JP3163718U - 静電容量式タッチセンサー - Google Patents

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Abstract

【課題】静電容量検知構造の外観平坦度と透光率の均一性が改善され、雑音静電容量値が低減される静電容量式タッチセンサーを提供する。【解決手段】第1軸検知層と、第2軸検知層と、両検知層の間を隔離し、重畳して接合される絶縁層を包含する。各検知層は基板の主表面上に形成され、必要な図形が画定される。図形は複数の相互に平行に配列されたトレース及び廃棄エッチングエリアを具える。トレースは、複数の相互に接続された静電容量検知ユニットを具え、廃棄エッチングエリアは、複数の不連続の小面積ユニットに分割される。【選択図】図4

Description

本考案は一種の静電容量式タッチセンサーであり、透光率の均一性を改善し並びに雑音静電容量値を減らした静電容量式タッチセンサーに関する。
静電容量式タッチセンサーは使用者の手指或いは導体がパネルに接触した瞬間に静電容量を発生し、その後静電容量値の変化により手指或いは導体の位置を確定し、これにより信号入力の目的を達成する。静電容量式タッチパネルは手指で入力を行えるため、入力操作の便利性を有し、且つその入力操作は圧迫を必要とせず、パネルに反復応力、変形を受けさせて損害をもたらすという欠点がない。また、その構造は簡単で、部品が少なく、製品歩留りが高く、並びに大量生産に適合し製造コストを減らすことができ、ゆえに、次第に通信、コンピュータ及び消費性電子製品等の方面で広く使用されるようになった。
周知のタッチパネルの静電容量式タッチセンサーは複数のX軸トレースとY軸トレースを有し、このX軸トレース、Y軸トレースに複数の、相互に接続された静電容量検知ユニットが設けられ、これらX軸トレースとY軸トレースは相互に交錯し絶縁されて設置され、X軸トレース、Y軸トレース上の各静電容量検知ユニットは略マトリクス状に配列されて該タッチパネルの作業エリア内に配置される。通常、X軸トレースとY軸トレースは透明導電薄膜、例えばITO材料が採用され、エッチング工程で不要な部分が除去され、各静電容量検知ユニットが画定され、X軸トレース、Y軸トレース上の各静電容量検知ユニット相互の間に適宜幅の間隙が形成されて、絶縁設置の目的が達成される。しかし、これらの静電容量検知ユニットの設置部位とエッチングされて除去される部位(すなわち導電薄膜の中空部分)は異なる透光率を有し、ゆえに、パネルを通過する光線の屈折が不均一となり、このために人の目で観察する時に、明らかな図形が発生することがあり、特にそれがスクリーンの前に配置されて使用される時、スクリーン映像の変形、ぼけ、ひずみの問題を形成した。
本考案の目的は、一種の改善された静電容量式タッチセンサーを提供することにあり、それは、透明導電膜に精細なエッチング線で必要なパターンが画定され、これにより大幅に導電膜上の中空部分が減らされ、これにより静電容量検知構造の外観平坦度と透光率の均一性が改善され、該タッチパネル底部スクリーンの像のぼけ、ひずみの問題が改善され、また、エッチング線の利用により該導電膜上の廃棄エッチングエリア(Waste etching area)が分割され不連続の比較的小面積のユニットとされ、これにより雑音静電容量値が減らされたものとする。
上述の目的を達成するため、本考案の提供する静電容量式タッチセンサーは、第1軸検知層、第2軸検知層、及び第1軸検知層と第2軸検知層の間に設置された絶縁層を包含する。そのうち、第1軸検知層は、第1基板の第1主表面上に形成され、該第1軸検知層上に必要な図形がエッチング線で画定され、該図形は複数の、相互に平行に配列された第1軸トレース及び廃棄エッチングエリアを具えている。該図形は複数の、相互に平行に配列された第1軸トレース及び廃棄エッチングエリアを具え、且つ各該第1軸トレースは複数の相互に接続された静電容量検知ユニットを具えている。同様に、該第2軸検知層は第2基板の第2主表面上に形成され、該第2軸検知層上にエッチングにより必要な図形が画定され、該図形は複数の相互に平行に配列された第2軸トレースと廃棄エッチングエリアを具え、且つ各第2軸トレースは複数の、相互に接続された静電容量検知ユニットを具え、これら廃棄エッチングエリアは複数不連続の小面積ユニットに分割されている。前述の第1軸検知層と第2軸検知層の間は該絶縁層で隔離され、重畳されて接合され透明板体を構成し、並びに該第1軸トレースと第2軸トレースは直交するように設置され、第1軸トレースと第2軸トレースの各静電容量検知ユニットが略マトリクス状に配列される。また、前述の各第1軸トレースと第2軸トレースの一端縁はそれぞれこれら検知層辺縁の信号ガイドルートに電気的に接続され、静電容量検知信号が該信号ガイドルートを通り後続の信号処理回路に送られる。
特に、前述のエッチング線は、エッチング工程により透明導電膜上に加工形成され、該エッチング工程はドライエッチング工程、例えばレーザーエッチング、プラズマエッチングなどが採用され、また、ウェットエッチング工程、例えば、プリントエッチング、リソグラフィーエッチング、インクジェットエッチング等の技術手段が用いられる。
特に、前述の第1軸検知層と第2軸検知層は良好な導電特性を有する透明導電薄膜とされ、その材料は、酸化インジウム錫、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛アルミニウム、或いはPEDOT等とされるが、実施の材料はこれらに限定されるわけではない。
特に、絶縁層は、透明絶縁接着層とされ、例えば、UV接着剤(紫外線硬化樹脂)、光学(OCA)接着剤、イソプレン(IR)接着剤等とされる。
特に、エッチング線は150μm以下の横向き幅を有する。
特に、エッチング線の設置深さは前述の第1軸検知層或いは第2軸検知層の導電膜を完全に裁断し、導電膜を分離して絶縁された二つの部分となす。
本考案の静電容量式タッチセンサーは、透明導電膜に精細なエッチング線で必要なパターンが画定され、これにより大幅に導電膜上の中空部分が減らされ、これにより静電容量検知構造の外観平坦度と透光率の均一性が改善され、該タッチパネル底部のスクリーンの像のぼけ、ひずみの問題が改善され、また、エッチング線の利用により該導電膜上の廃棄エッチングエリア(Waste etching area)が分割され不連続の比較的小面積のユニットとされ、これにより雑音静電容量値が減らされる。
本考案の第1実施例の部品組合せの平面図である。 本考案の第1実施例の部品組合せの側面断面図である。 本考案の第1実施例の底基板の平面図である。 図3のA部分の拡大図である。 図4のC−C断面図である。 図4のD−D断面図である。 本考案の第1実施例の上パネルの平面図である。 本考案の第1実施例の底基板の平面図である。 本考案の第2実施例の上パネルの平面図である。 本考案の第2実施例の底基板の平面図である。 本考案の第2実施例の部品組合せの側面断面図である。
本考案の技術内容、構造特徴、達成する目的を詳細に説明するため、以下に実施例を挙げ並びに図面を組み合わせて説明する。
図1から図2は本考案の好ましい実施例を示す。該静電容量式タッチセンサーは、底基板1と上パネル2を包含し、該底基板1と該上パネル2の表面にそれぞれ静電容量検知層12、22が設けられ、並びに接着層3で二つの板体が重ね合わされて接着されて透明板体とされている。
そのうち、該底基板1と該上パネル2は高透光率材質で且つ平面式或いは非平面式薄板とされ、その材料は、ガラス薄板或いは其の他の各種のフレキシブル薄板、例えば、ポリカーボネート(PC)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、或いはシクロオレフィンコポリマー(COC)とされる。ただし、実施の材料範囲は前述の材料に限定されず、各種の軟質或いは硬質薄板が適用され得る。
該接着層3は絶縁特性を有する透明UV接着剤、OCA接着剤或いはIR接着剤とされ得る。
さらに、図3から図4に示されるように、該底基板1の上表面に下方検知層12が設けられ、該下方検知層12は酸化インジウム錫材料で形成された透明導電薄膜とされ、且つエッチング工程で透明導電膜上にエッチング線13が形成されて必要な図形が画定されている。該エッチング工程には、ドライエッチング工程、例えばレーザーエッチング、プラズマエッチングなどが採用され、また、ウェットエッチング工程、例えば、プリントエッチング、リソグラフィーエッチング、インクジェットエッチング等の技術手段が用いられ得る。
該透明導電膜上の図形は、複数の相互に平行に配列されたX軸トレース121と廃棄エッチングエリア122を包含し、各X軸トレース121は複数の、相互に接続され略菱形を呈する静電容量検知ユニット121aを具え、且つ前述の各X軸トレース121の1端縁はそれぞれ該底基板1辺縁の信号ガイドルート14に電気的に接続されている。これら廃棄エッチングエリア122は複数の不連続の小面積ユニット122aに分割されている。
同様に、図6に示されるように、該上パネル2の底表面に、上方検知層22が設けられ、上方検知層22は酸化インジウム錫材料で形成された透明導電薄膜とされ、且つエッチング工程で透明導電膜上にエッチング線23が形成されて必要な図形が画定されている。
この図形は、複数の相互に平行に配列されたY軸トレース221と廃棄エッチングエリア222を包含し、各Y軸トレース221は複数の、相互に接続され略菱形を呈する静電容量検知ユニットを221aを具え、且つ前述の各Y軸トレース221の1端縁はそれぞれ該上パネル2辺縁の信号ガイドルート24に電気的に接続されている。これら廃棄エッチングエリア222は複数の不連続の小面積ユニット222aに分割されている。
このほか、上パネル2の底表面と該上方検知層22との間の外周縁近くの部分に金属スパッタにより形成された有色カバーフレーム21が設けられ、それはちょうど上パネル2と底基板1辺縁の信号ガイドルート14、24を遮蔽する。
図5に示されるように、前述のエッチング線13、23は約150μm以下の横向き幅を具え、且つその設置深さは、該透明導電膜を完全に裁断し、導電膜は絶縁された二つの部分に分離される。
組合せ時には、前述の上方検知層22と下方検知層12の間は該絶縁性の接着層3により重ね合わされ接合されて透明板体が形成される。並びにY軸トレース221とX軸トレース121の間は直交設置され、Y軸トレース221、X軸トレース121の各静電容量検知ユニット121a、221aは略マトリクス状に配置される。その上方検知層22、下方検知層12がトリガする検知信号はこれら信号ガイドルート14、24を通り後続の信号処理回路に伝送される。
上述の説明で構成される静電容量式タッチセンサーは、X軸トレース121と信号ガイドルート14の間に等価静電容量が形成され、及びY軸トレース221と信号ガイドルート24の間にも等価静電容量が存在する。これにより、手指或いは導体がタッチパネル表面に接触或いは滑る時、信号処理回路は静電容量の変化により、導体或いは手指の接触位置を判断する。これにより、本考案のタッチパネルは高透明度を有する板体とされ、これにより、電子製品のスクリーン前に表示され、使用者にスクリーン画面上の支持を手指をパネルの必要な位置に接触することで行わせ、これにより入力操作に便利としている。
前述の本考案の実施例の静電容量式タッチセンサーは、レーザーエッチング工程により導電膜上に直接エッチング線で精細に必要な静電容量検知ユニット部分を画定し、これにより大幅に静電容量検知層12、22上の中空部分の比例を減らし、外観の平坦度とタッチパネルの透光率均一度をアップし、像のぼけ、ひずみの欠点を改善する。また、これら廃棄エッチングエリアが小面積ユニットに分割されることで、有効に雑音静電容量値を減らし、雑音干渉防止の目的を達成する。
また、図8から図11に示されるのは、本考案の第2実施例であり、その全体構造は、前述の第1実施例とほぼ同じであるが、主要な違いは、下方検知層12’が該底基板1’の下方表面に設置され、接着層3’により、上パネル2’、上方検知層22’と底基板1’、下方検知層12’が重ね合わされ接着されて一つの透明板体とされていることである(図11)。
このほか、その上方検知層22’、下方検知層12’上に形成された図形様式は異なり、すなわち、底基板1’底面の下方検知層12’のエッチング線13’の画定した図形は複数の、相互に平行に配列されたX軸トレース121’及び廃棄エッチングエリア122’を包含し、各X軸トレース121’の静電容量検知ユニットはX軸方向に延伸された矩形面積を呈し、且つ各X軸トレース121’の1端縁は該底基板1’辺縁の信号ガイドルート14’に電気的に接続され、これら廃棄エッチングエリア122’は複数の略細長矩形の小面積ユニット122a’に分割されている。
上パネル2’の底表面の上方検知層22’にエッチング線23’で画定された図形は複数の、相互に平行に配列されたY軸トレース221’及び廃棄エッチングエリア222’を包含し、各Y軸トレース221’の静電容量検知ユニットはY軸方向に延伸された矩形面積を呈し、且つ各Y軸トレース221’の1端縁は該上パネル2’辺縁の信号ガイドルート24’に電気的に接続され、これら廃棄エッチングエリア222’は複数の矩形の小面積ユニット222a’に分割されている。
これら検知層上に形成される、異なる図形様式の変更もまた前述の第1実施例と同じ或いは類似の作用効果を達成でき、ゆえに、その前述の第1実施例と同一の部分については説明を省略する。
1 底基板
2 上パネル
12、22 検知層
3 接着層
121 X軸トレース
122 廃棄エッチングエリア
121a 静電容量検知ユニット
14、24 信号ガイドルート
23 エッチング線
221 Y軸トレース
222 廃棄エッチングエリア
122a、222a 小面積ユニット
21 有色カバーフレーム

Claims (5)

  1. 第1軸検知層であって、第1基板の第1主表面上に形成され、該第1軸検知層上に必要な図形がエッチング線で画定され、該図形は複数の、相互に平行に配列された第1軸トレース及び廃棄エッチングエリアを具え、且つ各該第1軸トレースは複数の相互に接続された静電容量検知ユニットを具え、これら廃棄エッチングエリアは複数の不連続の小面積ユニットに分割されている、上記第1軸検知層と、
    第2軸検知層であって、第2基板の第2主表面上に形成され、該第2軸検知層上にエッチングにより必要な図形が画定され、該図形は複数の相互に平行に配列された第2軸トレースと廃棄エッチングエリアを具え、且つ各第2軸トレースは複数の、相互に接続された静電容量検知ユニットを具え、これら廃棄エッチングエリアは複数不連続の小面積ユニットに分割されている、上記第2軸検知層と、
    絶縁層であって、前述の第1軸検知層と第2軸検知層の間を隔離すると共に重畳して接合して透明板体を構成し、並びに該第1軸トレースと第2軸トレースは直交するように設置され、これにより第1軸トレースと第2軸トレースの各静電容量検知ユニットが略マトリクス状に配列され、前述の各第1軸トレースと第2軸トレースの一端縁はそれぞれこれら検知層の辺縁の信号ガイドルートに電気的に接続され、静電容量検知信号が該信号ガイドルートを通り後続の信号処理回路に送られる、上記絶縁層と、
    を包含したことを特徴とする、静電容量式タッチセンサー。
  2. 請求項1記載の静電容量式タッチセンサーにおいて、該第1軸検知層と該第2軸検知層は良好な導電特性を有する透明導電薄膜とされ、その材料は、酸化インジウム錫、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛アルミニウム、或いはPEDOTより選択されることを特徴とする、静電容量式タッチセンサー。
  3. 請求項1記載の静電容量式タッチセンサーにおいて、該絶縁層は透明な絶縁性接着層とされることを特徴とする、静電容量式タッチセンサー。
  4. 請求項1記載の静電容量式タッチセンサーにおいて、該エッチング線の設置深さはちょうど前述の第1軸検知層と第2軸検知層の導電膜を完全に裁断し、導電膜を絶縁された二つの部分に分割することを特徴とする、静電容量式タッチセンサー。
  5. 請求項1記載の静電容量式タッチセンサーにおいて、該エッチング線は約150μm以下の横向き幅を有することを特徴とする、静電容量式タッチセンサー。
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