JP3157751B2 - Dicing method for semiconductor substrate - Google Patents

Dicing method for semiconductor substrate

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JP3157751B2
JP3157751B2 JP23862997A JP23862997A JP3157751B2 JP 3157751 B2 JP3157751 B2 JP 3157751B2 JP 23862997 A JP23862997 A JP 23862997A JP 23862997 A JP23862997 A JP 23862997A JP 3157751 B2 JP3157751 B2 JP 3157751B2
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semiconductor substrate
dicing
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line
chips
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    • H01L2223/54453Marks applied to semiconductor devices or parts for use prior to dicing
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  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Dicing (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、複数の半導体集積
回路が形成されたチップを区画するダイシングラインに
沿ってブレードを走行し半導体基板を切断し個々のチッ
プに分割する半導体基板のダイシング方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of dicing a semiconductor substrate, in which a semiconductor substrate is cut along a dicing line for dividing a chip on which a plurality of semiconductor integrated circuits are formed, the semiconductor substrate is cut and divided into individual chips. .

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、このダイシング方法は、半導体基
板(以下ウェハと呼ぶ)をモニタカメラを通して観察
し、ウェハのダイシングラインを決定する検出範囲(チ
ップ内の配線パターンの一部分を含む領域)にウェハを
位置決めし、その検出範囲の中心の位置座標からダイシ
ングラインの中心位置の位置座標とのずれを読み取り、
そのずれの測定値をマイクロコンピュータに記憶させ、
そして、ダイシングラインの位置を補正し自動的にウェ
ハを切断分割していた。
2. Description of the Related Art Conventionally, in this dicing method, a semiconductor substrate (hereinafter, referred to as a wafer) is observed through a monitor camera, and a wafer is placed in a detection range (a region including a part of a wiring pattern in a chip) for determining a dicing line of the wafer. And read the deviation from the position coordinates of the center position of the dicing line from the position coordinates of the center of the detection range,
The measured value of the deviation is stored in the microcomputer,
Then, the position of the dicing line is corrected and the wafer is automatically cut and divided.

【0003】しかしながら、この方法であると、作業者
が位置寸法を入力するため、人為的なミスによる誤って
数値を入力することがしばしば起きていた。このため、
ダイシングライン以外の領域を切断するという問題が生
じていた。
[0003] However, according to this method, since the operator inputs the position dimensions, the operator often inputs a numerical value by mistake due to a human error. For this reason,
There has been a problem that a region other than the dicing line is cut.

【0004】図4はダイシングライン内に形成されたタ
ーゲットマークを示すウェハの部分拡大図である。上述
した問題を解消する方法として特開平1一304721
号公報に開示されている。この方法は、図4に示すよう
に、ウェハのチップ8間にあるダイシングライン7の交
差部分にダイシングマーク10を形成し、このダイシン
グマーク10を検出し、このターゲットマーク10の中
心を通るダイシングラインの中央線9を自動認識させ、
この中央線9に対して各チップの寸法を順次加算しダイ
シングしている。
FIG. 4 is a partially enlarged view of a wafer showing target marks formed in a dicing line. As a method for solving the above-mentioned problem, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei.
No. 6,086,045. In this method, as shown in FIG. 4, a dicing mark 10 is formed at an intersection of a dicing line 7 between chips 8 on a wafer, the dicing mark 10 is detected, and a dicing line passing through the center of the target mark 10 is formed. Automatically recognizes the center line 9 of
The size of each chip is sequentially added to the center line 9 for dicing.

【0005】すなわち、検出範囲の中心からダイシング
ラインの中心との距離を読取りを行なうことなく直接ダ
イシングマークを認識させることにより、人為的なミス
が介入することなくダイシングラインにブレードを正確
に合せ、ブレードを走行させ切断することを特徴として
いる。
That is, by directly recognizing the dicing mark without reading the distance from the center of the detection range to the center of the dicing line, the blade can be accurately aligned with the dicing line without human error. It is characterized by running and cutting the blade.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上述したダイシングマ
ークを認識させダイシングする方法は、人為的なミスの
介入を防止できると同時に、ダイシングマークはアルミ
ニウム配線工程で同時に形成され精密な位置に形成され
位置決め用マークとして優れている。
The above-described method of recognizing and dicing a dicing mark can prevent the intervention of human error, and at the same time, the dicing mark is formed at the same time in the aluminum wiring process and formed at a precise position. Excellent as a mark for use.

【0007】しかしながら、形成されたダイシングマー
クの表面の反射率が一様でなく、エッジ部が不明瞭とな
り、モニタカメラで正確に位置を認識できず、ダイシン
グラインにブレードを正確に合すことができないという
問題がある。
However, the reflectivity of the surface of the formed dicing mark is not uniform, the edge is unclear, the position cannot be accurately recognized by the monitor camera, and the blade can be accurately fitted to the dicing line. There is a problem that can not be.

【0008】また、ダイシングしたとき、アルミニウム
製のダイシングマークの切粉が飛散し、微小な金属片が
チップ内のパッドの間に入り込み、その後の洗浄工程で
除去されず残るという問題を発生する。この残余した金
属片がその後の樹脂封止工程で包まれた状態で樹脂封止
され、パッド間の短絡事故を引き起し半導体装置の不良
を発生させる。
Also, when dicing, there is a problem that chips of aluminum dicing marks are scattered, and minute metal pieces enter between pads in the chip and remain without being removed in a subsequent cleaning step. This remaining metal piece is sealed with resin in a state of being wrapped in the subsequent resin sealing step, causing a short circuit between the pads and causing a failure of the semiconductor device.

【0009】従って、本発明の目的は、ダイシングマー
クを形成することなくダイシングラインにブレードを正
確に合せ半導体基板を切断しチップに分割できる半導体
基板のダイシング方法を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a method of dicing a semiconductor substrate capable of accurately aligning a blade with a dicing line without forming a dicing mark, cutting the semiconductor substrate, and dividing the semiconductor substrate into chips.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、複数の
チップを区画するダイシングラインが縦横に施される半
導体基板の前記ダイシングラインに沿ってブレードを走
行させ切断し、前記半導体基板から前記チップのそれぞ
れを切断分割する半導体基板のダイシング方法におい
て、前記半導体基板の該チップ数および大きさならびに
該チップの間隔が同一の基準半導体基板を準備し、ステ
ージに前記基準半導体基板を載置し、前記ステージの定
位置から該ステージを一方向に移動させ前記基準半導体
基板の前記ダイシングラインを含む第1の領域と認識カ
メラの位置決め用検出パターンとを一致させ、一致した
該位置座標を記憶し、前記定位置に戻された前記ステー
ジから前記基準半導体基板と前記半導体基板と入れ換
え、しかる後、前記ステージを記憶された前記位置座標
に移動させ、前記検出パターンと前記半導体基板の前記
第1の領域に対応する第2の領域と一致しているか否か
を位置ずれ判定し、位置ずれが有れば前記ステージの移
動させ修正し、修正された前記位置座標から前記ダイシ
ングラインの中央線の位置を求め、求められた中央線に
順次ダイシングラインの間隔を加算して前記半導体基板
をステップ状に前記一方向に移動させ、一方向と直角の
方向に前記ブレードと前記ステージを移動させ前記ダイ
シングラインで切断する半導体基板のダイシング方法で
ある。
A feature of the present invention is that a dicing line for dividing a plurality of chips is vertically and horizontally formed by running a blade along the dicing line of the semiconductor substrate and cutting the semiconductor substrate. In the method of dicing a semiconductor substrate, which cuts and divides each of the chips, a reference semiconductor substrate having the same number and size of the semiconductor substrates and an interval between the chips is prepared, and the reference semiconductor substrate is placed on a stage. The stage is moved in one direction from a fixed position of the stage, the first area including the dicing line of the reference semiconductor substrate is matched with the detection pattern for positioning of the recognition camera, and the matched position coordinates are stored. The reference semiconductor substrate and the semiconductor substrate are replaced from the stage returned to the home position, and then the stage is replaced. Is moved to the stored position coordinates, and it is determined whether or not the detection pattern matches the second area corresponding to the first area of the semiconductor substrate. If the stage is moved and corrected, the position of the center line of the dicing line is obtained from the corrected position coordinates, and the interval of the dicing line is sequentially added to the obtained center line to make the semiconductor substrate stepwise. A method of dicing a semiconductor substrate, wherein the semiconductor substrate is moved in the one direction, and the blade and the stage are moved in a direction perpendicular to the one direction and cut along the dicing line.

【0011】また、前記位置ずれ判定と前記位置ずれ修
正とを複数回行ない前記検出パターンと前記第2の領域
と一致しないときは、その後の動作を停止することが望
ましい。
It is preferable that the position shift determination and the position shift correction are performed a plurality of times, and when the detected pattern does not match the second area, the subsequent operation is stopped.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して説明する。
Next, the present invention will be described with reference to the drawings.

【0013】図1(a)および(b)は本発明の一実施
の形態における半導体基板のダイシング方法を説明する
ための検出パターンを示す図、図2(a)および(b)
は本発明の一実施の形態における半導体基板のダイシン
グ方法を説明するためのフローチャートおよびダイシン
グ装置の概略を示す斜視図である。まず、切断分割すべ
きウェハと外形およびチップの数ならびにダイシングラ
インの幅が同じのリファレンスウェハを準備する。ま
た、このリファレンスウェハは、チップのエッジ部が明
瞭に識別できるように、チップの表面はアルミニウム膜
を施し、その表面が汚れがないように研磨されているこ
とが望ましい。
FIGS. 1A and 1B are diagrams showing a detection pattern for explaining a method of dicing a semiconductor substrate according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2A and 2B.
FIG. 1 is a perspective view showing a flow chart for explaining a semiconductor substrate dicing method and an outline of a dicing apparatus according to an embodiment of the present invention. First, a reference wafer having the same outer shape, number of chips, and dicing line width as the wafer to be cut and divided is prepared. In addition, it is desirable that the surface of the chip is coated with an aluminum film so that the edge portion of the chip can be clearly identified, and the surface of the chip is polished so as not to be contaminated.

【0014】さらに、モニタカメラには、図1に示す検
出パターンと同等のレチクルが内蔵され、位置ずれを認
識できるようにされている。すなわち、このレチクル
は、短冊状の枠として描かれ、枠の中心を横切る中心線
3とチップ6のエッジ4に対応する基準線2が設けられ
ている。
Further, the monitor camera has a built-in reticle equivalent to the detection pattern shown in FIG. 1 so that a displacement can be recognized. That is, the reticle is drawn as a rectangular frame, and a center line 3 crossing the center of the frame and a reference line 2 corresponding to the edge 4 of the chip 6 are provided.

【0015】次に、このダイシング方法を図2を参照し
て説明する。なお、ここでは、ブレード12とウェハ1
3とがX方向に相対的に移動し切断する場合についての
み説明する。まず、図2のステップAで、予じめ準備さ
れたリファレンスウェハを定位置にあるステージに載置
する。
Next, the dicing method will be described with reference to FIG. Here, the blade 12 and the wafer 1
3 will be described only when it relatively moves in the X direction and cuts. First, in step A of FIG. 2, a reference wafer prepared in advance is placed on a stage at a fixed position.

【0016】次に、ステップBで、図1(a)に示すよ
うに、ステージ11を定位置からY方向に移動しリフレ
ンスウェハの所定の領域(例えば、定位置から最も近い
ダイシングラインを含む領域)とモニタカメラの検出パ
ターン1とを合せる。次に、ステップCで、検出パター
ン1の基準線2と隣接するチップ6のエッジ4と一致し
ているか否か判定する。一致していれば、定位置から移
動距離をメモリに記憶させる。そして、次のステップE
に移行する。
Next, in step B, as shown in FIG. 1A, the stage 11 is moved from the home position in the Y direction to move the stage 11 to a predetermined area of the reference wafer (for example, including a dicing line closest to the home position). Area) and detection pattern 1 of the monitor camera. Next, in step C, it is determined whether or not the reference line 2 of the detection pattern 1 coincides with the edge 4 of the adjacent chip 6. If they match, the moving distance from the home position is stored in the memory. And the next step E
Move to

【0017】もし、傾きがずれていれば、ステージ11
を回転し修正し、しかる後、さらに、Y方向にずれがあ
れば、図1(b)に示すように、ステージ11をY方向
に移動し修正する。そして、定位置からの移動距離に修
正した距離が加えられた補正値がメモリに記録される。
次に、ステップEで、移動距離あるいは補正された移動
距離とダイシングライン5の幅からダイシングライン5
の中心位置の距離を演算し求めてメモリに記憶される。
そして、ステージ11は定位置に戻る。このことによ
り、準備作業が終了する。
If the inclination is deviated, the stage 11
Is rotated and corrected, and if there is further deviation in the Y direction, the stage 11 is moved and corrected in the Y direction as shown in FIG. Then, a correction value obtained by adding the corrected distance to the moving distance from the fixed position is recorded in the memory.
Next, in step E, the dicing line 5 is determined from the moving distance or the corrected moving distance and the width of the dicing line 5.
Is calculated and stored in the memory.
Then, the stage 11 returns to the home position. This completes the preparation work.

【0018】次に、ステップFで、リファレンスウェハ
を取外し、切断すべきウェハ13をステージ11に載置
する。そして、ステップGで、ステ一ジ11はメモリに
記憶された距離だけ移動する。ステップHで、モニタカ
メラで検出パターン1とウェハ13の所定の領域範囲と
一致しているか否か自動認識する。一致していれば、次
のステップに移行する。
Next, in step F, the reference wafer is removed, and the wafer 13 to be cut is placed on the stage 11. Then, in step G, the stage 11 moves by the distance stored in the memory. In step H, the monitor camera automatically recognizes whether or not the detection pattern 1 matches the predetermined area range of the wafer 13. If they match, proceed to the next step.

【0019】もし、図1(a)のように、一致していな
ければ、ステップIで、モニタカメラで傾きを検出しス
テージ11を回転させダイシングライン5の中心線と検
出パターン1の中心線3との傾きを修正した後、それに
よるY方向のずれをステージの移動により修正し、その
補正値を移動すべき距離に加えてメモリに記憶する。次
に、ステージ11を元の定位置に戻し、ステップJでダ
イシングを開始する。これには、ブレード12を回転さ
せ、定位置からメモリに設定された距離だけステージ1
1を移動させ、ステージをX方向に走行させ最初のダイ
シングライン5を切断する。そして、ステージ11が方
向変換する毎にステージ11を一ピッチづつY方向にス
テップ送りし順次ダイシングライン5を切断する。
If they do not coincide with each other as shown in FIG. 1A, the tilt is detected by the monitor camera and the stage 11 is rotated in step I to rotate the stage 11 so that the center line of the dicing line 5 and the center line 3 of the detection pattern 1 are detected. After correcting the inclination, the deviation in the Y direction due to the inclination is corrected by moving the stage, and the correction value is stored in a memory in addition to the distance to be moved. Next, the stage 11 is returned to the original home position, and dicing is started in step J. To do this, rotate the blade 12 and move the stage 1 from the home position by the distance set in the memory.
Then, the stage is moved in the X direction to cut the first dicing line 5. Then, each time the stage 11 changes direction, the stage 11 is stepped by one pitch in the Y direction to cut the dicing line 5 sequentially.

【0020】図3は本発明の他の実施の形態における半
導体基板のダイシング方法を説明するためのフローチャ
ートである。上述したダイシング方法では、図1のチッ
プ6のエッジ4が明瞭であって、認識が円滑に行なわれ
るという条件の基に行なわれたものである。しかしなが
ら、すべてのチップ6のエッジ4が認識できるようにコ
ントラストが得られるとは限らず不明瞭の場合がある。
FIG. 3 is a flowchart for explaining a method of dicing a semiconductor substrate according to another embodiment of the present invention. In the dicing method described above, the edge 4 of the chip 6 in FIG. 1 is clear under the condition that recognition is performed smoothly. However, the contrast is not always obtained so that the edges 4 of all the chips 6 can be recognized, and the edge 4 may be unclear.

【0021】このような場合、モニタカメラで認識させ
修正させても、正確な位置決めが期待できない。また、
正確な位置決めしない限りウェハはチップに欠損を与え
歩留りを悪くすることになる。そこで、この実施の形態
では、かかるトラブルを解消するためになされたもので
ある。
In such a case, even if the monitor camera recognizes and corrects it, accurate positioning cannot be expected. Also,
Unless the wafer is accurately positioned, the wafer will cause chips to be damaged, resulting in poor yield. Therefore, in the present embodiment, this problem is solved.

【0022】このダイシング方法は、図3のステップG
までは、前述の実施の形態と同じであるから割愛する。
まず、ステップHで、位置ずれは無いかを判定する。こ
こで、位置ずれが無ければ、前述のように、ステップJ
に進みダイシングを開始する。ここで、位置ずれが有れ
ば、ステップIで位置ずれを修正する。そして、ステッ
プKで修正回数をカウントし、ステップHで位置ずれは
無いか確認する。
This dicing method corresponds to step G in FIG.
The steps up to this point are the same as those of the above-described embodiment, and thus are omitted.
First, in step H, it is determined whether there is any displacement. Here, if there is no displacement, as described above, step J
To start dicing. If there is a displacement, the displacement is corrected in step I. Then, in step K, the number of corrections is counted, and in step H, it is checked whether there is any displacement.

【0023】そして、ステップHで、まだ、位置ずれが
有れば、ステップIで位置ずれを修正し、ステップKで
修正回数をカウントする。
In step H, if there is still a displacement, the displacement is corrected in step I, and the number of corrections is counted in step K.

【0024】このように、修正回数がステップLで回数
オーバーとなったとき、チップ6のエッジ4が不明瞭で
モニタカメラが認識できないと判断し、ステップMで、
アラームを発生させると同時に動作を停止させる。
As described above, when the number of corrections exceeds the number in step L, it is determined that the edge 4 of the chip 6 is unclear and cannot be recognized by the monitor camera.
Stop the operation at the same time as generating the alarm.

【0025】このような場合は、次の所定の領域(例え
ば、定位置より二番目に近いダイシングラインの領域)
またはコントラストが明瞭に得られる領域に検出パター
ンを位置合せすることとして、ステップAから行なえば
良い。
In such a case, the next predetermined area (for example, the area of the dicing line which is second closest to the fixed position)
Alternatively, the processing may be performed from step A by aligning the detection pattern with a region where a clear contrast can be obtained.

【0026】なお、検出パターンとして、二つのチップ
を含みダイシングラインを跨がるような短冊状のパター
ンで説明したが、本発明では、この形状に限定するもの
ではない。
Although the detection pattern has been described as a strip-shaped pattern including two chips and straddling a dicing line, the present invention is not limited to this shape.

【0027】[0027]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、位置決め
用検出パターンをモニタカメラに内蔵させ、切断すべき
ウェハと同じチップと数をもつリファレンスウェハを準
備し、予じめリファレンスウェハをステージに載置し検
出パターンをリファレンスウェハのダイシングラインに
位置合せし、必要に応じ修正し、設定された位置座標を
記憶させ、リファレンスウェハの代りにステージに載置
された切断すべきウェハを前記位置座標に移動させるこ
とによって、ウェハのダイシングライン内に識別マーク
が形成されなくとも正確にダイシングラインにブレード
を合せることができ、パッドの短絡を引起すチップの汚
染やチップの欠損を発生させることなく歩留りの向上が
図れるという効果がある。
As described above, according to the present invention, the detection pattern for positioning is built in the monitor camera, a reference wafer having the same number of chips as the wafer to be cut is prepared, and the reference wafer is previously set on the stage. The mounted detection pattern is aligned with the dicing line of the reference wafer, corrected as necessary, and the set position coordinates are stored. The wafer to be cut mounted on the stage is replaced with the position coordinates instead of the reference wafer. By moving the blade to the dicing line, the blade can be accurately aligned with the dicing line even if no identification mark is formed in the dicing line of the wafer, and the yield can be reduced without causing chip contamination or chip loss that may cause a short circuit of the pad. There is an effect that the improvement can be achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態における半導体基板のダ
イシング方法を説明するための検出パターンを示す図で
ある。
FIG. 1 is a diagram showing a detection pattern for describing a dicing method of a semiconductor substrate according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施の形態における半導体基板のダ
イシング方法を説明するためのフローチャートおよびダ
イシング装置の概略を示す斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view showing a flow chart for explaining a method of dicing a semiconductor substrate and an outline of a dicing apparatus according to an embodiment of the present invention;

【図3】本発明の他の実施の形態における半導体基板の
ダイシング方法を説明するためのフローチャートであ
る。
FIG. 3 is a flowchart illustrating a method of dicing a semiconductor substrate according to another embodiment of the present invention.

【図4】ダイシングライン内に形成されたターゲットマ
ークを示すウェハの部分拡大図である。
FIG. 4 is a partially enlarged view of the wafer showing a target mark formed in a dicing line.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 検出パターン 2 基準線 3 中心線 4 エッジ 5,7 ダイシングライン 6,8 チップ 9 中央線 10 ダイシングマーク 11 ステージ 12 ブレード 13 ウェハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Detection pattern 2 Reference line 3 Center line 4 Edge 5, 7 Dicing line 6, 8 Chip 9 Center line 10 Dicing mark 11 Stage 12 Blade 13 Wafer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/301 B28D 5/02 H01L 21/02 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/301 B28D 5/02 H01L 21/02

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 複数のチップを区画するダイシングライ
ンが縦横に施される半導体基板の前記ダイシングライン
に沿ってブレードを走行させ切断し、前記半導体基板か
ら前記チップのそれぞれを切断分割する半導体基板のダ
イシング方法において、前記半導体基板の該チップ数お
よび大きさならびに該チップの間隔が同一の基準半導体
基板を準備し、ステージに前記基準半導体基板を載置
し、前記ステージの定位置から該ステージを一方向に移
動させ前記基準半導体基板の前記ダイシングラインを含
む第1の領域と認識カメラの位置決め用検出パターンと
を一致させ、一致した該位置座標を記憶し、前記定位置
に戻された前記ステージから前記基準半導体基板と前記
半導体基板と入れ換え、しかる後、前記ステージを記憶
された前記位置座標に移動させ、前記検出パターンと前
記半導体基板の前記第1の領域に対応する第2の領域と
一致しているか否かを位置ずれ判定し、位置ずれが有れ
ば前記ステージの移動させ修正し、修正された前記位置
座標から前記ダイシングラインの中央線の位置を求め、
求められた中央線に順次ダイシングラインの間隔を加算
して前記半導体基板をステップ状に前記一方向に移動さ
せ、一方向と直角の方向に前記ブレードと前記ステージ
を移動させ前記ダイシングラインで切断することを特徴
とする半導体基板のダイシング方法。
1. A semiconductor substrate for cutting and dividing each of said chips from said semiconductor substrate by running a blade along said dicing line of said semiconductor substrate on which dicing lines for partitioning a plurality of chips are formed vertically and horizontally. In the dicing method, a reference semiconductor substrate having the same number of chips, the same size, and the same interval between the chips of the semiconductor substrate is prepared, the reference semiconductor substrate is placed on a stage, and the stage is moved from a fixed position of the stage to one stage. The first area including the dicing line of the reference semiconductor substrate is moved in the direction and the detection pattern for positioning of the recognition camera is made to coincide with the first area, and the position coordinates are stored, and from the stage returned to the home position, The reference semiconductor substrate is replaced with the semiconductor substrate, and then the stage is stored at the stored position coordinates. Move, determine whether or not the detection pattern coincides with the second area corresponding to the first area of the semiconductor substrate, and if there is a positional shift, move and correct the stage; Determine the position of the center line of the dicing line from the corrected position coordinates,
The semiconductor substrate is moved stepwise in the one direction by sequentially adding the dicing line interval to the obtained center line, and the blade and the stage are moved in a direction perpendicular to one direction to cut at the dicing line. A method for dicing a semiconductor substrate, comprising:
【請求項2】 前記位置ずれ判定と前記位置ずれ修正と
を複数回行ない前記検出パターンと前記第2の領域と一
致しないときは、その後の動作を停止することを特徴と
する請求項1記載の半導体基板のダイシング方法。
2. The apparatus according to claim 1, wherein the position shift determination and the position shift correction are performed a plurality of times, and when the detected pattern does not match the second area, the subsequent operation is stopped. Dicing method for semiconductor substrate.
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