JP3123986B2 - Jet type wet etching method and apparatus - Google Patents
Jet type wet etching method and apparatusInfo
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】半導体製造の噴流式ウェット
エッチング工程における、純水と薬液の補充及び排出方
法とその噴流式ウェットエッチング装置に関するもので
ある。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for replenishing and discharging pure water and a chemical solution in a jet-type wet etching process for semiconductor manufacturing, and a jet-type wet etching apparatus.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来の半導体製造における噴流式ウェッ
トエッチング装置を図2に示す。この噴流式ウェットエ
ッチング装置は、処理槽1、貯留槽2、ポンプ4、フィ
ルター部5からなり、それぞれが処理液循環ライン3に
よって環状に接続されている。処理槽1には、燐酸(H
3PO4)を主に使用する薬液と純水の混合溶液(以
下、処理液とする)が十分に浸してあり、その中にウェ
ットエッチングするべき半導体ウェーハ18を嵌入し、
固定したキャリア19と呼ばれる容器が入れられてい
る。また、処理槽1からあふれでた処理液を貯留する貯
留槽2が処理槽1の側面に当接され、貯留槽2下方に
は、処理液をろ過した後、再び処理槽1へ循環させるた
めの処理液循環ライン3が処理槽1下方に接続され、そ
の処理液循環ライン3の貯留槽2と処理槽1の間には処
理液を循環させる流れを作るポンプ4とウェットエッチ
ング処理した処理液をろ過するフィルターを有したフィ
ルター部5が設けられている。通例、フィルター部5と
処理槽1を繋ぐラインには、ろ過された処理液を再び劣
化させる恐れのないように、ポンプ4などの装置は設置
することはなく、然るに、循環中に劣化した処理液を排
するドレイン6はフィルター部5に設けられている。さ
らに、貯留槽2には薬液補充STOP用液面センサー1
1及び純水補充STOP用液面センサー12の2系統の
液面センサーが設置されており、それぞれ、同様に貯留
槽2に対して設けられた薬液補充ライン7、純水補充ラ
イン8からの薬液や純水の供給に対して入出力のスイッ
チとなっている。2. Description of the Related Art FIG. 2 shows a conventional jet-type wet etching apparatus in semiconductor manufacturing. This jet-type wet etching apparatus includes a processing tank 1, a storage tank 2, a pump 4, and a filter unit 5, each of which is connected in a ring by a processing liquid circulation line 3. Phosphoric acid (H
A mixed solution (hereinafter, referred to as a processing solution) of a chemical solution mainly using 3PO4) and pure water (hereinafter, referred to as a processing solution) is sufficiently immersed, and a semiconductor wafer 18 to be wet-etched is fitted therein.
A container called a fixed carrier 19 is contained. Further, a storage tank 2 for storing the processing liquid overflowing from the processing tank 1 is in contact with a side surface of the processing tank 1, and the processing liquid is filtered below the storage tank 2 and circulated to the processing tank 1 again. A processing liquid circulation line 3 is connected below the processing tank 1, a pump 4 for creating a flow for circulating the processing liquid between the storage tank 2 and the processing tank 1 of the processing liquid circulation line 3, and a processing liquid subjected to wet etching processing. Is provided with a filter section 5 having a filter for filtering the water. Usually, a device such as a pump 4 is not installed in the line connecting the filter section 5 and the processing tank 1 so that the filtered processing liquid may not be deteriorated again. A drain 6 for draining the liquid is provided in the filter unit 5. Further, the storage tank 2 has a liquid level sensor 1 for chemical replenishment STOP.
1 and a pure water replenishment STOP liquid level sensor 12 are installed, and the chemicals supplied from the chemical replenishment line 7 and the pure water replenishment line 8 respectively provided for the storage tank 2 are also provided. It is an input / output switch for supplying pure water.
【0003】従来の噴流式ウェットエッチング方法にお
いては、循環する処理液の混合濃度を一定に保つことに
よりエッチングの効率、いわゆるエッチングレートを一
定に保つ方法が主流であり、純水補充臨界液面16より
液面が低下すれば純水槽10から貯留槽2に純水を補
充、薬液補充臨界液面より液面が低下すれば薬液槽9か
ら薬液を貯留槽2の薬液補充臨界液面15まで補充する
といった、いわゆるエッチングレート低下対策をとって
いた。In the conventional jet-type wet etching method, a method of maintaining a constant concentration of a circulating processing solution to maintain a constant etching efficiency, that is, a so-called etching rate, is a mainstream. If the liquid level drops further, pure water is replenished from the pure water tank 10 to the storage tank 2. So-called etching rate reduction measures.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかし以上の従来の噴
流式ウェットエッチング装置には次のような欠点があっ
た。噴流式ウェットエッチング工程中における処理液の
蒸発や、半導体ウェーハの表面の窒化膜をエッチングし
続けることで窒化物が処理液中に存在してくることによ
り、液量の減少または、液質の劣化が起こり、エッチン
グレートを完全に一定にすることは出来なかった。その
ため、処理液中の燐酸濃度を一定に保つことが従来にお
けるエッチングレート安定化方法とされてきた。しか
し、かかるエッチングレート安定化方法においては、処
理液中の燐酸濃度を一定に保ち続けることに固執するあ
まり、工程数や装置構成が煩雑になることが結果的には
生産の高効率化、あるいは低コスト化生産の障害となっ
ていた。However, the conventional jet-type wet etching apparatus described above has the following disadvantages. Evaporation of the processing liquid during the jet-type wet etching process, and the presence of nitrides in the processing liquid by continuing to etch the nitride film on the surface of the semiconductor wafer, resulting in a decrease in the liquid volume or deterioration of the liquid quality Occurred, and the etching rate could not be made completely constant. Therefore, keeping the concentration of phosphoric acid in the processing solution constant has been a conventional etching rate stabilizing method. However, in such an etching rate stabilizing method, the number of steps and the configuration of the apparatus become complicated because the concentration of phosphoric acid in the processing solution is kept constant, resulting in higher production efficiency, or This was an obstacle to cost-effective production.
【0005】本発明は以上の従来技術における問題に鑑
みてなされたものであり、構成要素が減少し、かつ工程
における労力の軽減を可能としながらも、十分なエッチ
ングレートを実現する噴流式ウェットエッチング方法と
その装置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems in the prior art, and has been made in view of the above problems. It is an object to provide a method and its device.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明者は以上の課題を
達成するために種々検討を行い、従来一般的にエッチン
グ処理液として使用されている燐酸と純水の混合濃度を
一定に保つ目的であるエッチングレート安定化方法とは
異なり、ウェットエッチング装置内に設置されたフィル
ターの機能を考慮すれば、処理液の濃度が半導体ウェー
ハをウェットエッチングすることが可能な範囲内に設定
されている限り、ウェットエッチングには大きな影響が
ないことから、あらかじめ処理液の濃度を調整すること
によって、処理液の濃度一定化手法にこだわらなくと
も、エッチングレートの低下を防ぐことができることを
知見し、かかる知見に基づき、本発明に想到した。Means for Solving the Problems The present inventor has made various studies to achieve the above-mentioned object, and has aimed at maintaining a constant concentration of a mixture of phosphoric acid and pure water conventionally used as an etching solution. Unlike the etching rate stabilization method, considering the function of the filter installed in the wet etching apparatus, as long as the concentration of the processing solution is set within the range capable of wet etching the semiconductor wafer Since there is no significant effect on wet etching, it was found that by adjusting the concentration of the processing solution in advance, it is possible to prevent a decrease in the etching rate without being particular about the method of stabilizing the concentration of the processing solution. Based on the above, the present invention has been made.
【0007】すなわち、前記課題を解決するために提供
する本願第一の発明にかかる噴流式ウェットエッチング
方法は、所定量の処理液を排液し、その後所定の液面に
到達するまで前記貯留槽に純水を補充する工程を有する
ことを特徴とする。Namely, the jet-type wet etching method according to the present first invention to provide in order to solve the above problems, the reservoir until drained a predetermined amount of the treatment liquid, and then reaches a predetermined liquid level And a step of replenishing pure water.
【0008】所定量の処理液を排液し、その後所定の液
面に到達するまで前記貯留槽に純水を補充する工程を有
することで、従来設定されていた処理液の最適濃度のみ
にこだわらずとも、噴流式ウェットエッチング工程中に
おける処理液の濃度変化を見越して、エッチングレート
をも保ちながら、ウェットエッチング可能な処理液の濃
度の幅を利用することにより、処理液の蒸発などによる
処理液の濃度変化に影響されない噴流式ウェットエッチ
ングが可能となり、さらに、循環中の処理液の濃度を度
々確認する必要を要さないだけでなく、貯留槽内の処理
液の濃度を調整する労力を軽減することが可能となる。[0008] drained a predetermined amount of the treatment liquid, then by a step of replenishing pure water to the reservoir until it reaches a predetermined liquid level, particular about only the optimum concentration of the processing solution which is conventionally set At least, in anticipation of a change in the concentration of the processing solution during the jet-type wet etching process, by using the range of the concentration of the processing solution that can be wet-etched while maintaining the etching rate, the processing solution can be evaporated by the processing solution. Jet-type wet etching that is not affected by changes in the concentration of water is possible, and it is not only necessary to frequently check the concentration of the processing solution in circulation, but also to reduce the labor for adjusting the concentration of the processing solution in the storage tank. It is possible to do.
【0009】また、前記課題を解決するために提供する
本願第二の発明にかかる噴流式ウェットエッチング方法
は、所定量の処理液を排液し、その後所定の液面に到達
するまで前記貯留槽に純水を補充する工程を所定時間毎
に行うことを特徴とする。Further, nozzle-type wet etching method according to the present second invention to provide in order to solve the above problems, the reservoir until drained a predetermined amount of the treatment liquid, and then reaches a predetermined liquid level A step of replenishing pure water at predetermined time intervals.
【0010】所定量の処理液を排液し、その後所定の液
面に到達するまで前記貯留槽に純水を補充する工程を所
定時間毎に行うことにより、係る処理液の劣化を最小限
に止めることが可能となる。[0010] drained a predetermined amount of the treatment liquid, by performing the step of replenishing pure water to the reservoir at predetermined time intervals until then reaches a predetermined liquid level, to minimize the deterioration of the processing solution according It is possible to stop.
【0011】また、前記課題を解決するために提供する
本願第三の発明にかかる噴流式ウェットエッチング方法
は、前記貯留槽から所定量の処理液を排液することを特
徴とする。A jet wet etching method according to a third aspect of the present invention, which is provided to solve the above problem, is characterized in that a predetermined amount of a processing liquid is drained from the storage tank.
【0012】前記貯留槽から所定量の処理液を排液する
ことにより、従来70分〜130分かかっていたウェッ
トエッチング工程での処理液の劣化に対する処理液の濃
度調整等の労力の負担を軽減させることが可能となる。By draining a predetermined amount of the processing liquid from the storage tank, the burden of labor such as adjusting the concentration of the processing liquid against the deterioration of the processing liquid in the wet etching process, which has conventionally taken 70 to 130 minutes, is reduced. It is possible to do.
【0013】また、前記課題を解決するために提供する
本願第四の発明にかかる噴流式ウェットエッチング方法
は、前記処理槽から所定量の処理液を排液することを特
徴とする。A jet-type wet etching method according to a fourth aspect of the present invention provided to solve the above-mentioned problem is characterized in that a predetermined amount of a processing liquid is drained from the processing tank.
【0014】前記処理槽から所定量の処理液を排液する
ことにより、ウェットエッチング工程での処理液の劣
化、さらにはフィルター交換等の労力の負担を軽減させ
ることが可能となる。By draining a predetermined amount of the processing liquid from the processing tank, it is possible to reduce the deterioration of the processing liquid in the wet etching process and the burden of labor such as filter replacement.
【0015】また、前記課題を解決するために提供する
本願第五の発明にかかる噴流式ウェットエッチング装置
は、貯留槽又は、貯留槽とフィルターを連結するライン
にドレインが設けられ、貯留槽に連結される単一な処理
液補充ラインを有し、前記処理液補充ラインの一端に薬
液槽と純水槽とが設置され、前記ドレインを制御し、所
定量の処理液を排液し、その後前記処理液補充ラインへ
薬液又は純水を流出させ、前記貯留槽に薬液又は純水を
補充する制御装置を有することを特徴とする。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a jet wet etching apparatus provided with a drain provided in a storage tank or a line connecting a storage tank and a filter, and connected to the storage tank. A chemical solution tank and a pure water tank are installed at one end of the processing solution replenishment line, and the drain is controlled .
Drain a certain amount of processing solution, and then go to the processing solution replenishment line.
Drained chemical solution or pure water, a chemical liquid or pure water in the reservoir
It is characterized by having a control device for replenishment .
【0016】貯留槽又は、貯留槽とフィルターを連結す
るラインにドレインが設けられ、貯留槽に連結される単
一な処理液補充ラインを有し、前記処理液補充ラインの
一端に薬液槽と純水槽とが設置され、前記ドレインを制
御し、所定量の処理液を排液し、その後前記処理液補充
ラインへ薬液又は純水を流出させ、前記貯留槽に薬液又
は純水を補充する制御装置を有することにより、エッチ
ングにより劣化した処理液の全てがフィルターを通らず
に済み、結果として、フィルターにかかる負担を軽減す
ることが可能となる。また、貯留槽において処理液を調
整する労力が軽減され、補充する純水の液量を制御装置
によって調節でき、補水作業の効率化が図ることが可能
となる。更に、補水工程における部品点数も少なくする
ことが可能となる。A drain is provided in the storage tank or a line connecting the storage tank and the filter, and has a single processing liquid replenishment line connected to the storage tank. is installed and the water tank, the drain control <br/> and control, drained a predetermined amount of the treatment liquid, then allowed to flow out a chemical solution or pure water into the processing solution replenishing line, chemical or pure water to the reservoir Has a control device for replenishing, the processing liquid degraded by etching does not have to pass through the filter, and as a result, the load on the filter can be reduced. Further, the labor for adjusting the treatment liquid in the storage tank is reduced, the amount of pure water to be replenished can be adjusted by the control device, and the efficiency of the water replenishment operation can be improved. Further , the number of parts in the water replenishment process can be reduced.
【0017】また、前記課題を解決するために提供する
本願第六の発明にかかる噴流式ウェットエッチング装置
は、制御装置が、所定時間毎に液量調整を行う時限装置
及び薬液と純水との切り替えを行うエアオペレートバル
ブを有することを特徴とする。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a jet-type wet etching apparatus provided to solve the above-mentioned problem, wherein the control unit adjusts the amount of the liquid at predetermined time intervals. It has an air operated valve for switching.
【0018】制御装置が、所定時間毎に液量調整を行う
時限装置及び薬液と純水との切り替えを行うエアオペレ
ートバルブを有することにより、所定時間毎に処理液を
排液し、その都度、貯留槽内に純水を一定液面まで補水
することが可能となり、係る処理液の劣化を最小限に止
めることを可能にする。Since the control device has a time limiter for adjusting the amount of liquid at predetermined time intervals and an air operated valve for switching between chemical solution and pure water, the processing liquid can be adjusted at predetermined time intervals.
Drained, each time, it is possible to refill the pure water to a constant liquid level in the reservoir, it allows to minimize the degradation of the processing solution according.
【0019】[0019]
【発明の実施の形態】以下に本発明の一実施の形態につ
き図面を参照して説明する。本発明の半導体製造におけ
る噴流式ウェットエッチング装置は、図1に示すよう
に、処理槽1、貯留槽2、ポンプ4、フィルター部5か
らなり、それぞれが処理液循環ライン3によって環状に
接続されている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. As shown in FIG. 1, the jet wet etching apparatus in the semiconductor manufacturing according to the present invention includes a processing tank 1, a storage tank 2, a pump 4, and a filter unit 5, each of which is connected in a ring by a processing liquid circulation line 3. I have.
【0020】処理槽1には燐酸(H3PO4)と純水の
混合溶液(以下、処理液とする)が十分に浸してあり、
その中にウェットエッチングするべき複数の半導体ウェ
ーハ18を嵌入し、固定したキャリア19と呼ばれる容
器が入れられている。また、処理槽1からあふれでた処
理液を貯留する貯留槽2が処理槽1の側面に当接され、
貯留槽2下方には、処理液をろ過した後、再び処理槽1
へ循環させるための処理液循環ライン3が処理槽1下方
に接続され、その処理液循環ライン3の貯留槽2と処理
槽1の間には処理液を循環させる流れを作るポンプ4と
ウェットエッチング処理した処理液をろ過するフィルタ
ーを有したフィルター部5が設けられている。In the treatment tank 1, a mixed solution of phosphoric acid (H3PO4) and pure water (hereinafter referred to as treatment liquid) is sufficiently immersed.
A container called a carrier 19 in which a plurality of semiconductor wafers 18 to be wet-etched are fitted and fixed therein is placed therein. Further, a storage tank 2 for storing the processing liquid overflowing from the processing tank 1 is brought into contact with a side surface of the processing tank 1,
In the lower part of the storage tank 2, after filtering the processing liquid, the processing tank 1 is again filtered.
A processing liquid circulation line 3 for circulating the processing liquid is connected below the processing tank 1, and a pump 4 for forming a flow for circulating the processing liquid between the storage tank 2 and the processing tank 1 of the processing liquid circulation line 3 and wet etching A filter unit 5 having a filter for filtering the treated liquid is provided.
【0021】さらに、貯留槽2の中における処理液面に
は、純水補充臨界液面16及び、処理液排液臨界液面1
7が設定されており、純水補充臨界液面16は図2に示
す従来の噴流式ウェットエッチング装置の貯留槽2にお
ける純水補充臨界液面16とほぼ同様に設定され、貯留
槽2に純水を補充する際に処理液がこの純水補充臨界液
面16に到達すると純水の補充停止を示唆するように、
純水補充STOP用液面センサー12が設置されてい
る。また、処理液排液臨界液面17は、図2に示す従来
の噴流式ウェットエッチング装置において、薬液補充臨
界液面15として用いられているものとほぼ同様のもの
であり、本発明における実施の一形態においては、この
処理液排液臨界液面17を利用するにあたっての目的を
異にするため、敢えて処理液排液臨界液面17と呼び、
この噴流式ウェットエッチング装置を使用する環境に応
じて、単位時間あたりの処理液の蒸発量などを考慮し、
処理液排液臨界液面17が決定されるものとする。処理
液排液STOP用液面センサー11においても、前記純
水補充STOP用液面センサー12と同様に、貯留槽2
から処理液を排液する際に処理液がこの処理液排液臨界
液面17に到達すると処理液の排液停止を示唆するよう
に、処理液排液STOP用液面センサー11が設置され
ている。Further, the processing liquid level in the storage tank 2 includes a pure water replenishment critical liquid level 16 and a processing liquid drainage critical liquid level 1.
7, the pure liquid replenishment critical liquid level 16 is set substantially the same as the pure water replenishment critical liquid level 16 in the storage tank 2 of the conventional jet-type wet etching apparatus shown in FIG. When the processing liquid reaches the pure water replenishment critical liquid level 16 when replenishing water, as indicated by the indication that the replenishment of pure water is stopped,
A pure water replenishment STOP liquid level sensor 12 is provided. The processing liquid drain critical liquid level 17 is substantially the same as that used as the chemical liquid replenishment critical liquid level 15 in the conventional jet type wet etching apparatus shown in FIG. In one embodiment, in order to make the purpose of utilizing the processing liquid drainage critical liquid level 17 different, the processing liquid drainage critical liquid level 17 is intentionally called,
Depending on the environment in which this jet-type wet etching device is used, the amount of processing solution evaporated per unit time, etc.
It is assumed that the processing liquid drain critical liquid level 17 is determined. Similarly to the pure water replenishment STOP liquid level sensor 12, the storage tank 2 is also used for the treatment liquid drain STOP liquid level sensor 11.
The processing solution as the processing solution at the time of drainage suggests drainage stop the processing solution to reach the process fluid discharge critical liquid level 17, the process fluid discharge STOP for the liquid level sensor 11 is installed I have.
【0022】処理液補充ライン21は一本の管をしてな
っており、当該管の貯留槽2内の処理液面に接した側と
反対側の端部にはエアオペレートバルブ13が設けてあ
り、そのエアオペレートバルブ13の他方側から二本の
管が設置されそれぞれの管が薬液タンク9及び、純水タ
ンク10に接続され、前記エアオペレートバルブ13は
薬液槽9及び純水槽10のそれぞれを個別若しくは、同
時に導通可能に設計されている。また、前記エアオペレ
ートバルブ13は制御装置14に連結され、係る制御装
置14はその内部に時限装置20を有し、純水補充ST
OP用液面センサー12及び処理液排液STOP用液面
センサー11にも接続されている。The processing liquid replenishing line 21 is formed as a single pipe, and an air operated valve 13 is provided at an end of the pipe opposite to the side in contact with the processing liquid surface in the storage tank 2. There are two pipes installed from the other side of the air operated valve 13, and each pipe is connected to the chemical liquid tank 9 and the pure water tank 10, and the air operated valve 13 is connected to each of the chemical liquid tank 9 and the pure water tank 10. Are designed to be able to conduct individually or simultaneously. Further, the air operated valve 13 is connected to a control device 14, and the control device 14 has a time limit device 20 therein, and the pure water replenishment ST
It is also connected to the OP liquid level sensor 12 and the processing liquid drain liquid STOP liquid level sensor 11.
【0023】処理液循環ライン3においては、貯留槽2
とポンプ4との間にドレイン6が設けられ、このドレイ
ン6を制御する手段として、ドレイン6と前記制御装置
14との接続がなされている。In the processing liquid circulation line 3, the storage tank 2
A drain 6 is provided between the pump 6 and the pump 4. As means for controlling the drain 6, the drain 6 is connected to the control device 14.
【0024】次に、本発明の一実施形態における噴流式
ウェットエッチング方法とその装置の動作の説明を以下
に述べる。図1に示すように、処理液は処理液循環ライ
ン3中のポンプ4によって処理液循環ライン3を循環し
ている。複数の半導体ウェーハ18を積載したキャリア
19を内蔵した処理槽1内でウェットエッチング処理が
行われ、前記ポンプ4による処理液の流れによって常
に、処理液が処理槽1から貯留槽2に溢れでている。貯
留槽2に貯留された処理液は、処理液循環ライン3を通
り、フィルター部5内のフィルターによって、処理槽に
おけるウェットエッチングで発生した窒化物などの不純
物をろ過するフィルター5によってろ過され、再び処理
槽に帰還し、ウェットエッチング処理を行う。Next, the operation of the jet wet etching method and the apparatus according to an embodiment of the present invention will be described below. As shown in FIG. 1, the processing liquid is circulated in the processing liquid circulation line 3 by a pump 4 in the processing liquid circulation line 3. The wet etching process is performed in the processing tank 1 containing the carrier 19 loaded with a plurality of semiconductor wafers 18, and the processing liquid always overflows from the processing tank 1 to the storage tank 2 by the flow of the processing liquid by the pump 4. I have. The processing liquid stored in the storage tank 2 passes through the processing liquid circulation line 3, and is filtered by a filter in the filter unit 5 by a filter 5 that filters impurities such as nitrides generated by wet etching in the processing tank, and again. It returns to a processing tank and performs wet etching processing.
【0025】ここで、循環中の処理液に対し、まず、貯
留槽2内の処理液を制御装置14によって、貯留槽2内
の処理液面が処理液排液臨界液面17に至るまでドレイ
ン6から排液する。その排液終了後、再び制御装置14
によって、エアオペレートバルブ13が純水槽10から
純水を排出可能の状態にし、貯留槽2内の処理液が純水
補充臨界液面16に到達するまで純水を補水する。この
時も、貯留槽2に設置された純水補充STOP用液面セ
ンサー12によって貯留槽2内の処理液面を感知し、制
御装置14を通してエアオペレートバルブ13に、純水
槽に対する純水導通停止の指令を出し、純水補水が終了
する。Here, the processing liquid in the storage tank 2 is first drained from the processing liquid in the storage tank 2 by the controller 14 until the processing liquid level in the storage tank 2 reaches the processing liquid drain critical liquid level 17. Drain from 6. After the drainage , the control device 14
Thereby, the air operated valve 13 is in a state where the pure water can be discharged from the pure water tank 10, and the pure water is replenished until the processing liquid in the storage tank 2 reaches the critical level 16 of pure water replenishment. Also at this time, the processing liquid level in the storage tank 2 is sensed by the pure water replenishment STOP liquid level sensor 12 installed in the storage tank 2, and the conduction of pure water to the pure water tank is stopped through the control device 14 to the air operated valve 13. And the replenishment of pure water ends.
【0026】噴流式ウェットエッチング工程はおよそ7
0分〜130分程度で一工程が終了し、キャリア19を
処理槽1から取り出すことになる。その際、貯留槽2に
おける処理液の液面はほぼ処理液排液臨界液面17まで
下がり、再び、エアオペレートバルブ13を純水槽に対
して開き、純水を純水補充臨界液面16まで補充する。
この時、処理液の濃度が著しく低下していた場合には、
エアオペレートバルブ13を薬液槽9に対して開くこと
で、改めて処理液の濃度を整えることが可能である。The jet-type wet etching process takes about 7
One step is completed in about 0 to 130 minutes, and the carrier 19 is taken out of the processing tank 1. At this time, the liquid level of the processing liquid in the storage tank 2 substantially drops to the processing liquid drainage critical liquid level 17, the air operated valve 13 is again opened with respect to the pure water tank, and pure water reaches the pure water replenishing critical liquid level 16. refill.
At this time, if the concentration of the processing solution is significantly reduced,
By opening the air operated valve 13 with respect to the chemical tank 9, the concentration of the processing liquid can be adjusted again.
【0027】その他の本発明の実施形態として、制御装
置14内に設置された時限装置20によって、単位時間
毎に、貯留槽2内の処理液の排液、貯留槽2への純水の
補水を行うことも可能である。As another embodiment of the present invention, a time limiter 20 installed in the controller 14 drains the processing liquid in the storage tank 2 and replenishes the storage tank 2 with pure water every unit time. It is also possible to do.
【0028】以上のような噴流式ウェットエッチング方
法やその装置においては、処理液の濃度を逐一確認する
必要がなく、それにより、ウェットエッチング工程後毎
における処理液の濃度を調整する労力が少なく済むばか
りか、処理液の能力を最大限に生かし、また、フィルタ
ーへの負担も最小限に止めることが出来ることから、処
理液やフィルターの節約にもつながる。In the jet type wet etching method and its apparatus as described above, it is not necessary to check the concentration of the processing solution one by one, thereby reducing the labor for adjusting the concentration of the processing solution after each wet etching step. In addition, since the capacity of the processing solution can be maximized and the load on the filter can be minimized, the processing solution and the filter can be saved.
【0029】[0029]
【発明の効果】噴流式ウェットエッチング方法において
は、従来のように、処理液の濃度安定化方法のみによら
ずとも、ウェットエッチング工程中の処理液の蒸発を見
越し、ウェットエッチング可能な処理液の濃度の幅を利
用することで、処理液の節約を可能にするだけでなく、
循環中の処理液の濃度に対する労力も軽減される。ま
た、時限装置による経時的な処理液の排出及び、純水の
補充により、ウェットエッチング工程における処理液の
エッチングレート安定化ならびに、フィルターへの負担
を軽減することが可能となる。さらに、ドレインを貯留
槽または、循環ラインにおける貯留槽とポンプとの間に
設けることにより、フィルターへの負担を抑えることが
可能となる。According to the jet-type wet etching method, unlike the conventional method, the evaporation of the processing solution during the wet etching process is performed by using only the method for stabilizing the concentration of the processing solution. By utilizing the concentration range, not only can the processing solution be saved,
The effort on the concentration of the processing solution in the circulation is also reduced. In addition, by discharging the processing solution over time by the timed device and replenishing the pure water, it becomes possible to stabilize the etching rate of the processing solution in the wet etching process and reduce the load on the filter. Further, by providing the drain between the storage tank or the storage tank in the circulation line and the pump, it is possible to reduce the load on the filter.
【0030】[0030]
【図1】本発明の一実施例における噴流式ウェットエッ
チング装置に関する図である。FIG. 1 is a diagram relating to a jet type wet etching apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図2】従来における噴流式ウェットエッチング装置に
関する図である。FIG. 2 is a view related to a conventional jet-type wet etching apparatus.
1.処理槽 2.貯留槽 3.処理液循環ライン 4.ポンプ 5.フィルター部 6.ドレイン 7.薬液補充ライン 9.純水補充ライン 9.薬液槽 10.純水槽 11.処理液排液STOP用液面センサー 12.純水補充STOP用液面センサー 13.エアオペレートバルブ 14.制御装置 15.薬液補充臨界液面 16.純水補充臨界液面 17.処理液排液臨界液面 18.半導体ウェーハ 19.キャリア 20.時限装置 21.処理液補充ライン1. Processing tank 2. Storage tank 3. Processing liquid circulation line 4. Pump 5. Filter section 6. Drain 7. Chemical replenishment line 9. Pure water replenishment line 9. Chemical solution tank 10. Pure water tank 11. 11. Liquid level sensor for processing liquid drainage STOP 12. Liquid level sensor for pure water replenishment STOP Air operated valve 14. Control device 15. Critical level of chemical replenishment 16. 17. Critical level of pure water replenishment Critical liquid level of treatment liquid drainage 18. Semiconductor wafer 19. Career 20. Time limit device 21. Processing solution replenishment line
Claims (6)
理槽からあふれでた処理液を貯留槽に貯留し、貯留され
た処理液を前記処理槽に循環させる噴流式ウェットエッ
チング方法において、所定量の処理液を排液し、その後
所定の液面に到達するまで前記貯留槽に純水を補充する
工程を有することを特徴とする噴流式ウェットエッチン
グ方法。1. A wet etching process for a silicon wafer.
The processing liquid overflowing from the treatment tank is stored in the storage tank,
In the jet-type wet etching method in which processing solution is circulated to the treatment tank it was, drained a predetermined amount of the processing liquid, further comprising the step of replenishing pure water to the reservoir until then reaches a predetermined liquid level Characteristic jet-type wet etching method.
面に到達するまで前記貯留槽に純水を補充する工程を所
定時間毎に行うことを特徴とする請求項1に記載の噴流
式ウェットエッチング方法。2. The method according to claim 1, wherein a step of draining a predetermined amount of the processing liquid and thereafter replenishing the storage tank with pure water until reaching a predetermined liquid level is performed at predetermined time intervals. Jet type wet etching method.
ことを特徴とする請求項2に記載の噴流式ウェットエッ
チング方法。3. The jet wet etching method according to claim 2, wherein a predetermined amount of the processing liquid is drained from the storage tank.
ことを特徴とする請求項2に記載の噴流式ウェットエッ
チング方法。4. The jet wet etching method according to claim 2, wherein a predetermined amount of the processing liquid is drained from the processing tank.
理槽とその処理槽からあふれでた処理液を貯留する貯留
槽に、管によってポンプとフィルターが接続されて処理
液の循環ラインをなす半導体製造の噴流式ウェットエッ
チング装置において、貯留槽又は、貯留槽とフィルター
を連結するラインにドレインが設けられ、貯留槽に連結
される単一な処理液補充ラインを有し、前記処理液補充
ラインの一端に薬液槽と純水槽とが設置され、前記ドレ
インを制御し、所定量の処理液を排液し、その後前記処
理液補充ラインへ薬液又は純水を流出させ、前記貯留槽
に薬液又は純水を補充する制御装置を有することを特徴
とする噴流式ウェットエッチング装置。5. A jet manufacturing method for semiconductor production in which a pump and a filter are connected by a pipe to a wet etching processing tank for silicon wafers and a storage tank for storing a processing liquid overflowing from the processing tank to form a circulation line for the processing liquid. In a wet etching apparatus, a drain is provided in a storage tank or a line connecting the storage tank and the filter, and a single processing liquid replenishment line is connected to the storage tank. A chemical liquid tank is provided at one end of the processing liquid replenishment line. and the deionized water tank is installed, controls the drain, drained a predetermined amount of the treatment liquid, then allowed to flow out a chemical solution or pure water into the processing solution replenishing line, said reservoir
And a control device for replenishing a chemical solution or pure water.
行う時限装置及び、薬液と純水との切り替えを行うエア
オペレートバルブを有することを特徴とする請求項5に
記載の噴流式ウェットエッチング装置。6. The jet type according to claim 5, wherein the control device includes a time limiter for adjusting a liquid amount every predetermined time, and an air operated valve for switching between a chemical solution and pure water. Wet etching equipment.
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