JP3168473B2 - Integrated circuit device - Google Patents

Integrated circuit device

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JP3168473B2
JP3168473B2 JP01468492A JP1468492A JP3168473B2 JP 3168473 B2 JP3168473 B2 JP 3168473B2 JP 01468492 A JP01468492 A JP 01468492A JP 1468492 A JP1468492 A JP 1468492A JP 3168473 B2 JP3168473 B2 JP 3168473B2
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wiring
bus line
bus
circuit device
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、多層配線構造を有する
集積回路装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an integrated circuit device having a multilayer wiring structure.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、集積回路装置は著しく大規模化す
る傾向にあり、また、コンピュータにより1度に扱うデ
ータ量も、かつての4ビット、8ビット、16ビットか
ら32ビット、さらには64ビットへと増大してきてい
る。したがって、このようなコンピュータに用いる集積
回路装置内においてデータを電送するバスラインも当然
16本から32本、64本へと増大している。
2. Description of the Related Art In recent years, the scale of integrated circuit devices has tended to increase significantly, and the amount of data handled by a computer at one time has been reduced from 4 bits, 8 bits, 16 bits to 32 bits, and even 64 bits. Has increased. Accordingly, the number of bus lines for transmitting data in the integrated circuit device used in such a computer has naturally increased from 16 lines to 32 lines and 64 lines.

【0003】図5は、従来の集積回路装置の一例の構成
説明図である。この図において、BLは素子ブロック、
0 ,a1 ,a2 ,・・・,an-1 はX方向のバスライ
ン、b0 ,b1 ,b2 ,・・・,bn-1 はY方向のバス
ライン、c0 ,c1 ,c2 ,・・・,cn-1 はバスライ
ンからの分岐配線、d1 ,d2はバスラインを横断する
他の配線、Aは配線層間接続部である。
FIG. 5 is an explanatory diagram showing an example of a configuration of a conventional integrated circuit device. In this figure, BL is an element block,
a 0 , a 1 , a 2 , ..., an -1 are bus lines in the X direction, b 0 , b 1 , b 2 , ..., b n-1 are bus lines in the Y direction, c 0 , C 1 , c 2 ,..., Cn -1 are branch wirings from the bus line, d 1 and d 2 are other wirings crossing the bus line, and A is a wiring interlayer connection.

【0004】この集積回路装置においては、半導体チッ
プ上にnビットの素子ブロックBLと、その近傍表面
に、X方向のバスラインa0 ,a1 ,a2 ,・・・,a
n-1 と、Y方向のバスラインb0 ,b1 ,b2 ,・・
・,bn-1 と、バスラインからの分岐配線c0 ,c1
2 ,・・・,cn-1 と、バスラインを横断する他の配
線d1 ,d2 が形成されている。
In this integrated circuit device, an n-bit element block BL is provided on a semiconductor chip, and X-direction bus lines a 0 , a 1 , a 2 ,.
n-1 and bus lines b 0 , b 1 , b 2 ,.
, B n-1 and branch lines c 0 , c 1 ,
c 2, ···, and c n-1, another wiring across the bus lines d 1, d 2 are formed.

【0005】この場合、X方向のバスラインa0
1 ,a2 ,・・・,an-1 は下層の配線層によって形
成され、Y方向のバスラインb0 ,b1 ,b2 ,・・
・,bn-1は層間絶縁膜を介してその上層の配線層によ
って形成され、バスラインからの分岐配線c0 ,c1
2 ,・・・,cn-1 は配線層間接続部を経由して上層
の配線層によって形成され、バスラインを横断する他の
配線d1 ,d2 は上層あるいは下層の配線層によって形
成されている。
In this case, the X-direction bus lines a 0 ,
a 1 , a 2 ,..., a n−1 are formed by lower wiring layers, and bus lines b 0 , b 1 , b 2 ,.
.., B n-1 are formed by an upper wiring layer via an interlayer insulating film, and branch wirings c 0 , c 1 ,.
c 2, ···, c n- 1 is formed by a wiring layer via the wiring interlayer connection portion, another wiring d 1, d 2 across the bus lines formed by the upper layer or the lower wiring layer Have been.

【0006】また、X方向のバスラインa0 ,a1 ,a
2 ,・・・,an-1 とY方向のバスラインb0 ,b1
2 ,・・・,bn-1 はその交点において配線層間接続
部Aによって接続されている。
Further, bus lines a 0 , a 1 , a in the X direction
2, ···, a n-1 and Y-direction of the bus line b 0, b 1,
b 2 ,..., b n−1 are connected at the intersection by a wiring interlayer connection part A.

【0007】この従来の集積回路装置においては、X方
向あるいはY方向のバスラインを、それぞれ同一平面上
に併置して形成しているため、バスラインの数が多い場
合およびバスラインの幅が大きい場合は、バスラインを
形成するために配線領域を広くとる必要があった。その
ため、半導体チップの全面に占める配線領域の割合が増
大し、集積回路装置の集積度の向上を妨げていたため、
これを解決することが要求されていた。
In this conventional integrated circuit device, the bus lines in the X direction or the Y direction are formed side by side on the same plane, so that the number of bus lines is large and the width of the bus lines is large. In such a case, it was necessary to increase the wiring area in order to form a bus line. As a result, the ratio of the wiring area to the entire surface of the semiconductor chip has increased, which has hindered the improvement in the degree of integration of the integrated circuit device.
It was required to solve this.

【0008】上記の要求に応えるため、上記のような2
層配線構造に代えて3層配線構造が採用されるようにな
ってきた。この3層配線構造においては、第1の配線層
は縦方向の配線専用に、第2の配線層は横方向の配線層
に、第3の配線層は、配線が極度に複雑化して前記の2
つの配線層で不足する場合、あるいは遅延時間を縮小す
る等の目的で特に最短距離で結線したい場合などに例外
的に使用されていた。なお、バスラインも、この回路配
置方針に従って設計されていた。
[0008] In order to meet the above demands, the above-mentioned 2
A three-layer wiring structure has been adopted in place of the layer wiring structure. In this three-layer wiring structure, the first wiring layer is dedicated to the vertical wiring, the second wiring layer is the horizontal wiring layer, and the third wiring layer is extremely complicated in wiring. 2
It has been used exceptionally when one wiring layer is insufficient, or especially when it is desired to connect wires at the shortest distance for the purpose of reducing delay time. The bus line was also designed according to this circuit layout policy.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】上記の集積回路装置に
おいては、いずれにしても、多数のバスラインを同一平
面上にある配線層に並列して形成することになり、バス
ラインを形成するための配線領域を広くとる必要があっ
た。そのため、チップの全面に占める配線領域の割合を
抑制することができず、集積回路装置の集積度を需要に
応えて向上することができなかった。本発明は、以上の
問題点に鑑み、バスラインの配線領域を縮小し集積度を
向上することを目的とする。
In any case, in the above-mentioned integrated circuit device, a large number of bus lines are formed in parallel on a wiring layer on the same plane. It was necessary to widen the wiring area. Therefore, the ratio of the wiring area to the entire surface of the chip cannot be suppressed, and the degree of integration of the integrated circuit device cannot be improved in response to demand. The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to reduce the wiring area of a bus line and improve the degree of integration.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明に依る集積回路装
置に於いては、 多層配線構造を有する集積回路装置にお
いて、複数のバスラインが中間配線層を間においた上層
配線層及び下層配線層に分配して形成されている第1の
バスライン群と、複数のバスラインが中間配線層を間に
おいた上層配線層及び下層配線層に分配して形成されて
いる第2のバスライン群とを有し、前記第1のバスライ
ン群に含まれ且つ前記上層配線層に形成されているバス
ラインと前記第2のバスライン群に含まれ且つ前記下層
配線層に形成されているバスラインとを前記中間配線層
を介して接続し、前記第1のバスライン群に含まれ且つ
前記下層配線層に形成されているバスラインと前記第2
のバスライン群に含まれ且つ前記上層配線層に形成され
ているバスラインとを前記中間配線層を介して接続して
なることを特徴とする。
SUMMARY OF THE INVENTION An integrated circuit device according to the present invention is provided.
In an integrated circuit device having a multilayer wiring structure,
Upper layer with multiple bus lines sandwiching an intermediate wiring layer
A first wiring layer distributed to a wiring layer and a lower wiring layer;
Bus line group and multiple bus lines between intermediate wiring layers
Distributed over the upper wiring layer and the lower wiring layer
A second bus line group, and the first bus line
Buses included in the bus group and formed in the upper wiring layer
Line and the second bus line group and the lower layer
A bus line formed in a wiring layer and the intermediate wiring layer
And included in the first bus line group, and
A bus line formed in the lower wiring layer;
And formed in the upper wiring layer.
Bus line connected via the intermediate wiring layer
It is characterized by becoming.

【0011】[0011]

【0012】[0012]

【作用】上記の問題点は、3層以上の多層配線構造にお
いて、1セットのバスラインを例えば、半分を下層配線
層に、他の半分を上層配線層に分配し、それらを垂直方
向に積層した状態で形成し、そのバスラインからの分岐
配線やバスラインを横断する信号線を、中間配線層に形
成することによって解決される。
The above problem is that in a multilayer wiring structure of three or more layers, one set of bus lines is distributed, for example, half to the lower wiring layer and the other half to the upper wiring layer, and they are stacked vertically. This problem can be solved by forming in a state in which the wiring is branched, and forming a branch line from the bus line and a signal line crossing the bus line in the intermediate wiring layer.

【0013】ただし、バスラインが長い場合、上記のよ
うに積層して形成すると、これまでになかった新たな問
題が発生する場合がある。すなわち、下層配線層を通る
配線と、上層配線層を通る配線とは基板との距離に差が
あるため、それらの配線容量が不均衡になることであ
る。特に、バスラインが長くなればその不均衡の程度は
拡大する。
However, when the bus line is long, if it is formed by laminating as described above, a new problem which has not been seen before may occur. In other words, the wiring passing through the lower wiring layer and the wiring passing through the upper wiring layer have a difference in distance from the substrate, so that their wiring capacities are unbalanced. In particular, the longer the bus line, the greater the degree of imbalance.

【0014】この問題は、バスラインの中間地点で下層
配線層と上層配線層を入れ替えることによって解決され
る。
This problem is solved by replacing the lower wiring layer and the upper wiring layer at a middle point of the bus line.

【0015】[0015]

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。 (第1実施例)図1は、第1実施例の集積回路装置の構
成説明図である。この図において、BLは素子ブロッ
ク、a0 ,a1 ,a2 ,a3 ,・・・,a n-2 ,an-1
はX方向のバスライン、b0 ,b1 ,b2 ,b3 ,・・
・,bn-2,bn-1 はY方向のバスライン、c0
1 ,c2 ,c3 ,・・・,cn-2 ,c n-1 はバスライ
ンからの分岐配線、d1 ,d2 はバスラインを横断する
他の配線、A,Bは配線層間接続部である。
Embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 shows the structure of an integrated circuit device according to a first embodiment.
FIG. In this figure, BL is an element block.
K, a0, A1, ATwo, AThree, ..., a n-2, An-1
Is the bus line in the X direction, b0, B1, BTwo, BThree, ...
・, Bn-2, Bn-1Is the bus line in the Y direction, c0,
c1, CTwo, CThree, ..., cn-2, C n-1Is Bas Rai
Wiring from the terminal, d1, DTwoCrosses the bus line
The other wirings, A and B, are wiring interlayer connection parts.

【0016】この実施例の集積回路装置においては、半
導体チップ上にnビットの素子ブロックBLと、その近
傍表面にX方向のバスラインa0 ,a1 ,a2 ,a3
・・・,an-2 ,an-1 と、Y方向のバスラインb0
1 ,b2 ,b3 ,・・・,bn-2 ,bn-1 と、バスラ
インからの分岐配線c0 ,c1 ,c2 ,c3 ,・・・,
n-2 ,cn-1 と、バスラインを横断する他の配線
1 ,d2 が形成されている。
In the integrated circuit device of this embodiment, an n-bit element block BL is provided on a semiconductor chip, and X-direction bus lines a 0 , a 1 , a 2 , a 3 ,.
..., an -2 , an -1 and bus lines b0, b0 ,
b 1, b 2, b 3 , ···, b n-2, b and n-1, the branch wiring c 0 from the bus line, c 1, c 2, c 3, ···,
and c n-2, c n- 1, another wiring across the bus lines d 1, d 2 are formed.

【0017】そして、この場合は、X方向のバスライン
0 ,a1 ,a2 ,a3 ,・・・,an-2 ,an-1 と、
Y方向のバスラインb0 ,b1 ,b2 ,b3 ,・・・,
n- 2 ,bn-1 は偶数番目のバスラインa0 ,a2 ,・
・・,an-2 およびb0 ,b 2 ,・・・,bn-2 と奇数
番目のバスラインa1 ,a3 ,・・・,an-1 およびb
1 ,b3 ,・・・,bn-1 に分配され、偶数番目のバス
ラインを下層配線層とし、奇数番目のバスラインを上層
配線層とし、その間に、バスラインからの分岐配線
0 ,c1 ,c2 ,c3 ,・・・,cn-2 ,cn-1 とバ
スラインを横断する他の配線d1 ,d2 を中間配線層と
して形成している。
In this case, the bus line in the X direction
a0, A1, ATwo, AThree, ..., an-2, An-1When,
Bus line b in Y direction0, B1, BTwo, BThree, ...,
bn- Two, Bn-1Is the even bus line a0, ATwo,
.., an-2And b0, B Two, ..., bn-2And odd
Th bus line a1, AThree, ..., an-1And b
1, BThree, ..., bn-1Distributed to the even-numbered buses
Lines as lower wiring layers, odd-numbered bus lines as upper layers
Wiring layer, between which branch wiring from bus line
c0, C1, CTwo, CThree, ..., cn-2, Cn-1And ba
Other wiring d across the line1, DTwoWith the intermediate wiring layer
It is formed.

【0018】また、中間配線層に形成されている偶数番
目のバスラインからの分岐配線c0,c2 ,・・・,c
n-2 は配線層間接続部Aによって下層配線層に形成され
ているX方向の偶数番目のバスラインa0 ,a2 ,・・
・,an-2 と接続され、奇数番目のバスラインからの分
岐配線c1 ,c3 ,・・・,cn-1 は配線層間接続部B
によって上層配線層に形成されているX方向の奇数番目
のバスラインa1 ,a 3 ,・・・,an-1 と接続されて
いる。
Further, even-numbered layers formed in the intermediate wiring layer
Branch wiring c from the eye bus line0, CTwo, ..., c
n-2Is formed in the lower wiring layer by the wiring interlayer connection portion A.
Even-numbered bus line a in the X direction0, ATwo, ...
・, An-2From the odd-numbered bus line
Branch wiring c1, CThree, ..., cn-1Is the wiring layer connection portion B
Odd number in the X direction formed in the upper wiring layer
Bus line a1, A Three, ..., an-1Connected with
I have.

【0019】なお、図1において、下層配線層と上層配
線層を明瞭に表現するために、下層配線層を広い白線
で、上層配線層を細い黒線で表現されているが、実際の
集積回路装置では、同一幅の配線で構成される。
In FIG. 1, in order to clearly represent the lower wiring layer and the upper wiring layer, the lower wiring layer is represented by a wide white line, and the upper wiring layer is represented by a thin black line. In the device, it is constituted by wiring having the same width.

【0020】図2(A),(B)は、第1実施例の配線
層間接続部の構成説明図である。この図において、1は
半導体チップ、2は絶縁膜、3は下層配線層、4は中間
配線層、5は上層配線層、A,Bは配線層間接続部であ
る。
FIGS. 2A and 2B are diagrams for explaining the configuration of the wiring interlayer connection portion of the first embodiment. In this figure, 1 is a semiconductor chip, 2 is an insulating film, 3 is a lower wiring layer, 4 is an intermediate wiring layer, 5 is an upper wiring layer, and A and B are wiring interlayer connection parts.

【0021】図2(A)は、半導体チップ1の上の絶縁
膜2に埋め込まれて形成された下層配線層3である偶数
番目のバスラインと、その上の絶縁膜2中に埋め込まれ
た中間配線層4であるバスラインからの分岐配線を接続
する配線層間接続部Aの構成を示すもので、配線層間接
続部Aは通常のコンタクトホールを形成する方法によっ
て形成される。
FIG. 2A shows an even-numbered bus line, which is a lower wiring layer 3 formed by being buried in the insulating film 2 above the semiconductor chip 1, and being buried in the insulating film 2 thereabove. It shows a configuration of a wiring interlayer connection portion A for connecting a branch wiring from a bus line, which is an intermediate wiring layer 4, and the wiring interlayer connection portion A is formed by a usual method for forming a contact hole.

【0022】図2(B)は、半導体チップ1の上の絶縁
膜2に埋め込まれて形成された上層配線層5である奇数
番目のバスラインと、その下の絶縁膜2中に埋め込まれ
た中間配線層4であるバスラインからの分岐配線を接続
する配線層間接続部Bの構成を示している。
FIG. 2B shows an odd-numbered bus line, which is an upper wiring layer 5 formed by being buried in the insulating film 2 above the semiconductor chip 1, and being buried in the insulating film 2 therebelow. 3 shows a configuration of a wiring interlayer connecting portion B for connecting branch wiring from a bus line which is an intermediate wiring layer 4.

【0023】この実施例においては、偶数番目のバスラ
インと奇数番目のバスラインを下層配線層と上層配線層
に分配したため、配線層領域を縮小することができ、中
間配線層を用いてバスラインからの分岐配線とバスライ
ンを横断する他の配線を形成するため集積回路装置の設
計と製造が容易になる。
In this embodiment, since the even-numbered bus lines and the odd-numbered bus lines are distributed to the lower wiring layer and the upper wiring layer, the wiring layer area can be reduced. The formation of the branch wiring from the substrate and other wiring crossing the bus line facilitates the design and manufacture of the integrated circuit device.

【0024】この実施例では、偶数番目のバスラインと
奇数番目のバスラインを2つの配線層に分配するように
説明したが、バスラインを3つの配線層あるいはそれ以
上の配線層に分配して、配線層領域をさらに縮小できる
ことはいうまでもない。
In this embodiment, it has been described that the even-numbered bus lines and the odd-numbered bus lines are distributed to two wiring layers. However, the bus lines are distributed to three or more wiring layers. Needless to say, the wiring layer area can be further reduced.

【0025】(第2実施例)図3は、第2実施例の集積
回路装置の構成説明図である。この図において、a0
1 ,a2 ,a3 ,a4 ,a5 , ・・・,an-2 ,a
n-1 は第1のバスライン、e0 ,e1 ,e2 ,e3 ,e
4 ,e5 , ・・・,en- 2 ,en-1 は第2バスライン、
0 ,f1 ,f2 ,f3 ,f4 ,f5 , ・・・,
n-2 ,fn-1 は中間配線層、A,Bは配線層間接続部
である。
(Second Embodiment) FIG. 3 shows the integration of the second embodiment.
FIG. 3 is an explanatory diagram of a configuration of a circuit device. In this figure, a0,
a1, ATwo, AThree, AFour, AFive ,..., an-2, A
n-1Is the first bus line, e0, E1, ETwo, EThree, E
Four, EFive ,..., en- Two, En-1Is the second bus line,
f0, F1, FTwo, FThree, FFour, FFive ,...
fn-2, Fn-1Is an intermediate wiring layer, and A and B are connection parts between wiring layers.
It is.

【0026】この実施例の集積回路装置においては、偶
数番目のバスラインa0 ,a2 ,a 4 ,・・・,an-2
が下層配線層として形成され、奇数番目のバスラインa
1 ,a3 ,a5 , ・・・,an-1 が上層配線層として形
成された第1のバスライン対と、偶数番目のバスライン
0 ,e2 ,e4 ,・・・,en-2 が下層配線層として
形成され、奇数番目のバスラインe1 ,e3 ,e5 ,
・・,en-1 が上層配線層として形成された第2のバス
ライン対が一部分平行して配設され、このバスライン対
の平行する部分の上層のバスラインの一部が除去され、
下層配線層と上層配線層の間に絶縁膜を介して配置され
ている中間配線層f0 ,f1 ,f2 ,f 3 ,f4 ,f
5 , ・・・,fn-2 ,fn-1 および配線層間接続部A,
Bによって、第1のバスライン対の下層配線層と第2の
バスライン対の上層配線層の間、および、第1のバスラ
イン対の上層配線層と第2のバスライン対の下層配線層
の間を接続している。
In the integrated circuit device of this embodiment,
Number bus line a0, ATwo, A Four, ..., an-2
Are formed as lower wiring layers, and odd-numbered bus lines a
1, AThree, AFive ,..., an-1Is used as the upper wiring layer
First bus line pair formed and even bus lines
e0, ETwo, EFour, ..., en-2Is the lower wiring layer
Formed odd-numbered bus lines e1, EThree, EFive ,
.., en-1Bus formed as an upper wiring layer
A line pair is partially arranged in parallel, and this bus line pair
The part of the upper layer bus line that is parallel to is removed,
An insulating film is interposed between the lower wiring layer and the upper wiring layer.
Intermediate wiring layer f0, F1, FTwo, F Three, FFour, F
Five ,..., fn-2, Fn-1And wiring interlayer connection A,
B, the lower wiring layer of the first bus line pair and the second
Between the upper wiring layer of the bus line pair and the first bus line;
Upper wiring layer of in pair and lower wiring layer of second bus line pair
Are connected.

【0027】したがって、第1のバスライン対から第2
のバスライン対に到る間にバスライン対の下層配線層と
上層配線層が入れ替わるため、上下の配線層の基板との
距離が平均化され配線容量を均等化することができる。
Therefore, the second bus line pair
Since the lower wiring layer and the upper wiring layer of the bus line pair are interchanged before reaching the bus line pair, the distance between the upper and lower wiring layers and the substrate is averaged, and the wiring capacitance can be equalized.

【0028】(第3実施例)図4は、第3実施例の集積
回路装置の構成説明図である。この図において、g0
1 ,g2 ,g3 ,・・・,gn-2 ,gn-1 は第1のバ
スライン、i0 ,i1 ,i2 ,i3 ,・・・,in-2
n-1 は第2のバスライン、h0 ,h1 ,h2 ,h3
・・・,hn-2 ,hn-1 は第1のバスラインから第2素
子ブロックBL2への分岐配線、j0 ,j1 ,j2 ,j
3 ,・・・,j n-2 ,jn-1 は第3素子ブロックへの第
1のバスラインからの分岐配線、k1 ,k2 は信号線、
1 はその他のバスライン以外の配線、BL1は第1素
子ブロック、BL2は第2素子ブロック、BL3は第3
素子ブロック、A,Bは配線層間接続部である。
(Third Embodiment) FIG. 4 shows an integration of the third embodiment.
FIG. 3 is an explanatory diagram of a configuration of a circuit device. In this figure, g0,
g1, GTwo, GThree, ..., gn-2, Gn-1Is the first bus
Sline, i0, I1, ITwo, IThree, ..., in-2,
in-1Is the second bus line, h0, H1, HTwo, HThree,
..., hn-2, Hn-1Is the second element from the first bus line
Branch wiring to child block BL2, j0, J1, JTwo, J
Three, ..., j n-2, Jn-1Is the third element block
Branch wiring from one bus line, k1, KTwoIs a signal line,
l1Is the wiring other than the other bus lines, and BL1 is the first element.
Child block, BL2 is the second element block, BL3 is the third element block.
The element blocks A and B are connection portions between wiring layers.

【0029】この実施例は、第1実施例の集積回路装置
と第2実施例の集積回路装置を組み合わせたものであ
る。
This embodiment is a combination of the integrated circuit device of the first embodiment and the integrated circuit device of the second embodiment.

【0030】すなわち、第1のバスラインg0 ,g1
2 ,g3 ,・・・,gn-2 ,gn- 1 と第1のバスライ
ンから第2素子ブロックBL2への分岐配線h0
1 ,h 2 ,h3 ,・・・,hn-2 ,hn-1 の構成、お
よび、第1のバスラインg0 ,g 1 ,g2 ,g3 ,・・
・,gn-2 ,gn-1 と第1のバスラインから第3素子ブ
ロックBL3への分岐配線j0 ,j1 ,j2 ,j3 ,・
・・,jn-2 ,jn-1 の構成については第1実施例と同
様である。
That is, the first bus line g0, G1,
gTwo, GThree, ..., gn-2, Gn- 1And the first bass line
Wiring h from the gate to the second element block BL20,
h1, H Two, HThree, ..., hn-2, Hn-1Configuration,
And the first bus line g0, G 1, GTwo, GThree, ...
・, Gn-2, Gn-1And a third element block from the first bus line.
Branch wiring j to lock BL30, J1, JTwo, JThree,
.., jn-2, Jn-1Is the same as in the first embodiment.
It is like.

【0031】そして、第1のバスラインと第2のバスラ
インの構成は、第2実施例において下層配線層と上層配
線層の上下を入替えた構成と同様である。
The configuration of the first bus line and the second bus line is the same as the configuration of the second embodiment in which the lower wiring layer and the upper wiring layer are interchanged.

【0032】この実施例によると、第1素子ブロックB
L1、第2素子ブロックBL2、第3素子ブロックBL
3の間の配線領域中を、多数(例えば64本)の配線を
1組とするバスラインが、下層配線層と上層配線層に半
分ずつ分配されて、上下に積層した状態で形成され、そ
のバスラインからは、第2素子ブロックと第3素子ブロ
ックに第2配線層を使って分岐配線が形成されており、
配線領域を有効に使用して複雑な配線を実現することが
できる。
According to this embodiment, the first element block B
L1, second element block BL2, third element block BL
In the wiring area between the three wiring lines, a large number (for example, 64) of bus lines are formed as one set, and are formed in a state in which the bus lines are distributed half by half into a lower wiring layer and an upper wiring layer, and are stacked vertically. From the bus line, branch wiring is formed in the second element block and the third element block using the second wiring layer,
A complicated wiring can be realized by effectively using the wiring area.

【0033】また、第3素子ブロックへの分岐部分で
は、バスラインの上層配線層と下層配線層の配線の入れ
替えを兼ねた構造を採っている。なお、信号線k1 ,k
2 は中間配線層によって形成され、その他のバスライン
以外の配線l1 は従来の技術と同様に形成されている。
また、その他のバスライン以外の配線l1 については、
従来の配線層の使い分け方を承継して、基板に対して横
方向の配線は下層配線層を使用し、縦方向の配線は上層
配線層を使っている。ただし、横方向の配線がバスライ
ンを横断するときは、その横断部分のみ中間配線層を使
っている。
Further, at the branch portion to the third element block, a structure is employed in which the wiring of the upper wiring layer and the wiring of the lower wiring layer of the bus line are exchanged. Note that the signal lines k 1 , k
2 is formed by the intermediate wiring layers, the wiring l 1 other non-bus lines are formed as in the conventional art.
For the wiring l 1 other than the other bus lines,
Inheriting the conventional usage of the wiring layer, the wiring in the horizontal direction with respect to the substrate uses the lower wiring layer, and the wiring in the vertical direction uses the upper wiring layer. However, when the horizontal wiring crosses the bus line, only the crossing portion uses the intermediate wiring layer.

【0034】[0034]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
配線領域の幅が半分あるいはそれ以下になるため、配線
領域の面積を大幅に縮小することができ、チップ全体と
しての集積度を向上することができ、上下の配線層に分
配したバスラインの下層配線層と上層配線層を入れ替え
ることによって、上下の配線層の配線容量を均等化する
ことができ、集積回路装置の技術分野において寄与する
ところが大きい。
As described above, according to the present invention,
Since the width of the wiring area is reduced to half or less, the area of the wiring area can be greatly reduced, the degree of integration of the entire chip can be improved, and the lower layer of the bus lines distributed to the upper and lower wiring layers By exchanging the wiring layer and the upper wiring layer, the wiring capacitance of the upper and lower wiring layers can be equalized, which greatly contributes to the technical field of the integrated circuit device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】第1実施例の集積回路装置の構成説明図であ
る。
FIG. 1 is an explanatory diagram of a configuration of an integrated circuit device according to a first embodiment.

【図2】(A),(B)は第1実施例の配線層間接続部
の構成説明図である。
FIGS. 2A and 2B are explanatory diagrams of a configuration of a wiring interlayer connection portion of the first embodiment.

【図3】第2実施例の集積回路装置の構成説明図であ
る。
FIG. 3 is an explanatory diagram of a configuration of an integrated circuit device according to a second embodiment.

【図4】第3実施例の集積回路装置の構成説明図であ
る。
FIG. 4 is a diagram illustrating the configuration of an integrated circuit device according to a third embodiment.

【図5】従来の集積回路装置の一例の構成説明図であ
る。
FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a configuration of a conventional integrated circuit device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

BL 素子ブロック a0 ,a1 ,a2 ,a3 ,・・・,an-2 ,an-1
方向のバスライン b0 ,b1 ,b2 ,b3 ,・・・,bn-2 ,bn-1
方向のバスライン c0 ,c1 ,c2 ,c3 ,・・・,cn-2 ,cn-1
スラインからの分岐配線 d1 ,d2 バスラインを横断する他の配線 A,B 配線層間接続部
BL element blocks a 0, a 1, a 2 , a 3, ···, a n-2, a n-1 X
Bus lines b 0 , b 1 , b 2 , b 3 ,..., B n-2 , b n-1 Y
Branch lines from the bus lines c 0 , c 1 , c 2 , c 3 ,..., C n-2 , c n-1 bus lines d 1 , d 2 B Wiring interlayer connection

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】多層配線構造を有する集積回路装置におい
て、 複数のバスラインが中間配線層を間においた上層配線層
及び下層配線層に分配して形成されている第1のバスラ
イン群と、 複数のバスラインが中間配線層を間においた上層配線層
及び下層配線層に分配して形成されている第2のバスラ
イン群とを有し、 前記第1のバスライン群に含まれ且つ前記上層配線層に
形成されているバスラインと前記第2のバスライン群に
含まれ且つ前記下層配線層に形成されているバスライン
とを前記中間配線層を介して接続し、 前記第1のバスライン群に含まれ且つ前記下層配線層に
形成されているバスラインと前記第2のバスライン群に
含まれ且つ前記上層配線層に形成されているバスライン
とを前記中間配線層を介して接続してなること を特徴と
する集積回路装置。
1. An integrated circuit device having a multilayer wiring structure.
The upper wiring layer with multiple bus lines with an intermediate wiring layer
And a first bus line distributed to a lower wiring layer
Inner layer and upper wiring layer with multiple bus lines sandwiching intermediate wiring layer
And a second bus line distributed to the lower wiring layer
In the first bus line group and in the upper wiring layer.
The formed bus line and the second bus line group
Bus line included and formed in the lower wiring layer
Are connected via the intermediate wiring layer, and are included in the first bus line group and connected to the lower wiring layer.
The formed bus line and the second bus line group
Bus line included and formed in the upper wiring layer
Are connected via the intermediate wiring layer .
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