抵抗膜３とは導通状態になり、交流が印加さ
れていない時は、誘電体層６が絶縁体として機能し、電
極４ａ，４ｂ，５ａ，５ｂと抵抗膜３とは絶縁状態にな
る。
との間には誘電体層６ａ〜ｄが積層介在し、誘電体層６
ａ〜ｄは各電極４ａ，４ｂ，５ａ，５ｂよりその幅、長
さを若干大きくしている。これにより、各電極４ａ，４
ｂ，５ａ，５ｂが抵抗膜３に接触することを防止してい
る。誘電体層６が介在することにより、電極４ａ，４
ｂ，５ａ，５ｂに交流が印加されているときは、誘電体
層６がコンデンサとして機能し、電極４ａ，４ｂ，５
ａ，５ｂと抵抗膜３とは導通状態になり、交流が印加さ
れていない時は、誘電体層６が絶縁体として機能し、電
極４ａ，４ｂ，５ａ，５ｂと抵抗膜３とは絶縁状態にな
る。
【００１３】次に、誘電体層６について、図２と共に説
明する。Ｘ軸電極４ａ，４ｂ間に交流７を流した時は、
誘電体層６はコンデンサＣA ＣB になり、抵抗膜３が抵
抗Ｒを示す。コンデンサＣA は、交流７の電圧値減少に
できるだけ影響しないような小さなインピーダンスＺ1
となることが必要であり、このインピーダンスＺ1 は次
の数１により求められる。
明する。Ｘ軸電極４ａ，４ｂ間に交流７を流した時は、
誘電体層６はコンデンサＣA ＣB になり、抵抗膜３が抵
抗Ｒを示す。コンデンサＣA は、交流７の電圧値減少に
できるだけ影響しないような小さなインピーダンスＺ1
となることが必要であり、このインピーダンスＺ1 は次
の数１により求められる。
【００１４】
【数１】Ｚ1 ＝１／ωＣ1 ＝１／２πｆ・Ｃ1 ω：各周波数 ｆ：周波数 従って、インピーダンスＺ1 を小さくするためにはコン
デンサＣA の容量値Ｃ1 を大きくすることが必要にな
り、このコンデンサ容量値Ｃ1 は次の数２により求めら
れる。
デンサＣA の容量値Ｃ1 を大きくすることが必要にな
り、このコンデンサ容量値Ｃ1 は次の数２により求めら
れる。
【００１５】
【数２】Ｃ1 ＝εｏ・εｒ・Ｓ／ｔ εｏ：真空誘電率 εｒ：比誘電率 Ｓ：誘電体層６の面積 ｔ：誘電体層６の厚み ここで、εｏ，Ｓ，ｔはほぼ一定に定められることか
ら、容量値Ｃ1 を大きくするには、εｒが大きいことが
必要となる。従って、インピーダンスＺ1 の小さなコン
デンサＣA は、できるだけ比誘電率εｒが大きいことが
必要とされ、材料としてセラミックのチタン酸バリウ
ム，チタン酸鉛等を用い、抵抗膜３の抵抗との比較から
εｒ＝３以上となっている。誘電体層６のガラス基板２
への形成は印刷焼結，ＰＶＤ方式等で行われる。コンデ
ンサＣB の同様である。
ら、容量値Ｃ1 を大きくするには、εｒが大きいことが
必要となる。従って、インピーダンスＺ1 の小さなコン
デンサＣA は、できるだけ比誘電率εｒが大きいことが
必要とされ、材料としてセラミックのチタン酸バリウ
ム，チタン酸鉛等を用い、抵抗膜３の抵抗との比較から
εｒ＝３以上となっている。誘電体層６のガラス基板２
への形成は印刷焼結，ＰＶＤ方式等で行われる。コンデ
ンサＣB の同様である。
【００１６】上述のように誘電体層６ａ〜ｄを設けるこ
とにより、Ｘ軸電極４ａからＸ軸電極４ｂに交流７の検
出信号を流すと、Ｘ軸電極４ａ，４ｂと抵抗膜３とは導
通し、Ｙ軸電極５ａ，５ｂと抵抗膜３とは非導通状態に
なるため、交流７はＸ軸電極４ａ，４ｂ間において交流
７が直進し線形が維持され平行電界を生じさせることに
なる。このため、交流７の電圧Ｖ1 は、抵抗膜３を介す
ることにより電極４ａ，４ｂ間で図３のように直線状に
傾斜することになる。同様に、Ｙ軸電極５ａからＹ軸電
極５ｂに交流７の検出信号を流すと、Ｙ軸電極５ａ，５
ｂと抵抗膜３とは導通し、Ｘ軸電極４ａ，４ｂと抵抗膜
３とは非導通状態になり、交流７がＹ軸電極５ａ，５ｂ
間において線形が維持され、電極５ａ，５ｂ間の電圧Ｖ
2 も直線状に傾斜することになる。従って、ガラス基板
２の位置Ａにスタイラスペン８を接触させると、ガラス
基板２がコンデンサＣC となって距離Ｘ1 に比例して減
少した電圧値ＶX がスタイラスペン８で検出され、電圧
値ＶX に応じて位置ＡのＸ座標が検出される。又、交流
７の印加電極を切換えて位置ＡのＹ座標も、距離Ｙに比
例して減少した電圧値ＶY がスタイラスペンで検出さ
れ、電圧値ＶY に応じて位置ＡのＹ座標が検出される。
とにより、Ｘ軸電極４ａからＸ軸電極４ｂに交流７の検
出信号を流すと、Ｘ軸電極４ａ，４ｂと抵抗膜３とは導
通し、Ｙ軸電極５ａ，５ｂと抵抗膜３とは非導通状態に
なるため、交流７はＸ軸電極４ａ，４ｂ間において交流
７が直進し線形が維持され平行電界を生じさせることに
なる。このため、交流７の電圧Ｖ1 は、抵抗膜３を介す
ることにより電極４ａ，４ｂ間で図３のように直線状に
傾斜することになる。同様に、Ｙ軸電極５ａからＹ軸電
極５ｂに交流７の検出信号を流すと、Ｙ軸電極５ａ，５
ｂと抵抗膜３とは導通し、Ｘ軸電極４ａ，４ｂと抵抗膜
３とは非導通状態になり、交流７がＹ軸電極５ａ，５ｂ
間において線形が維持され、電極５ａ，５ｂ間の電圧Ｖ
2 も直線状に傾斜することになる。従って、ガラス基板
２の位置Ａにスタイラスペン８を接触させると、ガラス
基板２がコンデンサＣC となって距離Ｘ1 に比例して減
少した電圧値ＶX がスタイラスペン８で検出され、電圧
値ＶX に応じて位置ＡのＸ座標が検出される。又、交流
７の印加電極を切換えて位置ＡのＹ座標も、距離Ｙに比
例して減少した電圧値ＶY がスタイラスペンで検出さ
れ、電圧値ＶY に応じて位置ＡのＹ座標が検出される。
【００１７】座標入力装置１は、図４に示すように、検
出回路部１０に接続されて、座標データをコンピュータ
等に出力することになる。検出回路部１０は、スタイラ
スペン８に接続し検出電圧をアンプ１１，整流部１２，
ＡＤＣ１４等を経由してＣＰＵ１５に入力するペン検出
制御部１６と、電極４ａ，４ｂ，５ａ，５ｂに接続し、
交流検出信号生成部１７，ＸＹ軸信号切換部１８等を経
由して交流検出信号を入力する検出信号制御部１９とか
らなっている。交流７は信号切換部１８によりＸ軸電極
４ａ，４ｂ又はＹ軸電極５ａ，５ｂに別々に印加される
ことにより、上述にように検出電圧値で正確なＸＹ座標
を検出できることになる。
出回路部１０に接続されて、座標データをコンピュータ
等に出力することになる。検出回路部１０は、スタイラ
スペン８に接続し検出電圧をアンプ１１，整流部１２，
ＡＤＣ１４等を経由してＣＰＵ１５に入力するペン検出
制御部１６と、電極４ａ，４ｂ，５ａ，５ｂに接続し、
交流検出信号生成部１７，ＸＹ軸信号切換部１８等を経
由して交流検出信号を入力する検出信号制御部１９とか
らなっている。交流７は信号切換部１８によりＸ軸電極
４ａ，４ｂ又はＹ軸電極５ａ，５ｂに別々に印加される
ことにより、上述にように検出電圧値で正確なＸＹ座標
を検出できることになる。
【００１８】次に、本発明の第２の実施例を図５（ａ）
（ｂ）に基づいて説明する。図中、第１の実施例と同じ
部分には同一の符号を付してその説明を省略する。
（ｂ）に基づいて説明する。図中、第１の実施例と同じ
部分には同一の符号を付してその説明を省略する。
【００１９】本発明に係る座標入力装置３０は、図５
（ａ）（ｂ）に示すように、長方形のガラス等からなる
誘電体基板３１の裏面に抵抗膜３を形成し、表面の４辺
に互いに対向するＸ軸電極４ａ，４ｂ及びＹ軸電極５
ａ，５ｂを形成している。即ち、各電極４ａ，４ｂ，５
ａ，５ｂと抵抗膜３との間に誘電体基板３１が介在する
ことになり、第１の実施例の誘電体層６ａ〜６ｄの換り
に誘電体基板３１が前述と同じ機能を果たすことにな
る。等価回路で表すと、図２において、コンデンサ
ＣA ，ＣB ，ＣC が誘電体基板３１の比誘電率εｒ1 で
決定され、比誘電率εｒ1が大きいことが望まれる。従
って、Ｘ軸電極４ａからＸ軸電極４ｂに交流７の検出信
号を流すと、Ｘ軸電極４ａ，４ｂと抵抗膜３とは導通
し、Ｙ軸電極５ａ，５ｂと抵抗膜とは非導通状態にな
り、Ｘ軸電極４ａ，４ｂ間で交流７の平行電界又は等電
位面を生じさせることができる。同様に、Ｙ軸電極５
ａ，５ｂに交流７を切換えて流すと、Ｙ軸電極５ａ，５
ｂ間で交流７の平行電界を生じさせることができる。
（ａ）（ｂ）に示すように、長方形のガラス等からなる
誘電体基板３１の裏面に抵抗膜３を形成し、表面の４辺
に互いに対向するＸ軸電極４ａ，４ｂ及びＹ軸電極５
ａ，５ｂを形成している。即ち、各電極４ａ，４ｂ，５
ａ，５ｂと抵抗膜３との間に誘電体基板３１が介在する
ことになり、第１の実施例の誘電体層６ａ〜６ｄの換り
に誘電体基板３１が前述と同じ機能を果たすことにな
る。等価回路で表すと、図２において、コンデンサ
ＣA ，ＣB ，ＣC が誘電体基板３１の比誘電率εｒ1 で
決定され、比誘電率εｒ1が大きいことが望まれる。従
って、Ｘ軸電極４ａからＸ軸電極４ｂに交流７の検出信
号を流すと、Ｘ軸電極４ａ，４ｂと抵抗膜３とは導通
し、Ｙ軸電極５ａ，５ｂと抵抗膜とは非導通状態にな
り、Ｘ軸電極４ａ，４ｂ間で交流７の平行電界又は等電
位面を生じさせることができる。同様に、Ｙ軸電極５
ａ，５ｂに交流７を切換えて流すと、Ｙ軸電極５ａ，５
ｂ間で交流７の平行電界を生じさせることができる。
【００２０】
【００２１】また、第１及び第２の実施例は、スタイラ
スペン８によって、検出信号の電圧値を検出し、座標を
決めるものであるが、検出回路部を変更しスタイラスペ
ン８によらずに人間の指をガラス基板２の表面または誘
電体基板３１，３６に接触させて、座標を検出する座標
入力装置も可能である。
スペン８によって、検出信号の電圧値を検出し、座標を
決めるものであるが、検出回路部を変更しスタイラスペ
ン８によらずに人間の指をガラス基板２の表面または誘
電体基板３１，３６に接触させて、座標を検出する座標
入力装置も可能である。
【００２２】なお、上述の座標入力装置１は、コンピュ
ータで制御されるＬＣＤ表示装置上に載置され、表示情
報に応じてスタイラスペンによる接触で所望の座標を出
力したり、スタイラスペンで文字等を描くことにより文
字入力装置として利用される。
ータで制御されるＬＣＤ表示装置上に載置され、表示情
報に応じてスタイラスペンによる接触で所望の座標を出
力したり、スタイラスペンで文字等を描くことにより文
字入力装置として利用される。
【００２３】以上、図示実施例につき説明したが、本発
明は、上記実施例の態様のみに限定されるものでなく、
その構成要素に種々の変更を加えることができ、例え
ば、ガラス基板、誘電体基板等をフィルム状シートにす
ることにより、小型、薄型も可能になる。
明は、上記実施例の態様のみに限定されるものでなく、
その構成要素に種々の変更を加えることができ、例え
ば、ガラス基板、誘電体基板等をフィルム状シートにす
ることにより、小型、薄型も可能になる。
【００２４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１記載の発明によれば、基板に形成した抵抗膜とＸ，Ｙ
軸電極との間に誘電体層を積層介在し、Ｘ軸電極又はＹ
軸電極への検出信号を別々に供給するため、安い製造コ
ストで検出信号の相互干渉を防止できて平行電界を生じ
させ、正確な座標位置の検出ができる。
１記載の発明によれば、基板に形成した抵抗膜とＸ，Ｙ
軸電極との間に誘電体層を積層介在し、Ｘ軸電極又はＹ
軸電極への検出信号を別々に供給するため、安い製造コ
ストで検出信号の相互干渉を防止できて平行電界を生じ
させ、正確な座標位置の検出ができる。
【００２５】また、請求項２記載の発明によれば、誘電
体基板の第１の面に抵抗膜を形成し、第２の面にＸ，Ｙ
軸電極を設け、Ｘ軸電極又はＹ軸電極への検出信号を別
々に供給するため、安い製造コストで検出信号の相互干
渉を防止し、平行電界を生じさせて正確な座標位置の検
出ができる。
体基板の第１の面に抵抗膜を形成し、第２の面にＸ，Ｙ
軸電極を設け、Ｘ軸電極又はＹ軸電極への検出信号を別
々に供給するため、安い製造コストで検出信号の相互干
渉を防止し、平行電界を生じさせて正確な座標位置の検
出ができる。
【図１】（ａ）（ｂ）は本発明の第１の実施例を示す座
標入力装置の上面図及び側面断面図。
標入力装置の上面図及び側面断面図。
【図２】図１に示す座標入力装置の等価回路図。
【図３】図１に示す座標入力装置の検出電圧レベル一座
標位置の関係表。
標位置の関係表。
【図４】本発明の一実施例を示す座標入力装置の検出回
路図。
路図。
【図５】（ａ）（ｂ）は本発明の第２の実施例を示す座
標入力装置の上面図及び側面断面図。
標入力装置の上面図及び側面断面図。
【図６】従来の座標入力装置の側面図。
【図７】従来の座標入力装置の検出信号の相互干渉状態
図。
図。
１，３０…座標入力装置 ２…ガラス基板 ３…抵抗膜 ４ａ，４ｂ…Ｘ軸電極 ５ａ，５ｂ…Ｙ軸電極 ６ａ〜６ｄ…誘電体層 ７…交流検出信号 ８…スタイラスペン １０…検出回路部 １６…ペン検出制御部 １８…ＸＹ軸信号切換部 １９…検出信号制御部 ３１…誘電体基板
Claims (2)
- 【請求項１】 一面に抵抗膜を形成した支持基板と、 前記抵抗膜の２辺上に設けられて互いに対向する帯状Ｘ
軸電極と、 前記抵抗膜の残りの２辺上に設けられて互いに対向する
帯状Ｙ軸電極と、 前記抵抗膜と前記Ｘ軸，Ｙ軸電極との間にそれぞれ積層
介在し、前記各電極と前記抵抗膜間とを導通状態又は絶
縁状態に切換える誘電体層とを有すると共に、前記Ｘ軸
電極間又は、Ｙ軸電極間に検出用交流信号を交互に供給
する検出信号制御部を設けたことを特徴とする座標入力
装置。 - 【請求項２】 第１の面に抵抗膜を形成した誘電体基板
と、 前記誘電体基板の第２の面の２辺上に設けられて互いに
対向する帯状Ｘ軸電極と、前記誘電体基板の第２の面の
残りの２辺上に設けられて互いに対向する帯状Ｙ軸電極
とを有すると共に、前記Ｘ軸電極間又は、Ｙ軸電極間に
検出用交流信号を交互に供給する検出信号制御部を設
け、前記誘電体基板は、前記検出用交流信号の交互の供
給に応じて、前記各電極と前記抵抗膜間とを導通状態又
は絶縁状態に切換えることを特徴とする座標入力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28958892A JP3170072B2 (ja) | 1992-10-02 | 1992-10-02 | 座標入力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28958892A JP3170072B2 (ja) | 1992-10-02 | 1992-10-02 | 座標入力装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06119099A JPH06119099A (ja) | 1994-04-28 |
| JP3170072B2 true JP3170072B2 (ja) | 2001-05-28 |
Family
ID=17745179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28958892A Expired - Fee Related JP3170072B2 (ja) | 1992-10-02 | 1992-10-02 | 座標入力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3170072B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6368183B2 (ja) | 2014-07-22 | 2018-08-01 | 富士通コンポーネント株式会社 | タッチパネル |
-
1992
- 1992-10-02 JP JP28958892A patent/JP3170072B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06119099A (ja) | 1994-04-28 |
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