JP3138409B2 - 半導体ウエハの洗浄装置及び半導体ウエハの洗浄方法 - Google Patents
半導体ウエハの洗浄装置及び半導体ウエハの洗浄方法Info
- Publication number
- JP3138409B2 JP3138409B2 JP07190239A JP19023995A JP3138409B2 JP 3138409 B2 JP3138409 B2 JP 3138409B2 JP 07190239 A JP07190239 A JP 07190239A JP 19023995 A JP19023995 A JP 19023995A JP 3138409 B2 JP3138409 B2 JP 3138409B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- supply line
- cleaning
- ice
- liquid nitrogen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、粒状の氷を半導体
ウエハに噴射して半導体ウエハを洗浄する洗浄装置及び
洗浄方法に関するものである。
ウエハに噴射して半導体ウエハを洗浄する洗浄装置及び
洗浄方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウエハの製造工程の中の洗
浄工程において、ウエハ上に付着した異物を直接的に除
去する方法として、ブラシを用いてウエハ上を直に擦る
ことにより洗浄する等の方法が用いられてきた。しか
し、高い洗浄能力が得られない、ブラシの摩耗等により
洗浄能力が経時的に変化する等の問題があった。
浄工程において、ウエハ上に付着した異物を直接的に除
去する方法として、ブラシを用いてウエハ上を直に擦る
ことにより洗浄する等の方法が用いられてきた。しか
し、高い洗浄能力が得られない、ブラシの摩耗等により
洗浄能力が経時的に変化する等の問題があった。
【０００３】上記問題点を解決するために、特開昭６３
−２９５１５号公報に示す方法が提案されている。その
方法とは、製氷機５内において大量に作られた数十ｎｍ
の大きさの粒状の氷６を音速に近い超高速にて半導体ウ
エハ８にぶつけることにより、半導体ウエハ８上のパー
ティクルをこの粒状態の氷６の衝撃にて除去するという
ものである。この粒状の氷６を大量に作るためには、製
氷機５内に大量の冷媒である液体窒素とこの液体窒素に
より冷却され氷となる純水とを供給していた。
−２９５１５号公報に示す方法が提案されている。その
方法とは、製氷機５内において大量に作られた数十ｎｍ
の大きさの粒状の氷６を音速に近い超高速にて半導体ウ
エハ８にぶつけることにより、半導体ウエハ８上のパー
ティクルをこの粒状態の氷６の衝撃にて除去するという
ものである。この粒状の氷６を大量に作るためには、製
氷機５内に大量の冷媒である液体窒素とこの液体窒素に
より冷却され氷となる純水とを供給していた。
【０００４】一方、洗浄後、次の半導体ウエハ８の洗浄
が始まるまでは製氷機５内の温度は−１１０℃〜−１４
０℃の低温に保持される必要がある。この待機時に保冷
を行わず、製氷機５内の温度が高くなった場合、次の半
導体ウエハ８の洗浄の為に、再び液体窒素を製氷機５内
に供給した際、製氷機５内との温度差が大きいために、
一定の大きさをもつ氷が製氷できず安定した洗浄能力が
得られない。
が始まるまでは製氷機５内の温度は−１１０℃〜−１４
０℃の低温に保持される必要がある。この待機時に保冷
を行わず、製氷機５内の温度が高くなった場合、次の半
導体ウエハ８の洗浄の為に、再び液体窒素を製氷機５内
に供給した際、製氷機５内との温度差が大きいために、
一定の大きさをもつ氷が製氷できず安定した洗浄能力が
得られない。
【０００５】したがって、半導体ウエハ８を洗浄してい
ない待機時において、製氷機５内の温度を−１１０℃〜
−１４０℃に保冷するために、それまでは、常時製氷時
と同じ量の液体窒素を製氷機５内に供給していた。しか
し、この保冷の為の液体窒素の供給を製氷時と同じ量で
行うと必要以上に多量の液体窒素が消費され、経済的な
観点から、問題があった。
ない待機時において、製氷機５内の温度を−１１０℃〜
−１４０℃に保冷するために、それまでは、常時製氷時
と同じ量の液体窒素を製氷機５内に供給していた。しか
し、この保冷の為の液体窒素の供給を製氷時と同じ量で
行うと必要以上に多量の液体窒素が消費され、経済的な
観点から、問題があった。
【０００６】上記問題に対して、液体窒素の量を保冷に
必要な最低限の量に抑えるために、従来技術として、図
３に示すように液体窒素供給ラインに電磁弁９を入れ、
液体窒素供給ライン３を製氷機５内の温度に応じて電磁
弁９にて開閉することにより、製氷機５内を一定の温度
幅に保冷する方法や、図４に示すように、液体窒素供給
ライン３に窒素ガスを別ライン１５より導入し、液体窒
素供給ライン３内を流れる体積は一定のため、液体窒素
の他に窒素ガスを導入し、この窒素ガスの量を制御する
ことにより液体窒素の量を制御する方法等が用いられて
いる。
必要な最低限の量に抑えるために、従来技術として、図
３に示すように液体窒素供給ラインに電磁弁９を入れ、
液体窒素供給ライン３を製氷機５内の温度に応じて電磁
弁９にて開閉することにより、製氷機５内を一定の温度
幅に保冷する方法や、図４に示すように、液体窒素供給
ライン３に窒素ガスを別ライン１５より導入し、液体窒
素供給ライン３内を流れる体積は一定のため、液体窒素
の他に窒素ガスを導入し、この窒素ガスの量を制御する
ことにより液体窒素の量を制御する方法等が用いられて
いる。
【０００７】尚、図３は第１の従来の半導体ウエハの洗
浄装置の構成図であり、図４は第２の従来の半導体ウエ
ハの洗浄装置の構成図であり、図３及び図４において、
１は液体窒素タンク、２は中間分離器、３は液体窒素供
給ライン、４は純水供給ライン、５は製氷機、６は粒状
の氷、７は噴射ノズル、８は半導体ウエハ、９は電磁
弁、１０、１３、１５は窒素ガスライン、１２は液体窒
素である。
浄装置の構成図であり、図４は第２の従来の半導体ウエ
ハの洗浄装置の構成図であり、図３及び図４において、
１は液体窒素タンク、２は中間分離器、３は液体窒素供
給ライン、４は純水供給ライン、５は製氷機、６は粒状
の氷、７は噴射ノズル、８は半導体ウエハ、９は電磁
弁、１０、１３、１５は窒素ガスライン、１２は液体窒
素である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図３に
示す方法においては、液体窒素供給ライン３を直接開閉
するため、構造的に寿命の短い電磁弁９の動作回数が増
大し、頻繁に電磁弁９を交換する必要があるという問題
があった。
示す方法においては、液体窒素供給ライン３を直接開閉
するため、構造的に寿命の短い電磁弁９の動作回数が増
大し、頻繁に電磁弁９を交換する必要があるという問題
があった。
【０００９】また、図４に示す方法においては、細い液
体窒素供給ライン３内に窒素ガスを流すことにより、液
体窒素供給ライン３の内壁の温度が窒素ガス流量により
昇降する。この液体窒素供給ライン３の内壁の温度の昇
降により、液体窒素供給ライン３の内壁よりダストが発
生し、製氷機５内に蓄積されるため、次に装置を使用し
て洗浄を行う際、半導体ウエハ８上にダストが多量に付
着するという問題が生じる。
体窒素供給ライン３内に窒素ガスを流すことにより、液
体窒素供給ライン３の内壁の温度が窒素ガス流量により
昇降する。この液体窒素供給ライン３の内壁の温度の昇
降により、液体窒素供給ライン３の内壁よりダストが発
生し、製氷機５内に蓄積されるため、次に装置を使用し
て洗浄を行う際、半導体ウエハ８上にダストが多量に付
着するという問題が生じる。
【００１０】また、特開平４−１７８１８号公報には、
配管内から発生するダスト対策及び保冷手段として液体
窒素供給ラインにダスト量を測定するダストカウンター
と連動した三方弁を用いる方法が記載されているが、こ
の方法では、ダストが問題とならない場合は、製氷時と
同じ量の液体窒素が流れ、ダストが多い場合はダストが
減少するまで製氷動作ができないという問題点がある。
配管内から発生するダスト対策及び保冷手段として液体
窒素供給ラインにダスト量を測定するダストカウンター
と連動した三方弁を用いる方法が記載されているが、こ
の方法では、ダストが問題とならない場合は、製氷時と
同じ量の液体窒素が流れ、ダストが多い場合はダストが
減少するまで製氷動作ができないという問題点がある。
【００１１】本発明は、上記問題点に鑑み、経済的に必
要最低限の液体窒素の消費量で、長期間安定してダスト
を生じさせることなく、製氷機内の温度を所定のレベル
に保持する手段を提供することを目的とする。
要最低限の液体窒素の消費量で、長期間安定してダスト
を生じさせることなく、製氷機内の温度を所定のレベル
に保持する手段を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の本発明の
半導体ウエハの洗浄装置は、液体冷媒が導入された水槽
から上記液体冷媒を第１の供給ラインを用いて製氷機内
に送り、該製氷機内において製造された粒状の氷を半導
体ウエハに噴射することにより、該半導体ウエハを洗浄
する半導体ウエハの洗浄装置において、上記第１の供給
ラインより管径の細い、第２の供給ラインと、上記第１
の供給ラインの開閉手段と、上記第２の供給ラインの開
閉手段とを有することを特徴とするものである。
半導体ウエハの洗浄装置は、液体冷媒が導入された水槽
から上記液体冷媒を第１の供給ラインを用いて製氷機内
に送り、該製氷機内において製造された粒状の氷を半導
体ウエハに噴射することにより、該半導体ウエハを洗浄
する半導体ウエハの洗浄装置において、上記第１の供給
ラインより管径の細い、第２の供給ラインと、上記第１
の供給ラインの開閉手段と、上記第２の供給ラインの開
閉手段とを有することを特徴とするものである。
【００１３】また、請求項２記載の本発明の半導体ウエ
ハの洗浄方法は、請求項１記載の半導体ウエハの洗浄装
置を用いて、待機時に、上記第１の供給ラインの開閉手
段を閉じ、且つ、上記第２の供給ラインの開閉手段を開
き、上記液体冷媒を第２の供給ラインを用いて製氷機に
送り、製氷機内の温度を常に所定の温度に保つことを特
徴とするものである。
ハの洗浄方法は、請求項１記載の半導体ウエハの洗浄装
置を用いて、待機時に、上記第１の供給ラインの開閉手
段を閉じ、且つ、上記第２の供給ラインの開閉手段を開
き、上記液体冷媒を第２の供給ラインを用いて製氷機に
送り、製氷機内の温度を常に所定の温度に保つことを特
徴とするものである。
【００１４】更に、請求項３記載の本発明の半導体ウエ
ハの洗浄方法は、液体冷媒と該液体冷媒と反応しないガ
スとが水槽に導入され、該ガスの圧力により、上記水槽
から上記液体冷媒を第１の供給ラインを用いて製氷機内
に送り、該製氷機内において製造された粒状の氷を半導
体ウエハに噴射することにより、該半導体ウエハを洗浄
する半導体ウエハの洗浄方法において、待機時に、上記
ガスの圧力を減らすことにより、製氷時より上記第１の
供給ラインに用いて送られる液体冷媒の量を減らし、且
つ、待機時の製氷機内の温度を所定の温度に保つことを
特徴とするものである。
ハの洗浄方法は、液体冷媒と該液体冷媒と反応しないガ
スとが水槽に導入され、該ガスの圧力により、上記水槽
から上記液体冷媒を第１の供給ラインを用いて製氷機内
に送り、該製氷機内において製造された粒状の氷を半導
体ウエハに噴射することにより、該半導体ウエハを洗浄
する半導体ウエハの洗浄方法において、待機時に、上記
ガスの圧力を減らすことにより、製氷時より上記第１の
供給ラインに用いて送られる液体冷媒の量を減らし、且
つ、待機時の製氷機内の温度を所定の温度に保つことを
特徴とするものである。
【００１５】上記のように、製氷時に液体冷媒を供給す
る第１の供給ラインより管径の細い第２の供給ラインを
設けることにより、待機時には、第１の開閉手段を閉じ
ておき、且つ、第２の開閉手段を開いているので、開閉
手段の動作回数が減り、開閉手段の故障も起こりにく
い。
る第１の供給ラインより管径の細い第２の供給ラインを
設けることにより、待機時には、第１の開閉手段を閉じ
ておき、且つ、第２の開閉手段を開いているので、開閉
手段の動作回数が減り、開閉手段の故障も起こりにく
い。
【００１６】また、他のガスを用いずに液体冷媒の量が
減らせるので、断熱材で覆われている第１の供給ライン
内は、液体冷媒のみなので、温度変化はなく、ダストが
発生しにくい。
減らせるので、断熱材で覆われている第１の供給ライン
内は、液体冷媒のみなので、温度変化はなく、ダストが
発生しにくい。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態に基づい
て本発明について詳細に説明する。
て本発明について詳細に説明する。
【００１８】図１は請求項１及び請求項２記載の本発明
の実施の形態の半導体ウエハの洗浄装置の構成図であ
り、図２は請求項３記載の本発明の実施の形態の半導体
ウエハの洗浄装置の構成図である。尚、図１及び図２に
おいて、１は液体窒素タンク、２は中間分離器、３は液
体窒素供給ライン、４は純水供給ライン、５は製氷機、
６は粒状の氷、７は噴射ノズル、８は半導体ウエハ、
９，１４は電磁弁、１０、１３は窒素ガスライン、１１
はバイパスライン、１２は液体窒素、１６は圧力制御弁
を示す。
の実施の形態の半導体ウエハの洗浄装置の構成図であ
り、図２は請求項３記載の本発明の実施の形態の半導体
ウエハの洗浄装置の構成図である。尚、図１及び図２に
おいて、１は液体窒素タンク、２は中間分離器、３は液
体窒素供給ライン、４は純水供給ライン、５は製氷機、
６は粒状の氷、７は噴射ノズル、８は半導体ウエハ、
９，１４は電磁弁、１０、１３は窒素ガスライン、１１
はバイパスライン、１２は液体窒素、１６は圧力制御弁
を示す。
【００１９】以下、図１を用いて、請求項１及び請求項
２記載の本発明を説明する。
２記載の本発明を説明する。
【００２０】図１において、通常の洗浄時は液体窒素タ
ンク１に蓄えられた液体窒素１２に窒素ガスライン１０
より供給される窒素ガスによる圧力が加えられることに
より、中間分離器２に０．２〜０．５ｋｇ／ｍｉｎの量
の液体窒素が供給される。尚、中間分離器２は製氷機５
に供給される液体窒素の液体窒素の圧力を一定に保つた
めに設けられており、液体窒素１２の量が減少すれば窒
素ガスライン１０を加圧することで補給する。
ンク１に蓄えられた液体窒素１２に窒素ガスライン１０
より供給される窒素ガスによる圧力が加えられることに
より、中間分離器２に０．２〜０．５ｋｇ／ｍｉｎの量
の液体窒素が供給される。尚、中間分離器２は製氷機５
に供給される液体窒素の液体窒素の圧力を一定に保つた
めに設けられており、液体窒素１２の量が減少すれば窒
素ガスライン１０を加圧することで補給する。
【００２１】次に、中間分離器２に蓄えられた液体窒素
１２に窒素ガスライン１３より圧力を加え、電磁弁１４
を閉じ、電磁弁９を開くことにより、製氷機５内に液体
窒素１２を供給する。このとき、同時に純水ライン４よ
り純水が霧状に供給され、液体窒素で冷却され、粒状の
氷６が生成される。
１２に窒素ガスライン１３より圧力を加え、電磁弁１４
を閉じ、電磁弁９を開くことにより、製氷機５内に液体
窒素１２を供給する。このとき、同時に純水ライン４よ
り純水が霧状に供給され、液体窒素で冷却され、粒状の
氷６が生成される。
【００２２】次に、製氷機５内にて、上述のようにして
形成された粒状の氷は噴射ノズル７より高速で半導体ウ
エハ８上に噴射される。この高速で半導体ウエハ８上に
噴射された粒状の氷６の衝撃によりパーティクルは除去
される。
形成された粒状の氷は噴射ノズル７より高速で半導体ウ
エハ８上に噴射される。この高速で半導体ウエハ８上に
噴射された粒状の氷６の衝撃によりパーティクルは除去
される。
【００２３】一方、待機時には、製氷機５内の温度を次
の製氷時に備えて、−１１０〜１４０℃に保つために電
磁弁９を閉じ、電磁弁１４を開け、液体窒素がバイパス
ライン１１を経由し、製氷機５を上記温度に保冷する。
この保冷ためには、製氷機５の大きさや窒素ラインの径
によるが、液体窒素は製氷時の約１／３以下の必要最低
限の量が供給されるようにする。また、バイパスライン
１１の管の径は液体窒素供給ライン３の径の半分程度で
よいが、製氷機５のサイズや製氷量等で決まるので、液
体窒素の量やバイパスラインの管の径はこれらに限定さ
れるものではなく、設計的に適宜変更可能なものであ
る。
の製氷時に備えて、−１１０〜１４０℃に保つために電
磁弁９を閉じ、電磁弁１４を開け、液体窒素がバイパス
ライン１１を経由し、製氷機５を上記温度に保冷する。
この保冷ためには、製氷機５の大きさや窒素ラインの径
によるが、液体窒素は製氷時の約１／３以下の必要最低
限の量が供給されるようにする。また、バイパスライン
１１の管の径は液体窒素供給ライン３の径の半分程度で
よいが、製氷機５のサイズや製氷量等で決まるので、液
体窒素の量やバイパスラインの管の径はこれらに限定さ
れるものではなく、設計的に適宜変更可能なものであ
る。
【００２４】このようにして、バイパスライン１１より
供給される液体窒素１２により製氷機５は、次の製氷を
安定して行えるよう−１１０〜１４０℃に保冷される。
そして、液体窒素供給ライン３の管の径より小さい管の
径をもつバイパスライン１１により、液体窒素を製氷機
に供給するため、待機時の液体窒素の量を減らすことが
でき、断熱材で覆われたバイパスライン１１の管内は液
体窒素だけなので、温度変化がなく、ダストは発生しに
くい。
供給される液体窒素１２により製氷機５は、次の製氷を
安定して行えるよう−１１０〜１４０℃に保冷される。
そして、液体窒素供給ライン３の管の径より小さい管の
径をもつバイパスライン１１により、液体窒素を製氷機
に供給するため、待機時の液体窒素の量を減らすことが
でき、断熱材で覆われたバイパスライン１１の管内は液
体窒素だけなので、温度変化がなく、ダストは発生しに
くい。
【００２５】尚、上記本発明の実施の形態において、バ
イパスライン１１の管の径は液体窒素供給ライン３の管
の径より小さかったが、バイパスライン１１に電磁弁と
ニードルバブルを設けることによって、バイパスライン
１１の管の径は任意に設計できる。
イパスライン１１の管の径は液体窒素供給ライン３の管
の径より小さかったが、バイパスライン１１に電磁弁と
ニードルバブルを設けることによって、バイパスライン
１１の管の径は任意に設計できる。
【００２６】実験において、上記本発明の実施の形態を
用いた場合と、図４に示す従来技術を用いた場合のパー
ティクル数を比較すると、洗浄時連続して使用している
ときは、両方とも略々等しい数のパーティクルとなる
が、待機時直後の洗浄時において、図４に示す従来技術
を用いた場合、２００〜４００個／ウエハであるのに対
して、本発明を用いた場合、３０個／ウエハであった。
用いた場合と、図４に示す従来技術を用いた場合のパー
ティクル数を比較すると、洗浄時連続して使用している
ときは、両方とも略々等しい数のパーティクルとなる
が、待機時直後の洗浄時において、図４に示す従来技術
を用いた場合、２００〜４００個／ウエハであるのに対
して、本発明を用いた場合、３０個／ウエハであった。
【００２７】次に、図２を用いて、請求項３記載の本発
明を説明する。
明を説明する。
【００２８】図２において、通常の洗浄時は図１に示す
洗浄装置を用いた場合と同様に、液体窒素タンク１に蓄
えられた液体窒素１２に窒素ガスライン１０より圧力を
加えることにより、中間分離器２に０．２〜０．５ｋｇ
／ｍｉｎの量の液体窒素が供給される。
洗浄装置を用いた場合と同様に、液体窒素タンク１に蓄
えられた液体窒素１２に窒素ガスライン１０より圧力を
加えることにより、中間分離器２に０．２〜０．５ｋｇ
／ｍｉｎの量の液体窒素が供給される。
【００２９】次に、中間分離器２に蓄えられた液体窒素
１２に窒素ガスライン１３より圧力を加え、電磁弁９を
開くことにより、製氷機５内に液体窒素１２を供給す
る。このとき、同時に純水ライン４より純水が霧状に供
給され、液体窒素で冷却され、粒状の氷６が生成され
る。
１２に窒素ガスライン１３より圧力を加え、電磁弁９を
開くことにより、製氷機５内に液体窒素１２を供給す
る。このとき、同時に純水ライン４より純水が霧状に供
給され、液体窒素で冷却され、粒状の氷６が生成され
る。
【００３０】次に、製氷機５内にて、上述のようにして
形成された粒状の氷は噴射ノズル７より高速で半導体ウ
エハ８上に噴射される。この高速で半導体ウエハ８上に
噴射された粒状の氷６の衝撃によりパーティクルは除去
される。
形成された粒状の氷は噴射ノズル７より高速で半導体ウ
エハ８上に噴射される。この高速で半導体ウエハ８上に
噴射された粒状の氷６の衝撃によりパーティクルは除去
される。
【００３１】次に、待機時は、窒素ガスライン１３に設
けた圧力制御弁１６により供給する窒素圧力を洗浄終了
と同時に製氷時の約１／３以下の低圧にすることによ
り、製氷機５内への液体窒素１２の供給量を１／３程度
に下げ、製氷機５内へは次の製氷時に備え、−１１０〜
１４０℃に保冷するのに必要な量だけを供給する。尚、
電磁弁９はこの待機状態でも開いた状態であるため、電
磁弁９の開閉動作はほとんど行われない。
けた圧力制御弁１６により供給する窒素圧力を洗浄終了
と同時に製氷時の約１／３以下の低圧にすることによ
り、製氷機５内への液体窒素１２の供給量を１／３程度
に下げ、製氷機５内へは次の製氷時に備え、−１１０〜
１４０℃に保冷するのに必要な量だけを供給する。尚、
電磁弁９はこの待機状態でも開いた状態であるため、電
磁弁９の開閉動作はほとんど行われない。
【００３２】このようにして、待機時の液体窒素の製氷
機５内への供給量は減少し、且つ、ダストも発生しにく
い。また、液体窒素供給ラインの電磁弁も待機時は開い
た状態でよいので、電磁弁の寿命も延びる。尚、上記待
機時に供給する液体窒素１２の量は、製氷機５のサイズ
や製氷量等で決まるので、設計的に適宜変更可能なもの
である。
機５内への供給量は減少し、且つ、ダストも発生しにく
い。また、液体窒素供給ラインの電磁弁も待機時は開い
た状態でよいので、電磁弁の寿命も延びる。尚、上記待
機時に供給する液体窒素１２の量は、製氷機５のサイズ
や製氷量等で決まるので、設計的に適宜変更可能なもの
である。
【００３３】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、待機時の
保冷に用いる冷媒を必要最低限の量に抑えることがで
き、待機時直後の洗浄時に、１枚目からパーティクルの
発塵がない洗浄が行えると同時に、洗浄装置の経済的な
運転が可能となる。
保冷に用いる冷媒を必要最低限の量に抑えることがで
き、待機時直後の洗浄時に、１枚目からパーティクルの
発塵がない洗浄が行えると同時に、洗浄装置の経済的な
運転が可能となる。
【００３４】また、電磁弁の開閉回数を減らすことがで
きるので、電磁弁の寿命を延ばし、電磁弁の交換回数を
減らすことができる。
きるので、電磁弁の寿命を延ばし、電磁弁の交換回数を
減らすことができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態の半導体ウエハの洗
浄装置の構成図である。
浄装置の構成図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態の半導体ウエハの洗
浄装置の構成図である。
浄装置の構成図である。
【図３】第１の従来の半導体ウエハの洗浄装置の構成図
である。
である。
【図４】第２の従来の半導体ウエハの洗浄装置の構成図
である。
である。
１ 液体窒素タンク ２ 中間分離器 ３ 液体窒素供給ライン ４ 純水供給ライン ５ 製氷機 ６ 粒状の氷 ７ 噴射ノズル ８ 半導体ウエハ ９、１４ 電磁弁 １０、１３、１５ 窒素ガスライン １１ バイパスライン １２ 液体窒素 １６ 圧力制御弁
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 643 B24C 1/00 B24C 11/00
Claims (3)
- 【請求項１】 液体冷媒が導入された水槽から上記液体
冷媒を第１の供給ラインを用いて製氷機内に送り、該製
氷機内において製造された粒状の氷を半導体ウエハに噴
射することにより、該半導体ウエハを洗浄する半導体ウ
エハの洗浄装置において、 上記第１の供給ラインより管径の細い、第２の供給ライ
ンと、 上記第１の供給ラインの開閉手段と、 上記第２の供給ラインの開閉手段とを有することを特徴
とする、半導体ウエハの洗浄装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体ウエハの洗浄装置
を用いて、待機時に、上記第１の供給ラインの開閉手段
を閉じ、且つ、上記第２の供給ラインの開閉手段を開
き、上記液体冷媒を第２の供給ラインを用いて製氷機に
送り、製氷機内の温度を常に所定の温度に保つことを特
徴とする、半導体ウエハの洗浄方法。 - 【請求項３】 液体冷媒と該液体冷媒と反応しないガス
とが水槽に導入され、該ガスの圧力により、上記水槽か
ら上記液体冷媒を第１の供給ラインを用いて製氷機内に
送り、該製氷機内において製造された粒状の氷を半導体
ウエハに噴射することにより、該半導体ウエハを洗浄す
る半導体ウエハの洗浄方法において、 待機時に、上記ガスの圧力を減らすことにより、製氷時
より上記第１の供給ラインに用いて送られる液体冷媒の
量を減らし、且つ、待機時の製氷機内の温度を所定の温
度に保つことを特徴とする、半導体ウエハの洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07190239A JP3138409B2 (ja) | 1995-07-26 | 1995-07-26 | 半導体ウエハの洗浄装置及び半導体ウエハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07190239A JP3138409B2 (ja) | 1995-07-26 | 1995-07-26 | 半導体ウエハの洗浄装置及び半導体ウエハの洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0945652A JPH0945652A (ja) | 1997-02-14 |
| JP3138409B2 true JP3138409B2 (ja) | 2001-02-26 |
Family
ID=16254823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07190239A Expired - Fee Related JP3138409B2 (ja) | 1995-07-26 | 1995-07-26 | 半導体ウエハの洗浄装置及び半導体ウエハの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3138409B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3980416B2 (ja) * | 2002-06-17 | 2007-09-26 | 住友重機械工業株式会社 | エアロゾル洗浄装置、及び、その制御方法 |
-
1995
- 1995-07-26 JP JP07190239A patent/JP3138409B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0945652A (ja) | 1997-02-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2538476B2 (ja) | 金型冷却装置 | |
| CN1796008B (zh) | 基板处理装置及其处理方法 | |
| JPH0435872A (ja) | 凍結粒子を使用した研磨装置 | |
| KR20080047264A (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
| JPH081115A (ja) | 精密部品の洗浄方法 | |
| KR100385432B1 (ko) | 표면 세정용 에어로졸 생성 시스템 | |
| JP3138409B2 (ja) | 半導体ウエハの洗浄装置及び半導体ウエハの洗浄方法 | |
| JP2006269714A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP3961665B2 (ja) | 洗浄剥離方法及びその装置 | |
| JP2008043909A (ja) | ドライアイススノー洗浄装置および方法 | |
| JP2002066483A (ja) | ドライアイス噴射洗浄方法とその装置 | |
| JP2001321821A (ja) | 熱延鋼帯の冷却装置 | |
| JP2009290241A (ja) | 洗浄装置およびその洗浄装置を利用した被洗浄物の洗浄方法 | |
| CN109352531A (zh) | 一种研磨液供给系统及化学机械研磨液的供给方法 | |
| JP2002013846A (ja) | 水中過冷却解除による製氷方法及び製氷装置 | |
| JP4540163B2 (ja) | 洗浄装置及びその洗浄装置を利用した被洗浄物の洗浄方法 | |
| JP2002074494A (ja) | 飲料販売機の飲料冷却装置およびその運転制御方法 | |
| JP3980416B2 (ja) | エアロゾル洗浄装置、及び、その制御方法 | |
| JPH04171818A (ja) | 半導体ウエハの洗浄装置 | |
| JP4186836B2 (ja) | 氷蓄熱装置 | |
| JP3223560U (ja) | ドライアイス洗浄装置 | |
| JPH0536662A (ja) | 半導体ウエハ洗浄方法及び装置 | |
| JP2664298B2 (ja) | 洗浄装置および洗浄方法 | |
| KR20010095594A (ko) | 염수분무시험기용 노즐세척장치 | |
| KR200207461Y1 (ko) | 분체 자동 이송장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071208 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081208 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |