JP3158637B2 - 材料改質方法およびこれに使用する溶接ワイヤ - Google Patents
材料改質方法およびこれに使用する溶接ワイヤInfo
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- JP3158637B2 JP3158637B2 JP11147492A JP11147492A JP3158637B2 JP 3158637 B2 JP3158637 B2 JP 3158637B2 JP 11147492 A JP11147492 A JP 11147492A JP 11147492 A JP11147492 A JP 11147492A JP 3158637 B2 JP3158637 B2 JP 3158637B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属材料を部分的に耐
磨耗性に優れた材質に改質する材料改質方法およびこれ
に使用する溶接ワイヤに関する。
磨耗性に優れた材質に改質する材料改質方法およびこれ
に使用する溶接ワイヤに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＣＯ2 問題への対応など自動車を
取り巻く環境が厳しくなってきており、その対策手段と
して車両の軽量化が求められている。そのなかで、リサ
イクルが容易という面でアルミニウムおよびマグネシウ
ムなどの軽量化材が多用されてきている。このような軽
量化材を採用する場合、従来の鉄鋼材料と比べると、剛
性が低く接触部分（摺接部位）の耐磨耗性が劣るという
欠点がある。
取り巻く環境が厳しくなってきており、その対策手段と
して車両の軽量化が求められている。そのなかで、リサ
イクルが容易という面でアルミニウムおよびマグネシウ
ムなどの軽量化材が多用されてきている。このような軽
量化材を採用する場合、従来の鉄鋼材料と比べると、剛
性が低く接触部分（摺接部位）の耐磨耗性が劣るという
欠点がある。
【０００３】この耐磨耗性を向上させる手段として、 鉄鋼製のパット材を張り付ける， 硬質アルマイトなどの表面処理を施す， セラミック粒子を混入した粗材（ＭＭＣ）を用いる， 鉄鋼材またはＭＭＣ材を鋳包む， 等の方法が考えられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これら〜
はそれぞれ下記のデメリットを有している。
はそれぞれ下記のデメリットを有している。
【０００５】パット材を張り付けるリベット，ボルト
などの締結手段が必要となるため、製作上コスト高とな
る。
などの締結手段が必要となるため、製作上コスト高とな
る。
【０００６】硬質アルマイト層は、精々50〜200 μｍ
と薄くしかも脆く破壊しやすいため、信頼性にかける。
と薄くしかも脆く破壊しやすいため、信頼性にかける。
【０００７】粗材（ＭＭＣ）自体が高価でありしかも
切削加工性が悪い。また、磨耗部位のみでなく、特性上
必要でない部位までＭＭＣ複合材となりコストアップと
なる。
切削加工性が悪い。また、磨耗部位のみでなく、特性上
必要でない部位までＭＭＣ複合材となりコストアップと
なる。
【０００８】鉄鋼材またはＭＭＣ材の鋳包み工程は難
度が高く、不良率が高い。また、鋳包み材を予め切削加
工する必要があるので、総合的にみてコストアップとな
る。
度が高く、不良率が高い。また、鋳包み材を予め切削加
工する必要があるので、総合的にみてコストアップとな
る。
【０００９】これらのデメリットを鑑み、本出願人は、
先に前記の粗材（ＭＭＣ）を必要な部位（磨耗部位）
にのみ施すようにした技術を開発した（特開平3-254391
号広報参照）。この技術は、図５に示すように、セラミ
ック母粒子ａにアルミ子粒子ｂを被覆させた二重カプセ
ル粒子ｃを製造し、この二重カプセル粒子ｃを鞘材ｄの
中に充填させて溶接ワイヤｅを製造し、この溶接ワイヤ
ｅを用いて改質対象となる磨耗部位ｆに肉盛り溶接し、
溶接ビード中にセラミック母粒子ａを分散させて磨耗部
位ｆの耐磨耗性向上を図ったものである。
先に前記の粗材（ＭＭＣ）を必要な部位（磨耗部位）
にのみ施すようにした技術を開発した（特開平3-254391
号広報参照）。この技術は、図５に示すように、セラミ
ック母粒子ａにアルミ子粒子ｂを被覆させた二重カプセ
ル粒子ｃを製造し、この二重カプセル粒子ｃを鞘材ｄの
中に充填させて溶接ワイヤｅを製造し、この溶接ワイヤ
ｅを用いて改質対象となる磨耗部位ｆに肉盛り溶接し、
溶接ビード中にセラミック母粒子ａを分散させて磨耗部
位ｆの耐磨耗性向上を図ったものである。
【００１０】しかし、本発明者等がこの肉盛り溶接実験
を繰り返した結果、適正溶接条件の範囲が非常に狭く、
溶接条件が少しでも悪いと、図５に示すように非導電性
で高融点のセラミック母粒子ａが溶融しないで糸状に残
存ｇしてしまうことが解った。この場合、セラミック母
粒子ａが磨耗部位ｆに均一に分散することはなく、耐磨
耗性は全く向上しない。
を繰り返した結果、適正溶接条件の範囲が非常に狭く、
溶接条件が少しでも悪いと、図５に示すように非導電性
で高融点のセラミック母粒子ａが溶融しないで糸状に残
存ｇしてしまうことが解った。この場合、セラミック母
粒子ａが磨耗部位ｆに均一に分散することはなく、耐磨
耗性は全く向上しない。
【００１１】以上の事情を考慮して創案された本発明の
目的は、セラミック粒子を改質層内に均一に分散するこ
とができる材料改質方法およびこれに仕様する溶接ワイ
ヤを提供することにある。
目的は、セラミック粒子を改質層内に均一に分散するこ
とができる材料改質方法およびこれに仕様する溶接ワイ
ヤを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る材料改質方法は、アルミ母粒子にセラミ
ック子粒子を被覆させ、さらにこの上にアルミ孫粒子を
被覆してなる三重カプセル粒子を製造し、この三重カプ
セル粒子をアルミ鞘材の中に充填して溶接ワイヤを製造
し、この溶接ワイヤを改質対象となる部分に肉盛り溶接
するようにしたものである。
に本発明に係る材料改質方法は、アルミ母粒子にセラミ
ック子粒子を被覆させ、さらにこの上にアルミ孫粒子を
被覆してなる三重カプセル粒子を製造し、この三重カプ
セル粒子をアルミ鞘材の中に充填して溶接ワイヤを製造
し、この溶接ワイヤを改質対象となる部分に肉盛り溶接
するようにしたものである。
【００１３】また、本発明に係る溶接ワイヤは、改質対
象となる部分に肉盛り溶接するための溶接ワイヤにおい
て、アルミ母粒子にセラミック子粒子を被覆させ、さら
にこの上にアルミ孫粒子を被覆した三重カプセル粒子を
製造し、この三重カプセル粒子をアルミ鞘材の中に充填
して構成されている。
象となる部分に肉盛り溶接するための溶接ワイヤにおい
て、アルミ母粒子にセラミック子粒子を被覆させ、さら
にこの上にアルミ孫粒子を被覆した三重カプセル粒子を
製造し、この三重カプセル粒子をアルミ鞘材の中に充填
して構成されている。
【００１４】
【作用】上記溶接ワイヤを用いて肉盛り溶接すると、三
重カプセル粒子を構成する最内殻のアルミ母粒子と最外
郭のアルミ孫粒子とが溶融し、それらの中間に挟まれた
セラミック子粒子を包含しつつ溶滴が形成される。よっ
て、セラミック子粒子を改質層内に均一に分散させるこ
とができる。
重カプセル粒子を構成する最内殻のアルミ母粒子と最外
郭のアルミ孫粒子とが溶融し、それらの中間に挟まれた
セラミック子粒子を包含しつつ溶滴が形成される。よっ
て、セラミック子粒子を改質層内に均一に分散させるこ
とができる。
【００１５】
【実施例】以下に本発明の一実施例を添付図面に基づい
て説明する。
て説明する。
【００１６】先ずアルミ母粒子とそれより小径なセラミ
ック子粒子を用意し、アルミ粒子の周囲にセラミック粒
子を静電付着させ、これを8000〜16000rpmの回転翼を備
えた容器（遠心転動装置）の中に投入し、1 〜10分間、
高速気流中で衝撃力を与える。この衝撃作用により、セ
ラミック子粒子がアルミ母粒子の表面に強固に付着し
て、二重カプセル粒子が得られる。次に、この二重カプ
セル粒子の周囲にアルミ孫粒子を静電付着させた後、こ
れらを再び上記遠心転動装置によって強固に付着させ、
図１に示す如き、アルミ母粒子１，セラミック子粒子
２，アルミ孫粒子３からなる三重カプセル粒子４を製造
する。
ック子粒子を用意し、アルミ粒子の周囲にセラミック粒
子を静電付着させ、これを8000〜16000rpmの回転翼を備
えた容器（遠心転動装置）の中に投入し、1 〜10分間、
高速気流中で衝撃力を与える。この衝撃作用により、セ
ラミック子粒子がアルミ母粒子の表面に強固に付着し
て、二重カプセル粒子が得られる。次に、この二重カプ
セル粒子の周囲にアルミ孫粒子を静電付着させた後、こ
れらを再び上記遠心転動装置によって強固に付着させ、
図１に示す如き、アルミ母粒子１，セラミック子粒子
２，アルミ孫粒子３からなる三重カプセル粒子４を製造
する。
【００１７】ここで、上記アルミ母粒子１，セラミック
子粒子２，アルミ孫粒子３の粒径および重量比は、次の
ように設定することが望ましい。
子粒子２，アルミ孫粒子３の粒径および重量比は、次の
ように設定することが望ましい。
【００１８】 粒径〔μｍ〕 重量比〔±5 〕 材質 アルミ母粒子１ 100 〜500 65 アルミorアルミ合金 セラミック子粒子２ 50 以下 30 セラミック アルミ孫粒子３ 50 以下 5 アルミorアルミ合金 上記粒径に決定した理由は、前記遠心転動装置を用いた
高速気流衝撃法によって粒子同志を付着させる際には、
母粒子：子粒子＝10：1 〜10：4 が望ましいからであ
る。また、上記重量比に決定した理由は、孫粒子はカプ
セル粒子の最外層を形成させるものなので、本来ならば
（母＋子) ：孫の重量比を10：1 〜10：4にすることが
望ましいが、孫を多くすると子のセラミック成分が少な
くなり、硬質肉盛りとならないため、孫の重量比を小さ
くした。なお、セラミック子粒子２の具体的な材質とし
ては、Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＳｉＣ，Ａｌ2 Ｏ3 等が挙げられ
る。
高速気流衝撃法によって粒子同志を付着させる際には、
母粒子：子粒子＝10：1 〜10：4 が望ましいからであ
る。また、上記重量比に決定した理由は、孫粒子はカプ
セル粒子の最外層を形成させるものなので、本来ならば
（母＋子) ：孫の重量比を10：1 〜10：4にすることが
望ましいが、孫を多くすると子のセラミック成分が少な
くなり、硬質肉盛りとならないため、孫の重量比を小さ
くした。なお、セラミック子粒子２の具体的な材質とし
ては、Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＳｉＣ，Ａｌ2 Ｏ3 等が挙げられ
る。
【００１９】次に、図３に示すように、この三重カプセ
ル粒子４を充填するアルミ鞘材を製作する。先ず、厚さ
0.3mm 程度のアルミ（アルミ合金）製薄板５をＵ字状に
曲げ、そこに上記三重カプセル粒子４を載置した後、筒
状に成形し、継ぎ目部分６を接合７し、図示しないダイ
スによって線引きして小径化し、直径0.8 〜1.6mm 程度
の溶接ワイヤ８を形成する。また、上記薄板５を筒状に
形成し、その内部に上記三重カプセル粒子４を充填する
ようにしてもよい。また、上記継ぎ目部分６の接合７を
省略してもよい。かかる作業によって製作された溶接ワ
イヤ８を図４に示す。
ル粒子４を充填するアルミ鞘材を製作する。先ず、厚さ
0.3mm 程度のアルミ（アルミ合金）製薄板５をＵ字状に
曲げ、そこに上記三重カプセル粒子４を載置した後、筒
状に成形し、継ぎ目部分６を接合７し、図示しないダイ
スによって線引きして小径化し、直径0.8 〜1.6mm 程度
の溶接ワイヤ８を形成する。また、上記薄板５を筒状に
形成し、その内部に上記三重カプセル粒子４を充填する
ようにしてもよい。また、上記継ぎ目部分６の接合７を
省略してもよい。かかる作業によって製作された溶接ワ
イヤ８を図４に示す。
【００２０】そして、図２に示すように、この溶接ワイ
ヤ８をＭＩＧ溶接装置９にセットすると共に、その前方
にＴＩＧ溶接トーチ１０を直列状に配置する。ＭＩＧ溶
接装置９は、不活性ガスを吹き出すためのノズル１１
と、溶接ワイヤ８を順次繰り出すためのワイヤ供給機構
（図示せず）とを備え、溶接ワイヤ８を消耗電極として
アーク溶接を行うようになっている。他方、ＴＩＧ溶接
トーチ１０は、アークを発生させるための電極１２と、
不活性ガスを吹き出すためのノズル１３とを備えてい
る。
ヤ８をＭＩＧ溶接装置９にセットすると共に、その前方
にＴＩＧ溶接トーチ１０を直列状に配置する。ＭＩＧ溶
接装置９は、不活性ガスを吹き出すためのノズル１１
と、溶接ワイヤ８を順次繰り出すためのワイヤ供給機構
（図示せず）とを備え、溶接ワイヤ８を消耗電極として
アーク溶接を行うようになっている。他方、ＴＩＧ溶接
トーチ１０は、アークを発生させるための電極１２と、
不活性ガスを吹き出すためのノズル１３とを備えてい
る。
【００２１】これらＴＩＧ溶接トーチ１０およびＭＩＧ
溶接装置９を改質対象の部位１４、例えばアルミ製シリ
ンダヘッドの弁間部（ピストンのリングトレー，ロッカ
ーアームのカム当り面、シリンダ内面のピストン上死点
近傍部など）に沿って移動させる。すると、先行するＴ
ＩＧ溶接トーチ１０により改質対象部位１４であるアル
ミ母材１４が溶融されて溶融層１５が形成されると共
に、この溶融層１５に溶接ワイヤ８の溶滴１６が加えら
れ、溶滴１６の三重カプセル粒子４中のセラミック子粒
子２が付加された合金層１７（肉盛り部）が得られる。
溶接装置９を改質対象の部位１４、例えばアルミ製シリ
ンダヘッドの弁間部（ピストンのリングトレー，ロッカ
ーアームのカム当り面、シリンダ内面のピストン上死点
近傍部など）に沿って移動させる。すると、先行するＴ
ＩＧ溶接トーチ１０により改質対象部位１４であるアル
ミ母材１４が溶融されて溶融層１５が形成されると共
に、この溶融層１５に溶接ワイヤ８の溶滴１６が加えら
れ、溶滴１６の三重カプセル粒子４中のセラミック子粒
子２が付加された合金層１７（肉盛り部）が得られる。
【００２２】詳しくは、上記溶接ワイヤ８を用いて肉盛
り溶接すると、三重カプセル粒子４を構成する最内殻の
アルミ母粒子１と最外郭のアルミ孫粒子３とが溶融し、
それらの中間に挟まれたセラミック子粒子２を包含しつ
つ溶滴１６が形成される。従って、この溶滴１６内に
は、セラミック子粒子２が均一に分散することになる。
また、粒径が大きい母粒子１が良導体のアルミからなっ
ているので、溶接ワイヤ８内を流れる電流が均一とな
り、健全な溶滴１６が形成される。このように、セラミ
ック子粒子２がアルミで包含され均一に分散した溶滴１
６が溶融層１５に加えられることとなり、改質対象部位
１４中にセラミック子粒子２を均一に分散させることが
できる。
り溶接すると、三重カプセル粒子４を構成する最内殻の
アルミ母粒子１と最外郭のアルミ孫粒子３とが溶融し、
それらの中間に挟まれたセラミック子粒子２を包含しつ
つ溶滴１６が形成される。従って、この溶滴１６内に
は、セラミック子粒子２が均一に分散することになる。
また、粒径が大きい母粒子１が良導体のアルミからなっ
ているので、溶接ワイヤ８内を流れる電流が均一とな
り、健全な溶滴１６が形成される。このように、セラミ
ック子粒子２がアルミで包含され均一に分散した溶滴１
６が溶融層１５に加えられることとなり、改質対象部位
１４中にセラミック子粒子２を均一に分散させることが
できる。
【００２３】すなわち、本方法によれば、図６に示す従
来法のようにセラミック粒子が溶融しないで糸状に残存
ｇしてしまうことはなく、溶接条件に気をつかうことな
く改質対象部位１４内にセラミック子粒子２を均一に健
全に分散することができ、確実に耐摩耗性を向上させる
ことができる。
来法のようにセラミック粒子が溶融しないで糸状に残存
ｇしてしまうことはなく、溶接条件に気をつかうことな
く改質対象部位１４内にセラミック子粒子２を均一に健
全に分散することができ、確実に耐摩耗性を向上させる
ことができる。
【００２４】なお、上記ＴＩＧアークの先行は、アルミ
母材１４の表面に覆われている酸化物（Ａｌ2 Ｏ3 ）を
破壊するものであり、母材の新しい層が表面に出てくる
ことで、ＭＩＧによる肉盛りが可能になったものであ
る。すなわち、事前の切削加工なしで溶接速度が高いＭ
ＩＧ溶接の利点が生かせると共に、再溶融の過程でガス
の溶出がなされ、ポロシティー欠陥によるブローホール
の発生を防ぐことができる。また、ＴＩＧアークの余熱
効果により、母材と溶接ワイヤとの馴染みがよくなり、
且つ溶け込み深さを深くすることができる。
母材１４の表面に覆われている酸化物（Ａｌ2 Ｏ3 ）を
破壊するものであり、母材の新しい層が表面に出てくる
ことで、ＭＩＧによる肉盛りが可能になったものであ
る。すなわち、事前の切削加工なしで溶接速度が高いＭ
ＩＧ溶接の利点が生かせると共に、再溶融の過程でガス
の溶出がなされ、ポロシティー欠陥によるブローホール
の発生を防ぐことができる。また、ＴＩＧアークの余熱
効果により、母材と溶接ワイヤとの馴染みがよくなり、
且つ溶け込み深さを深くすることができる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る材料改
質方法およびこれに使用する溶接ワイヤによれば、溶接
条件に気をつかうことなく改質層内にセラミック粒子を
均一に分散することができ、確実に改質部分の耐磨耗性
を向上させることができる。
質方法およびこれに使用する溶接ワイヤによれば、溶接
条件に気をつかうことなく改質層内にセラミック粒子を
均一に分散することができ、確実に改質部分の耐磨耗性
を向上させることができる。
【図１】本発明の一実施例を示す材料改質方法およびそ
れに使用する溶接ワイヤに用いられる三重カプセル粒子
の断面図である。
れに使用する溶接ワイヤに用いられる三重カプセル粒子
の断面図である。
【図２】上記溶接ワイヤを用いた肉盛り溶接を示す側断
面図である。
面図である。
【図３】上記溶接ワイヤの製造工程図である。
【図４】上記溶接ワイヤの斜視図である。
【図５】従来の材料改質方法およびそれに使用する溶接
ワイヤを示す側断面図である。
ワイヤを示す側断面図である。
１ アルミ母粒子 ２ セラミック子粒子 ３ アルミ孫粒子 ４ 三重カプセル粒子 ８ 溶接ワイヤ ９ ＭＩＧ溶接装置 １０ ＴＩＧトーチ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B23K 9/04 B23K 9/23 B23K 35/32 B23K 35/368
Claims (2)
- 【請求項１】 アルミ母粒子にセラミック子粒子を被覆
させ、さらにこの上にアルミ孫粒子を被覆してなる三重
カプセル粒子を製造し、この三重カプセル粒子をアルミ
鞘材の中に充填して溶接ワイヤを製造し、この溶接ワイ
ヤを改質対象となる部分に肉盛り溶接するようにした材
料改質方法。 - 【請求項２】 改質対象となる部分に肉盛り溶接するた
めの溶接ワイヤにおいて、アルミ母粒子にセラミック子
粒子を被覆させ、さらにこの上にアルミ孫粒子を被覆し
た三重カプセル粒子を製造し、この三重カプセル粒子を
アルミ鞘材の中に充填したことを特徴とする溶接ワイ
ヤ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11147492A JP3158637B2 (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | 材料改質方法およびこれに使用する溶接ワイヤ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11147492A JP3158637B2 (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | 材料改質方法およびこれに使用する溶接ワイヤ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05305439A JPH05305439A (ja) | 1993-11-19 |
| JP3158637B2 true JP3158637B2 (ja) | 2001-04-23 |
Family
ID=14562175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11147492A Expired - Fee Related JP3158637B2 (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | 材料改質方法およびこれに使用する溶接ワイヤ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3158637B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20210060711A1 (en) * | 2019-08-30 | 2021-03-04 | Hobart Brothers Llc | Aluminum metal matrix composite sheaths for wire electrodes |
-
1992
- 1992-04-30 JP JP11147492A patent/JP3158637B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05305439A (ja) | 1993-11-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |