JP3120976B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を備え
る半導体装置およびその製造方法に関し、特にそのパッ
ケージ構造に関するものである。
る半導体装置およびその製造方法に関し、特にそのパッ
ケージ構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電源部品およびその関連部品を中心とし
て、従来使用されてきたリレー部品からＭＯＳＦＥＴな
どのスイッチング素子への移行が進んでいる。これは、
リレー部品よりもスイッチング素子の方が、省エネルギ
ーで、かつ低価格であることによる。このような電源部
品およびその関連部品に用いられる従来の半導体装置と
しては、以下の装置が挙げられる。
て、従来使用されてきたリレー部品からＭＯＳＦＥＴな
どのスイッチング素子への移行が進んでいる。これは、
リレー部品よりもスイッチング素子の方が、省エネルギ
ーで、かつ低価格であることによる。このような電源部
品およびその関連部品に用いられる従来の半導体装置と
しては、以下の装置が挙げられる。
【０００３】従来の半導体装置の構成例を図８（ａ）お
よび（ｂ）ならびに図９に示す。図８（ａ）は、従来の
半導体装置８００の斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ
−Ａ’線に沿った断面図である。図９は、別の従来の半
導体装置９００の斜視図であり、従来の半導体装置８０
０をその内部に備えている。
よび（ｂ）ならびに図９に示す。図８（ａ）は、従来の
半導体装置８００の斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ
−Ａ’線に沿った断面図である。図９は、別の従来の半
導体装置９００の斜視図であり、従来の半導体装置８０
０をその内部に備えている。
【０００４】図８（ａ）および（ｂ）に示すように、銅
板からなるリードフレーム（金属板）８１の一部である
半導体素子載置部８１ａ上に、半導体素子８５がハンダ
などの金属（図示せず）で取り付けられて載置されてい
る。半導体素子８５は、電流を外部に引き出すための端
子リード８１ｂとアルミ線などの金属線８６で電気的に
接続されている。ここで、端子リード８１ｂは、リード
フレーム８１の一部であり、半導体素子載置部８１ａと
一体的に形成されている。リードフレーム８１の半導体
素子載置部８１ａと、半導体素子８５と、金属線８６
と、端子リード８１ｂの一部とを埋設するように、エポ
キシ樹脂８７でトランスファーモールドにより封止し
て、半導体装置８００が成型されている。
板からなるリードフレーム（金属板）８１の一部である
半導体素子載置部８１ａ上に、半導体素子８５がハンダ
などの金属（図示せず）で取り付けられて載置されてい
る。半導体素子８５は、電流を外部に引き出すための端
子リード８１ｂとアルミ線などの金属線８６で電気的に
接続されている。ここで、端子リード８１ｂは、リード
フレーム８１の一部であり、半導体素子載置部８１ａと
一体的に形成されている。リードフレーム８１の半導体
素子載置部８１ａと、半導体素子８５と、金属線８６
と、端子リード８１ｂの一部とを埋設するように、エポ
キシ樹脂８７でトランスファーモールドにより封止し
て、半導体装置８００が成型されている。
【０００５】一般に、リードフレーム８１の半導体素子
載置部８１ａは、過渡熱抵抗を低減させるために、端子
リード８１ｂよりも厚い板厚を有している。すなわち、
半導体装置８００のリードフレーム８１として、所謂
「段差付きリードフレーム」が使用されている。また、
リードフレーム８１の半導体素子載置部８１ａの素子を
載置する側と反対側の面（以下、「下面」とする）は、
０．４〜０．５ｍｍの厚さのエポキシ樹脂８７で全体的
に覆われて、外部と絶縁されている。
載置部８１ａは、過渡熱抵抗を低減させるために、端子
リード８１ｂよりも厚い板厚を有している。すなわち、
半導体装置８００のリードフレーム８１として、所謂
「段差付きリードフレーム」が使用されている。また、
リードフレーム８１の半導体素子載置部８１ａの素子を
載置する側と反対側の面（以下、「下面」とする）は、
０．４〜０．５ｍｍの厚さのエポキシ樹脂８７で全体的
に覆われて、外部と絶縁されている。
【０００６】このような半導体装置８００は、小〜中電
流を扱う場合に適しており、半導体素子部を自立状態
で、すなわち単独で使用されることが多い。これに対し
て、大電流を扱う場合には、図９に示す半導体装置９０
０が適することが知られている。
流を扱う場合に適しており、半導体素子部を自立状態
で、すなわち単独で使用されることが多い。これに対し
て、大電流を扱う場合には、図９に示す半導体装置９０
０が適することが知られている。
【０００７】図９に示すように、従来の半導体装置９０
０においては、アルミ放熱板８３に複数の上述の半導体
装置８００が設けられている。ここで、各半導体装置８
００は、ワッシャ９０と、半導体装置８００と、アルミ
放熱板８３に設けられたネジ切り９１とをこの順に通過
するネジ９２によって固定されている。半導体装置８０
０とアルミ放熱板８３との間には、半導体装置８００か
らアルミ放熱板８３への熱伝導性を向上させるためにシ
リコングリース９３が塗布されている。なお、図９にお
いては、理解を助けるために１つの半導体装置８００が
ネジ９２で固定されていない部分分解図を示している。
このような構成により、半導体装置９００においては、
半導体装置８００を単独で使用する場合よりも、熱容量
および放熱性を向上させることができる。
０においては、アルミ放熱板８３に複数の上述の半導体
装置８００が設けられている。ここで、各半導体装置８
００は、ワッシャ９０と、半導体装置８００と、アルミ
放熱板８３に設けられたネジ切り９１とをこの順に通過
するネジ９２によって固定されている。半導体装置８０
０とアルミ放熱板８３との間には、半導体装置８００か
らアルミ放熱板８３への熱伝導性を向上させるためにシ
リコングリース９３が塗布されている。なお、図９にお
いては、理解を助けるために１つの半導体装置８００が
ネジ９２で固定されていない部分分解図を示している。
このような構成により、半導体装置９００においては、
半導体装置８００を単独で使用する場合よりも、熱容量
および放熱性を向上させることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の半
導体装置においては、リードフレームの半導体素子載置
部の下面を埋設するエポキシ樹脂は、半導体素子と半導
体素子載置部とを含む全体を樹脂封止する際に、同時に
形成される。図９に示すように、リードフレームの下面
と、アルミ放熱板との間に配設される樹脂は、半導体素
子によって生成される熱をアルミ放熱板へ伝導して放散
させるために、高い熱電導性を必要とする。このため、
封止用樹脂として、高い熱伝導率を有し、かつ容易に成
型し得るような組成範囲内にある樹脂を選択する必要が
ある。従って、従来の半導体装置においては、大電流お
よび高負荷の条件下での使用に限界がある。また、パッ
ケージの標準サイズが予め決められているので、大型の
半導体素子および／または複数個の素子を１つのパッケ
ージに納めることは困難である。さらに、従来の半導体
装置を作製するためには、樹脂で素子を封止する必要が
あるので、これに用いられる高価な封止設備および封止
金型を必要とする。
導体装置においては、リードフレームの半導体素子載置
部の下面を埋設するエポキシ樹脂は、半導体素子と半導
体素子載置部とを含む全体を樹脂封止する際に、同時に
形成される。図９に示すように、リードフレームの下面
と、アルミ放熱板との間に配設される樹脂は、半導体素
子によって生成される熱をアルミ放熱板へ伝導して放散
させるために、高い熱電導性を必要とする。このため、
封止用樹脂として、高い熱伝導率を有し、かつ容易に成
型し得るような組成範囲内にある樹脂を選択する必要が
ある。従って、従来の半導体装置においては、大電流お
よび高負荷の条件下での使用に限界がある。また、パッ
ケージの標準サイズが予め決められているので、大型の
半導体素子および／または複数個の素子を１つのパッケ
ージに納めることは困難である。さらに、従来の半導体
装置を作製するためには、樹脂で素子を封止する必要が
あるので、これに用いられる高価な封止設備および封止
金型を必要とする。
【０００９】従って、従来の半導体素子のパッケージで
は、封止用樹脂の組成範囲が熱伝導率を指標として素子
の安全動作領域に制約されること、大型の半導体素子お
よび／または複数の素子を１つのパッケージに納めるこ
とが困難なことなどの課題があった。さらに、従来の半
導体装置を作製するためには、樹脂で素子を封止する必
要があるので、封止設備および封止金型を必要とする。
さらに、このとき、金属板（この場合、リードフレー
ム）の厚みに応じて、種々の封止金型を必要とする。こ
れは、半導体装置のコストダウン化を妨げる要因となっ
ている。
は、封止用樹脂の組成範囲が熱伝導率を指標として素子
の安全動作領域に制約されること、大型の半導体素子お
よび／または複数の素子を１つのパッケージに納めるこ
とが困難なことなどの課題があった。さらに、従来の半
導体装置を作製するためには、樹脂で素子を封止する必
要があるので、封止設備および封止金型を必要とする。
さらに、このとき、金属板（この場合、リードフレー
ム）の厚みに応じて、種々の封止金型を必要とする。こ
れは、半導体装置のコストダウン化を妨げる要因となっ
ている。
【００１０】本発明は、上記のような従来の課題を解決
するためになされたものであり、本発明の目的は、半導
体素子の熱抵抗が低くて、その安全動作領域が広い、半
導体素子の電気的特性を最大限に利用することができ、
大型の半導体素子および／または複数個の半導体素子を
載置することができ、かつ高価な封止設備および封止金
型を不要とする、生産性の高い半導体装置およびその製
造方法を供給することにある。
するためになされたものであり、本発明の目的は、半導
体素子の熱抵抗が低くて、その安全動作領域が広い、半
導体素子の電気的特性を最大限に利用することができ、
大型の半導体素子および／または複数個の半導体素子を
載置することができ、かつ高価な封止設備および封止金
型を不要とする、生産性の高い半導体装置およびその製
造方法を供給することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、素子載置部と端子リードとからなる第１の金
属板と、第２の金属板と、該第１の金属板と該第２の金
属板との間に配設された樹脂層と、該素子載置部の上面
に載置された半導体素子と、該端子リードと該半導体素
子とを電気的に接続する金属線と、該半導体素子と該金
属線と該端子リードの一部とを内部に埋設するポッティ
ング樹脂とを備えた半導体装置の製造方法であって、エ
ポキシ樹脂より高い熱伝導率を有する充填材が充填され
たエポキシ樹脂からなるグリーンシートを準備する工程
と、該第１の金属板とを該グリーンシートを挟んで該第
２の金属板に配置する工程と、該第１の金属板に圧力を
かけて該第１の金属板の該素子載置部の上面及び該端子
リードの上面と該グリーンシートの上面とを同一平面に
位置するよう加工するとともに、加熱形成して該樹脂層
を形成する工程とを含むことにより、上記課題が解決さ
れる。
造方法は、素子載置部と端子リードとからなる第１の金
属板と、第２の金属板と、該第１の金属板と該第２の金
属板との間に配設された樹脂層と、該素子載置部の上面
に載置された半導体素子と、該端子リードと該半導体素
子とを電気的に接続する金属線と、該半導体素子と該金
属線と該端子リードの一部とを内部に埋設するポッティ
ング樹脂とを備えた半導体装置の製造方法であって、エ
ポキシ樹脂より高い熱伝導率を有する充填材が充填され
たエポキシ樹脂からなるグリーンシートを準備する工程
と、該第１の金属板とを該グリーンシートを挟んで該第
２の金属板に配置する工程と、該第１の金属板に圧力を
かけて該第１の金属板の該素子載置部の上面及び該端子
リードの上面と該グリーンシートの上面とを同一平面に
位置するよう加工するとともに、加熱形成して該樹脂層
を形成する工程とを含むことにより、上記課題が解決さ
れる。
【００１２】
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【００１６】本発明によれば、第１の金属板と第２の金
属板との間に、高い熱伝導性を有する樹脂層が配設され
ているので、半導体素子の熱抵抗を効果的に低下させ
て、その安全動作領域を広げることができる。さらに、
本発明によれば、半導体素子と、金属線と、少なくとも
１本の端子リードの一部とが、ポッティング樹脂の内部
に埋設されているので、高価な封止設備および封止金型
を不要とし、半導体装置の生産性を高めることができ
る。さらに、このような樹脂封止を用いることにより、
回路設計の自由度を向上させることができ、これによ
り、標準サイズ以外のサイズの半導体装置であっても、
容易にパッケージングすることができるので、大型の半
導体素子および／または複数個の半導体素子を容易に載
置することができる。
属板との間に、高い熱伝導性を有する樹脂層が配設され
ているので、半導体素子の熱抵抗を効果的に低下させ
て、その安全動作領域を広げることができる。さらに、
本発明によれば、半導体素子と、金属線と、少なくとも
１本の端子リードの一部とが、ポッティング樹脂の内部
に埋設されているので、高価な封止設備および封止金型
を不要とし、半導体装置の生産性を高めることができ
る。さらに、このような樹脂封止を用いることにより、
回路設計の自由度を向上させることができ、これによ
り、標準サイズ以外のサイズの半導体装置であっても、
容易にパッケージングすることができるので、大型の半
導体素子および／または複数個の半導体素子を容易に載
置することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の第１〜第７の実施形態
を、図面を参照して以下に詳細に説明する。
を、図面を参照して以下に詳細に説明する。
【００１８】（第１の実施形態）本発明による第１の実
施形態を、図１（ａ）および（ｂ）を参照して説明す
る。図１（ａ）は、本実施形態の半導体装置１００の構
成を示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線に
沿った断面図である。
施形態を、図１（ａ）および（ｂ）を参照して説明す
る。図１（ａ）は、本実施形態の半導体装置１００の構
成を示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線に
沿った断面図である。
【００１９】図１（ａ）および（ｂ）を参照して、半導
体装置１００においては、約０．５ｍｍの厚さを有する
第１の金属板（銅板）１が、樹脂層２に埋め込まれて、
第１の金属板１の上面（露出面）が樹脂層２の上面と面
一にされている。第１の金属板１は、複数の半導体素子
載置部（以下、単に「素子載置部」とする）１ａと複数
の端子リード１ｂとからなる。１つの素子載置部１ａ
と、平行に配列された３つのリード１ｂとを含む３端子
形状を１組の基本半導体素子部として、４組の基本半導
体素子部が並列に配置されている。ここで、１組の基本
半導体素子部を構成する３つのリード１ｂは、１つの素
子載置部１ａから直接に引き出された１つのリードと、
この１つのリードの左右に部品載置部から分離された２
つのリードとからなる。
体装置１００においては、約０．５ｍｍの厚さを有する
第１の金属板（銅板）１が、樹脂層２に埋め込まれて、
第１の金属板１の上面（露出面）が樹脂層２の上面と面
一にされている。第１の金属板１は、複数の半導体素子
載置部（以下、単に「素子載置部」とする）１ａと複数
の端子リード１ｂとからなる。１つの素子載置部１ａ
と、平行に配列された３つのリード１ｂとを含む３端子
形状を１組の基本半導体素子部として、４組の基本半導
体素子部が並列に配置されている。ここで、１組の基本
半導体素子部を構成する３つのリード１ｂは、１つの素
子載置部１ａから直接に引き出された１つのリードと、
この１つのリードの左右に部品載置部から分離された２
つのリードとからなる。
【００２０】樹脂層２は、第１の金属板を配設する側と
反対側の面（すなわち、下面）に第２の金属板を備え
る。樹脂層２は、酸化アルミニウムおよび窒化アルミニ
ウムなどの高い熱伝導率を有する充填材が約７０重量％
〜約９５重量％で高密度充填された、エポキシ樹脂の
「グリーンシート」を加圧下で加熱成形したものであ
る。第２の金属板３は、樹脂層２と同等か、または若干
大きいアルミニウムなどからなる金属板であり、放熱効
果を高めるためのフィンを裏面に備えている。
反対側の面（すなわち、下面）に第２の金属板を備え
る。樹脂層２は、酸化アルミニウムおよび窒化アルミニ
ウムなどの高い熱伝導率を有する充填材が約７０重量％
〜約９５重量％で高密度充填された、エポキシ樹脂の
「グリーンシート」を加圧下で加熱成形したものであ
る。第２の金属板３は、樹脂層２と同等か、または若干
大きいアルミニウムなどからなる金属板であり、放熱効
果を高めるためのフィンを裏面に備えている。
【００２１】素子載置部１ａの上面の上には、銅ヒート
スプレッダ４が中温ハンダ（図示せず）により取り付け
られている。銅ヒートスプレッダ４の上面には半導体素
子５が高温ハンダなどの金属により取り付けられてい
る。半導体素子５と、端子リード１ｂとは、アルミニウ
ム線などの金属線６で電気的に接続されている。半導体
素子５と、金属線６と、少なくとも１本の端子リード１
ｂの一部とは、チクソ性の高いエポキシ樹脂またはシリ
コーン樹脂などのポッティング樹脂７（図１（ａ）には
図示せず）に埋設されて、外部から保護されている。
スプレッダ４が中温ハンダ（図示せず）により取り付け
られている。銅ヒートスプレッダ４の上面には半導体素
子５が高温ハンダなどの金属により取り付けられてい
る。半導体素子５と、端子リード１ｂとは、アルミニウ
ム線などの金属線６で電気的に接続されている。半導体
素子５と、金属線６と、少なくとも１本の端子リード１
ｂの一部とは、チクソ性の高いエポキシ樹脂またはシリ
コーン樹脂などのポッティング樹脂７（図１（ａ）には
図示せず）に埋設されて、外部から保護されている。
【００２２】次に、この半導体装置１００の製造方法を
説明する。
説明する。
【００２３】まず、約０．５ｍｍの厚みを有する銅板を
打ち抜き加工して、複数の素子載置部１ａと複数の端子
リード１ｂとをパターニングして、金属板１を形成す
る。ここで、少なくとも１組の端子リード１ｂは、同時
に打ち抜き加工して形成されたタイバー（図示せず）に
よって互いに接続されている。この第１の金属板１を、
酸化アルミニウムおよび窒化アルミニウムなどの高い熱
伝導率を有する充填材が約７０重量％〜約９５重量％で
高密度充填されたエポキシ樹脂からなるグリーンシート
２（後に、樹脂層２となる）を挟んで、第２の金属板３
の上に配置する。次いで、約１０〜約２００ｋｇ／ｃｍ
2 の圧力を第１の金属板１にかけて第１の金属板１の上
面とグリーンシート２の上面とを同一平面に位置するよ
うに加工するとともに、これらを加熱成形して、グリー
ンシート２を熱硬化させることにより、樹脂層２を形成
する。
打ち抜き加工して、複数の素子載置部１ａと複数の端子
リード１ｂとをパターニングして、金属板１を形成す
る。ここで、少なくとも１組の端子リード１ｂは、同時
に打ち抜き加工して形成されたタイバー（図示せず）に
よって互いに接続されている。この第１の金属板１を、
酸化アルミニウムおよび窒化アルミニウムなどの高い熱
伝導率を有する充填材が約７０重量％〜約９５重量％で
高密度充填されたエポキシ樹脂からなるグリーンシート
２（後に、樹脂層２となる）を挟んで、第２の金属板３
の上に配置する。次いで、約１０〜約２００ｋｇ／ｃｍ
2 の圧力を第１の金属板１にかけて第１の金属板１の上
面とグリーンシート２の上面とを同一平面に位置するよ
うに加工するとともに、これらを加熱成形して、グリー
ンシート２を熱硬化させることにより、樹脂層２を形成
する。
【００２４】一方、半導体素子５を、表面がＮｉメッキ
された銅ヒートスプレッダ４の上面に高温ハンダ（図示
せず）で予め取り付けておく。この理由は、半導体素子
５を銅ヒートスプレッダ４の上面に取り付ける際には、
３００℃以上の融点を有する高温ハンダを使用するが、
グリーンシート２（後に、樹脂層２となる）は、３００
℃以上の高温下ではグリーンシートに含有される樹脂が
分解するので、高温処理に耐えられないことによる。従
って、グリーンシート２を高温に曝すことを回避するた
めに、半導体素子５を、銅ヒートスプレッダ４に予め取
り付けておく必要がある。さらに別の理由としては、半
導体装置１００に複数個の半導体素子５を載置した場合
のリペア性が高い（すなわち、必要に応じて個々の半導
体素子のうちで特定の半導体素子のみを取り外すことが
可能である）ことなどが挙げられる。
された銅ヒートスプレッダ４の上面に高温ハンダ（図示
せず）で予め取り付けておく。この理由は、半導体素子
５を銅ヒートスプレッダ４の上面に取り付ける際には、
３００℃以上の融点を有する高温ハンダを使用するが、
グリーンシート２（後に、樹脂層２となる）は、３００
℃以上の高温下ではグリーンシートに含有される樹脂が
分解するので、高温処理に耐えられないことによる。従
って、グリーンシート２を高温に曝すことを回避するた
めに、半導体素子５を、銅ヒートスプレッダ４に予め取
り付けておく必要がある。さらに別の理由としては、半
導体装置１００に複数個の半導体素子５を載置した場合
のリペア性が高い（すなわち、必要に応じて個々の半導
体素子のうちで特定の半導体素子のみを取り外すことが
可能である）ことなどが挙げられる。
【００２５】次いで、半導体素子５が載置された銅ヒー
トスップレッダ４を、金属板１の素子載置部１ａに中温
ハンダなどの金属により取り付ける。そして、半導体素
子５と金属板１のリード１ｂとを金属線６で電気的に接
続する。その後、半導体素子５と、金属線６と、少なく
とも１本の端子リード１ｂとをポッティング樹脂７（図
１（ａ）には図示せず）でポッティング封止して、これ
らを外部から保護する。なお、本発明では、トランスフ
ァー封止などの金型による成形は行わない。
トスップレッダ４を、金属板１の素子載置部１ａに中温
ハンダなどの金属により取り付ける。そして、半導体素
子５と金属板１のリード１ｂとを金属線６で電気的に接
続する。その後、半導体素子５と、金属線６と、少なく
とも１本の端子リード１ｂとをポッティング樹脂７（図
１（ａ）には図示せず）でポッティング封止して、これ
らを外部から保護する。なお、本発明では、トランスフ
ァー封止などの金型による成形は行わない。
【００２６】その後、金属板１のタイバー（図示せず）
を切り離して、半導体装置１００が完成される。
を切り離して、半導体装置１００が完成される。
【００２７】なお、第１の金属板１としては、銅板に限
定されることなく、Ｎｉメッキなどで表面処理された銅
板であってもよい。第１の金属板１の厚さは、上記の厚
みに限定されず、素子載置部と端子リード部とが成形さ
れ得る厚みであればよい。第１の金属板１の厚さを変化
させた場合には、樹脂層２の厚さを相補的に変化させて
調整することにより、別の製造設備を必要とせず、容易
に仕様の変化に対応することが可能である。
定されることなく、Ｎｉメッキなどで表面処理された銅
板であってもよい。第１の金属板１の厚さは、上記の厚
みに限定されず、素子載置部と端子リード部とが成形さ
れ得る厚みであればよい。第１の金属板１の厚さを変化
させた場合には、樹脂層２の厚さを相補的に変化させて
調整することにより、別の製造設備を必要とせず、容易
に仕様の変化に対応することが可能である。
【００２８】また、銅ヒートスプレッダ４上に載置する
半導体素子５の個数については、製品の用途および組立
設備の仕様に合わせて自在に選択することができる。
半導体素子５の個数については、製品の用途および組立
設備の仕様に合わせて自在に選択することができる。
【００２９】第２の金属板３の材料としては、アルミニ
ウムに限定されることなく、鉄および／または銅でも同
様の放熱効果が得られ得る。さらに、第２の金属板の形
状としては、凹凸形状（フィンを裏面に備える）に限定
されず、板状であってもよく、用いる半導体素子の発熱
量に合わせて選択すればよい。
ウムに限定されることなく、鉄および／または銅でも同
様の放熱効果が得られ得る。さらに、第２の金属板の形
状としては、凹凸形状（フィンを裏面に備える）に限定
されず、板状であってもよく、用いる半導体素子の発熱
量に合わせて選択すればよい。
【００３０】本実施形態によれば、半導体素子５の発熱
を、高い熱伝導率を有する樹脂層２を通じて、高い放熱
性を有する第２の金属板３から効果的に放熱することが
できる。これにより、半導体素子の熱抵抗を低下させ得
て、半導体素子の安全動作領域を広くすることが可能に
なる。さらに、半導体素子の熱抵抗の低下効果により、
従来不可能であった大型の半導体素子および／または複
数の素子を半導体装置に備えることが可能になる。
を、高い熱伝導率を有する樹脂層２を通じて、高い放熱
性を有する第２の金属板３から効果的に放熱することが
できる。これにより、半導体素子の熱抵抗を低下させ得
て、半導体素子の安全動作領域を広くすることが可能に
なる。さらに、半導体素子の熱抵抗の低下効果により、
従来不可能であった大型の半導体素子および／または複
数の素子を半導体装置に備えることが可能になる。
【００３１】さらに、本発明によれば、第１の金属板
と、エポキシ樹脂のグリーンシートと、第２の金属板と
を重ね合わせて加圧および加熱する製造方法を用いてい
るので、第１の金属板の厚さを変化させた場合でも、グ
リーンシート（樹脂層）２の厚さを相補的に変化させて
調整することにより、別の製造設備を必要とせず、容易
に仕様の変化に対応することが可能である。また、樹脂
封止としてポッティング封止を用いているので、高価な
設備および金型が不要となり、製造コストを削減するこ
とができる。
と、エポキシ樹脂のグリーンシートと、第２の金属板と
を重ね合わせて加圧および加熱する製造方法を用いてい
るので、第１の金属板の厚さを変化させた場合でも、グ
リーンシート（樹脂層）２の厚さを相補的に変化させて
調整することにより、別の製造設備を必要とせず、容易
に仕様の変化に対応することが可能である。また、樹脂
封止としてポッティング封止を用いているので、高価な
設備および金型が不要となり、製造コストを削減するこ
とができる。
【００３２】（第２の実施形態）本発明による第２の実
施形態を、図２（ａ）および（ｂ）を参照して説明す
る。本実施形態は、第１の実施形態において、樹脂層の
形状を改変し、個々の半導体装置に分離する工程を追加
したものである。図２（ａ）および（ｂ）は、本実施形
態の半導体装置２００の製造方法を説明する工程斜視図
である。なお、上記の実施形態と同じ構成部品について
は、同じ参照符号を付している。
施形態を、図２（ａ）および（ｂ）を参照して説明す
る。本実施形態は、第１の実施形態において、樹脂層の
形状を改変し、個々の半導体装置に分離する工程を追加
したものである。図２（ａ）および（ｂ）は、本実施形
態の半導体装置２００の製造方法を説明する工程斜視図
である。なお、上記の実施形態と同じ構成部品について
は、同じ参照符号を付している。
【００３３】本実施形態の半導体装置２００は、上述の
第１の実施形態の半導体装置１００と同様の方法を用い
て作製される。ここでは、第１の実施形態の半導体装置
１００と同様の構成および製造方法についての説明を省
略し、異なる点を中心にして以下に説明するものとす
る。
第１の実施形態の半導体装置１００と同様の方法を用い
て作製される。ここでは、第１の実施形態の半導体装置
１００と同様の構成および製造方法についての説明を省
略し、異なる点を中心にして以下に説明するものとす
る。
【００３４】図２（ａ）に示すように、第１の実施形態
の製造方法において、グリーンシート２を島状にパター
ンニング形成して、各基本半導体素子部の間にある樹脂
層２に、各基本半導体素子に対して対称に３つの分離部
８を設けること以外は第１の実施形態と同様にして、半
導体装置を作製する。ここで、並列に配置された４組の
基本半導体素子のピッチ、すなわち１組の基本半導体素
子の幅ｗは、約１６．５ｍｍであり、溝８の幅（隣接最
小距離）ｄは、約４ｍｍである。
の製造方法において、グリーンシート２を島状にパター
ンニング形成して、各基本半導体素子部の間にある樹脂
層２に、各基本半導体素子に対して対称に３つの分離部
８を設けること以外は第１の実施形態と同様にして、半
導体装置を作製する。ここで、並列に配置された４組の
基本半導体素子のピッチ、すなわち１組の基本半導体素
子の幅ｗは、約１６．５ｍｍであり、溝８の幅（隣接最
小距離）ｄは、約４ｍｍである。
【００３５】第１の実施形態の製造方法に従って、ポッ
ティング樹脂（図示せず）で半導体素子５と、金属線６
と、少なくとも１本の端子リード１ｂとを封止した後、
分離部８の中心近傍で、第２の金属板３をカッターまた
は鋸でそれぞれ切断して、半導体装置を個々の半導体装
置に分離する。最後に、３本（１組）の端子リード１ｂ
を接続しているタイバー（図示せず）を切断して、図２
（ｂ）に示す半導体装置２００が完成される。
ティング樹脂（図示せず）で半導体素子５と、金属線６
と、少なくとも１本の端子リード１ｂとを封止した後、
分離部８の中心近傍で、第２の金属板３をカッターまた
は鋸でそれぞれ切断して、半導体装置を個々の半導体装
置に分離する。最後に、３本（１組）の端子リード１ｂ
を接続しているタイバー（図示せず）を切断して、図２
（ｂ）に示す半導体装置２００が完成される。
【００３６】本実施形態によれば、半導体素子の安全動
作領域が広く、大型の素子および／または複数の素子が
載置された、単品の半導体装置の製造コストを削減する
ことができる。また、第１の実施形態と同様に、樹脂封
止としてポッティング封止を用いているので、高価な設
備および金型が不要となり、製造コストを削減すること
ができる。
作領域が広く、大型の素子および／または複数の素子が
載置された、単品の半導体装置の製造コストを削減する
ことができる。また、第１の実施形態と同様に、樹脂封
止としてポッティング封止を用いているので、高価な設
備および金型が不要となり、製造コストを削減すること
ができる。
【００３７】（第３の実施形態）本発明による第３の実
施形態を、図３（ａ）および（ｂ）を参照して説明す
る。本実施形態は、実施形態２において、個々の半導体
装置に分離する工程を改変したものである。図３（ａ）
は、本実施形態の半導体装置の製造方法を説明する工程
斜視図であり、（ｂ）は本実施形態の改変例を説明する
工程斜視図である。なお、上記の実施形態と同じ構成部
品については、同じ参照符号を付している。
施形態を、図３（ａ）および（ｂ）を参照して説明す
る。本実施形態は、実施形態２において、個々の半導体
装置に分離する工程を改変したものである。図３（ａ）
は、本実施形態の半導体装置の製造方法を説明する工程
斜視図であり、（ｂ）は本実施形態の改変例を説明する
工程斜視図である。なお、上記の実施形態と同じ構成部
品については、同じ参照符号を付している。
【００３８】本実施形態の半導体装置（図示せず）は、
上述の第２の実施形態の半導体装置２００と同様の方法
を用いて作製される。ここでは、第２の実施形態の半導
体装置２００と同様の構成および製造方法についての説
明を省略し、異なる点を中心にして以下に説明するもの
とする。
上述の第２の実施形態の半導体装置２００と同様の方法
を用いて作製される。ここでは、第２の実施形態の半導
体装置２００と同様の構成および製造方法についての説
明を省略し、異なる点を中心にして以下に説明するもの
とする。
【００３９】本実施形態においては、図３（ａ）に示す
ように、板状の形状を予め有している第２の金属板３を
用いる。ここで、第２の金属板３の所定の切断箇所に
は、その曲げ強度を低下させるための穴列９が予め設け
られている。切断ラインに沿って穴列９が設けられる場
合は、約１ｍｍの穴径を有する丸穴が、約１．５ｍｍの
穴間隔で切断ラインに沿って一列に並んで配置されてい
る。一方、切断ラインに沿って溝１０が設けられる場合
は、約０．５ｍｍの幅で、第２の金属板３の板厚の約２
／３の深さの溝が直線状に設けられる。
ように、板状の形状を予め有している第２の金属板３を
用いる。ここで、第２の金属板３の所定の切断箇所に
は、その曲げ強度を低下させるための穴列９が予め設け
られている。切断ラインに沿って穴列９が設けられる場
合は、約１ｍｍの穴径を有する丸穴が、約１．５ｍｍの
穴間隔で切断ラインに沿って一列に並んで配置されてい
る。一方、切断ラインに沿って溝１０が設けられる場合
は、約０．５ｍｍの幅で、第２の金属板３の板厚の約２
／３の深さの溝が直線状に設けられる。
【００４０】この第２の基板３を用いて、実施形態２と
同様にして、ポッティング樹脂（図示せず）で半導体素
子５と、金属線６と、少なくとも１本の端子リード１ｂ
とを封止した後、カッターまたは鋸などの手段を用いず
に、簡単な治具で曲げ加工することによって、個々の半
導体装置に分離する。最後に、実施形態２と同様にし
て、３本（１組）の端子リード１ｂを固定しているタイ
バーを切断して、半導体装置（図示せず）が完成され
る。
同様にして、ポッティング樹脂（図示せず）で半導体素
子５と、金属線６と、少なくとも１本の端子リード１ｂ
とを封止した後、カッターまたは鋸などの手段を用いず
に、簡単な治具で曲げ加工することによって、個々の半
導体装置に分離する。最後に、実施形態２と同様にし
て、３本（１組）の端子リード１ｂを固定しているタイ
バーを切断して、半導体装置（図示せず）が完成され
る。
【００４１】本実施形態のように、第２の金属板３が板
状の形状を有する場合は、板を貫通する丸穴が設けられ
る。これに対して、第２の金属板３が放熱フィンなどを
裏面に備えることにより、凹凸形状を有する場合は、放
熱フィンの３面を貫通する丸穴が設けられる。いずれの
場合にも、個々の半導体装置に分離する際は、治具を使
って丸穴の部分だけを押さえるようにして、残っている
（繋がっている）部分を切断する。
状の形状を有する場合は、板を貫通する丸穴が設けられ
る。これに対して、第２の金属板３が放熱フィンなどを
裏面に備えることにより、凹凸形状を有する場合は、放
熱フィンの３面を貫通する丸穴が設けられる。いずれの
場合にも、個々の半導体装置に分離する際は、治具を使
って丸穴の部分だけを押さえるようにして、残っている
（繋がっている）部分を切断する。
【００４２】あるいは、穴列９のかわりに、図３（ｂ）
に示すように、溝１０が第２の金属板３に予め設けられ
ていてもよい。この場合においても、穴列９が設けられ
ている場合と同様の操作によって、個々の半導体装置に
分離することができる。
に示すように、溝１０が第２の金属板３に予め設けられ
ていてもよい。この場合においても、穴列９が設けられ
ている場合と同様の操作によって、個々の半導体装置に
分離することができる。
【００４３】本実施形態によれば、第２の金属板に穴列
または溝を設けているので、切断機または鋸などの設備
を使用することなく、簡単な治具で折り曲げ加工するこ
とによって、個々の半導体装置に分離でき、これによ
り、製造コストを削減することができる。
または溝を設けているので、切断機または鋸などの設備
を使用することなく、簡単な治具で折り曲げ加工するこ
とによって、個々の半導体装置に分離でき、これによ
り、製造コストを削減することができる。
【００４４】（第４の実施形態）本発明による第４の実
施形態を、図４Ａおよび図４Ｂを参照して説明する。本
実施形態は、第１の実施形態において、第２の金属板の
形状を改変し、第２の金属板を折り曲げ加工する工程を
追加したものである。図４Ａ（ａ）および（ｂ）は、本
実施形態の半導体装置４００の製造方法を説明する連続
した工程斜視図である。図４Ｂは、図４ＡのＡ−Ａ’線
に沿った断面図である。なお、上記の実施形態と同じ構
成部品については、同じ参照符号を付している。
施形態を、図４Ａおよび図４Ｂを参照して説明する。本
実施形態は、第１の実施形態において、第２の金属板の
形状を改変し、第２の金属板を折り曲げ加工する工程を
追加したものである。図４Ａ（ａ）および（ｂ）は、本
実施形態の半導体装置４００の製造方法を説明する連続
した工程斜視図である。図４Ｂは、図４ＡのＡ−Ａ’線
に沿った断面図である。なお、上記の実施形態と同じ構
成部品については、同じ参照符号を付している。
【００４５】本実施形態の半導体装置４００は、上述の
第１の実施形態の半導体装置１００と同様の方法を用い
て作製される。ここでは、第１の実施形態の半導体装置
１００と同様の構成および製造方法についての説明を省
略し、異なる点を中心にして以下に説明するものとす
る。
第１の実施形態の半導体装置１００と同様の方法を用い
て作製される。ここでは、第１の実施形態の半導体装置
１００と同様の構成および製造方法についての説明を省
略し、異なる点を中心にして以下に説明するものとす
る。
【００４６】本実施形態においては、図４（ａ）に示す
ように、板状の形状で、樹脂層２の大きさに対して約２
倍の面積を予め有している第２の金属板３を用いる。
ように、板状の形状で、樹脂層２の大きさに対して約２
倍の面積を予め有している第２の金属板３を用いる。
【００４７】図４（ａ）に示すように、第１の実施形態
と同様にして、半導体装置を作製する。ここで、第２の
金属板３は、その上に樹脂層を配設する金属部（第１の
金属部）３ａと、端子リード１ｂが延出する方向と反対
の方向に右部３ａから延出した金属部（第２の金属部）
３ｂとからなる。これらの金属部３ａと金属部３ｂとは
ほぼ等しい面積を有し、金属部３ｂには、約１ｃｍの幅
を有する溝１１が設けられている。
と同様にして、半導体装置を作製する。ここで、第２の
金属板３は、その上に樹脂層を配設する金属部（第１の
金属部）３ａと、端子リード１ｂが延出する方向と反対
の方向に右部３ａから延出した金属部（第２の金属部）
３ｂとからなる。これらの金属部３ａと金属部３ｂとは
ほぼ等しい面積を有し、金属部３ｂには、約１ｃｍの幅
を有する溝１１が設けられている。
【００４８】第１の実施形態の製造方法に従って、ポッ
ティング樹脂（図示せず）で半導体素子５と、金属線６
と、少なくとも１本の端子リード１ｂとを封止し、次い
で、複数の端子リード１ｂを接続するタイバーを切り離
した後、第２の金属板３の金属部３ｂを、溝１１を利用
して、金属部３ａの半導体素子５が載置されている側の
面が金属部３ｂと対向するように、折り曲げ加工して、
図４Ａ（ｂ）および図４Ｂに示す半導体装置４００が作
製される。この折り曲げ加工には、簡単な治具またはプ
レス機が用いられ得る。
ティング樹脂（図示せず）で半導体素子５と、金属線６
と、少なくとも１本の端子リード１ｂとを封止し、次い
で、複数の端子リード１ｂを接続するタイバーを切り離
した後、第２の金属板３の金属部３ｂを、溝１１を利用
して、金属部３ａの半導体素子５が載置されている側の
面が金属部３ｂと対向するように、折り曲げ加工して、
図４Ａ（ｂ）および図４Ｂに示す半導体装置４００が作
製される。この折り曲げ加工には、簡単な治具またはプ
レス機が用いられ得る。
【００４９】なお、本実施形態においては、第２の金属
板に溝が設けられた構造について記載したが、本実施形
態はこれに限定されない。すなわち、第２の金属板を折
り曲げて、半導体素子を対向する第２の金属板の内側に
収容することができれば、第２の金属板に溝を設けなく
てもよい。さらに、第２の金属板の形状としては、板状
に限定されず、凹凸形状（フィンを裏面に備える）であ
ってもよく、用いる半導体素子の発熱量に合わせて選択
すればよい。
板に溝が設けられた構造について記載したが、本実施形
態はこれに限定されない。すなわち、第２の金属板を折
り曲げて、半導体素子を対向する第２の金属板の内側に
収容することができれば、第２の金属板に溝を設けなく
てもよい。さらに、第２の金属板の形状としては、板状
に限定されず、凹凸形状（フィンを裏面に備える）であ
ってもよく、用いる半導体素子の発熱量に合わせて選択
すればよい。
【００５０】本実施形態によれば、半導体素子がその内
側に収容されるように、第２の金属板を折り曲げて対向
させているので、半導体素子に外力が加えられるなどの
危険性を回避して、半導体素子を外部から保護する効果
がある。さらに、第２の金属板を上記のように折り曲げ
ているので、本実施形態の半導体装置を別のプリント配
線板上に自立して実装することができる。また、第２の
金属板の有効面積が約２倍になるので、半導体素子の放
熱効果を大幅に向上させることができる。
側に収容されるように、第２の金属板を折り曲げて対向
させているので、半導体素子に外力が加えられるなどの
危険性を回避して、半導体素子を外部から保護する効果
がある。さらに、第２の金属板を上記のように折り曲げ
ているので、本実施形態の半導体装置を別のプリント配
線板上に自立して実装することができる。また、第２の
金属板の有効面積が約２倍になるので、半導体素子の放
熱効果を大幅に向上させることができる。
【００５１】（第５の実施形態）本発明による第５の実
施形態を、図５ＡおよびＢを参照して説明する。本実施
形態は、第４の実施形態において、第２の金属板の延出
部（第２の金属部）にも半導体素子を載置したものであ
る。図５Ａ（ａ）および（ｂ）は、本実施形態の半導体
装置５００の製造方法を説明する連続した工程斜視図で
ある。図５Ｂは、図５ＡのＡ−Ａ’線に沿った断面図で
ある。なお、上記の実施形態と同じ構成部品について
は、同じ参照符号を付している。
施形態を、図５ＡおよびＢを参照して説明する。本実施
形態は、第４の実施形態において、第２の金属板の延出
部（第２の金属部）にも半導体素子を載置したものであ
る。図５Ａ（ａ）および（ｂ）は、本実施形態の半導体
装置５００の製造方法を説明する連続した工程斜視図で
ある。図５Ｂは、図５ＡのＡ−Ａ’線に沿った断面図で
ある。なお、上記の実施形態と同じ構成部品について
は、同じ参照符号を付している。
【００５２】本実施形態の半導体装置５００は、上述の
第４の実施形態の半導体装置４００と同様の方法を用い
て作製される。ここでは、第４の実施形態の半導体装置
４００と同様の構成および製造方法についての説明を省
略し、異なる点を中心にして以下に説明するものとす
る。
第４の実施形態の半導体装置４００と同様の方法を用い
て作製される。ここでは、第４の実施形態の半導体装置
４００と同様の構成および製造方法についての説明を省
略し、異なる点を中心にして以下に説明するものとす
る。
【００５３】図５Ａ（ａ）に示すように、第２の金属板
３の金属部（第１の金属部）３ａと同様に、樹脂層２
と、第１の金属板１（複数の半導体素子載置部１ａと複
数の端子リード１ｂ）と、銅スプレッダ４と、半導体素
子５と、金属線６と、ポッティング樹脂７とを、金属部
（第２の金属部）３ｂにも同時に設ける。これにより、
図５Ａ（ｂ）および図５Ｂに示す半導体装置５００が溝
１１を挟んで、対称な構造を有し得る。
３の金属部（第１の金属部）３ａと同様に、樹脂層２
と、第１の金属板１（複数の半導体素子載置部１ａと複
数の端子リード１ｂ）と、銅スプレッダ４と、半導体素
子５と、金属線６と、ポッティング樹脂７とを、金属部
（第２の金属部）３ｂにも同時に設ける。これにより、
図５Ａ（ｂ）および図５Ｂに示す半導体装置５００が溝
１１を挟んで、対称な構造を有し得る。
【００５４】本実施形態によれば、第４の実施形態と同
様の効果が得られる。さらに、本実施形態によれば、第
２の金属板上に第１の金属板を対向させて配置でき、こ
の形状で別のプリント配線板上に実装できるので、実装
密度を約２倍に向上させることができる。
様の効果が得られる。さらに、本実施形態によれば、第
２の金属板上に第１の金属板を対向させて配置でき、こ
の形状で別のプリント配線板上に実装できるので、実装
密度を約２倍に向上させることができる。
【００５５】（第６の実施形態）本発明による第６の実
施形態を、図６（ａ）および（ｂ）を参照して説明す
る。本実施形態は、第１の実施形態において、２つの半
導体装置を作製し、これらを第３の金属板で接続して、
第３の金属板を折り曲げ加工する工程を追加したもので
ある。図６（ａ）および（ｂ）は、本実施形態の半導体
装置６００の製造方法を説明する連続した工程斜視図で
ある。なお、上記の実施形態と同じ構成部品について
は、同じ参照符号を付している。
施形態を、図６（ａ）および（ｂ）を参照して説明す
る。本実施形態は、第１の実施形態において、２つの半
導体装置を作製し、これらを第３の金属板で接続して、
第３の金属板を折り曲げ加工する工程を追加したもので
ある。図６（ａ）および（ｂ）は、本実施形態の半導体
装置６００の製造方法を説明する連続した工程斜視図で
ある。なお、上記の実施形態と同じ構成部品について
は、同じ参照符号を付している。
【００５６】本実施形態の半導体装置６００は、上述の
第１の実施形態の半導体装置１００と同様の方法を用い
て作製される。ここでは、第１の実施形態の半導体装置
１００と同様の構成および製造方法についての説明を省
略し、異なる点を中心にして以下に説明するものとす
る。
第１の実施形態の半導体装置１００と同様の方法を用い
て作製される。ここでは、第１の実施形態の半導体装置
１００と同様の構成および製造方法についての説明を省
略し、異なる点を中心にして以下に説明するものとす
る。
【００５７】本実施形態においては、図６（ａ）に示す
ように、板状の形状で、樹脂層２に対して約１ｃｍ〜約
３ｃｍ突出した形状を予め有する、若干大きい第２の金
属板３を用いる。
ように、板状の形状で、樹脂層２に対して約１ｃｍ〜約
３ｃｍ突出した形状を予め有する、若干大きい第２の金
属板３を用いる。
【００５８】図４（ａ）に示すように、第１の実施形態
と同様にして、実施形態１の半導体装置を２つ同時に作
製する。ここで、第３の金属板１２は、２つの樹脂層２
を接続するようにして形成されている。この第３の金属
板は、約０．５ｍｍの厚さを有する銅板を打ち抜き加工
した、棒形状を有する複数の金属板からなる。第３の金
属板１２は、第１の金属板１と同時に打ち抜き加工され
ていてもよい。
と同様にして、実施形態１の半導体装置を２つ同時に作
製する。ここで、第３の金属板１２は、２つの樹脂層２
を接続するようにして形成されている。この第３の金属
板は、約０．５ｍｍの厚さを有する銅板を打ち抜き加工
した、棒形状を有する複数の金属板からなる。第３の金
属板１２は、第１の金属板１と同時に打ち抜き加工され
ていてもよい。
【００５９】より詳細には、第１の金属板１をグリーン
シート２を挟んで第２の金属板３の上に配置する工程に
おいて、２枚の第１の金属板１を、それぞれの端子リー
ド１ｂが反対側を向くようにしてグリーンシート２を挟
んで第２の金属板３の上に配置するとともに、第３の金
属板１２を、２枚の第２の金属板を一定の間隔を置いて
接続するようにグリーンシート２を挟んで第２の金属板
３の上で、かつ第１の金属板１の側方に配置する。次い
で、約１０〜約２００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力を第１の金属
板１および第３の金属板１２にかけて第１の金属板１お
よび第３の金属板１２の上面とグリーンシート２の上面
とを同一平面に位置するように加工するとともに、これ
らを加熱成形して、グリーンシート２を熱硬化させるこ
とにより、樹脂層２を形成する。その後、第１の実施形
態の製造方法に従って、ポッティング樹脂（図示せず）
で、半導体素子５と、金属線６と、少なくとも１本の端
子リード１ｂの一部とを封止し、次いで、複数の端子リ
ード１ｂを接続するタイバーを切り離す。次いで、第３
の金属板１２を、金属部３ａの半導体素子５が載置され
ている側の面と金属部３ｂの半導体素子５が載置されて
いる側の面とが対向するように、折り曲げ加工して、図
６（ｂ）に示す半導体装置６００が作製される。この折
り曲げ加工には、簡単な治具またはプレス機が用いられ
得る。
シート２を挟んで第２の金属板３の上に配置する工程に
おいて、２枚の第１の金属板１を、それぞれの端子リー
ド１ｂが反対側を向くようにしてグリーンシート２を挟
んで第２の金属板３の上に配置するとともに、第３の金
属板１２を、２枚の第２の金属板を一定の間隔を置いて
接続するようにグリーンシート２を挟んで第２の金属板
３の上で、かつ第１の金属板１の側方に配置する。次い
で、約１０〜約２００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力を第１の金属
板１および第３の金属板１２にかけて第１の金属板１お
よび第３の金属板１２の上面とグリーンシート２の上面
とを同一平面に位置するように加工するとともに、これ
らを加熱成形して、グリーンシート２を熱硬化させるこ
とにより、樹脂層２を形成する。その後、第１の実施形
態の製造方法に従って、ポッティング樹脂（図示せず）
で、半導体素子５と、金属線６と、少なくとも１本の端
子リード１ｂの一部とを封止し、次いで、複数の端子リ
ード１ｂを接続するタイバーを切り離す。次いで、第３
の金属板１２を、金属部３ａの半導体素子５が載置され
ている側の面と金属部３ｂの半導体素子５が載置されて
いる側の面とが対向するように、折り曲げ加工して、図
６（ｂ）に示す半導体装置６００が作製される。この折
り曲げ加工には、簡単な治具またはプレス機が用いられ
得る。
【００６０】なお、本実施形態においては、第３の金属
板が第１の金属板と同時に加圧されて樹脂層２に埋め込
まれる方法および構造を記載したが、本実施形態はこれ
に限定されない。すなわち、第３の金属板を折り曲げ
て、半導体素子を対向する第２の金属板の内側に収容す
ることができれば、第３の金属板はどのように形成され
ていてもよい。さらに、第２の金属板の形状としては、
板状に限定されず、凹凸形状（フィンを裏面に備える）
であってもよく、用いる半導体素子の発熱量に合わせて
選択すればよい。
板が第１の金属板と同時に加圧されて樹脂層２に埋め込
まれる方法および構造を記載したが、本実施形態はこれ
に限定されない。すなわち、第３の金属板を折り曲げ
て、半導体素子を対向する第２の金属板の内側に収容す
ることができれば、第３の金属板はどのように形成され
ていてもよい。さらに、第２の金属板の形状としては、
板状に限定されず、凹凸形状（フィンを裏面に備える）
であってもよく、用いる半導体素子の発熱量に合わせて
選択すればよい。
【００６１】本実施形態によれば、半導体素子が対向す
る第２の金属板の内側に収容されるように、第３の金属
板を折り曲げているので、半導体素子に外力が加えられ
るなどの危険性を回避して、半導体素子を外部から保護
する効果がある。さらに、上記のように第３の金属板を
折り曲げているので、本実施形態の半導体装置を別のプ
リント配線板上に自立して実装することができる。ま
た、第２の金属板上に第１の金属板を対向させて配置で
き、この形状で別のプリント配線板上に実装できるの
で、実装密度を約２倍に向上させることができる。さら
に、第３の金属板を折り曲げているので、第２の金属板
を折り曲げている実施形態５の半導体装置に比べて、第
２の金属板の形状（板状または凹凸状）および厚さに依
存することなく、容易に折り曲げ加工することができ
る。
る第２の金属板の内側に収容されるように、第３の金属
板を折り曲げているので、半導体素子に外力が加えられ
るなどの危険性を回避して、半導体素子を外部から保護
する効果がある。さらに、上記のように第３の金属板を
折り曲げているので、本実施形態の半導体装置を別のプ
リント配線板上に自立して実装することができる。ま
た、第２の金属板上に第１の金属板を対向させて配置で
き、この形状で別のプリント配線板上に実装できるの
で、実装密度を約２倍に向上させることができる。さら
に、第３の金属板を折り曲げているので、第２の金属板
を折り曲げている実施形態５の半導体装置に比べて、第
２の金属板の形状（板状または凹凸状）および厚さに依
存することなく、容易に折り曲げ加工することができ
る。
【００６２】（第７の実施形態）本発明による第７の実
施形態を、図７（ａ）および（ｂ）を参照して説明す
る。本実施形態は、第６の実施形態において、第３の金
属板を利用して２枚の第１の金属板に載置されたパワー
半導体装置を電気的に接続したものである。図７（ａ）
および（ｂ）は、本実施形態の半導体装置７００の製造
方法を説明する連続した工程斜視図である。なお、上記
の実施形態と同じ構成部品については、同じ参照符号を
付している。
施形態を、図７（ａ）および（ｂ）を参照して説明す
る。本実施形態は、第６の実施形態において、第３の金
属板を利用して２枚の第１の金属板に載置されたパワー
半導体装置を電気的に接続したものである。図７（ａ）
および（ｂ）は、本実施形態の半導体装置７００の製造
方法を説明する連続した工程斜視図である。なお、上記
の実施形態と同じ構成部品については、同じ参照符号を
付している。
【００６３】本実施形態の半導体装置７００は、上述の
第６の実施形態の半導体装置６００と同様の方法を用い
て作製される。ここでは、第６の実施形態の半導体装置
６００と同様の構成および製造方法についての説明を省
略し、異なる点を中心にして以下に説明するものとす
る。
第６の実施形態の半導体装置６００と同様の方法を用い
て作製される。ここでは、第６の実施形態の半導体装置
６００と同様の構成および製造方法についての説明を省
略し、異なる点を中心にして以下に説明するものとす
る。
【００６４】図７（ａ）に示すように、第６の実施形態
と同様にして、実施形態１の半導体装置を２つ同時に作
製する。ここで、２枚の第１の金属板１に設けられた半
導体素子５は、それぞれ、第３の金属板１２と金属線１
３によって接続されている。これにより、１枚の第１の
金属板に設けられた複数の半導体素子と、もう一方の１
枚の第１の金属板に設けられた複数の半導体素子とが、
電気的に接続されて、等しい電位を有し得る。その後、
第６の実施形態の製造方法に従って、第３の金属板１２
を、金属部３ａの半導体素子５が載置されている側の面
が金属部３ｂと対向するように、折り曲げ加工して、図
７（ｂ）に示す半導体装置７００が作製される。この折
り曲げ加工には、簡単な治具またはプレス機が用いられ
得る。
と同様にして、実施形態１の半導体装置を２つ同時に作
製する。ここで、２枚の第１の金属板１に設けられた半
導体素子５は、それぞれ、第３の金属板１２と金属線１
３によって接続されている。これにより、１枚の第１の
金属板に設けられた複数の半導体素子と、もう一方の１
枚の第１の金属板に設けられた複数の半導体素子とが、
電気的に接続されて、等しい電位を有し得る。その後、
第６の実施形態の製造方法に従って、第３の金属板１２
を、金属部３ａの半導体素子５が載置されている側の面
が金属部３ｂと対向するように、折り曲げ加工して、図
７（ｂ）に示す半導体装置７００が作製される。この折
り曲げ加工には、簡単な治具またはプレス機が用いられ
得る。
【００６５】本実施形態によれば、第６の実施形態と同
様の効果が得られる。さらに、本実施形態によれば、１
枚の第１の金属板に設けられた複数の半導体素子と、も
う一方の第１の金属板に設けられた複数の半導体素子と
が、第３の金属板を通じて電気的に接続されるため、回
路設計の自由度を大幅に向上させることができる。
様の効果が得られる。さらに、本実施形態によれば、１
枚の第１の金属板に設けられた複数の半導体素子と、も
う一方の第１の金属板に設けられた複数の半導体素子と
が、第３の金属板を通じて電気的に接続されるため、回
路設計の自由度を大幅に向上させることができる。
【００６６】
【発明の効果】本発明によれば、高価な封止設備および
封止金型を不要とし、生産性の高い半導体装置およびそ
の製造方法が提供される。
封止金型を不要とし、生産性の高い半導体装置およびそ
の製造方法が提供される。
【図１】本発明の第１の実施形態の半導体装置を説明す
る図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−
Ａ’線に沿った断面図である。
る図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−
Ａ’線に沿った断面図である。
【図２】（ａ）および（ｂ）は、本発明の第２の実施形
態の半導体装置の製造方法を説明する連続した工程斜視
図である。
態の半導体装置の製造方法を説明する連続した工程斜視
図である。
【図３】（ａ）は、本発明の第３の実施形態の半導体装
置の製造方法を説明する工程斜視図であり、（ｂ）は、
第３の実施形態の改変例を説明する工程斜視図である。
置の製造方法を説明する工程斜視図であり、（ｂ）は、
第３の実施形態の改変例を説明する工程斜視図である。
【図４Ａ】（ａ）および（ｂ）は、本発明の第４の実施
形態の半導体装置の製造方法を説明する連続した工程斜
視図である。
形態の半導体装置の製造方法を説明する連続した工程斜
視図である。
【図４Ｂ】図４Ａの半導体装置のＡ−Ａ’線に沿った断
面図である。
面図である。
【図５Ａ】（ａ）および（ｂ）は、本発明の第５の実施
形態の半導体装置の製造方法を説明する連続した工程斜
視図である。
形態の半導体装置の製造方法を説明する連続した工程斜
視図である。
【図５Ｂ】図５Ａの半導体装置のＡ−Ａ’線に沿った断
面図である。
面図である。
【図６】（ａ）および（ｂ）は、本発明の第６の実施形
態の半導体装置の製造方法を説明する連続した工程斜視
図である。
態の半導体装置の製造方法を説明する連続した工程斜視
図である。
【図７】（ａ）および（ｂ）は、本発明の第７の実施形
態の半導体装置の製造方法を説明する連続した工程斜視
図である。
態の半導体装置の製造方法を説明する連続した工程斜視
図である。
【図８】従来の半導体装置を説明する図であり、（ａ）
は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線に沿った断面図
である。
は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線に沿った断面図
である。
【図９】従来の別の半導体装置を説明する斜視図であ
る。
る。
１ 第１の金属板 １ａ 半導体素子載置部 １ｂ 端子リード ２ 樹脂層（グリーンシート） ３ 第２の金属板 ４ 銅ヒートスプレッダ ５ 半導体素子 ６ 金属線 ７ ポッティング樹脂 ８ 分離部 ９ 穴列 １０ 溝 １１ 溝 １２ 第３の金属板 １３ 金属線 １００ 半導体装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−115540（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−335817（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−304247（ＪＰ，Ａ) 特公 昭50−1377（ＪＰ，Ｂ２) 実公 昭50−5388（ＪＰ，Ｙ２) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/28,23/48,23/50 H01L 25/07,25/18
Claims (1)
- 【請求項１】 素子載置部と端子リードとからなる第１
の金属板と、 第２の金属板と、 該第１の金属板と該第２の金属板との間に配設された樹
脂層と、 該素子載置部の上面に載置された半導体素子と、 該端子リードと該半導体素子とを電気的に接続する金属
線と、 該半導体素子と該金属線と該端子リードの一部とを内部
に埋設するポッティング樹脂とを備えた半導体装置の製
造方法であって、 エポキシ樹脂より高い熱伝導率を有する充填材が充填さ
れたエポキシ樹脂からなるグリーンシートを準備する工
程と、 該第１の金属板とを該グリーンシートを挟んで該第２の
金属板に配置する工程と、 該第１の金属板に圧力をかけて該第１の金属板の該素子
載置部の上面及び該端子リードの上面と該グリーンシー
トの上面とを同一平面に位置するよう加工するととも
に、加熱形成して該樹脂層を形成する工程とを含む半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34919898A JP3120976B2 (ja) | 1998-12-08 | 1998-12-08 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34919898A JP3120976B2 (ja) | 1998-12-08 | 1998-12-08 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000174203A JP2000174203A (ja) | 2000-06-23 |
| JP3120976B2 true JP3120976B2 (ja) | 2000-12-25 |
Family
ID=18402143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34919898A Expired - Fee Related JP3120976B2 (ja) | 1998-12-08 | 1998-12-08 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
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| JP (1) | JP3120976B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JP5516066B2 (ja) * | 2009-06-24 | 2014-06-11 | 株式会社デンソー | 駆動装置 |
| JP5435285B2 (ja) * | 2009-06-24 | 2014-03-05 | 株式会社デンソー | 駆動装置 |
| JP5435286B2 (ja) * | 2009-06-24 | 2014-03-05 | 株式会社デンソー | 駆動装置 |
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| DE102010002950A1 (de) * | 2010-03-17 | 2011-09-22 | Robert Bosch Gmbh | Schaltungsanordnung und zugehöriges steuergerät für ein kraftfahrzeug |
| JP2013232445A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-11-14 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JP2016076727A (ja) * | 2015-12-24 | 2016-05-12 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
-
1998
- 1998-12-08 JP JP34919898A patent/JP3120976B2/ja not_active Expired - Fee Related
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