JP3126048B2 - 光送受信回路 - Google Patents

光送受信回路

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JP3126048B2
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晃 福田
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光送受信回路に関し、光
ファイバ伝送網を構築する通信制御装置に組み込んで有
用なものである。
【0002】
【従来の技術】近年、光ファイバを用いて信号を伝送す
る光ファイバ伝送網が開発されている。光ファイバ伝送
網としては、ループ式、スター式、マルチドロップ式な
どがある。
【0003】図2はマルチドロップ式の光ファイバ伝送
網の一例を示している。この例では光ファイバ通信路1
及び光カプラ2を介して、ホストとなる通信制御装置3
に、子器となる多数の通信制御装置4を縦続接続してい
る。
【0004】通信制御装置3,4のハード構成は同じで
あり、発光ダイオード(LED)10と制御回路11を
有している。発光ダイオード10は、発光素子としての
みならず受光素子としても機能するように、制御回路1
1により駆動する。つまり、発光素子として機能させる
ときには、出力信号に応じた電流を発光ダイオード10
に流し(順方向電圧を印加し)光信号を出力させる。受
光素子として機能させるときには、発光ダイオード10
に逆電圧をかけておくと、入力光信号に応じた電流が取
り出せる。また各通信制御装置3,4にはそれぞれアド
レス番号がソフトウェアにより割り付けている。
【0005】光ファイバ通信路1により伝送される光信
号には、発信元を示すアドレス番号,送信先を示すアド
レス番号及び通信情報などが含まれている。そこで各通
信制御装置3,4は、割り付けられたアドレス番号と同
じ送信先アドレス番号を含む信号を取り込んで所要の信
号処理をする。信号の発信は、ホストの通信制御装置3
のみならず、各通信制御装置4からも行なわれる。
【0006】なお制御回路11は、演算増幅器を中心と
して発光ダイオード10に電圧を印加する回路や、マイ
コン等を備えている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】従来の通信制御装置
3,4の光送受信回路は、発光素子・受光素子として兼
用される発光ダイオードと、演算増幅器を中心とする回
路とで構成されている。
【0008】このように演算増幅器を用いているため電
源として正電源と負電源が必要になる。つまり正負の二
電源が必要となり、それだけ装置が大型になってしま
う。
【0009】また、回路内の正帰還による自己発振等に
起因する不必要な周波数振動(寄生振動)が生じること
がある。寄生振動が生じると、伝送信号帯域は狭くな
り、従来では1MHz程度であった。
【0010】更に光送信の際には、差動増幅器により発
光ダイオードに電流を送っているが、発光していないと
きであっても差動増幅器が電力を消費するため、消費電
力が大きい。
【0011】本発明は、上記従来技術に鑑み、小形で伝
送帯域が広くしかも消費電力の少ない光送受信回路を提
供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成する本発
明の構成は単一の電源と、半導体レーザダイオードと、
電界効果トランジスタのドレインを前記電源に、ソース
をバイアス抵抗を介してアースに、ゲートを負荷抵抗を
介してアースにそれぞれ接続し、更に前記電界効果トラ
ンジスタのソースとゲート間に、ソース電圧が逆電圧と
して印加するよう前記半導体レーザダイオードが接続さ
れた光受信用回路と、前記電源と前記半導体レーザダイ
オードのアノードとの間に配置・接続された第1のスイ
ッチング素子と、前記半導体レーザダイオードのカソー
ドとアースとの間に配置・接続された第2のスイッチン
グ素子と、第1及び第2のスイッチング素子をON・O
FF制御するスイッチ駆動回路を有する光送信用回路
と、前記光受信用回路のソース電圧を基準電圧と比較し
てデジタル信号とする識別器とを具備しており、 前記半
導体レーザダイオードを受光素子として使用する場合に
は、前記スイッチ駆動回路により、前記第1のスイッチ
ング素子及び第2のスイッチング素子をOFF状態に
し、 前記半導体レーザダイオードを発光素子として使う
場合には、前記スイッチ駆動回路にデジタル電気信号が
入力され、前記スイッチ駆動回路は、第1のスイッチン
グ素子をON状態にすると共に、前記デジタル電気信号
のハイ・ローに応じて前記第2のスイッチング素子をO
N・OFFすることを特徴とする。
【0013】
【作用】送光時にはスイッチング素子が電気信号に応じ
てON,OFFされて半導体レーザダイオードに電流が
流れ、電気信号に応じた光信号が生じる。受光時には、
半導体レーザダイオードに逆電圧を印加しておき、光信
号が入射されるとこの光信号に応じた電気信号が出力さ
れる。
【0014】
【実施例】以下に本発明の実施例を図面に基づき詳細に
説明する。図1は本発明の実施例に係る光送受信回路を
示す。この光送受信回路は、+5〔V〕の単一の電源2
0と、半導体レーザダイオード30と、光送信用回路4
0と、光受信用回路50と、基準電圧発生回路60と、
識別器70とで構成されている。
【0015】半導体レーザダイオード30は、発光素子
としても受光素子としても機能する。つまり、詳細動作
は後述するが、光送信用回路40により順方向電流が流
されると半導体レーザダイオード30は光を発生する。
また光受信用回路50により半導体レーザダイオード3
0に逆電圧を印加しておくと、受光信号に応じた電圧を
生じる。
【0016】光送信用回路40は、スイッチング動作を
するトランジスタ41,42とスイッチ駆動回路43と
で構成されている。トランジスタ41は電源20と半導
体レーザダイオード30のアノードAとの間に配置・接
続され、トランジスタ42は半導体レーザダイオード3
0のカソードKとアースEとの間に配置・接続されてい
る。
【0017】光受信用回路50は、デプレッションタイ
プの電界効果トランジスタ(FET)51と負荷抵抗5
2とバイアス抵抗53とで構成されている。電界効果ト
ランジスタ51はソースSが接地されたソースフォロア
となっており、電圧増幅率は1であり、入力インピーダ
ンスは非常に大きい。また負荷抵抗52の値は大きい。
そして半導体レーザダイオード30のカソードKが電界
効果トランジスタ51のソースSに、半導体レーザダイ
オード30のアノードAが電界効果トランジスタ51の
ゲートGに接続されており、ソース電圧が逆電圧バイア
スとして半導体レーザダイオード30に印加されるよう
にしている。
【0018】基準電圧発生回路60は、デプレッション
タイプの電界効果トランジスタ61と負荷抵抗62とバ
イアス抵抗63とで構成されている。電界効果トランジ
スタ61は電界効果トランジスタ51と同一特性を有し
ている。
【0019】識別器70は、電界効果トランジスタ61
のソース電圧を基準電圧V0 として、電界効果トランジ
スタ51のソース電圧VS を2値化する。
【0020】ここで光送信をするときの動作を説明す
る。この場合には、スイッチ駆動回路43により、トラ
ンジスタ41がON状態にされるとともに、デジタル電
気信号E1 のハイ(H),ロー(L)に応じてトランジ
スタ42をON,OFFする。トランジスタ42がON
になると、電源20→トランジスタ41→半導体レーザ
ダイオード30のアノードAからカソードK→トランジ
スタ42→アースEという経路に沿い電流が流れ、半導
体レーザダイオード30から光信号O1 が発生する。こ
の光信号O1 は、電気信号E1 のハイ,ローに対応した
デジタル光信号となる。光信号O1 はレーザ光であるた
め伝送距離が長い。
【0021】上述した光送信では、発光時にのみ電流が
流れるので、消費電力が節約できる。
【0022】次に光受信をするときの動作を説明する。
この動作のときにはトランジスタ41,42がOFFと
なっている。電界効果トランジスタ51はn型のデプレ
ッションタイプでありバイアス電圧は負の電圧である。
受光素子として機能させる半導体レーザダイオード30
には、電界効果トランジスタ51の逆バイアス電圧がそ
のままかかる。
【0023】半導体レーザダイオード30に光信号が入
射されていない場合には、負荷抵抗52に流れる電流
は、半導体レーザダイオード30の暗電流と電界効果ト
ランジスタ51のゲート漏れ電流であり、電流値はきわ
めて小さい。したがって電界効果トランジスタ51のゲ
ート電圧VG はほとんど零〔V〕となり、ソース電圧V
S はこの回路50に必要な逆バイアス電圧となる。
【0024】半導体レーザダイオード30に光信号O2
が入射されると、半導体レーザダイオード30に生じた
受光電流が負荷抵抗52に流れてゲート電圧VG が変動
する。光受信用回路50の増幅率は1であるため、出力
端であるバイアス抵抗53の電圧すなわちソース電圧V
S もゲート電圧VG に追従して変動する。つまり半導体
レーザダイオード30の逆バイアス電圧は一定のまま、
出力電圧であるソース電圧VS を取り出せることにな
り、半導体レーザダイオード30の寄生容量に対する充
放電は行なわれず寄生振動は生じない。よって信号帯域
は、負荷抵抗52の抵抗値と漂遊容量によって決まる時
定数で制限されるだけであり、信号帯域は10MHzと
広くなる。
【0025】光受信用回路50の出力電圧であるソース
電圧VS は、識別器70に送られ、基準電圧発生回路6
0で生じた基準電圧V0 と比較されてデジタル化され
る。デジタル化された電気信号E2 は、デジタル光信号
2 に対応した電気信号となる。
【0026】
【発明の効果】本発明では電源は単一でよく、また半導
体レーザダイオードを発光素子及び受光素子として機能
させて光素子を1つとしたため、構成が簡単になり装置
を小型化することができる。
【0027】また電界効果トランジスタをソースフォロ
アとして、ソースとゲート間に、ソース電圧が逆バイア
ス電圧となる向きに半導体レーザダイオードを接続し
て、半導体レーザダイオードを受光素子として機能させ
たため、寄生振動は生じず、伝送帯域が広がる。
【0028】更に光送信の際には、発光時にのみ半導体
レーザダイオードに電流を通すため、電力の節約ができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を示す回路図である。
【図2】光伝送網を示す構成図である。
【符号の説明】
20 電源 30 半導体レーザダイオード 40 光送信用回路 41,42 トランジスタ 43 スイッチ駆動回路 50 光受信用回路 51,61 電界効果トランジスタ 52,62 負荷抵抗 53,63 バイアス抵抗 60 基準電圧発生回路 70 識別器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H04B 10/14 10/26 (56)参考文献 特開 平4−199921(JP,A) 特開 昭61−117930(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H04B 10/00 - 10/28 H04J 14/00 - 14/08

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 単一の電源と、 半導体レーザダイオードと、 電界効果トランジスタのドレインを前記電源に、ソース
    をバイアス抵抗を介してアースに、ゲートを負荷抵抗を
    介してアースにそれぞれ接続し、更に前記電界効果トラ
    ンジスタのソースとゲート間に、ソース電圧が逆電圧と
    して印加するよう前記半導体レーザダイオードが接続さ
    れた光受信用回路と、前記電源と前記半導体レーザダイオードのアノードとの
    間に配置・接続された第1のスイッチング素子と、前記
    半導体レーザダイオードのカソードとアースとの間に配
    置・接続された第2のスイッチング素子と、第1及び第
    2のスイッチング素子をON・OFF 制御するスイッチ
    駆動回路を有する光送信用回路と、 前記光受信用回路のソース電圧を基準電圧と比較してデ
    ジタル信号とする識別器とを具備しており、 前記半導体レーザダイオードを受光素子として使用する
    場合には、前記スイッチ駆動回路により、前記第1のス
    イッチング素子及び第2のスイッチング素子をOFF状
    態にし、 前記半導体レーザダイオードを発光素子として使う場合
    には、前記スイッチ駆動回路にデジタル電気信号が入力
    され、前記スイッチ駆動回路は、第1のスイッチング素
    子をON状態にすると共に、前記デジタル電気信号のハ
    イ・ローに応じて前記第2のスイッチング素子をON・
    OFF することを特徴とする光送受信回路。
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