JP3168318B2 - Thin film thermoelectric converter - Google Patents

Thin film thermoelectric converter

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JP3168318B2 JP22858596A JP22858596A JP3168318B2 JP 3168318 B2 JP3168318 B2 JP 3168318B2 JP 22858596 A JP22858596 A JP 22858596A JP 22858596 A JP22858596 A JP 22858596A JP 3168318 B2 JP3168318 B2 JP 3168318B2
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thin film
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、薄膜熱電変換装
置に関し、特に、薄膜に構成した熱電変換素子の電極間
の温度差を拡大する薄膜熱電変換装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin-film thermoelectric converter, and more particularly, to a thin-film thermoelectric converter for expanding a temperature difference between electrodes of a thermoelectric element formed in a thin film.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来例を図を参照して説明する。図
に示される熱電変換装置の従来例は、バルク型熱電変換
素子を使用している。50は熱電変換材料を示す。60
1 および60 2 は熱電変換材料50の両端縁部に取り付
けられた電極である。以上によりバルク型熱電変換素子
100’が構成される。80は熱源に取り付ける熱源電
極であり、90は冷却部に取り付ける冷却部電極であ
る。熱電変換素子100’に熱源電極80および冷却部
電極90を取り付けることによりバルク型熱電変換装置
の組み立ては終了する。
BACKGROUND ART will be described with reference to FIG. 3 a conventional example. Figure 3
The conventional example of the thermoelectric conversion device shown in (1) uses a bulk-type thermoelectric conversion element. 50 indicates a thermoelectric conversion material. 60
1 and 60 2 are electrodes attached to both end edge portions of the thermoelectric conversion material 50. Thus, the bulk-type thermoelectric conversion element 100 'is configured. Reference numeral 80 denotes a heat source electrode attached to the heat source, and reference numeral 90 denotes a cooling unit electrode attached to the cooling unit. By attaching the heat source electrode 80 and the cooling part electrode 90 to the thermoelectric conversion element 100 ', the assembly of the bulk thermoelectric conversion device is completed.

【0003】ここで、熱電変換素子100’の熱起電力
Wは、一般に、下記の通りに表現することができる。 W=α(Th−Tc)I 但し、α:ゼーベック係数、Th:高温度部の温度、T
c:低温度部の温度 I:素子を流通する電流 この式に従えば、物質のゼーベック係数αが定まれば、
熱起電力は温度差に比例することになり、良好な熱電変
換をするには、高温度部を構成する電極と低温度部を構
成する電極との間に大きな温度差を生成させる必要があ
る。
[0003] Here, the thermoelectromotive force W of the thermoelectric conversion element 100 'can be generally expressed as follows. W = α (Th−Tc) I, where α: Seebeck coefficient, Th: temperature of high temperature portion, T
c: the temperature of the low temperature part I: the current flowing through the element According to this equation, if the Seebeck coefficient α of the substance is determined,
The thermoelectromotive force is proportional to the temperature difference, and in order to perform good thermoelectric conversion, it is necessary to generate a large temperature difference between the electrode forming the high temperature section and the electrode forming the low temperature section. .

【0004】以上の熱電変換素子100’の熱電変換材
料50は、Siその他の半導体のバルク材により構成さ
れている。即ち、熱電変換材料50は、具体的には角柱
状或は円柱状の半導体熱電変換材料の一方の端縁部に金
属の熱源電極80を取り付けると共に、他方の端縁部に
金属の冷却部電極90を取り付けている。そして、これ
ら熱源電極80と冷却部電極90との間に温度差を形成
して発電し、或は両電極間に電流を流通して両電極間に
温度差を生成する。
[0004] The thermoelectric conversion material 50 of the thermoelectric conversion element 100 'is made of Si or another semiconductor bulk material. That is, the thermoelectric conversion material 50 is, specifically, a metal heat source electrode 80 attached to one edge portion of a prismatic or columnar semiconductor thermoelectric conversion material, and a metal cooling portion electrode attached to the other edge portion. 90 is attached. Then, a temperature difference is formed between the heat source electrode 80 and the cooling unit electrode 90 to generate power, or a current is passed between the two electrodes to generate a temperature difference between the two electrodes.

【0005】熱電変換素子100’の従来例は、上述し
た通り、熱電変換材料50はバルク材を基本にして構成
されている。半導体に加工を施してこれを様々な形状の
熱電変換材料50に構成するに際して、半導体のインゴ
ットを原材料としてこれから切り出し加工により構成さ
れる。この場合、原材料に多くのムダが発生する上に加
工工程は複雑であるところから、バルクの熱電変換材料
50は、一部の特殊な分野を除いて、広く利用されるに
は到っていない。
[0005] In the conventional example of the thermoelectric conversion element 100 ', as described above, the thermoelectric conversion material 50 is configured based on a bulk material. When a semiconductor is processed and formed into thermoelectric conversion materials 50 of various shapes, the semiconductor is cut out from an ingot as a raw material. In this case, the bulk thermoelectric conversion material 50 has not yet been widely used except for some special fields, since a lot of waste is generated in the raw material and the processing step is complicated. .

【0006】熱電変換材料である半導体をバルクに加工
したものとは別に、半導体を薄膜状に加工した熱電変換
材料も使用されているが、この薄膜状熱電変換材料をそ
の厚さ方向に温度差を形成する場合、熱源と冷却部との
間の距離を充分に大きくとることができないところか
ら、熱源と冷却部との間に充分な温度差を保持すること
ができない。
[0006] Apart from those processed thermoelectric conversion material der Ru semiconductors in bulk, but is also used processed thermoelectric conversion material in a thin film semiconductor, the thin film thermoelectric conversion material in the thickness direction thereof When the temperature difference is formed, a sufficient distance between the heat source and the cooling unit cannot be maintained because the distance between the heat source and the cooling unit cannot be made sufficiently large.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】この発明は、フィルム
の表面に熱電変換材料薄膜をコーティングし、温度差を
形成されるべき熱電変換材料の薄膜部分に電極を取り付
ける構成を採用することにより、様々な形状に加工し易
く、且つ熱電変換効率の良好な薄膜熱電変換装置を提供
するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides various structures by coating a thin film of a thermoelectric conversion material on the surface of a film and attaching electrodes to the thin film portion of the thermoelectric conversion material for which a temperature difference is to be formed. An object of the present invention is to provide a thin-film thermoelectric conversion device which can be easily processed into various shapes and has good thermoelectric conversion efficiency.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】薄板状支持体或はフィル
ム状支持体5の表面に熱電変換材料薄膜1、2を成膜し
て熱電変換素子100を構成し、熱電変換材料薄膜1、
2の互に対向する端縁部3、4に熱源電極6或は冷却部
電極7を取り付けた薄膜熱電変換装置を構成した。
Means for Solving the Problems A thermoelectric conversion element 100 is formed by forming thermoelectric conversion material thin films 1 and 2 on the surface of a thin plate-like support or a film-like support 5 to form a thermoelectric conversion element thin film 1.
A thin-film thermoelectric conversion device having a heat source electrode 6 or a cooling portion electrode 7 attached to two edge portions 3 and 4 facing each other was constructed.

【0009】そして、薄板状支持体或はフィルム状支持
体5の一方の表面に一方の導電型の熱電変換材料薄膜1
を成膜すると共に他方の表面に他方の導電型の熱電変換
材料薄膜2を成膜して熱電変換素子100を構成し、熱
電変換材料薄膜1、2の互に対向する端縁部3、4に熱
源電極6或は冷却部電極7を取り付け、ここで熱源電極
6或は冷却部電極7の内の一方は分割電極として各別に
熱電変換材料薄膜1、2に取り付けた薄膜熱電変換装置
を構成した。
Then, one conductive type thermoelectric conversion material thin film 1 is formed on one surface of the thin plate-shaped support or the film-shaped support 5.
And a thermoelectric conversion material thin film 2 of the other conductivity type is formed on the other surface to form a thermoelectric conversion element 100. The thermoelectric conversion material thin films 1 and 2 have mutually opposing edges 3, 4 The heat source electrode 6 or the cooling unit electrode 7 is attached to the heat source electrode 6 or the cooling unit electrode 7. Here, one of the heat source electrode 6 or the cooling unit electrode 7 is formed as a split electrode to constitute a thin film thermoelectric conversion device which is separately attached to the thermoelectric conversion material thin films 1 and 2. did.

【0010】また、薄板状支持体或はフィルム状支持体
5は絶縁材料により構成した薄膜熱電変換装置を構成し
た。更に、薄板状支持体或はフィルム状支持体5は導電
体フィルム表面に絶縁膜9をコーティングしたものより
成る薄膜熱電変換装置を構成した。そして、熱電変換素
子100は長さ方向に蛇行屈曲せしめたものである薄膜
熱電変換装置を構成した。
Further, the thin plate-like support or the film-like support 5 constitutes a thin-film thermoelectric converter made of an insulating material. Further, the thin plate-like support or the film-like support 5 constituted a thin-film thermoelectric conversion device comprising a conductive film surface coated with an insulating film 9. And the thermoelectric conversion element 100 comprised the thin-film thermoelectric conversion device which meandered and bent in the length direction.

【0011】また、熱源電極6および冷却部電極7はメ
ッシュ状電極であることを特徴とする薄膜熱電変換装置
を構成した。
The heat source electrode 6 and the cooling section electrode 7 are mesh electrodes, thus constituting a thin film thermoelectric conversion device.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を図1およ
び図2の実施例を参照して説明する。図1はn型熱電変
換材料の薄膜をフィルムの一方の表面に、p型熱電変換
材料の薄膜をフィルムの他方の表面にコーティングした
フィルム型熱電変換素子を含む薄膜熱電変換装置の分解
斜視図である。図2は図1の部品により構成されたフィ
ルム型熱電変換装置の断面を示す図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. Fig. 1 shows a thin film of n-type thermoelectric conversion material on one surface of a film, and p-type thermoelectric conversion.
FIG. 2 is an exploded perspective view of a thin-film thermoelectric conversion device including a film-type thermoelectric conversion element in which a thin film of a material is coated on the other surface of the film. FIG. 2 is a diagram showing a cross section of a film-type thermoelectric conversion device constituted by the components of FIG.

【0013】図1および図2において、5は支持体を構
成する薄板或はフィルムを示す。1および2は支持体で
ある絶縁体フィルム5の両面にコーティングされた熱電
変換材料薄膜である。3は熱電変換材料薄膜1および2
の上端縁部から集電する上端集電電極であり、4は熱電
変換材料薄膜1および2の下端縁部から集電する下端集
電電極である。6’、6”は熱源電極であり、7は冷却
部電極を示す。8は絶縁性接着剤であり、支持体を構成
するフィルム5の上端に適用されて熱源電極6’、6”
をフィルム5の上端に強固に結合するものである。
In FIGS. 1 and 2, reference numeral 5 denotes a thin plate or film constituting a support. Reference numerals 1 and 2 denote thermoelectric conversion material thin films coated on both surfaces of an insulator film 5 as a support. 3 is a thermoelectric conversion material thin film 1 and 2
Is a top current collecting electrode that collects electricity from the top edge of the thermoelectric conversion material thin films 1 and 2, and 4 is a bottom current collecting electrode that collects electricity from the bottom edge of the thermoelectric conversion material thin films 1 and 2. 6 ′ and 6 ″ are heat source electrodes, 7 is a cooling unit electrode. 8 is an insulating adhesive, which is applied to the upper end of the film 5 constituting the support and is connected to the heat source electrodes 6 ′ and 6 ″.
Is firmly bonded to the upper end of the film 5.

【0014】熱電変換材料薄膜1および熱電変換材料薄
膜2は、フィルム5に熱電変換材料をコーティングする
ことにより形成される。熱電変換材料のコーティングの
仕方としては、スパッタリング、イオンビームスパッタ
リング、レーザアプレーションその他の物理的薄膜形成
法を採用することができる。これ以外の熱電変換材料の
薄膜形成法として、これらの溶液或はペーストから化学
的に合成することができる。この様にしてフィルム5に
形成した熱電変換材料薄膜1および2に上端集電電極3
および下端集電電極4を形成する。これらの集電電極
は、通常、真空蒸着法或はスパッタリング法その他の薄
膜成膜方法により形成するが、これら以外の適宜の薄膜
成膜法も適用することができる。支持体であるフィルム
5が金属フィルムの如き導電体フィルムである場合は、
熱電変換材料薄膜1および2をコーティングするに先だ
って、9により示される絶縁膜を導電体フィルム表面に
予めコーティングしておいて、この絶縁膜9表面に熱電
変換材料薄膜1および2をコーティングする。絶縁膜9
はポリイミドその他の耐熱性合成樹脂を金属フィルム5
表面に塗布して乾燥することにより強固に形成すること
ができる
The thermoelectric conversion material thin film 1 and the thermoelectric conversion material thin film 2 are formed by coating the film 5 with a thermoelectric conversion material. As a method of coating the thermoelectric conversion material, sputtering, ion beam sputtering, laser ablation, and other physical thin film forming methods can be employed. As another method of forming a thin film of a thermoelectric conversion material, it can be chemically synthesized from these solutions or pastes. The upper end current collecting electrode 3 is applied to the thermoelectric conversion material thin films 1 and 2 thus formed on the film 5.
And the lower end current collecting electrode 4 is formed. These collecting electrodes are usually formed by a vacuum evaporation method, a sputtering method, or another thin film forming method, but any other appropriate thin film forming method can be applied. When the film 5 as a support is a conductor film such as a metal film,
Prior to coating the thermoelectric conversion material thin films 1 and 2, an insulating film indicated by 9 is previously coated on the surface of the conductor film, and the surface of the insulating film 9 is coated with the thermoelectric conversion material thin films 1 and 2. Insulating film 9
Is a metal film 5 made of polyimide or other heat-resistant synthetic resin.
It can be formed firmly by applying it to the surface and drying it .

【0015】図2はフィルム5が金属フィルムである場
合を示している。10は熱源電極6’、6”とフィルム
5に取り付けた上端集電電極3とを接続するワイヤを示
す。熱源電極6’、6”は図示される通りのメッシュ状
熱源電極であり、冷却部電極7も図示される通りのメッ
シュ状冷却部電極である。以上の通りにして熱電変換素
子100が構成され、この上端にメッシュ状熱源電極
6’、6”を設置すると共に下端にメッシュ状冷却部電
極7を設置することにより熱電変換装置の組み立ては終
了する。熱源電極6’、6”および冷却部電極7は熱電
変換素子100が蛇行する幅にほぼ匹敵する幅および長
さを有するものとする。
FIG . 2 shows a case where the film 5 is a metal film.
Is shown. 10 is a heat source electrode 6 ', 6 "and a film
5 shows the wire connecting the upper end current collecting electrode 3 attached to
You. Heat source electrodes 6 'and 6 "are meshed as shown.
It is a heat source electrode, and the cooling unit electrode 7 is also a mesh as shown.
This is an electrode for a shuffling cooling unit. Thermoelectric conversion element
And a mesh-shaped heat source electrode
6 ', 6 "is installed and the mesh cooling unit
The installation of the thermoelectric conversion device is completed by installing the pole 7.
Complete. The heat source electrodes 6 ′ and 6 ″ and the cooling section electrode 7
The width and length are almost equal to the meandering width of the conversion element 100.
Shall have.

【0016】電極6’、6”および7をこの様にメッシ
ュ状電極に構成し、熱電変換装置を例えば自動車のラジ
エータ前面に熱源電極6’、6”を介して取り付けた様
な場合、冷却用の大気の取り入れを阻害することなしに
スムーズに大気を流通せしめながら、メッシュ状熱源電
極6’、6”とメッシュ状冷却部電極7との間に良好な
温度勾配を形成することができる。そして、支持体であ
るフィルム5をエンジニアリングプラスチック等により
構成すると、熱電変換素子100の熱伝導率が下がるこ
とにより熱電変換効率を上げることができる。
The electrodes 6 ', 6 "and 7 are thus meshed.
A thermoelectric converter, for example, in a car radio
As attached to the front of the eta via the heat source electrodes 6 'and 6 "
In this case, without interrupting the intake of cooling air
While allowing the air to flow smoothly, the mesh heat source
Between the poles 6 ′, 6 ″ and the mesh-shaped cooling section electrode 7
A temperature gradient can be formed. And on the support
Film 5 with engineering plastic
With this configuration, the thermal conductivity of the thermoelectric conversion element 100 may decrease.
Thus, the thermoelectric conversion efficiency can be increased.

【0017】上端電極は分割電極6’および6''分割電
極に2分されており、互いに対向する分割端縁には絶縁
材料より成る取り付け部70および70’が構成されて
いる。これはフィルム5両面に形成される熱電変換材料
薄膜が互いに極性を異にしていることに対応している。
絶縁膜9はポリイミドその他の耐熱性合成樹脂をフィル
ム5が金属フィルムである場合に表面に塗布して乾燥す
ることにより強固に形成する。
The upper end electrode is divided into split electrodes 6 'and 6''split electrodes, and mounting portions 70 and 70' made of an insulating material are formed at the split edges facing each other. This corresponds to the fact that the thermoelectric conversion material thin films formed on both surfaces of the film 5 have different polarities from each other.
The insulating film 9 is formed firmly by applying a polyimide or other heat-resistant synthetic resin to the surface when the film 5 is a metal film, followed by drying.

【0018】[0018]

【発明の効果】以上の通りであって、熱電変換材料の電
気導伝率の良好なものは一般に熱伝導率も良好であると
いう傾向があるが、この発明の薄膜熱電変換装置は、熱
電変換材料薄膜の支持体を構成するフィルムとして熱伝
導率の悪い絶縁材料使用することにより特に熱の放散伝
導を少くし、結果的に熱電変換素子の熱電変換効率を向
上することができる。
As described above, the thermoelectric conversion material having good electric conductivity generally has a good thermal conductivity. By using an insulating material having a low thermal conductivity as a film constituting the support of the material thin film, in particular, heat dissipation and conduction can be reduced, and as a result, the thermoelectric conversion efficiency of the thermoelectric conversion element can be improved.

【0019】そして、この発明は、熱電変換材料を薄板
或はフィルムの表面にコーティングし、薄板またはフィ
ルムをひだ状に折りたたみ、その両端に電極を設け、そ
の一方の電極に熱源を構成し、他方の電極に冷却部を構
成することにより両電極の間隔を大きくとることができ
る上に、ひだ状に構成することにより大気の冷媒の流通
を良くし、冷却面積を広げ、良好な冷却効率を得ること
ができる。これは、大きな温度差を両電極間に生成する
ことに貢献する。
According to the present invention, a thermoelectric conversion material is coated on the surface of a thin plate or a film, the thin plate or the film is folded in a pleated shape, electrodes are provided at both ends, one of the electrodes constitutes a heat source, and the other constitutes a heat source. By forming a cooling section on the electrode, the distance between the two electrodes can be increased, and by forming a pleated shape, the flow of air refrigerant is improved, the cooling area is increased, and good cooling efficiency is obtained. be able to. This contributes to creating a large temperature difference between the electrodes.

【0020】また、一般に熱電変換材料の効率の指標と
して Z=α2 σ/K ここで、α:ゼーベック係数、σ:電気伝導率、K:熱
伝導率 が定義されている。Zを大きくするにはαが大きいこと
は当然であるが、σが大きく、Kが小さい材料であるこ
とが必要となる。ところが、一般に、σが大きい材料は
Kも大きい傾向にあり、バルク状の熱電変換素子はこの
条件を同時に満することは困難である。ところが、支持
体フィルム表面に熱電変換材を薄膜に形成した場合、熱
の大部分は支持体フィルムを伝導することとなり、熱伝
導率を著しく小さくすることができる。支持体フィルム
として、特に、合成樹脂熱絶縁体等を使用することによ
り、熱伝導率を更に小さくすることができる。その結
果、熱電変換素子としての熱電変換効率を著しく向上に
することができる。
In general, Z = α2 σ / K, where α: Seebeck coefficient, σ: electric conductivity, and K: thermal conductivity are defined as indices of the efficiency of the thermoelectric conversion material. To increase Z, it is natural that α is large. However, a material having large σ and small K is required. However, generally, a material having a large σ tends to have a large K, and it is difficult for a bulk thermoelectric conversion element to simultaneously satisfy this condition. However, when the thermoelectric conversion material is formed in a thin film on the surface of the support film, most of the heat is conducted through the support film, and the thermal conductivity can be significantly reduced. In particular, by using a synthetic resin thermal insulator or the like as the support film, the thermal conductivity can be further reduced. As a result, the thermoelectric conversion efficiency as a thermoelectric conversion element can be significantly improved.

【0021】また、支持体フィルムの表面に熱電変換材
料薄膜を形成し、素子の面に平行な方向に電極を設ける
ことにより、熱源と冷却部の距離を離して大きな温度勾
配を設定することができ、且つ、支持体フィルムの熱伝
導率を下げて熱電変換素子としての変換効率を上げ、全
体として効率の良い熱電変換装置を構成することができ
る。
Further, by forming a thin film of thermoelectric conversion material on the surface of the support film and providing electrodes in a direction parallel to the surface of the element, it is possible to set a large temperature gradient by increasing the distance between the heat source and the cooling section. In addition, the conversion efficiency of the thermoelectric conversion element can be increased by lowering the thermal conductivity of the support film, and a highly efficient thermoelectric conversion device can be constituted as a whole.

【0022】更に、極性を異にするn型およびp型の熱
電変換材料薄膜を支持体フィルムの両面にそれぞれ形成
し、低温部と高温部の極性を逆に構成して両薄膜を直列
接続したことにより、低温部、高温部に発生する電位が
正、負逆となり、2倍の電圧を得ることができる。ま
た、電極をメッシュ状電極に構成することにより、熱電
変換装置を自動車のラジエータ前面に熱源電極を介して
取り付けた様な場合、冷却用の大気の取り入れを阻害す
ることなしにスムーズに大気を流通せしめながら、メッ
シュ状熱源電極とメッシュ状冷却部電極との間に良好な
温度勾配を形成することができる。
Further, n-type and p-type thermoelectric conversion material thin films having different polarities were formed on both surfaces of the support film, and the polarities of the low-temperature portion and the high-temperature portion were reversed to connect both thin films in series. As a result, the potentials generated in the low-temperature portion and the high-temperature portion become positive and negative, and a double voltage can be obtained. In addition, by configuring the electrodes as mesh electrodes, when the thermoelectric converter is mounted on the front of the radiator of a car via a heat source electrode, the air flows smoothly without obstructing the intake of cooling air. A good temperature gradient can be formed between the mesh-shaped heat source electrode and the mesh-shaped cooling portion electrode.

【0023】この発明に依り、フィルムの表面に熱電変
換材料薄膜をコーティングし、温度差を形成されるべき
熱電変換材料の薄膜部分に電極を取り付ける構成を採用
して様々な形状に加工し易く、且つ熱電変換効率の良好
な薄膜熱電変換装置を提供することができる。
According to the present invention, a thin film of the thermoelectric material is coated on the surface of the film, and an electrode is attached to the thin film portion of the thermoelectric material to be formed with a temperature difference. In addition, a thin-film thermoelectric conversion device having good thermoelectric conversion efficiency can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施例を説明する図。FIG. 1 illustrates an embodiment.

【図2】図1の実施例の断面を示す図。FIG. 2 shows a cross section of the embodiment of FIG.

【図3】従来例を説明する図。FIG. 3 illustrates a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 熱電変換材料薄膜 2 熱電変換材料薄膜 3 端縁部 4 端縁部 5 支持体フィルム 6 熱源電極 6’分割電極 6''分割電極 7 冷却部電極 8 絶縁性接着剤 9 絶縁膜 10 接続ワイヤ 70 取り付け部 70’取り付け部 100 熱電変換素子 REFERENCE SIGNS LIST 1 thermoelectric conversion material thin film 2 thermoelectric conversion material thin film 3 edge 4 edge 5 support film 6 heat source electrode 6 ′ split electrode 6 ″ split electrode 7 cooling unit electrode 8 insulating adhesive 9 insulating film 10 connecting wire 70 Mounting part 70 'Mounting part 100 Thermoelectric conversion element

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 薄板状支持体或はフィルム状支持体の一
方の表面に一方の導電型の熱電変換材料薄膜を成膜する
と共に他方の表面に他方の導電型の熱電変換材料薄膜を
成膜して熱電変換素子を構成し、熱電変換材料薄膜の互
に対向する端縁部に熱源電極或は冷却部電極を取り付
け、ここで熱源電極或は冷却部電極の内の一方は分割電
極として各別に熱電変換材料薄膜に取り付けたことを特
徴とする薄膜熱電変換装置。
1. A thermoelectric conversion material thin film of one conductivity type is formed on one surface of a thin plate-shaped support or a film-shaped support, and a thermoelectric conversion material thin film of another conductivity type is formed on the other surface. A thermoelectric conversion element is formed, and a heat source electrode or a cooling unit electrode is attached to mutually facing edges of the thermoelectric conversion material thin film, where one of the heat source electrode or the cooling unit electrode is a split electrode. A thin-film thermoelectric converter separately attached to a thermoelectric conversion material thin film.
【請求項2】 請求項1に記載される薄膜熱電変換装置
において、 薄板状支持体或はフィルム状支持体は絶縁材料により構
成したことを特徴とする薄膜熱電変換装置。
2. The thin-film thermoelectric conversion device according to claim 1, wherein the thin plate-like support or the film-like support is made of an insulating material.
【請求項3】 請求項1に記載される薄膜熱電変換装置
において、 薄板状支持体或はフィルム状支持体は導電体フィルム表
面に絶縁膜をコーティングしたものより成ることを特徴
とする薄膜熱電変換装置。
3. The thin-film thermoelectric conversion device according to claim 1, wherein the thin plate-like support or the film-like support is formed by coating a conductive film surface with an insulating film. apparatus.
【請求項4】 請求項1ないし請求項の内の何れかに
記載される薄膜熱電変換装置において、 熱電変換素子は長さ方向に蛇行屈曲せしめたものである
ことを特徴とする薄膜熱電変換装置。
4. The thin film thermoelectric conversion device described in any of the claims 1 to 3, the thermoelectric conversion element is a thin film thermoelectric conversion, characterized in that in which was allowed meandering bent in the longitudinal direction apparatus.
【請求項5】 請求項1ないし請求項の内の何れかに
記載される薄膜熱電変換装置において、 熱源電極および冷却部電極はメッシュ状電極であること
を特徴とする薄膜熱電変換装置。
5. The thin film thermoelectric conversion device described in any of the claims 1 to 4, the thin film thermoelectric converter, wherein the heat source electrode and the cooling unit electrode is a mesh-like electrode.
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