JP3129649U - 発光ダイオード装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】他の要素間に反射要素を配置して緊密に結合させ、全体構造を従来のものよりも強固にし、熱応力により各構成要素に発生する変形や剥離を効果的に防ぐ発光ダイオード装置を提供する。
【解決手段】回路基板110、ヒートシンク140、レンズ130及び反射要素120を備える。回路基板110は、凹部、複数の貫通孔及び複数の半田付け可能な回路111を有する。ヒートシンク140は、ダイパッド141、複数のラッパ状の貫通孔、複数の突起及びフック部を有し、ヒートシンク140は、凹部に配置され、突起と回路基板110により係合構造を形成する。レンズ130は、回路基板110上に配置される。反射要素120は、貫通孔とラッパ状の貫通孔に設置され、レンズの周縁部を包囲する。
【選択図】図2

Description

本考案は、発光ダイオード装置に関し、特に複数の半田付け可能な回路を備え、反射要素により各構成要素が結合固定された発光ダイオード装置に関する。
発光ダイオードは、近年急速に発展してきた新型の照明装置である。発光ダイオードは、小体積、高速応答、長寿命、低駆動電圧、耐衝撃性などの特性において、従来の各種光源よりも優れている。そして、チップの種類や製造工程を制御することにより、様々な単色光の発光ダイオード装置を製作することができる。
ある種類の単色光の発光ダイオードに特定成分の蛍光体粉末を配すると、補色の光学原理により人間の視覚は白色を認知することができる。現在、発光効率において最も良好な組み合わせは、青色を放射する発光ダイオードと特定成分の蛍光体粉末との組み合わせである。或いは、同一の装置の中に赤光、緑光及び青光の発光ダイオードを近距離で配列させ、補色の光学原理により人間の視覚に白色を認知させることもできる。
発光ダイオード装置の1ワット(watt)当りのルーメン(lumen)が次第に向上するに従い、高パワーの白色発光ダイオード装置の機能は、従来の白熱電球の機能とほぼ同じかそれ以上であるため、その応用範囲は日増しに広がっている。しかし、従来のパッケージ構造の様々な応用において発生する問題も次第に明らかになってきた。
例えば、従来の発光ダイオード装置は、DIP(Dual Inline Package)ピンにより回路基板と電気的に接続されていた。しかし、この方法は、半田の品質不良により形成されたボイドや人的要因により発生した半田の欠陥、又はピンとパッドとの接触不良などにより収率が低下しただけでなく、製品全体の薄型化を行うこともできなかった。
そのため、回路基板と緊密に結合することのできる発光ダイオード装置が求められていた。この発光ダイオード装置は、最も少ない発光ダイオード装置により様々な光色を放射する必要がある時に利用することができる。本考案が有する半田付け可能な回路は、ユーザの必要に応じ、発光ダイオードが放射する光色や光強度を変え、単位面積当たりに必要な発光ダイオード装置の数を減らすことができる。
本考案の第1の目的は、反射要素の成形工程を行う時に、原料の流動性を利用し、反射要素の成形冷却後に、その他の構成要素を強固に一体化させて各構成要素を緊密に結合させる発光ダイオード装置を提供することにある。
本考案の第2の目的は、様々な光色や光強度の必要性に応じて適用する様々な半田付け可能な回路を有する発光ダイオード装置を提供することにある。
本願の考案である発光ダイオード装置は、回路基板、ヒートシンク、レンズ及び反射要素を備え、前記回路基板は、凹部、複数の貫通孔及び複数の半田付け可能な回路を有し、前記ヒートシンクは、ダイパッド、複数のラッパ状の貫通孔、複数の突起及びフック部を有し、前記ヒートシンクは、前記凹部に配置され、前記突起と前記回路基板とにより係合構造を形成し、前記レンズは、前記回路基板上に配置され、前記反射要素は、前記貫通孔と前記ラッパ状の貫通孔に配置され、前記レンズの周縁部を包囲することを特徴とする。
本考案の発光ダイオード装置は、以下の長所を有する。
(1)他の要素間に反射要素を設置して緊密に結合させ、全体構造を従来のものよりも強固にし、熱応力により各構成要素に発生する変形や剥離を効果的に防ぐことができる。
(2)回路基板が様々な種類の半田付け可能な回路を含むことができるため、様々な指向性を有する光源が必要とされる応用分野への応用が簡単である。そのため、ユーザは必要に応じ、1つか複数の発光ダイオードチップを配置することにより、発光ダイオードが出力する光色又は光強度を変え、装着する発光ダイオード装置の数を単位面積当たりで減らすことができる。
以下、本考案の実施形態を図面に基づいて説明する。
図1を参照する。図1は、本考案の好適な一実施形態による発光ダイオード装置を示す斜視図である。発光ダイオード装置100は、回路基板110、反射要素120及びレンズ130を備える。
回路基板110は、複数の半田付け可能な回路111を有し、各半田付け可能な回路111は、回路基板110の頂面から側面を通って底面まで延伸されている。
反射要素120は、発光ダイオードチップから放射された光線をレンズ130に反射するとともに、その他の要素を固着させる。
レンズ130は、発光ダイオード装置100の中に設けられた発光ダイオードチップから放射された光線を発光ダイオード装置100の外側へ放射させる。
図2を参照する。図2は、本考案の好適な一実施形態による発光ダイオード装置の断面を示す斜視図である。図2に示すように、発光ダイオード装置100は、ヒートシンク140をさらに備える。
ヒートシンク140の頂面にはダイパッド141が設けられている。ダイパッド141は、発光ダイオードチップセットを配置してヒートシンク140と電気的に接続させ、ヒートシンク140の頂面に設けられた矩形状の凹部である。
また、回路基板110、反射要素120、レンズ130及びヒートシンク140の断面を見ると分かるように、反射要素120は、回路基板110上に予め設けられた貫通孔に設置され、その頂面及び底面により、それぞれ回路基板110を挟んで固定されている。反射要素120の環状部分は、レンズ130の周縁部を覆って固定している。また、反射要素120の一部が器具により加熱変形され、レンズ130を挟んで固定している。反射要素120は、さらにヒートシンク140上に予め設けられた貫通孔に設置され、フック構造と嵌合されている。
図3を参照する。図3は、本考案の好適な一実施形態による発光ダイオード装置を示す側面図である。図3に示すように、ヒートシンク140の一部は、回路基板110の中に配置され、残りの部分は発光ダイオード装置100の外側に露出されている。回路基板110の中に配置された部分は、反射要素120と密着され、外側に露出された部分により、発光ダイオード装置100の放熱能力を向上させることができる。
図4を参照する。図4は、本考案の好適な一実施形態による発光ダイオードを示す平面図である。図4に示すように、レンズ130は、反射要素120の環状部分により包囲されている。回路基板110の頂面では、半田付け可能な回路111がレンズ130を中心として各方向に向かって設けられている。また位置決め孔112が回路基板110の一隅に設けられ、発光ダイオード装置100を装着する時の位置決めに用いられる。
図5を参照する。図5は、本考案の好適な一実施形態による発光ダイオードを示す底面図である。図5に示すように、様々な回路が簡便に装着できるように、半田付け可能な回路111は、回路基板110の底面まで延伸されている。ヒートシンク140は、外側に露出された部分により、発光ダイオード装置100の内部に発生した熱量を外部に放出する。
図6A及び図6Bを参照する。図6Aは、本考案の好適な一実施形態による回路基板の頂面を示す斜視図であり、図6Bは、本考案の好適な一実施形態による回路基板の底面を示す斜視図である。図6A及び図6Bに示すように、回路基板110は、複数の回路基板110に穿設された貫通孔113及び貫通孔114と、ヒートシンク140を設置する凹部115とを含む。
ヒートシンク140を設置する貫通孔113は、発光ダイオード装置100の内部に穿設されている。回路基板110の頂面と底面は、貫通孔114により連通され、成形工程において流動性を有する反射要素の原料をその中に充填した後に、環境温度を一定レベル以下に下げると、元々流動性を有した反射要素の原料が固体の反射要素120に形成され、回路基板110を挟んで固定する。
凹部115は、回路基板110の底面に形成される。その底面は内側に凹んだ空間であるため、ヒートシンク140を設置することができる。ヒートシンク140と回路基板110の間は、凹部115により大きな接触面積が提供されるため、回路基板110の熱量を発光ダイオード装置100の外部へスピーディに放出させることができる。
図7Aは、本考案の好適な一実施形態による反射要素の断面を示す斜視図である。反射要素120は、環状部121、複数のピラー122及び複数のラッパ状のピラー123を備える。
環状部121は、回路基板110の頂面上に配置され、レンズ130を覆って固定する。複数のピラー122は、回路基板110の複数の貫通孔113に配置され、環状部121と、回路基板110の底面にある反射要素120の一部とが接続されている。複数のラッパ状のピラー123は、ヒートシンク140が有するラッパ状の貫通孔に設置され、回路基板110の底面下部がC字形のような構造である反射要素120と合わせて、ヒートシンク140を密着させることができる。
図7B及び図7Cは、本考案の好適な一実施形態による発光ダイオード装置の一部を示す断面図である。図7B及び図7Cは、図2に示す発光ダイオード装置の一部を示す断面図である。図7B及び図7Cに示すように、反射要素120のピラー122は、回路基板110の貫通孔の中に配置され、回路基板110よりも高い部分は環状部121の一部である。反射要素120のラッパ状のピラー123は、ヒートシンク140のラッパ状の貫通孔と結合され、ヒートシンク140が下に脱落することを防ぐ。
図8、図9及び図10は、それぞれ本考案の好適な一実施形態による反射要素を示す側面図、平面図及び底面図である。図8、図9及び図10に示すように、複数のピラー122が等距離に配列されているため、回路基板110の頂面上及び底面下の二つの部分は反射要素120と良好に結合することができる。図9に示すように、方形部124の中心は貫通孔125を含み、この貫通孔125は、環状部121の中心箇所に配置され、その中にヒートシンク140が設置される。方形部124は、図6Bに示す凹部115と密着させることができる。
図11は、本考案の好適な一実施形態によるヒートシンクの断面を示す斜視図である。ヒートシンク140は、ダイパッド141、ラッパ状の貫通孔142、突起143及びフック部144を備える。
ダイパッド141は、1つ又は複数の発光ダイオードチップを装着することができる。この発光ダイオードチップは、ヒートシンク140及び半田付け可能な回路111と電気的に接続される。または、発光ダイオードチップのパッド位置に応じ、半田付け可能な回路111のみと電気的に接続された状態にすることもできる。
ラッパ状の貫通孔142と突起143は、他の要素を用いてさらに密着することもできる。ラッパ状の貫通孔142の中に、反射要素120のラッパ状のピラー123を配置し、突起143により回路基板110と係合させて係合構造に形成し、ヒートシンク140が脱落することを防ぐ。フック部144を用いると、反射要素120の方形部124をさらに強固に結合させることができる。
図12、図13及び図14は、それぞれ本考案の好適な一実施形態によるヒートシンクを示す側面図、平面図及び底面図である。図12、図13及び図14に示すように、ヒートシンク140の周縁部には、複数の突起143が設けられている。このように、ヒートシンク140の底部をフック部144で包囲すると、ヒートシンク140及び回路基板110は、反射要素120との間の結合力を高めることができる。
当該施術を熟知するものが理解できるように、本考案の好適な実施形態を前述の通り開示したが、これらは決して本考案を限定するものではない。本考案の主旨と範囲を脱しない範囲内で各種の変更や修正を加えることができる。従って、本出願による実用新案登録請求の範囲は、このような変更や修正を含めて広く解釈されるべきである。
本考案の好適な一実施形態による発光ダイオード装置を示す斜視図である。 本考案の好適な一実施形態による発光ダイオード装置の断面を示す斜視図である。 本考案の好適な一実施形態による発光ダイオード装置を示す側面図である。 本考案の好適な一実施形態による発光ダイオード装置を示す平面図である。 本考案の好適な一実施形態による発光ダイオード装置を示す底面図である。 本考案の好適な一実施形態による回路基板の頂面を示す斜視図である。 本考案の好適な一実施形態による回路基板の底面を示す斜視図である。 本考案の好適な一実施形態による反射要素の断面を示す斜視図である。 本考案の好適な一実施形態による発光ダイオード装置の一部を示す断面図である。 本考案の好適な一実施形態による発光ダイオード装置の一部を示す断面図である。 本考案の好適な一実施形態による反射要素を示す側面図である。 本考案の好適な一実施形態による反射要素を示す平面図である。 本考案の好適な一実施形態による反射要素を示す底面図である。 本考案の好適な一実施形態によるヒートシンクの断面を示す斜視図である。 本考案の好適な一実施形態によるヒートシンクを示す側面図である。 本考案の好適な一実施形態によるヒートシンクを示す平面図である。 本考案の好適な一実施形態によるヒートシンクを示す底面図である。
符号の説明
100 発光ダイオード装置
110 回路基板
111 半田付け可能な回路
112 位置決め孔
113 貫通孔
114 貫通孔
115 凹部
120 反射要素
121 環状部
122 ピラー
123 ラッパ状のピラー
124 方形部
125 貫通孔
130 レンズ
140 ヒートシンク
141 ダイパッド
142 ラッパ状の貫通孔
143 突起
144 フック部

Claims (4)

  1. 回路基板、ヒートシンク、レンズ及び反射要素を備える発光ダイオード装置であって、
    前記回路基板は、凹部、複数の貫通孔及び複数の半田付け可能な回路を有し、
    前記ヒートシンクは、ダイパッド、複数のラッパ状の貫通孔、複数の突起及びフック部を有し、前記ヒートシンクは、前記凹部に配置され、前記突起と前記回路基板とにより係合構造を形成し、
    前記レンズは、前記回路基板上に配置され、
    前記反射要素は、前記貫通孔と前記ラッパ状の貫通孔に配置され、前記レンズの周縁部を包囲することを特徴とする発光ダイオード装置。
  2. 前記半田付け可能な回路は、前記回路基板の頂面から側面を通って底面まで延伸されたことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード装置。
  3. 前記反射要素は、
    前記レンズの周縁部を覆う環状部と、
    前記貫通孔に配置した複数のピラーと、
    前記ラッパ状の貫通孔に配置された複数のラッパ状のピラーを有し、前記凹部に配置された方形部と、を備えることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード装置。
  4. 前記方形部及び前記ヒートシンクの前記フック部は係合構造に形成されたことを特徴とする請求項3に記載の発光ダイオード装置。
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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US8669572B2 (en) 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
US7675145B2 (en) 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US8748915B2 (en) 2006-04-24 2014-06-10 Cree Hong Kong Limited Emitter package with angled or vertical LED
US7635915B2 (en) 2006-04-26 2009-12-22 Cree Hong Kong Limited Apparatus and method for use in mounting electronic elements
US8735920B2 (en) 2006-07-31 2014-05-27 Cree, Inc. Light emitting diode package with optical element
US8367945B2 (en) 2006-08-16 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US20080179618A1 (en) * 2007-01-26 2008-07-31 Ching-Tai Cheng Ceramic led package
US9711703B2 (en) * 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
JP5126219B2 (ja) * 2007-03-27 2013-01-23 富士通株式会社 半導体部品および半導体部品の製造方法
GB2453718A (en) * 2007-10-10 2009-04-22 Unity Opto Technology Co Ltd LED lighting device
TWI360238B (en) * 2007-10-29 2012-03-11 Epistar Corp Photoelectric device
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
US8866169B2 (en) 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
US20090154137A1 (en) * 2007-12-14 2009-06-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Illumination Device Including Collimating Optics
USD633631S1 (en) 2007-12-14 2011-03-01 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
USD634863S1 (en) 2008-01-10 2011-03-22 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
US20090273945A1 (en) * 2008-04-30 2009-11-05 Megapull, Inc. Modular, luminous, small form-factor solid-state lighting engine
US8049230B2 (en) * 2008-05-16 2011-11-01 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus and system for miniature surface mount devices
US8791471B2 (en) 2008-11-07 2014-07-29 Cree Hong Kong Limited Multi-chip light emitting diode modules
TW201018822A (en) * 2008-11-10 2010-05-16 Everlight Electronics Co Ltd Illumination device and light emitting diode module
US8368112B2 (en) 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
US8415692B2 (en) 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
CN201526837U (zh) * 2009-09-27 2010-07-14 沈李豪 具有多层散热结构的led灯泡
CN102130266B (zh) * 2010-01-20 2013-08-28 光宝电子(广州)有限公司 封装结构及发光二极管封装结构
TWI405936B (zh) 2010-11-23 2013-08-21 Ind Tech Res Inst 夾持對位座及其發光二極體光板
US8564004B2 (en) 2011-11-29 2013-10-22 Cree, Inc. Complex primary optics with intermediate elements
AU2017386417B2 (en) 2016-12-30 2022-07-14 Frequency Therapeutics, Inc. 1H-pyrrole-2,5-dione compounds and methods of using them to induce self-renewal of stem/progenitor supporting cells

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6045240A (en) * 1996-06-27 2000-04-04 Relume Corporation LED lamp assembly with means to conduct heat away from the LEDS
US6641284B2 (en) * 2002-02-21 2003-11-04 Whelen Engineering Company, Inc. LED light assembly
US7244965B2 (en) * 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
EP1642346A1 (en) * 2003-06-30 2006-04-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light-emitting diode thermal management system

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