JP3144574B2 - ミューティング制御回路 - Google Patents

ミューティング制御回路

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JP3144574B2 JP30469791A JP30469791A JP3144574B2 JP 3144574 B2 JP3144574 B2 JP 3144574B2 JP 30469791 A JP30469791 A JP 30469791A JP 30469791 A JP30469791 A JP 30469791A JP 3144574 B2 JP3144574 B2 JP 3144574B2
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G3/00Gain control in amplifiers or frequency changers
    • H03G3/20Automatic control
    • H03G3/30Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
    • H03G3/34Muting amplifier when no signal is present or when only weak signals are present, or caused by the presence of noise signals, e.g. squelch systems
    • H03G3/345Muting during a short period of time when noise pulses are detected, i.e. blanking
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    • H03G3/348Muting in response to a mechanical action or to power supply variations, e.g. during tuning; Click removal circuits

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明はミューティングを行う
ための制御回路に関するものであり、特にそのミューテ
ィング特性の向上に関するものである。
【0002】
【従来の技術】オーディオ機器等において、スイッチ切
換等によるクリック音を消去するため、ミューティング
回路が用いられている。図5に、従来のミューティング
制御回路を示す。端子2がミューティングを行う対象と
なる信号の入力端子であり、端子4が出力端子である。
制御回路6からの出力電流Ioが大きくなると、端子4
への出力が小さくなり、ミューティングが施されるよう
になっている。
【0003】制御回路6は、制御入力端子Tcの電圧変
化に応じて出力電流Ioを制御するものである。すなわ
ち、図6に示すように、制御入力端子Tcの電圧上昇と
共に出力電流Ioを増加させて最大とし、さらに電圧が
上昇すると減少させるように制御を行う回路である。こ
の出力電流Ioにより、ミューティングが行われる。
【0004】制御入力端子Tcには、外部抵抗R1、外部
コンデンサC1が接続される。今、抵抗R1の一端側の端
子8に電圧を印加した場合の、制御入力端子TCの電圧
変化を、図7Aの曲線10に示す。電圧印加後、時間経過
と共に、コンデンサC1に充電が行われる。これによ
り、制御入力端子Tcの電圧Vpが、曲線10に示すように
上昇する。電圧Vpが第1のしきい値VTH1を越えると、
出力電流Ioが流れ始めてミューティングがかかりはじ
める(図7Bの点α)。電圧Vpの上昇と共に出力電流
oは増加し、ピーク点βの後は出力電流Ioは減少す
る。さらに電圧Vpが上昇し、第2のしきい値VTH2を越
えると、出力電流Ioは0となって、ミューティングが
終了する(図7Bの点γ)。
【0005】以上のように、端子8をLレベルからHレ
ベルに変化させることにより、所定時間のミューティン
グを行うことができる。
【0006】その後、ミューティングを行う場合には、
端子8をHレベルからLレベルにする。これにより、電
圧Vpが図7Aの曲線12のように変化して、図7Bの曲
線14のように出力電流Ioが変化し、ミューティングが
行われる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来のミューティング回路においては、次のよう
な問題点があった。
【0008】端子8を、LレベルからHレベル(通常は
電源電圧)にする場合には、コンデンサC1には、Hレ
ベルの印加電圧が与えられ、急速に充電が行われる。し
たがって、制御入力端子Tcの電圧Vpは急速に上昇する
(図7Aの曲線10)。
【0009】これに対し、端子8をHレベルからLレベ
ルにする場合には、コンデンサCは、充電された電位
から放電を行うこととなる。ここで、コンデンサC
は、端子8に印加された電圧が充電されていない。すな
わち、抵抗R1、R2の分圧比で定まる電圧が充電されて
いるにすぎない。このため、コンデンサC1の放電は、
上記の充電に比べて緩やかに行われることとなる。
【0010】その結果、端子8をLレベルからHレベル
にした場合(コンデンサC1への充電時)と、Hレベル
からLレベルにした場合(コンデンサC1の放電時)と
で、ミューティング時間が異なることとなってしまう。
例えば、図7Bに示すように、HレベルからLレベルへ
の変化時に、最適なミューティングを行うように設定し
たとする。この場合には、LレベルからHレベルへの変
化時には、I0の変化が急俊となりすぎて、ショックノ
イズを伴うおそれが生じる。
【0011】この発明は、上記のような問題点を解決し
て、コンデンサへの充電時と放電時のいずれでもミュー
ティング時間の等しいミューティング制御回路を得るこ
とを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】この発明にかかるミュー
ティング制御回路は、コンデンサへの充電時には充電電
流を減少させ、放電時には放電電流を増加させる補償用
電流源をコンデンサと並列に設けたことを特徴としてい
る。
【0013】
【作用】外部コンデンサへの充電時には、補償用電流源
は充電電流を少なくするように動作する。一方、放電時
には、補償用電流源は放電電流を多くするように動作す
る。
【0014】
【実施例】図1に、この発明の一実施例によるミューテ
ィング制御回路を示す。外部コンデンサC1と並列に、
補償用電流源である定電流源20が設けられている。
【0015】端子2がミューティングを行う対象となる
信号の入力端子であり、端子4が出力端子である。制御
回路6からの出力電流Ioが大きくなると、端子4への
出力が小さくなり、ミューティングが施されるようにな
っている。
【0016】制御回路6は、制御入力端子Tcの電圧変
化に応じて出力電流Ioを制御するものである。すなわ
ち、図6に示すように、制御入力端子Tcの電圧上昇と
共に出力電流Ioを増加させて最大とし、さらに電圧が
上昇すると減少させるように制御を行う回路である。
【0017】この制御回路6の詳細を、図3に示す。端
子30が入力端子、端子32が出力端子である。端子30の電
圧が上昇すると、接続点34の電圧V2も上昇する。この
時、トランジスタ36は、電圧V2が2VF(VFはダイオ
ードの順方向電圧)を越えた時点で導通し始め、図4A
に示すように電流I5を増加させていく。これに対し、
トランジスタ38は、電圧V2が3VFを越えた時点で導通
し始め、I4を増加させていく。ここで、I4の増加は、
5の増加よりも大きく設定されている。また、出力端
子32からは、I5−I4の電流が得られる。したがって、
図4Bに示すような電流が出力端子32から得られる。こ
の出力電流Ioにより、ミューティングが行われる。
【0018】図1に戻って、端子8を、LレベルからH
レベルにした場合(コンデンサC1の充電時)の動作か
ら説明する。端子8をHレベルにすることにより、コン
デンサC1への充電が開始される。この時の充電電流I1
は、外部抵抗R1の電流I0から、抵抗R2の電流I2およ
び定電流源20の電流I3を引いた値となる。すなわち、
従来の回路に比べ、定電流源20の電流I3の分だけ充電
電流I1が少なくなる。したがって、コンデンサC1への
充電は、従来のように急俊に行われず、図2Aの曲線22
に示すように緩やかに行われる。これに応じて、制御回
路6からは、図2Bのような出力電流I0が得られてミ
ューティングが行われる。
【0019】次に、端子8をHレベルからLレベルにし
た場合(コンデンサC1の放電時)の動作を説明する。
端子8をLレベルにすることにより、コンデンサC1
放電が開始される。この時の放電電流I1は、抵抗R2
電流I2に定電流源20の電流I3を加えた値となる。すな
わち、従来の回路に比べ、定電流源20の電流I3の分だ
け放電電流I1が多くなる。したがって、コンデンサC1
の放電は、従来より迅速に行われる。これに応じて、制
御回路6からは、図2Bのような出力電流I0が得られ
てミューティングが行われる。
【0020】上記から明らかなように、定電流源20の電
流値I3を適切に設定することにより、コンデンサC1
電時と充電時とで、図2Bに示すように同じミューティ
ング時間を得ることができる。
【0021】次に、充電時と放電時のミューティング時
間を同一にするための電流値I3を算出する。まず、定
電流源20がない場合の時定数を求める。ここでは、充電
時の時定数をτH、放電時の時定数をτL、端子8への印
加電圧をVCOとし、R1=R2であるものとする。
【0022】 τH=C1・(VCO/2)/(VCO/R1) τL=C1・(VCO/2)/(VCO/2R2) したがって、充電時の時定数τHは、放電時の時定数τL
の2倍となって、等しくならない。
【0023】これに、定電流源20の電流I3を考慮する
と、次式のようになる。
【0024】 τH=C1・(VCO/2)/((VCO/R1)−I3) τL=C1・(VCO/2)/((VCO/2R2)+I3) ここで、τHとτLを等しくするためには、次式が成立す
る必要がある。
【0025】VCO/R1−I3=VCO/2R2+I3 ここで、VCO/R1をI0とし、VCO/2R2をI2とする
と、 I3=(I0−I2)/2 が算出される。したがって、上記の条件を充足するよう
にI3を設定すれば、充電時の時定数τHと放電時の時定
数τLを等しくすることができる。すなわち、充電時、
放電時の何れの場合にも同様のミューティングを行うこ
とができる。
【0026】なお、上記実施例においては、定電流源20
を用いたが、可変電流源を用いてもよい。
【0027】
【発明の効果】この発明にかかるミューティング制御回
路は、コンデンサへの充電時には充電電流を減少させ、
放電時には放電電流を増加させる補償用電流源をコンデ
ンサと並列に設けたことを特徴としている。
【0028】したがって、コンデンサへの充電時と放電
時のいずの場合でもミューティング時間の等しいミュー
ティング制御回路を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例によるミューティング制御
回路を示す図である。
【図2】図1の回路の動作を説明するための図である。
【図3】制御回路6の詳細を示す図である。
【図4】図3の回路の動作を説明するための図である。
【図5】従来のミューティング制御回路を示す図であ
る。
【図6】制御回路6の動作を示す図である。
【図7】図5の回路の動作を示すための図である。
【符号の説明】
1・・・外部抵抗 C1・・・外部コンデンサ Tc・・・制御入力端子 20・・・定電流源

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】直列に接続された第1の抵抗とコンデンサ
    の共通接続点が接続される制御入力端子と、前記制御入力端子に接続されたコンデンサに対して、並
    列接続となるように制御入力端子に接続された第2の抵
    抗と、 前記制御入力端子の電圧が第1のしきい値を越えるとミ
    ューティング制御出力を出し始め、前記制御入力端子の
    電圧上昇にしたがってミューティング制御出力を徐々に
    増加させると共に、前記制御入力端子の電圧がさらに大
    きくなるとミューティング制御出力を徐々に減少させ、
    前記制御入力端子の電圧が第2のしきい値を越えるとミ
    ューティング制御出力を停止する制御回路、 を備えたミューティング制御回路において、前記コンデンサへの充電時には充電電流を減少させ、放
    電時には放電電流を増加させる 補償用電流源を前記コン
    デンサと並列に設けたことを特徴とするミューティング
    制御回路。
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