JP3144167B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ウエハに形成された複
数の品種の半導体素子をリードフレームへ移載して半導
体装置を製造する製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ウエハに半導体素子を形成して半導体装
置を製造する製造方法のうち、半導体素子の動作速度の
分類を必要とするメモリ製品やゲートアレイ等のＡＳＩ
Ｃから成る半導体装置の製造においては、一枚のウエハ
内に複数のグレードや多品種の半導体素子が形成されて
いる場合がある。

【０００３】このような場合には、それぞれの品種毎に
分けて半導体装置を製造する必要がある。図３は、従来
の半導体装置の製造方法を説明する概略図であり、ウエ
ハ１上に形成された複数の半導体素子１１ａ（品種ａ）
および半導体素子１１ｂ（品種ｂ）を用いてそれぞれの
品種毎に半導体装置を製造するものである。すなわち、
予めウエハ１上に形成された半導体素子１１ａ、１１ｂ
をそれぞれ分割（ダイシング）しておき、この状態で所
定の特性を測定して品種分けをしておく。ここでは、説
明を簡単にするために品種ａと品種ｂとの２種類に分類
された場合を例として説明する。

【０００４】このウエハ１上の半導体素子１１ａ、１１
ｂを例えばソーティング装置を用いて品種ａおよび品種
ｂ毎にトレイ１０ａ、１０ｂへそれぞれ分けて収納す
る。つまり、半導体素子１１ａについては品種ａ用のト
レイ１０ａに収納し、一方の半導体素子１１ｂについて
は品種ｂ用のトレイ１０ｂに収納する。次に、図示しな
いダイボンディング装置を用いて、トレイ１０ａに収納
された半導体素子１１ａを品種ａ用のリードフレーム２
ａへ移載する。また、同様にトレイ１０ｂに収納された
半導体素子１１ｂを品種ｂ用のリードフレーム２ｂへ移
載する。

【０００５】この後は、それぞれの品種の半導体素子１
１ａ、１１ｂが搭載されたリードフレーム２ａ、２ｂ
を、そのリードフレーム２ａ、２ｂ単位でワイヤーボン
ディング工程やモールディング工程等に進め、品種毎の
半導体装置を製造する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのよう
な半導体装置の製造方法には次のような問題がある。す
なわち、この製造方法では、ウエハに形成された半導体
素子の品種の数に応じてトレイを用意する必要があり、
トレイの整理や洗浄等の管理が大変であるとともに、ト
レイを保管するためのスペースを用意しなければならな
い。また、それぞれの品種に分けて半導体素子をトレイ
に収納するには、一旦同じ品種の半導体素子をウエハか
ら取り出してトレイに収納した後、別のトレイを置き換
えて別の品種の半導体素子をそのトレイに収納しなけれ
ばならず、品種分けの効率を悪化させる原因となる。特
にこれらの問題は分類する品種が多ければ多いほど顕著
に現れることになる。よって本発明は効率よく品種分け
が行えるとともにトレイの管理が容易な半導体装置の製
造方法を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明のこのような課題
を解決するために成された半導体装置の製造方法であ
る。すなわち、この半導体装置の製造方法は、ウエハに
形成された複数の品種から成る半導体素子をリードフレ
ーム上に移載して品種毎に半導体装置を製造する方法で
あり、先ず、ウエハに形成された半導体素子を所定の配
列で載置できるトレイに収納するとともに、このトレイ
に収納された半導体素子の配列と半導体素子の品種との
対応を記憶手段に記憶しておく。次いで、記憶手段に記
憶しておいた半導体素子の配列と半導体素子の品種との
対応に基づいてトレイからリードフレームへ半導体素子
を移載して品種毎に製造するようにしたものである。

【０００８】また、半導体素子の品種に応じた数のリー
ドフレームをそれぞれ用意しておき、トレイに収納され
た半導体素子を記憶手段に記憶しておいた半導体素子の
配列と半導体素子の品種との対応に基づいて品種毎にこ
れらのリードフレームへ移載するようにしたり、また
は、記憶手段に記憶しておいた半導体素子の配列と半導
体素子の品種との対応に基づいて一種類のリードフレー
ムへ移載するようにした半導体装置の製造方法でもあ
る。

【０００９】

【作用】ウエハに形成された複数の品種の半導体素子を
所定の配列で載置できるトレイに収納し、載置した際の
半導体素子の配列とその半導体素子の品種との対応を記
憶手段に記憶しておくことにより、トレイのどの位置に
どのような品種の半導体素子が収納されているかを区別
することができる。この記憶内容に基づいて半導体素子
をトレイからリードフレームへ移載することにより、リ
ードフレームのどの位置にどの品種の半導体素子が搭載
されたかの区別ができるようになる。

【００１０】また、品種に応じた数のリードフレームを
用意した場合には、各品種の半導体素子が混在するトレ
イから先の記憶内容に基づいて品種毎のリードフレーム
へ半導体素子を区別して移載できるようになる。この区
別に基づいてその後の製造工程を進めることにより、半
導体装置の品種毎の製造を行うことができる。

【００１１】

【実施例】以下に、本発明の半導体装置の製造方法の実
施例を図に基づいて説明する。図１は、本発明の半導体
装置の製造方法を説明する概略図であり、（ａ）はトレ
イへの収納、（ｂ）はトレイに収納された半導体素子の
配列と品種との対応表を説明するものである。すなわ
ち、この半導体装置の製造方法は、ウエハ１に形成され
た複数の品種の半導体素子１１ａ（品種ａ）、半導体素
子１１ｂ（品種ｂ）をトレイ１０に収納することで品種
毎の半導体装置の製造を行うようにしたものである。な
お、本実施例においては説明を簡単にするために２種類
の品種ａ、ｂの半導体素子１１ａ、１１ｂがある場合を
例として説明する。

【００１２】先ず、ウエハ１の状態で各種の測定を行っ
た後、品種ａ、ｂの分類分けを行っておく。そして、そ
のウエハ１を樹脂性のシートに接着した状態でダイシン
グを行った後、このシートを引き延ばし個々の半導体素
子１１ａ、１１ｂの間隔を広げて取り出し易いようにし
ておく。

【００１３】この状態で、吸着コレット等を用いてウエ
ハ１の半導体素子１１ａ、１１ｂを取り出して、所定の
配列（ｘ、ｙ）で載置できるトレイ１０に収納する。例
えば、ウエハ１の半導体素子１１ａ、１１ｂを一つずつ
順番に取り出していき、トレイ１０の配列順に収納して
いく。つまり、品種の区別に関係なく連続して収納して
いく。これによりトレイ１０には品種ａの半導体素子１
１ａと品種ｂの半導体素子１１ｂとが混在する状態とな
る。

【００１４】また、この収納と同時に、トレイ１０上の
半導体素子１１ａ、１１ｂの配列（ｘ、ｙ）に対応した
半導体素子１１ａ、１１ｂの品種の情報をトレイ１０に
備えられたメモリキャリア３に記憶する。このトレイ１
０上の半導体素子１１ａ、１１ｂの配列（ｘ、ｙ）と品
種との対応は、例えば図１（ｂ）に示すような対応表と
して記憶されており、配列（ｘ、ｙ）とその位置に収納
されている半導体素子１１ａ、１１ｂの品種とが分かる
ようになっている。つまり、このメモリキャリア３に記
憶された情報を読み出すことによりトレイ１０のどの位
置にどのような品種の半導体素子１１ａ、１１ｂが収納
されているかが分かることになる。

【００１５】以下の製造方法においては、このメモリキ
ャリア３に記憶された情報に基づいて進められることに
なる。図２は、トレイ１０からリードフレームへの半導
体素子１１ａ、１１ｂの移載を説明する概略図であり、
複数の品種ａ、ｂの半導体素子１１ａ、１１ｂが混在し
て収納されたトレイ１０からそれぞれの品種ａ、ｂに応
じたリードフレーム２ａ、２ｂへ半導体素子１１ａ、１
１ｂを移載する状態を示すものである。すなわち、トレ
イ１０には品種ａ、ｂの半導体素子１１ａ、１１ｂが収
納されており、その配列と品種との対応がメモリキャリ
ア３に記憶された状態となっている。

【００１６】このトレイ１０から半導体素子１１ａ、１
１ｂをリードフレーム２ａ、２ｂへ移載するには一般的
なダイボンダ（図示せず）を用いるが、このダイボンダ
にメモリキャリア３に記憶されている情報を与えて、半
導体素子１１ａ、１１ｂの品種ａ、ｂの区別を付けて移
載できるようにする。つまり、図１（ｂ）に示すような
対応表から成る情報をダイボンダに与え、それぞれのリ
ードフレーム２ａ、２ｂへ半導体素子１１ａ、１１ｂを
移載するようにする。

【００１７】例えば、この対応表に基づいてトレイ１０
上の配列（１、１）に収納されているのは品種ａの半導
体素子１１ａであることが分かり、ダイボンダは配列
（１、１）に収納されている半導体素子１１ａを取り出
して品種ａ用のリードフレーム２ａへ移載するようにす
る。また、同様にこの対応表に基づいてトレイ１０上の
配列（１、２）に収納されているのは品種ｂの半導体素
子１１ｂであることが分かり、ダイボンダは配列（１、
２）に収納されている半導体素子１１ｂを取り出して品
種ｂ用のリードフレーム２ｂへ移載するようにする。

【００１８】このようにしてメモリキャリア３に記憶さ
れた情報に基づき、トレイ１０に収納された半導体素子
１１ａ、１１ｂをそれぞれの品種ａ、ｂに応じたリード
フレーム２ａ、２ｂへ移載することができ、その結果リ
ードフレーム２ａには品種ａの半導体素子１１ａのみ
が、また、リードフレーム２ｂには品種ｂの半導体素子
１１ｂのみが搭載されることになる。

【００１９】この後は、同一品種の半導体素子１１ａ、
１１ｂが搭載された各リードフレーム２ａ、２ｂ単位で
製造を進めることにより、品種ａ、ｂ毎の半導体装置を
製造することができるようになる。また、トレイ１０か
ら半導体素子１１ａ、１１ｂをリードフレームへ移載す
る場合、必ずしも品種ａ、ｂに応じた数のリードフレー
ム２ａ、２ｂへそれぞれ搭載する必要はなく、一種類の
リードフレームに混在させて搭載させても良く、この場
合には、リードフレーム上の搭載位置と半導体素子１１
ａ、１１ｂの品種との対応を付けながらその後の製造を
進めるようにする。

【００２０】なお、本実施例においてはウエハ１に２種
類の品種ａ、ｂの半導体素子１１ａ、１１ｂが形成され
ていた場合を例として説明したが、本発明はこれに限定
されず、さらに多品種の半導体素子が形成されている場
合でも同様である。また、ウエハ１に形成された半導体
素子１１ａ、１１ｂをトレイ１０に収納するにあたり、
複数枚のウエハ１に形成された半導体素子１１ａ、１１
ｂを一つのトレイ１０に収納しておくようにすればさら
に効率良くリードフレーム２ａ、２ｂへ半導体素子１１
ａ、１１ｂを移載することができるようになる。

【００２１】また、トレイ１０に収納された半導体素子
１１ａ、１１ｂの配列と品種との対応を記憶しておく記
憶手段としてメモリキャリア３を用いたが、フロッピー
ディスク等を用いても良く、トレイ１０にバーコードな
どのＩＤを添付してホストコンピュータ（図示せず）に
より管理するようにしても良い。

【００２２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置の製造方法によれば次のような効果がある。すなわ
ち、ウエハの半導体素子を収納するためのトレイとして
品種の数に関係なく一つのトレイを用意するだけで良い
ため、トレイの整理や洗浄等の管理が容易となるととも
に、トレイを保管するためのスペースの縮小化を図るこ
とが可能となる。また、トレイに収納された半導体素子
の配列と半導体素子の品種との対応を記憶しておくこと
により、ウエハからトレイへ半導体素子を移載する際に
品種の区別に関係なく連続して作業を行うことができる
ため、品種毎の半導体装置を製造するうえでの効率化を
図ることが可能となる。特に、本発明は多品種の半導体
素子から成る半導体装置を製造する場合において有効な
製造方法となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体装置の製造方法を説明する概略
図で、（ａ）はトレイへの収納、（ｂ）はトレイに収納
された半導体素子の配列と品種との対応表を示すもので
ある。

【図２】半導体素子のリードフレームへの移載を説明す
る概略図である。

【図３】従来の半導体装置の製造方法を説明する概略図
である。

【符号の説明】

１ ウエハ ２ａ リードフレーム（品種ａ） ２ｂ リードフレーム（品種ｂ） ３ メモリキャリア １０ トレイ １１ａ 半導体素子（品種ａ） １１ｂ 半導体素子（品種ｂ）

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ウエハに形成された複数の品種から成る
   半導体素子をリードフレーム上に移載し、前記品種毎に
   半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、 先ず、前記ウエハに形成された半導体素子を所定の配列
   で載置できるトレイに収納するとともに、該トレイに収
   納された半導体素子の配列と該半導体素子の品種との対
   応を記憶手段に記憶しておき、 次いで、前記記憶手段に記憶しておいた半導体素子の配
   列と該半導体素子の品種との対応に基づいて該トレイか
   ら前記リードフレームへ該半導体素子を移載して該品種
   毎に製造するようにしたことを特徴とする半導体装置の
   製造方法。
2. 【請求項２】 前記半導体素子の品種に応じた数のリー
   ドフレームをそれぞれ用意しておき、前記トレイに収納
   された該半導体素子を前記記憶手段に記憶しておいた半
   導体素子の配列と該半導体素子の品種との対応に基づい
   て該品種毎に該リードフレームへ移載するようにしたこ
   とを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 前記トレイに収納された半導体素子を前
   記記憶手段に記憶しておいた半導体素子の配列と該半導
   体素子の品種との対応に基づいて一種類のリードフレー
   ムへ移載するようにしたことを特徴とする請求項１記載
   の半導体装置の製造方法。