JP3148759B2 - 導電性材料の欠陥測定方法 - Google Patents
導電性材料の欠陥測定方法Info
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- JP3148759B2 JP3148759B2 JP07790791A JP7790791A JP3148759B2 JP 3148759 B2 JP3148759 B2 JP 3148759B2 JP 07790791 A JP07790791 A JP 07790791A JP 7790791 A JP7790791 A JP 7790791A JP 3148759 B2 JP3148759 B2 JP 3148759B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、酸化物超電導
体コイル等の欠陥を簡便に測定できる導電性材料の欠陥
測定方法に関する。
体コイル等の欠陥を簡便に測定できる導電性材料の欠陥
測定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】材料に生じたクラックその他の欠陥を検
査する方法としては、従来から以下の方法が知られてい
る。
査する方法としては、従来から以下の方法が知られてい
る。
【０００３】(1) Ｘ線透過法 材料のＸ線透過像を写真等に写して欠陥を調べる方法で
ある。
ある。
【０００４】(2) 超音波探傷法 材料に超音波を照射して欠陥からの反射波を分析する方
法である。
法である。
【０００５】(3) 光学的観察法 光学顕微鏡等で表面を観察して欠陥を発見する方法であ
る。
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の従来
の方法には以下のような問題点があった。
の方法には以下のような問題点があった。
【０００７】(1) Ｘ線透過法 この方法は、解像度が高く、微細な傷の発見も可能だ
が、大型な材料、長尺の材料もしくはコイル等の立体的
な形状を有する材料については、Ｘ線透過像を得るのが
困難であり、また、労力、コストの面で不利である。
が、大型な材料、長尺の材料もしくはコイル等の立体的
な形状を有する材料については、Ｘ線透過像を得るのが
困難であり、また、労力、コストの面で不利である。
【０００８】(2) 超音波探傷法 この方法は、線材のように、断面が小さい材料になる
と、超音波の入力が難しくなると共に、線材がコイル状
に形成された場合には、超音波が内部曲面で反射してい
くため、内部の欠陥の検査を行うことができない。
と、超音波の入力が難しくなると共に、線材がコイル状
に形成された場合には、超音波が内部曲面で反射してい
くため、内部の欠陥の検査を行うことができない。
【０００９】(3) 光学的観察法 この方法では、欠陥が例えばヘアークラックのように、
クラックの亀裂幅がミクロン程度以下になると、発見で
きないと共に、大型な材料、長尺の材料もしくはコイル
等の立体的な形状を有する材料等については観察が困難
であり、また、欠陥が内部にあるときはこれを発見する
ことができない。
クラックの亀裂幅がミクロン程度以下になると、発見で
きないと共に、大型な材料、長尺の材料もしくはコイル
等の立体的な形状を有する材料等については観察が困難
であり、また、欠陥が内部にあるときはこれを発見する
ことができない。
【００１０】このように、特に、検査対象たる材料が、
線材をコイル状に形成したような場合等には、上述の従
来の検査方法では欠陥を検出することが極めて困難であ
った。
線材をコイル状に形成したような場合等には、上述の従
来の検査方法では欠陥を検出することが極めて困難であ
った。
【００１１】本発明は、上述の背景のもとでなされたも
のであり、仮に、検査対象たる材料が線材をコイル状に
形成したような場合のように、立体的に複雑な形状をな
した場合等においても、簡便に欠陥を検出することを可
能とする導電性材料の欠陥測定方法を提供することを目
的としたものである。
のであり、仮に、検査対象たる材料が線材をコイル状に
形成したような場合のように、立体的に複雑な形状をな
した場合等においても、簡便に欠陥を検出することを可
能とする導電性材料の欠陥測定方法を提供することを目
的としたものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、以下の各構成
とすることにより上述の課題を解決している。
とすることにより上述の課題を解決している。
【００１３】（１）欠陥を有する導電性材料にパルス電
流を通じたときにその欠陥から反射波が生ずる現象を利
用し、透過波は該導電性材料を通過させ、入力側に反射
してくる反射波の有無を観測することにより、該導電性
材料の欠陥の有無を判定することを特徴とした構成。
流を通じたときにその欠陥から反射波が生ずる現象を利
用し、透過波は該導電性材料を通過させ、入力側に反射
してくる反射波の有無を観測することにより、該導電性
材料の欠陥の有無を判定することを特徴とした構成。
【００１４】（２）欠陥を有する導電性材料にパルス電
流を通じたときにその欠陥から反射波が生ずる現象を利
用し、透過波は該導電性材料を通過させ、入力側に反射
してくる反射波の戻り時間を求めることによって、該導
電性材料の欠陥の位置を求めることを特徴とした構成。
流を通じたときにその欠陥から反射波が生ずる現象を利
用し、透過波は該導電性材料を通過させ、入力側に反射
してくる反射波の戻り時間を求めることによって、該導
電性材料の欠陥の位置を求めることを特徴とした構成。
【００１５】（３）欠陥を有する導電性材料にパルス電
流を通じたときにその欠陥から反射波が生ずる現象を利
用し、欠陥位置が既知でかつ互いに欠陥位置の異なる複
数の試料について、透過波は該導電性材料を通過させ、
入力側に反射してくる反射波の戻り時間を測定すること
により、予め欠陥位置と反射波の戻り時間との関係を示
す検量線を作成しておき、未知の試料の反射波の戻り時
間を前記方法で測定して、前記作成した検量線から該未
知の試料の欠陥位置を求めることを特徴とした構成。
流を通じたときにその欠陥から反射波が生ずる現象を利
用し、欠陥位置が既知でかつ互いに欠陥位置の異なる複
数の試料について、透過波は該導電性材料を通過させ、
入力側に反射してくる反射波の戻り時間を測定すること
により、予め欠陥位置と反射波の戻り時間との関係を示
す検量線を作成しておき、未知の試料の反射波の戻り時
間を前記方法で測定して、前記作成した検量線から該未
知の試料の欠陥位置を求めることを特徴とした構成。
【００１６】
【作用】前記構成１によれば、欠陥からの反射波の有無
は欠陥の有無を示すものであるから、反射波の有無を観
測することにより欠陥の有無の判定ができ、また、構成
２のように、反射波の戻り時間は、欠陥からの距離に対
応しているから、この戻り時間を測定することにより、
欠陥の位置を求めることができる。さらに、構成３のよ
うに、検量線を作成しておけば、未知の試料について、
欠陥の位置を迅速に求めることができる。
は欠陥の有無を示すものであるから、反射波の有無を観
測することにより欠陥の有無の判定ができ、また、構成
２のように、反射波の戻り時間は、欠陥からの距離に対
応しているから、この戻り時間を測定することにより、
欠陥の位置を求めることができる。さらに、構成３のよ
うに、検量線を作成しておけば、未知の試料について、
欠陥の位置を迅速に求めることができる。
【００１７】
【実施例】図１は本発明の一実施例にかかる導電性材料
の欠陥測定方法を実施する装置の構成を示す図である。
以下、図１を参照にしながら一実施例を説明する。
の欠陥測定方法を実施する装置の構成を示す図である。
以下、図１を参照にしながら一実施例を説明する。
【００１８】図１において、符号１は長尺状の導電性材
料、符号２は導電性材料２に形成された溝状欠陥、符号
３は導電性材料を収納するシールドケース、符号４１，
４２は同軸ケーブル、符号５は反射波計測用のネットワ
ークアナライザである。
料、符号２は導電性材料２に形成された溝状欠陥、符号
３は導電性材料を収納するシールドケース、符号４１，
４２は同軸ケーブル、符号５は反射波計測用のネットワ
ークアナライザである。
【００１９】導電性材料１は、ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x の
組成を有する導電性セラミックスを、５ｍｍφ×６０ｍ
ｍの棒状体に形成したものである。この導電性材料の中
央部近傍には溝状の欠陥の２が形成されている。この溝
状欠陥の溝幅は２００μｍ、深さが５００μｍ（０．５
ｍｍ）である。
組成を有する導電性セラミックスを、５ｍｍφ×６０ｍ
ｍの棒状体に形成したものである。この導電性材料の中
央部近傍には溝状の欠陥の２が形成されている。この溝
状欠陥の溝幅は２００μｍ、深さが５００μｍ（０．５
ｍｍ）である。
【００２０】導電性材料１は、アルミ性のシールドケー
ス３内に収納されており、両端が同軸ケーブル４１，４
２によってネットワークアナライザ５の測定端子に接続
されている。
ス３内に収納されており、両端が同軸ケーブル４１，４
２によってネットワークアナライザ５の測定端子に接続
されている。
【００２１】このネットワークアナライザ５には、パル
スジェネレータ５１、反射波検出器５２、透過波検出器
５３、制御解析装置５４及び表示装置５５等が内蔵され
ている。パルスジェネレータ５１は、パルスの立ち上が
り幅が数十ｐｓｅｃでパルス幅及び間隔がともに数十μ
ｓｅｃのパルスを発生でき、また、反射波検出器５２及
び透過波検出器５３はともにｐｓｅｃオーダーの波長の
波形観測が可能なものである。
スジェネレータ５１、反射波検出器５２、透過波検出器
５３、制御解析装置５４及び表示装置５５等が内蔵され
ている。パルスジェネレータ５１は、パルスの立ち上が
り幅が数十ｐｓｅｃでパルス幅及び間隔がともに数十μ
ｓｅｃのパルスを発生でき、また、反射波検出器５２及
び透過波検出器５３はともにｐｓｅｃオーダーの波長の
波形観測が可能なものである。
【００２２】さて、一実施例の方法は、要するに、パル
スジェネレータ５１によって導電性材料１にパルス性電
流を加え、その反射波を反射波検出器５２によって測定
するものである。
スジェネレータ５１によって導電性材料１にパルス性電
流を加え、その反射波を反射波検出器５２によって測定
するものである。
【００２３】図２は、パルスジェネレータ５１から射出
されるパルス波形を示すのもので、パルス幅及び間隔が
ともに約４５μｓｅｃである。図３は図２に示されるパ
ルスの立ち上がり波形を示すもので、立ち上がり幅は約
７９ｐｓｅｃである。
されるパルス波形を示すのもので、パルス幅及び間隔が
ともに約４５μｓｅｃである。図３は図２に示されるパ
ルスの立ち上がり波形を示すもので、立ち上がり幅は約
７９ｐｓｅｃである。
【００２４】図４は、パルスジェネレータ５１から射出
された上述のパルスを同軸ケーブル４１，４２を通じて
導電性材料１に加えたときに反射波検出器５２、透過波
検出器５３を通じて観測される透過波形及び反射波形で
ある。
された上述のパルスを同軸ケーブル４１，４２を通じて
導電性材料１に加えたときに反射波検出器５２、透過波
検出器５３を通じて観測される透過波形及び反射波形で
ある。
【００２５】ここで、図４の反射波形における時間軸の
領域Ａの部分において、点線で示される曲線は、導電性
材料１に欠陥２を形成する前の状態、すなわち、欠陥の
ない状態での反射波形を示す。これに対し、実線が欠陥
２のある状態での波形である。このことから、領域Ａに
おけるピーク部が欠陥２に起因する反射波であることが
わかる。
領域Ａの部分において、点線で示される曲線は、導電性
材料１に欠陥２を形成する前の状態、すなわち、欠陥の
ない状態での反射波形を示す。これに対し、実線が欠陥
２のある状態での波形である。このことから、領域Ａに
おけるピーク部が欠陥２に起因する反射波であることが
わかる。
【００２６】図５は、図４における領域Ａのピーク部を
拡大して表示したものである。このピーク部の頂点位置
の時間座標が反射波の戻り時間を示している。
拡大して表示したものである。このピーク部の頂点位置
の時間座標が反射波の戻り時間を示している。
【００２７】図６は、導電性材料１に形成する欠陥の位
置を変えて反射波の戻り時間を測定した結果を示すグラ
フである。図において、縦軸が反射波の戻り時間（単
位；ｎｓｅｃ）、横軸が溝の深さ（単位；ｍｍ）であ
る。この場合、欠陥２の溝幅及び深さは一定（溝幅；２
００μｍ、深さ：５００μｍ）で、欠陥位置（図１の導
電性材料１の右端部からの距離）のみを変えたものであ
る。この図から戻り時間が欠陥位置に依存していること
がわかる。したがって、例えば、同一の材料について欠
陥位置と反射波の戻り時間との関係を示す検量線を予め
作成しておけば、この材料の欠陥位置の未知の試料の反
射波の戻り時間を測定することによりただちに欠陥位置
を求めることができる。
置を変えて反射波の戻り時間を測定した結果を示すグラ
フである。図において、縦軸が反射波の戻り時間（単
位；ｎｓｅｃ）、横軸が溝の深さ（単位；ｍｍ）であ
る。この場合、欠陥２の溝幅及び深さは一定（溝幅；２
００μｍ、深さ：５００μｍ）で、欠陥位置（図１の導
電性材料１の右端部からの距離）のみを変えたものであ
る。この図から戻り時間が欠陥位置に依存していること
がわかる。したがって、例えば、同一の材料について欠
陥位置と反射波の戻り時間との関係を示す検量線を予め
作成しておけば、この材料の欠陥位置の未知の試料の反
射波の戻り時間を測定することによりただちに欠陥位置
を求めることができる。
【００２８】図７は、図１に示される導電性材料につい
て、欠陥位置を一定にし、欠陥の溝の深さを大きく変え
た場合の戻り時間を測定した結果を示すグラフである。
図７から、溝の深さを大きく変えると、反射波の戻り時
間もある程度変化するが、図６のグラフと比較して明ら
かなように、その変化度合は欠陥位置の変化に依存して
変化する度合いに比較して十分小さいので、通常の検査
目的の場合には十分無視できる。なお、正確な検査を望
む場合には、各試料（導電性材料）毎に、図６の検量線
の外に、図７のようなグラフも作成しておくとともに、
ピークの形状等も考慮にいれる等の措置を施すことによ
り、測定誤差の発生を未然に防止することができる。
て、欠陥位置を一定にし、欠陥の溝の深さを大きく変え
た場合の戻り時間を測定した結果を示すグラフである。
図７から、溝の深さを大きく変えると、反射波の戻り時
間もある程度変化するが、図６のグラフと比較して明ら
かなように、その変化度合は欠陥位置の変化に依存して
変化する度合いに比較して十分小さいので、通常の検査
目的の場合には十分無視できる。なお、正確な検査を望
む場合には、各試料（導電性材料）毎に、図６の検量線
の外に、図７のようなグラフも作成しておくとともに、
ピークの形状等も考慮にいれる等の措置を施すことによ
り、測定誤差の発生を未然に防止することができる。
【００２９】また、コンピュータを用いて、各種の試料
毎に、検量線やピーク形状等を記憶しておき、未知の試
料の観測波形をこれら記憶した内容と比較・判断させる
ようにすれば、より迅速・正確な検査を行うことも可能
になる。
毎に、検量線やピーク形状等を記憶しておき、未知の試
料の観測波形をこれら記憶した内容と比較・判断させる
ようにすれば、より迅速・正確な検査を行うことも可能
になる。
【００３０】以上、説明したように、この一実施例によ
れば、導電性材料にパルス性電流を加えてその反射波を
観測するだけあるから、仮に導電性材料がコイル状等の
立体的な形状をなしたものであっても、容易にこの欠陥
位置を測定することができる。
れば、導電性材料にパルス性電流を加えてその反射波を
観測するだけあるから、仮に導電性材料がコイル状等の
立体的な形状をなしたものであっても、容易にこの欠陥
位置を測定することができる。
【００３１】
【発明の効果】以上、詳述したように、本発明は、欠陥
を有する導電性材料にパルス電流を通じたときにその欠
陥から反射波が生ずる現象を利用し、反射波の有無及び
その戻り時間を観測することにより、該導電性材料の欠
陥の有無及びその位置を判定するようにしたもので、こ
れにより、例えば、検査対象たる材料が線材をコイル状
に形成した場合のように、立体的に複雑な形状をなして
いる場合においても、簡便に欠陥を検出することを可能
としたものである。
を有する導電性材料にパルス電流を通じたときにその欠
陥から反射波が生ずる現象を利用し、反射波の有無及び
その戻り時間を観測することにより、該導電性材料の欠
陥の有無及びその位置を判定するようにしたもので、こ
れにより、例えば、検査対象たる材料が線材をコイル状
に形成した場合のように、立体的に複雑な形状をなして
いる場合においても、簡便に欠陥を検出することを可能
としたものである。
【図１】本発明の一実施例の方法を実施する装置の構成
を示す図である。
を示す図である。
【図２】印加パルス電流波形を示す図である。
【図３】印加パルス電流の立ち上がり波形を示す図であ
る。
る。
【図４】反射波・透過波の観測波形を示す図である。
【図５】図４の領域Ａの反射波の波形を示す図である。
【図６】反射波の戻り時間と溝の位置との関係を示すグ
ラフである。
ラフである。
【図７】溝の深さと反射波の戻り時間との関係を示すグ
ラフである。
ラフである。
１…長尺状の導電性材料、２…導電性材料２に形成され
た溝状欠陥、３…導電性材料を収納するシールドケー
ス、４１，４２…同軸ケーブル、５…反射波計測用のネ
ットワークアナライザ。
た溝状欠陥、３…導電性材料を収納するシールドケー
ス、４１，４２…同軸ケーブル、５…反射波計測用のネ
ットワークアナライザ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01N 22/00 - 22/02 G01R 31/00 - 31/11 G01N 27/00 - 27/24
Claims (3)
- 【請求項１】 欠陥を有する導電性材料にパルス電流を
通じたときにその欠陥から反射波が生ずる現象を利用
し、透過波は該導電性材料を通過させ、入力側に反射し
てくる反射波の有無を観測することにより、該導電性材
料の欠陥の有無を判定することを特徴とした導電性材料
の欠陥測定方法。 - 【請求項２】 欠陥を有する導電性材料にパルス電流を
通じたときにその欠陥から反射波が生ずる現象を利用
し、透過波は該導電性材料を通過させ、入力側に反射し
てくる反射波の戻り時間を求めることによって、該導電
性材料の欠陥の位置を求めることを特徴とした導電性材
料の欠陥測定方法。 - 【請求項３】 欠陥を有する導電性材料にパルス電流を
通じたときにその欠陥から反射波が生ずる現象を利用
し、欠陥位置が既知でかつ互いに欠陥位置の異なる複数
の試料について、透過波は該導電性材料を通過させ、入
力側に反射してくる反射波の戻り時間を測定することに
より、予め欠陥位置と反射波の戻り時間との関係を示す
検量線を作成しておき、未知の試料の反射波の戻り時間
を前記方法で測定して、前記作成した検量線から該未知
の試料の欠陥位置を求めることを特徴とした導電性材料
の欠陥測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07790791A JP3148759B2 (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | 導電性材料の欠陥測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07790791A JP3148759B2 (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | 導電性材料の欠陥測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04310855A JPH04310855A (ja) | 1992-11-02 |
| JP3148759B2 true JP3148759B2 (ja) | 2001-03-26 |
Family
ID=13647146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07790791A Expired - Fee Related JP3148759B2 (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | 導電性材料の欠陥測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3148759B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004047699A1 (de) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Siemens Ag | Anordnung eines Bauteils und einer Kontrollvorrichtung des Bauteils mit Zeitbereichsreflektometer und Verwendung der Anordnung |
| CN106706669B (zh) * | 2016-12-08 | 2021-01-15 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 一种利用射频波技术进行超导磁体失超检测的方法 |
| US11979482B2 (en) | 2020-01-31 | 2024-05-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Detection system, detection device, and detection method |
-
1991
- 1991-04-10 JP JP07790791A patent/JP3148759B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04310855A (ja) | 1992-11-02 |
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