JP2003131258A - Liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device

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JP2003131258A
JP2003131258A JP2001332262A JP2001332262A JP2003131258A JP 2003131258 A JP2003131258 A JP 2003131258A JP 2001332262 A JP2001332262 A JP 2001332262A JP 2001332262 A JP2001332262 A JP 2001332262A JP 2003131258 A JP2003131258 A JP 2003131258A
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Japan
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line
liquid crystal
display device
crystal display
gate
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Application number
JP2001332262A
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Japanese (ja)
Inventor
Tetsuo Nishi
哲夫 西
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal display device capable of preventing a gate line and a common line from being short-circuited at the crossing part of the gate line and the common line in the periphery of a screen due to conductive foreign matters and static electricity during the manufacturing process. SOLUTION: The liquid crystal display device is provided with gate lines 1 and in-screen common lines 2 formed of a 1st conductive film for forming the gate lines and screen end common lines 5a for forming auxiliary capacitance which are formed of a 2nd conductive film for forming pixel electrodes and are crossing the gate lines 1. Then, at the crossing parts of the gate lines 1 and the screen end common lines 5a, a two-layer structured interlayer insulating film consisting of a gate insulating film 10 and a protective insulating film 11 is formed between the gate lines 1 and the screen end common lines 5a. This two-layer structured insulating film prevents the gate lines 1 and the screen end common lines 5a from being short-circuited by conductive foreign matters and static electricity in the interlayer insulating film during the manufacturing process.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、補助容量形成のた
めの共通線を有し、該共通線がゲート線と画面周縁部で
交差するように構成されている液晶表示装置に関するも
のである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device having a common line for forming an auxiliary capacitance, the common line intersecting a gate line at a peripheral portion of a screen.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、従来の液晶表示装置では、ゲー
ト線と補助容量形成のための共通線との交差部では、ゲ
ート線形成用の第1の導電膜からなるゲート線と、ソー
ス線形成用の第2の導電膜からなる共通線とが、ゲート
絶縁層を介して配置され、両線間の絶縁性が保たれるよ
うになっている。
2. Description of the Related Art Generally, in a conventional liquid crystal display device, a gate line formed of a first conductive film for forming a gate line and a source line are formed at an intersection of a gate line and a common line for forming an auxiliary capacitance. And a common line composed of a second conductive film for use with the gate insulating layer are arranged via the gate insulating layer so that insulation between both lines is maintained.

【0003】図5は、かかる従来の液晶表示装置のゲー
ト線と補助容量形成のための共通線との交差部近傍にお
けるガラス基板上のレイアウトを示す図である。また、
図6は、図5に示す液晶表示装置のC−C’線断面図で
ある。図5及び図6に示すように、この従来の液晶表示
装置では、ガラス基板9上に、ゲート線1、画面内共通
線2、半導体層3、ソース線4、画面端共通線5b、画
素電極7、導電膜8、ゲート絶縁膜10、保護絶縁膜1
1等が設けられている。なお、画面端共通線5bと導電
膜8とは、コンタクトホール6内で接続されている。
FIG. 5 is a diagram showing a layout on a glass substrate in the vicinity of an intersection of a gate line and a common line for forming an auxiliary capacitance in such a conventional liquid crystal display device. Also,
FIG. 6 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device shown in FIG. As shown in FIGS. 5 and 6, in this conventional liquid crystal display device, a gate line 1, an in-screen common line 2, a semiconductor layer 3, a source line 4, a screen end common line 5b, a pixel electrode are provided on a glass substrate 9. 7, conductive film 8, gate insulating film 10, protective insulating film 1
1 etc. are provided. The screen common line 5b and the conductive film 8 are connected in the contact hole 6.

【0004】この従来の液晶表示装置では、第1の導電
膜で形成されたゲート線1と、ソース線形成用の第2の
導電膜で形成された画面端共通線5bとが、互いに絶縁
性を保ちながら交差している。具体的には、ゲート線1
と画面端共通線5bとの交差部では、ゲート線1と画面
端共通線5bとが、ゲート絶縁膜10により絶縁されて
いる。
In this conventional liquid crystal display device, the gate line 1 formed of the first conductive film and the screen end common line 5b formed of the second conductive film for forming the source line are insulated from each other. Crossing while keeping. Specifically, gate line 1
The gate line 1 and the screen end common line 5b are insulated by the gate insulating film 10 at the intersection of the screen end common line 5b.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、例えば
図5及び図6に示す上記従来の液晶表示装置では、ゲー
ト線1と補助容量形成のための画面端共通線5bとの交
差部の層間絶縁膜であるゲート絶縁膜10の絶縁性が、
ゲート絶縁膜成膜中に発生する導電性異物や、液晶表示
装置製造工程中に発生する静電気により低下し、ゲート
線1と画面端共通線5b(ひいては画面内共通線2)と
が短絡しやすいといった問題がある。
However, in the conventional liquid crystal display device shown in FIGS. 5 and 6, for example, an interlayer insulating film at the intersection of the gate line 1 and the screen end common line 5b for forming the auxiliary capacitance is formed. The insulating property of the gate insulating film 10 is
It is easily reduced by conductive foreign matter generated during the formation of the gate insulating film or static electricity generated during the manufacturing process of the liquid crystal display device, and the gate line 1 and the screen end common line 5b (and thus the screen common line 2) are easily short-circuited. There is such a problem.

【0006】本発明は、上記従来の問題を解決するため
になされたものであって、層間絶縁膜成膜中に導電性異
物が発生し、あるいは液晶表示装置製造工程中に静電気
が発生した場合でも、ゲート線と補助容量形成のための
共通線との交差部の層間絶縁膜の絶縁性を良好に保持す
ることができる液晶表示装置を提供することを目的ない
しは解決すべき課題とする。
The present invention has been made in order to solve the above-mentioned conventional problems. In the case where a conductive foreign substance is generated during the formation of the interlayer insulating film or static electricity is generated during the manufacturing process of the liquid crystal display device. However, it is an object or a problem to be solved to provide a liquid crystal display device capable of maintaining excellent insulation properties of an interlayer insulating film at an intersection of a gate line and a common line for forming an auxiliary capacitance.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
になされた、本発明にかかる液晶表示装置は、(i)第
1の導電膜(第1の導電型の導電膜)からなるゲート線
と、(ii)第1の導電膜とは導電型が異なる第2の導電
膜(第2の導電型の導電膜)からなりゲート線と(離間
した状態で)交差する、補助容量形成のための共通線と
が設けられ、(iii)ゲート線と共通線との交差部にお
いて、ゲート線と共通線との間に、少なくともゲート絶
縁膜と保護絶縁膜とを含む2層以上(もちろん、2層で
もよい)の層間絶縁膜が形成されていることを特徴とす
るものである。
A liquid crystal display device according to the present invention, which has been made to solve the above problems, includes (i) a gate line formed of a first conductive film (first conductive type conductive film). And (ii) a second conductive film (a conductive film of the second conductivity type) having a conductivity type different from that of the first conductive film, and intersecting the gate line (in a separated state) for forming the auxiliary capacitance. And (iii) two or more layers including at least a gate insulating film and a protective insulating film between the gate line and the common line at the intersection of the gate line and the common line (of course, 2 It may be a layer).

【0008】この液晶表示装置によれば、ゲート線と共
通線とが、これらの交差部では互いに、ゲート絶縁膜と
保護絶縁膜とを含む2層以上の層間絶縁膜によって絶縁
されるので、両線間の絶縁性が非常に高くなる。このた
め、層間絶縁膜成膜中に導電性異物が発生し、あるいは
液晶表示装置製造工程中に静電気が発生した場合でも、
ゲート線と共通線との交差部の層間絶縁膜の絶縁性を良
好に保持することができる。
According to this liquid crystal display device, the gate line and the common line are insulated from each other at their intersections by the two or more interlayer insulating films including the gate insulating film and the protective insulating film. The insulation between wires is very high. Therefore, even if a conductive foreign substance is generated during the formation of the interlayer insulating film or static electricity is generated during the manufacturing process of the liquid crystal display device,
The insulating property of the interlayer insulating film at the intersection of the gate line and the common line can be maintained well.

【0009】上記液晶表示装置においては、第2の導電
膜が、画素電極形成のための導電膜であるのが好まし
い。また、ゲート線と共通線との交差部において、ゲー
ト線と共通線との間(ないしは、ゲート絶縁膜と保護絶
縁膜との間)に半導体層が配設されているのがより好ま
しい。
In the above liquid crystal display device, it is preferable that the second conductive film is a conductive film for forming a pixel electrode. Further, it is more preferable that the semiconductor layer is provided between the gate line and the common line (or between the gate insulating film and the protective insulating film) at the intersection of the gate line and the common line.

【0010】上記液晶表示装置においては、隣り合う上
記交差部間では、共通線が、第1の導電膜と第2の導電
膜とが積層されてなる2層配線で形成され、両導電膜が
コンタクトホール内で互いに電気的に接続されているの
が好ましい。なお、隣り合う上記交差部間では、共通線
が、ソース線形成のための導電膜と第2の導電膜とが積
層されてなる2層配線で形成され、両導電膜がコンタク
トホール内で互いに電気的に接続されていてもよい。
In the above liquid crystal display device, a common line is formed by a two-layer wiring in which a first conductive film and a second conductive film are laminated between the adjacent intersections, and both conductive films are formed. It is preferable that they are electrically connected to each other in the contact holes. In addition, between the adjacent crossing portions, the common line is formed by a two-layer wiring in which a conductive film for forming a source line and a second conductive film are stacked, and both conductive films are mutually formed in the contact hole. It may be electrically connected.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、添付の図面を参照しなが
ら、本発明の実施の形態を具体的に説明する。 (実施の形態1)図1は、本発明の実施の形態1にかか
る液晶表示装置のゲート線と補助容量形成のための共通
線との交差部近傍におけるTFTアレイ基板の平面図
(上面図)である。図2は、図1に示す液晶表示装置の
A−A’線断面図であり、ゲート線と共通線(画面端共
通線)との交差部の断面を示している。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be specifically described below with reference to the accompanying drawings. (Embodiment 1) FIG. 1 is a plan view (top view) of a TFT array substrate in the vicinity of an intersection of a gate line and a common line for forming an auxiliary capacitance of a liquid crystal display device according to Embodiment 1 of the present invention. Is. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of the liquid crystal display device shown in FIG. 1, showing a cross section of an intersection of a gate line and a common line (screen end common line).

【0012】図1及び図2に示すように、この液晶表示
装置においては、ガラス基板9上に、それぞれ、ゲート
線形成用の第1の導電膜で形成され、互いに平行に伸び
る複数のゲート線1と複数の画面内共通線2とが設けら
れている。そして、各画面内共通線2は、画面端部(図
1中では右端部)のスルーホール6内で、画素電極形成
用の第2の導電膜からなる画面端共通線5aに接続され
ている。つまり、隣り合う交差部間では、共通線が、ゲ
ート線形成用の導電膜と画素電極形成用の導電膜とが積
層されてなる2層配線で形成され、両導電膜がコンタク
トホール6内で互いに電気的に接続されている。かくし
て、すべての画面内共通線2は、1本の画面端共通線5
aに接続される。このように、各画面内共通線2と画面
端共通線5aとは一体化されて、補助容量形成のための
共通線を形成している。
As shown in FIGS. 1 and 2, in this liquid crystal display device, a plurality of gate lines each formed of a first conductive film for forming a gate line and extending in parallel with each other are formed on a glass substrate 9. 1 and a plurality of in-screen common lines 2 are provided. Each in-screen common line 2 is connected to a screen-end common line 5a made of a second conductive film for forming pixel electrodes in the through-hole 6 at the screen end (right end in FIG. 1). . In other words, between adjacent intersections, a common line is formed by a two-layer wiring in which a conductive film for forming a gate line and a conductive film for forming a pixel electrode are stacked, and both conductive films are formed in the contact hole 6. Electrically connected to each other. Thus, all in-screen common lines 2 are one screen edge common line 5
connected to a. Thus, the in-screen common line 2 and the screen end common line 5a are integrated to form a common line for forming the auxiliary capacitance.

【0013】ここで、画面端共通線5aは、上下方向
(図1では紙面に垂直な方向)に離間しつつ、各ゲート
線1と交差している。そして、この交差部近傍部では、
ゲート線1と画面端共通線5aとの間に、ゲート絶縁膜
10と半導体層3と保護絶縁膜11とが介設されてい
る。つまり、ゲート線1と画面端共通線5aとは、両者
間に半導体層3を挟んでいるゲート絶縁膜10及び保護
絶縁膜11からなる層間絶縁膜によって互いに強固に絶
縁されている。また、この液晶表示装置には、ゲート線
1の上側でこれと垂直な方向に伸びる複数のソース線4
と、画素電極7(透明電極)とが設けられている。
Here, the screen end common line 5a intersects with each gate line 1 while being separated in the vertical direction (direction perpendicular to the paper surface in FIG. 1). And in the vicinity of this intersection,
A gate insulating film 10, a semiconductor layer 3, and a protective insulating film 11 are provided between the gate line 1 and the screen edge common line 5a. That is, the gate line 1 and the screen edge common line 5a are strongly insulated from each other by the interlayer insulating film including the gate insulating film 10 and the protective insulating film 11 that sandwich the semiconductor layer 3 therebetween. In addition, in this liquid crystal display device, a plurality of source lines 4 extending above the gate lines 1 in a direction perpendicular to the gate lines 1 are provided.
And a pixel electrode 7 (transparent electrode).

【0014】以下、図1及び図2に示す液晶表示装置の
製造方法を説明する。この液晶表示装置の製造工程にお
いては、まず、ガラス基板9上に、それぞれ第1の導電
膜からなるゲート線1及び画面内共通線2を形成する。
続いて、ガラス基板9上に、ゲート線1及び画面内共通
線2を覆うように、ゲート絶縁膜10を堆積する。次
に、ゲート絶縁膜10の上に半導体層3を堆積する。そ
して、この半導体層3に対して、該半導体層3がゲート
線1と画面端共通線5aとの交差部にのみ残るようにエ
ッチングを施す。
A method of manufacturing the liquid crystal display device shown in FIGS. 1 and 2 will be described below. In the manufacturing process of this liquid crystal display device, first, the gate line 1 and the in-screen common line 2 each made of the first conductive film are formed on the glass substrate 9.
Then, a gate insulating film 10 is deposited on the glass substrate 9 so as to cover the gate line 1 and the in-screen common line 2. Next, the semiconductor layer 3 is deposited on the gate insulating film 10. Then, the semiconductor layer 3 is etched so that the semiconductor layer 3 remains only at the intersection of the gate line 1 and the screen end common line 5a.

【0015】さらに、ゲート絶縁膜10の上に、半導体
層3を覆うように、保護絶縁膜11を堆積した後、コン
タクトホール6を形成する。そして、保護絶縁膜11な
いし画面内共通線2(コンタクトホール6内に露出する
部分)の上に画素電極形成用の導電膜を堆積した後、こ
れにエッチングを施して画面端共通線5aを形成する。
これにより、すべての画面内共通線2が画面端共通線5
aに接続される。この後、ソース線4及び画素電極7を
形成する。
Further, a protective insulating film 11 is deposited on the gate insulating film 10 so as to cover the semiconductor layer 3, and then a contact hole 6 is formed. Then, after depositing a conductive film for pixel electrode formation on the protective insulating film 11 or the in-screen common line 2 (portion exposed in the contact hole 6), etching is performed to form a screen-edge common line 5a. To do.
As a result, all the in-screen common lines 2 become the screen end common lines 5.
connected to a. After that, the source line 4 and the pixel electrode 7 are formed.

【0016】図1及び図2に示す構造を備えた液晶表示
装置においては、ゲート線1と画面端共通線5aとの交
差部の層間絶縁膜は、ゲート絶縁膜10及び保護絶縁膜
11からなる2層構造となっている。さらに、半導体層
3が、ゲート絶縁膜10と保護絶縁膜11の間に挟まれ
ている。このため、絶縁膜堆積中に導電性異物が混入し
たり、液晶表示装置製造工程中に静電気が発生した場合
でも、ゲート線1と画面端共通線5aとの間の絶縁性は
良好に保持され、絶縁性に優れた液晶表示装置を実現す
ることができる。
In the liquid crystal display device having the structure shown in FIGS. 1 and 2, the interlayer insulating film at the intersection of the gate line 1 and the screen end common line 5a is composed of the gate insulating film 10 and the protective insulating film 11. It has a two-layer structure. Further, the semiconductor layer 3 is sandwiched between the gate insulating film 10 and the protective insulating film 11. Therefore, even if a conductive foreign substance is mixed in during the deposition of the insulating film or static electricity is generated during the manufacturing process of the liquid crystal display device, the insulating property between the gate line 1 and the screen end common line 5a is maintained well. Thus, it is possible to realize a liquid crystal display device having excellent insulating properties.

【0017】(実施の形態2)以下、図3及び図4を参
照しながら、本発明の実施の形態2を説明する。しかし
ながら、実施の形態2にかかる液晶表示装置は、図1及
び図2に示す実施の形態1にかかる液晶表示装置と多く
の共通点を有する。そこで、説明の重複を避けるため、
実施の形態1と共通の部材には実施の形態1の場合と同
一の参照番号を付してその詳しい説明は省略し、以下で
は主として実施の形態1と異なる点を説明する。
(Second Embodiment) The second embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 3 and 4. However, the liquid crystal display device according to the second embodiment has many common points with the liquid crystal display device according to the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2. Therefore, to avoid duplication of explanation,
The same members as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals as those in the first embodiment, and the detailed description thereof will be omitted. Below, mainly the points different from the first embodiment will be described.

【0018】図3は、本発明の実施の形態2にかかる液
晶表示装置のゲート線と補助容量形成のための共通線と
の交差部近傍におけるTFTアレイ基板の表面を示す平
面図である。図4は、図3に示す液晶表示装置のB−
B’線断面図であり、ゲート線と共通線(画面端共通
線)との交差部の断面を示している。
FIG. 3 is a plan view showing the surface of the TFT array substrate in the vicinity of the intersection of the gate line and the common line for forming the auxiliary capacitance of the liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention. FIG. 4 shows the liquid crystal display device B- of FIG.
FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line B ′, showing a cross section of an intersection of a gate line and a common line (screen end common line).

【0019】図3及び図4に示すように、実施の形態2
にかかる液晶表示装置では、画面内共通線2は、画面端
部(図3中では右端部)のスルーホール6a内で、画素
電極形成用の第2の導電膜で形成されたパターン5cに
接続されている。また、パターン5cは、スルーホール
6b内で、ソース線形成用の導電膜で形成されたパター
ン4aに接続されている。さらに、パターン4aは、コ
ンタクトホール6内で、画素電極形成用の第2の導電膜
で形成された画面端共通線5aに接続されている。つま
り、隣り合う交差部間では、共通線が、ソース線形成用
の導電膜と画素電極形成用の導電膜とが積層されてなる
2層配線で形成され、両導電膜がコンタクトホール6内
で互いに電気的に接続されている。かくして、すべての
画面内共通線2は、パターン5cとパターン4aとを介
して、1本の画面端共通線5aに接続される。このよう
に、各画面内共通線2と各パターン5cと各パターン4
aと画面端共通線5aとは一体化されて、補助容量形成
のための共通線を形成している。その他の構成は、実施
の形態1にかかる液晶表示装置と同様である。
As shown in FIGS. 3 and 4, the second embodiment
In the liquid crystal display device according to the second aspect, the in-screen common line 2 is connected to the pattern 5c formed of the second conductive film for forming the pixel electrode in the through hole 6a at the screen end (the right end in FIG. 3). Has been done. The pattern 5c is connected to the pattern 4a formed of the conductive film for forming the source line in the through hole 6b. Further, the pattern 4a is connected to the screen end common line 5a formed of the second conductive film for forming the pixel electrode in the contact hole 6. That is, between the adjacent crossing portions, the common line is formed by a two-layer wiring in which a conductive film for forming the source line and a conductive film for forming the pixel electrode are stacked, and both conductive films are formed in the contact hole 6. Electrically connected to each other. Thus, all in-screen common lines 2 are connected to one screen end common line 5a via the patterns 5c and 4a. In this way, the common line 2 in each screen, each pattern 5c, and each pattern 4
a and the screen end common line 5a are integrated to form a common line for forming the auxiliary capacitance. Other configurations are similar to those of the liquid crystal display device according to the first embodiment.

【0020】以下、図3及び図4に示す液晶表示装置の
製造方法を説明する。この液晶表示装置の製造工程にお
いては、まず、ガラス基板9上に、それぞれゲート線形
成用の第1の導電膜からなるゲート線1及び画面内共通
線2を形成する。続いて、ガラス基板9上に、ゲート線
1及び画面内共通線2を覆うように、ゲート絶縁膜10
を堆積する。次に、ゲート絶縁膜10の上に半導体層3
を堆積する。そして、この半導体層3に対して、該半導
体層3がゲート線1と画面端共通線5aとの交差部にの
み残るようにエッチングを施す。次に、ゲート絶縁膜1
0の上に、ソース線形成用の導電膜からなるパターン4
aを形成する。さらに、ゲート絶縁膜10の上に、半導
体層3と画面内共通線2とパターン4aとを覆うよう
に、保護絶縁膜11を堆積した後、コンタクトホール
6、6a、6bを形成する。
A method of manufacturing the liquid crystal display device shown in FIGS. 3 and 4 will be described below. In the manufacturing process of this liquid crystal display device, first, the gate line 1 and the in-screen common line 2 each made of the first conductive film for forming the gate line are formed on the glass substrate 9. Then, the gate insulating film 10 is formed on the glass substrate 9 so as to cover the gate line 1 and the in-screen common line 2.
Deposit. Next, the semiconductor layer 3 is formed on the gate insulating film 10.
Deposit. Then, the semiconductor layer 3 is etched so that the semiconductor layer 3 remains only at the intersection of the gate line 1 and the screen end common line 5a. Next, the gate insulating film 1
Pattern 0 made of a conductive film for forming a source line on 0
a is formed. Further, a protective insulating film 11 is deposited on the gate insulating film 10 so as to cover the semiconductor layer 3, the in-screen common line 2 and the pattern 4a, and then contact holes 6, 6a and 6b are formed.

【0021】そして、保護絶縁膜11ないしパターン4
a(コンタクトホール6内に露出する部分)の上に画素
電極形成用の第2の導電膜を堆積した後、これにエッチ
ングを施して画面端共通線5aを形成する。また、コン
タクトホール6a、6bに対応する位置において、保護
絶縁膜11と画面内共通線2(コンタクトホール6a内
に露出する部分)とパターン4a(コンタクトホール6
b内に露出する部分)との上に、画素電極形成用の第2
の導電膜を堆積した後、これにエッチングを施してパタ
ーン5cを形成する。これにより、すべての画面内共通
線2が、パターン5cとパターン4aとを介して、画面
端共通線5aに接続される。この後、ソース線4及び画
素電極7を形成する。
Then, the protective insulating film 11 or the pattern 4 is formed.
After a second conductive film for forming a pixel electrode is deposited on a (a portion exposed in the contact hole 6), it is etched to form a screen edge common line 5a. Further, at positions corresponding to the contact holes 6a and 6b, the protective insulating film 11, the in-screen common line 2 (portion exposed in the contact hole 6a), and the pattern 4a (contact hole 6).
2) for forming the pixel electrode on the
After depositing the conductive film, the pattern 5c is formed by etching the conductive film. As a result, all the in-screen common lines 2 are connected to the screen end common line 5a via the patterns 5c and 4a. After that, the source line 4 and the pixel electrode 7 are formed.

【0022】図3及び図4に示す構造を備えた液晶表示
装置においては、実施の形態1にかかる液晶表示装置の
場合と同様の作用・効果が得られる。さらに、ゲート線
1の近傍に第1の導電膜で形成された共通線が存在しな
いので、第1の導電膜でパターンを形成する際に導電膜
の残留等が生じても、ゲート線1と共通線とがショート
するのが防止され、優れた液晶表示装置を実現すること
ができる。
In the liquid crystal display device having the structure shown in FIGS. 3 and 4, the same action and effect as those of the liquid crystal display device according to the first embodiment can be obtained. Further, since there is no common line formed of the first conductive film in the vicinity of the gate line 1, even if the conductive film remains when forming a pattern with the first conductive film, A short circuit with the common line is prevented, and an excellent liquid crystal display device can be realized.

【0023】[0023]

【発明の効果】以上、本発明によれば、ゲート線と補助
容量形成のための共通線との交差部において、ゲート線
と共通線との間の層間絶縁膜がゲート絶縁膜と保護絶縁
膜とを含む2層以上の構造とされる。このため、液晶表
示装置製造工程において、絶縁膜堆積中に導電性異物が
混入したり、静電気が発生した場合でも、ゲート線と共
通線との間の絶縁性は良好に保持され、絶縁性に優れた
液晶表示装置を実現することができる。さらに、歩留ま
りロスを低減することができ、液晶表示装置の製造コス
トを低減することができる。また、共通線の導電膜と画
素電極の導電膜とを共用することにより、製造工程を増
やすことなく、上記効果を実現することができる。
As described above, according to the present invention, at the intersection of the gate line and the common line for forming the auxiliary capacitance, the interlayer insulating film between the gate line and the common line is the gate insulating film and the protective insulating film. It has a structure of two or more layers including and. Therefore, in the manufacturing process of the liquid crystal display device, even if conductive foreign matter is mixed in during the deposition of the insulating film or static electricity is generated, the insulating property between the gate line and the common line is well maintained, and the insulating property is improved. An excellent liquid crystal display device can be realized. Further, the yield loss can be reduced, and the manufacturing cost of the liquid crystal display device can be reduced. Further, by sharing the conductive film of the common line and the conductive film of the pixel electrode, the above effect can be realized without increasing the manufacturing process.

【0024】また、ゲート線と共通線との交差部と、隣
接するゲート線と共通線との交差部との間を、第1の導
電膜又は第2の導電膜で2層配線して共通線と電気的に
接続することにより、共通線の抵抗を低下させて共通信
号の遅延を低減することができ、優れた液晶表示装置を
実現することができる。
In addition, a first conductive film or a second conductive film is used to form a two-layer wiring between the intersection of the gate line and the common line and the intersection of the adjacent gate line and the common line. By electrically connecting to the line, the resistance of the common line can be reduced and the delay of the common signal can be reduced, so that an excellent liquid crystal display device can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の実施の形態1にかかる液晶表示装置
のTFTアレイ基板の平面図である。
FIG. 1 is a plan view of a TFT array substrate of a liquid crystal display device according to a first exemplary embodiment of the present invention.

【図2】 図1に示す液晶表示装置のA−A’線断面図
である。
2 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device shown in FIG. 1 taken along the line AA '.

【図3】 本発明の実施の形態2にかかる液晶表示装置
のTFTアレイ基板の平面図である。
FIG. 3 is a plan view of a TFT array substrate of a liquid crystal display device according to a second exemplary embodiment of the present invention.

【図4】 図3に示す液晶表示装置のB−B’線断面図
である。
4 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device shown in FIG. 3 taken along the line BB ′.

【図5】 従来の液晶表示装置のTFTアレイ基板の平
面図である。
FIG. 5 is a plan view of a TFT array substrate of a conventional liquid crystal display device.

【図6】 図5に示す液晶表示装置のC−C’線断面図
である。
6 is a cross-sectional view taken along line CC ′ of the liquid crystal display device shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 第1の導電膜で形成されたゲート線 2 第1の導電膜で形成された画面内共通線 3 半導体層 4 第2の導電膜で形成されたソース線 4a パターン 5a 画素電極形成用の導電膜で形成された画面端共通
線 5b 第2の導電膜で形成された共通線 5c パターン 6 コンタクトホール 6a コンタクトホール 6b コンタクトホール 7 画素電極 8 画素電極形成用の導電膜 9 ガラス基板 10 ゲート絶縁膜 11 保護絶縁膜
1 gate line formed by the first conductive film 2 in-screen common line formed by the first conductive film 3 semiconductor layer 4 source line 4a formed by the second conductive film 4a pattern 5a conductive for pixel electrode formation Screen common line 5b formed of film Common line 5c formed of second conductive film 5 Pattern 6 Contact hole 6a Contact hole 6b Contact hole 7 Pixel electrode 8 Conductive film for forming pixel electrode 9 Glass substrate 10 Gate insulating film 11 Protective insulation film

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09F 9/35 G09F 9/35 H01L 21/336 H01L 29/78 612D 29/786 612A Fターム(参考) 2H090 JB02 LA04 2H092 GA29 JA24 JA37 JA46 JB61 KB25 NA16 NA25 NA27 PA01 5C094 AA13 AA21 AA42 AA44 BA03 BA43 CA19 DA14 DA15 DB01 EA04 EA07 EB02 FB12 FB14 FB15 5F110 AA12 AA26 AA30 BB01 CC05 CC07 DD02 NN02 NN06 NN73 QQ01 Front page continuation (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) G09F 9/35 G09F 9/35 H01L 21/336 H01L 29/78 612D 29/786 612A F term (reference) 2H090 JB02 LA04 2H092 GA29 JA24 JA37 JA46 JB61 KB25 NA16 NA25 NA27 PA01 5C094 AA13 AA21 AA42 AA44 BA03 BA43 CA19 DA14 DA15 DB01 EA04 EA07 EB02 FB12 FB14 FB15 5F110 AA12 AA26 AA30 BB01 CC05 CC07 DD02 NN02 Q0106NN73

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1の導電膜からなるゲート線と、 第1の導電膜とは導電型が異なる第2の導電膜からなり
ゲート線と交差する、補助容量形成のための共通線とが
設けられ、 ゲート線と共通線との交差部において、ゲート線と共通
線との間に、少なくともゲート絶縁膜と保護絶縁膜とを
含む2層以上の層間絶縁膜が形成されていることを特徴
とする液晶表示装置。
1. A gate line made of a first conductive film, and a common line made of a second conductive film having a conductivity type different from that of the first conductive film and intersecting the gate line for forming an auxiliary capacitance. At least two interlayer insulating films including at least a gate insulating film and a protective insulating film are formed between the gate line and the common line at the intersection of the gate line and the common line. Liquid crystal display device.
【請求項2】 第2の導電膜が、画素電極形成のための
導電膜であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表
示装置。
2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the second conductive film is a conductive film for forming a pixel electrode.
【請求項3】 ゲート線と共通線との交差部において、
ゲート線と共通線との間に半導体層が配設されているこ
とを特徴とする請求項1又は2に記載の液晶表示装置。
3. At the intersection of the gate line and the common line,
The liquid crystal display device according to claim 1 or 2, wherein a semiconductor layer is provided between the gate line and the common line.
【請求項4】 隣り合う上記交差部間では、共通線が、
第1の導電膜と第2の導電膜とが積層されてなる2層配
線で形成され、両導電膜がコンタクトホール内で互いに
電気的に接続されていることを特徴とする請求項1〜3
のいずれか1つに記載の液晶表示装置。
4. A common line between the adjacent intersections,
4. The first conductive film and the second conductive film are formed by a two-layer wiring which is laminated, and both conductive films are electrically connected to each other in a contact hole.
7. The liquid crystal display device according to any one of 1.
【請求項5】 隣り合う上記交差部間では、共通線が、
ソース線形成のための導電膜と第2の導電膜とが積層さ
れてなる2層配線で形成され、両導電膜がコンタクトホ
ール内で互いに電気的に接続されていることを特徴とす
る請求項1〜3のいずれか1つに記載の液晶表示装置。
5. A common line between the adjacent intersections,
The conductive film for forming a source line and a second conductive film are laminated to form a two-layer wiring, and both conductive films are electrically connected to each other in a contact hole. 3. The liquid crystal display device according to any one of 1 to 3.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007219518A (en) * 2006-02-17 2007-08-30 Samsung Electronics Co Ltd Display device and manufacturing method thereof
JP2010122395A (en) * 2008-11-18 2010-06-03 Hitachi Displays Ltd Display device
JP2013231991A (en) * 2013-06-26 2013-11-14 Japan Display Inc Display device
JP2016212428A (en) * 2011-01-21 2016-12-15 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device

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