JP3110413B2 - Lead cutting equipment for semiconductor devices - Google Patents

Lead cutting equipment for semiconductor devices

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JP3110413B2
JP3110413B2 JP11011677A JP1167799A JP3110413B2 JP 3110413 B2 JP3110413 B2 JP 3110413B2 JP 11011677 A JP11011677 A JP 11011677A JP 1167799 A JP1167799 A JP 1167799A JP 3110413 B2 JP3110413 B2 JP 3110413B2
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semiconductor device
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宣幸 赤井
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広島日本電気株式会社
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

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  • Wire Processing (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置用リー
ド切断装置、特にリードフレームを使用する表面実装型
半導体装置からのガルウイング形状の外部リードを切断
するリード切断装置に関するものである。
The present invention relates to a lead cutting device for a semiconductor device, and more particularly to a lead cutting device for cutting a gull-wing-shaped external lead from a surface-mounted semiconductor device using a lead frame.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置として、リードフレームを使
用する表面実装型半導体装置が開発されている。
2. Description of the Related Art As a semiconductor device, a surface mount type semiconductor device using a lead frame has been developed.

【0003】この種の半導体装置は、回路基板等に表面
実装するため、パッケージ1から突き出た外部リード2
は図3(a)に示されるように、ガルウイング形状に成
形される。外部リード2をガルウイング形状に成形する
には、外部リード2をリード切断装置を用いて切断し、
ガルウイング形状の外部リード2を回路基板3に半田4
で接合するようになっている。
This type of semiconductor device has external leads 2 protruding from a package 1 for surface mounting on a circuit board or the like.
Is formed into a gull-wing shape as shown in FIG. To form the external lead 2 into a gull wing shape, the external lead 2 is cut using a lead cutting device,
Gull wing shaped external lead 2 is soldered to circuit board 3
It is designed to join.

【0004】表面実装型半導体装置の外部リード2には
図3(b),(c)に示されるように、回路基板3に半
田付けする際に半田4との濡れ性を確保するため、半田
めっき5が施される。
As shown in FIGS. 3 (b) and 3 (c), the external leads 2 of the surface mount type semiconductor device are soldered to secure wettability with the solder 4 when soldering to the circuit board 3. Plating 5 is applied.

【0005】表面実装型半導体装置の外部リード2に半
田めっき5を施した後、外部リード2を切断する場合に
は図4(a)に示されるように、パッケージ1から突き
出た外部リード2をダイ6とシュダー7とで挟持し、外
部リード2をリードカットポンチ8で切断するものであ
る。
When the external leads 2 of the surface mount type semiconductor device are subjected to solder plating 5 and then cut, the external leads 2 protruding from the package 1 are cut off as shown in FIG. The external lead 2 is cut by a lead cut punch 8 while being held between a die 6 and a shudder 7.

【0006】この切断方法では、外部リード2のリード
切断面2aは図3(b)に示されるように、半田めっき
5の部分が除去されてしまい、リードフレームの素材が
露出してしまう。
In this cutting method, as shown in FIG. 3 (b), the portion of the solder plating 5 is removed from the lead cut surface 2a of the external lead 2, and the material of the lead frame is exposed.

【0007】したがって、前記工程を経て成形された外
部リード2のリード切断面2aには図3(b),(c)
に示されるように、半田めっき5がないため、回路基板
3に実装するときに、半田4との濡れ性が悪くなるとい
う問題がある。
[0007] Therefore, the lead cut surface 2a of the external lead 2 formed through the above-described steps is shown in FIGS. 3 (b) and 3 (c).
As shown in (1), since there is no solder plating 5, there is a problem that the wettability with the solder 4 is deteriorated when mounting on the circuit board 3.

【0008】上述した問題を解決する手段が特開平8−
204091号公報に開示されている。
Means for solving the above problem is disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No.
It is disclosed in Japanese Patent Publication No. 204091.

【0009】特開平8−204091号公報に開示され
た手段は図3(b)に示される外部リード2のリード切
断面2aに若干の半田めっき5を残す(2次的に付け
る)ようにしている。
The means disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 8-204091 is such that a small amount of solder plating 5 is left (secondarily applied) on the lead cut surface 2a of the external lead 2 shown in FIG. I have.

【0010】具体的には図5に示されるように、外部リ
ード2を切断するリードカットポンチ8のすくい面に傾
斜を付け、その傾斜面8aが外部リード2の先端面に向
かうに従い、進行方向前側に偏在して、外部リード2の
リード切断面2aに若干の半田めっき5を残す構造、或
いは図6に示されるように、リードカットポンチ8の先
端部に円弧部8bを施して、外部リード2のリード切断
面2aに若干の半田めっき5を残す構造としたものであ
る。
More specifically, as shown in FIG. 5, the rake face of the lead cut punch 8 for cutting the external lead 2 is inclined, and the advancing direction increases as the inclined face 8a moves toward the distal end face of the external lead 2. A structure in which a small amount of solder plating 5 is left on the lead cutting surface 2a of the external lead 2 so as to be unevenly distributed on the front side, or an arc portion 8b is formed on the tip of the lead cut punch 8 as shown in FIG. In this structure, a small amount of solder plating 5 is left on the lead cutting surface 2a.

【0011】すなわち、特開平8−204091号公報
に開示された手段は、意図的に外部リード2の先端面に
ダレを発生させ、外部リード2の上面又は下面の半田め
っき5をリード切断面2aに延在させて、リード切断面
2aの一部に、半田めっき5を引き伸ばしながら擦り付
けるものである。
In other words, the means disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-204091 intentionally causes sagging on the tip end surface of the external lead 2 and changes the solder plating 5 on the upper or lower surface of the external lead 2 into the lead cutting surface 2a. The solder plating 5 is rubbed while stretching the solder plating 5 on a part of the lead cutting surface 2a.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
8−204091号公報に開示された技術では、リード
カットポンチ8の形状を変更することにより、リード切
断面2aに若干の半田めっき5が残るようになったが、
この技術は、あくまでリード切断面2aへの半田めっき
5の回り込みにより、2次的に半田めっき5をリード切
断面2aに擦り付けているため、図3(b)に示す製品
実装時にリード切断面2aの半田フィレット(リード切
断面2aを濡らした半田4が盛り上がる現象)Fの立ち
上がり量Hにバラツキが大きくなるという問題がある。
However, according to the technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 8-204091, the shape of the lead cut punch 8 is changed so that a small amount of the solder plating 5 remains on the lead cutting surface 2a. Became
According to this technique, the solder plating 5 is secondarily rubbed against the lead cut surface 2a by wrapping the solder plating 5 around the lead cut surface 2a. Therefore, the lead cut surface 2a is mounted when the product is mounted as shown in FIG. (A phenomenon in which the solder 4 which wets the lead cut surface 2a swells) F has a problem in that the rising amount H of the F becomes large.

【0013】特に、外部リード2がガルウイング状に曲
げ加工されて成形されたQFP(Quad Flat
Package),SOP(Small Outlin
ePackage)等では、半田フィレットFが十分形
成されず、回路基板3との接続強度に問題が生じる。
In particular, a QFP (Quad Flat) is formed by bending the external lead 2 into a gull wing shape.
Package), SOP (Small Outlin)
In ePackage) or the like, the solder fillet F is not sufficiently formed, and a problem occurs in connection strength with the circuit board 3.

【0014】また、リード切断面2aへの半田めっき5
の回り込み量は、リードカットポンチ8の先端部摩耗に
よる形状変化や、リードカット金型組み込み時のリード
カットポンチ8とダイ6とのクリアランスのバラツキに
大きく左右されてしまうため、リード切断面2aへの半
田めっき5の回り込み量を一定に管理することは、非常
に困難である。
Further, solder plating 5 on the lead cut surface 2a
Of the lead cut punch 8 is greatly influenced by a change in shape due to wear of the tip of the lead cut punch 8 and a variation in clearance between the lead cut punch 8 and the die 6 when the lead cut die is assembled. It is very difficult to control the amount of wraparound of the solder plating 5 at a constant level.

【0015】更に、ユーザーによる半導体装置実装時で
の外部リード2の半田濡れ性検査においては、リード切
断面2aの半田フィレットFの形状、又は半田フィレッ
トFの高さに基づいて接続の良否を判定する場合が多
い。
Further, in the solder wettability inspection of the external lead 2 at the time of mounting the semiconductor device by the user, the quality of the connection is determined based on the shape of the solder fillet F on the lead cut surface 2a or the height of the solder fillet F. Often do.

【0016】したがって、従来の方法によって製造した
半導体装置は、ユーザーにより不良と判断されやすいと
いう問題がある。
Therefore, a semiconductor device manufactured by the conventional method has a problem that it is easy for a user to judge it as defective.

【0017】本発明の目的は、製品実装時にリード切断
面の半田フィレットの立ち上がり量を増大する半導体装
置用リード切断装置を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a lead cutting device for a semiconductor device, which increases a rising amount of a solder fillet on a cut surface of a lead when the product is mounted.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体装置用リード切断装置は、半導
体装置の半田めっきが施された外部リードを、ダイとシ
ェダーによって挟圧保持させ、前記シェダーから前記ダ
イの方向に、前記シェダーと前記ダイに沿って、リード
カットポンチを移動させて、外部リードをリードカット
ポンチで切断する半導体装置用リード切断装置であり
前記ダイの外部リード挟圧面のリードカットポンチ通過
側の角部に、外部リードにダレを生じさせる逃げ部を設
けたものである。
In order to achieve the above object, a lead cutting device for a semiconductor device according to the present invention comprises a die and a shedder for holding a solder-plated external lead of a semiconductor device. From the shedder to the da
In the direction of b, along said die and said shedder moves the lead cutting punch, a semiconductor device lead cutting device for cutting the outer leads in lead cutting punch,
A relief portion for causing sagging of the external lead is provided at a corner of the die on the side where the external lead presses through the lead cut punch.

【0019】また前記逃げ部は、R又は面取りで構成し
たものである。
Further, the relief portion is formed with a radius or a chamfer.

【0020】また前記R又は面取りの寸法は、外部リー
ド板厚の少なくとも1/3の大きさである。
The dimension of the R or the chamfer is at least one third of the thickness of the external lead plate.

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
より説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0021】(実施形態1)図1は、本発明の実施形態
1に係る半導体装置用リード切断装置を示す断面図であ
る。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a sectional view showing a lead cutting apparatus for a semiconductor device according to Embodiment 1 of the present invention.

【0022】図1に示す本発明の実施形態1に係る半導
体装置用リード切断装置は、半導体装置の外部リード2
を挟圧保持するダイ6及びシェダー7と、外部リード2
を切断するリードカットポンチ8とを有している。
The semiconductor device lead cutting apparatus according to the first embodiment of the present invention shown in FIG.
6 and shedder 7 for holding and holding external leads 2
And a lead cut punch 8 for cutting the lead.

【0023】そして、半導体装置の半田めっき5が施さ
れた外部リード2を、ダイ6とシェダー7によって挟圧
保持させ、外部リード2を横切る方向(図1では上下方
向)にリードカットポンチ8を移動させて、外部リード
2をリードカットポンチ8で切断するようになってい
る。
Then, the external lead 2 on which the solder plating 5 of the semiconductor device is applied is pressed and held between the die 6 and the shedder 7, and the lead cut punch 8 is moved in a direction crossing the external lead 2 (vertical direction in FIG. 1). The external lead 2 is moved and cut by the lead cut punch 8.

【0024】さらに、本発明の実施形態1では、ダイ6
の外部リード挟圧面6aのリードカットポンチ通過側の
角部に、外部リード2にダレを生じさせる逃げ部9を設
けたものであり、逃げ部9は、Rで構成したものであ
る。
Further, in the first embodiment of the present invention, the die 6
A relief portion 9 for causing sagging of the external lead 2 is provided at a corner of the external lead pressing surface 6a on the lead cut punch passing side, and the relief portion 9 is formed of R.

【0025】ここで、逃げ部8の曲率半径の大きさにつ
いて、技術的に考察する。ユーザーによる半導体装置実
装時での外部リード2の半田濡れ性検査においては図3
(d),(e)に示すように、リード切断面2aの半田
フィレットFの形状、又は半田フィレットFの高さH1
に基づいて接続の良否を判定する場合が多い。
[0025] Here, the magnitude of the curvature radius of the relief portion 8, technically discussed. FIG. 3 shows the solder wettability inspection of the external lead 2 when the user mounts the semiconductor device.
As shown in (d) and (e), the shape of the solder fillet F on the lead cutting surface 2a or the height H1 of the solder fillet F
In many cases, the quality of the connection is determined based on the information.

【0026】 接続の良否を判定する場合、接続が良であ
るとして判定されるリード切断面2aの半田フィレット
Fの高さH1は、平均すると外部リード2の板厚の50
%を基準としており、50%以上を上回ると、接続が良
であるとして判定するものである。
When judging the quality of the connection, the height H1 of the solder fillet F of the lead cut surface 2a, which is judged to be a good connection, is 50% of the thickness of the external lead 2 on average.
% Is used as a reference, and if it exceeds 50% or more, it is determined that the connection is good.

【0027】 実装時の半田フィレットの高さがユーザー
要求基準の外部リード板厚の50%以上を上回ることに
ついて行った実験の結果、外部リード2のリード切断面
2a側の半田コート率は、外部リード2の板厚の少なく
とも1/3以上確保されていれば、実装時の半田フィレ
ットFの高さH1がユーザー要求基準のリード板厚の5
0%以上を上回ることができるという結論を得た。
[0027] Solder height of fillet results of experiments performed to exceed more than 50% of the external lead thickness user requests reference solder coating rate of lead cutting surface 2a of the outer leads 2 during implementation, external If the thickness of the lead 2 is at least 1/3 or more, the height H1 of the solder fillet F at the time of mounting is 5 times the lead thickness required by the user.
It was concluded that it could exceed 0% or more.

【0028】そこで、本発明の実施形態1では、逃げ部
9を構成するRの曲率半径(寸法)は、外部リード板厚
の少なくとも1/3の大きさに設定している。そして、
逃げ部9を構成するRの極率半径(寸法)の大きさは、
外部リード2のリードカット面に必要な半田めっき面積
によって決定されるが、外部リード2の板厚の1/2程
度が最も望ましいものである。
[0028] Therefore, in the first embodiment of the present invention, the curvature of R constituting the escape portion 9 radius (size) is set to the size of the external lead plate thickness of at least 1/3. And
The magnitude of the radius of curvature (dimension) of R constituting the escape portion 9 is:
Although it is determined by the solder plating area required for the lead cut surface of the external lead 2, about 1/2 of the thickness of the external lead 2 is most desirable.

【0029】一方、リードカットポンチ8の歯先8a
は、リードカットポンチ8の移動方向に対してほぼ直角
に成形されている。
On the other hand, the tooth tip 8a of the lead cut punch 8
Are formed substantially at right angles to the moving direction of the lead cut punch 8.

【0030】次に、本発明の実施形態1に係る半導体装
置用リード切断装置を用いて半導体装置の外部リードを
切断する場合の動作を図1に基づいて説明する。
Next, the operation when the external lead of the semiconductor device is cut using the semiconductor device lead cutting device according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0031】図1(a)に示すように、まず半導体装置
のパッケージ1から突き出た外部リード2をダイ6とシ
ェダー7とにより挟圧保持させる。
As shown in FIG. 1A, first, the external leads 2 protruding from the package 1 of the semiconductor device are held by the die 6 and the shedder 7 with a pressure.

【0032】次に図1(b)に示すように、リードカッ
トポンチ8を外部リード2を横切る方向(図1の上下方
向)に移動させ、図1(c)に示すように、外部リード
2をリードカットポンチ8とダイ6とにより挟むように
して切断する。
Next, as shown in FIG. 1B, the lead cut punch 8 is moved in a direction crossing the external lead 2 (vertical direction in FIG. 1), and as shown in FIG. Is cut between the lead cut punch 8 and the die 6.

【0033】外部リード2を挟圧するダイ6には、リー
ドカットポンチ通過側の角部にRの逃げ部9が設けられ
ているため、リードカットポンチ8とダイ6とにより挟
み込まれた外部リード2は、ダイ6の外部リード挟圧面
6aの角部とリードカットポンチ8の歯先8aに挟み込
まれても直ぐに切断されず、逃げ部9の曲率半径(寸
法)分だけ上方に持ち上げられる。
Since the die 6 for pressing the external lead 2 is provided with the R escape portion 9 at the corner on the lead cut punch passing side, the external lead 2 sandwiched between the lead cut punch 8 and the die 6 is provided. is sandwiched tooth tip 8a of the corners of the external lead pressing surface 6a and the lead cutting punch 8 of the die 6 without being immediately cut also lifted upward by the curvature radius (size) worth of relief portion 9.

【0034】そして、外部リード2は、リードカットポ
ンチ8とダイ6とにより挟み込まれたまま逃げ部9の円
弧部分に沿って屈曲された状態となった時点で切断され
ることとなる。
The external lead 2 is cut when it is bent along the arc portion of the escape portion 9 while being sandwiched between the lead cut punch 8 and the die 6.

【0035】したがって、リードカットポンチ8の進行
方向に押し上げられた外部リード2の半田めっき5は、
ダイ6に設けられたRの逃げ部9の大きさ分だけ、ダイ
6の逃げ部9と対面する側、すなわちリードカットポン
チ8側の外部リード2の面2b側(リード切断面2a)
に存在することとなる。
Therefore, the solder plating 5 of the external lead 2 pushed up in the traveling direction of the lead cut punch 8 is:
The side facing the escape portion 9 of the die 6 by the size of the escape portion 9 of R provided on the die 6, that is, the surface 2b side of the external lead 2 on the lead cut punch 8 side (lead cut surface 2a).
Will exist.

【0036】以上のように本発明の実施形態1によれ
ば、図3(d),(e)に示すように、ダイ6のリード
カット面に設けられたRの逃げ部9の曲率半径の寸法
分、リード切断面2aには安定して半田めっき5が存在
した状態に外部リード2が切断されるため、リード切断
面2aの半田付着面積は、リードカットポンチ8とダイ
6のクリアランスに関わらず、一定以上に保つことがで
きる。
As described above, according to the first embodiment of the present invention, as shown in FIGS. 3D and 3E, the radius of curvature of the R escape portion 9 provided on the lead cut surface of the die 6 is determined . Since the external lead 2 is cut in a state where the solder plating 5 is stably present on the lead cutting surface 2a by the dimension, the solder adhesion area of the lead cutting surface 2a depends on the clearance between the lead cut punch 8 and the die 6. And can be kept above a certain level.

【0037】製品実装時の外部リード2のリード切断面
2aでの半田濡れ性は、リード切断面2aから見える半
田めっき5の面積と相関があるため、リード切断面2a
の半田付着面積が安定すれば、リード切断部での半田濡
れ性、すなわち半田フィレットFの面積、及び高さH1
を一定レベル以上で安定させることができる。
Since the solder wettability of the external lead 2 at the lead cutting surface 2a at the time of product mounting has a correlation with the area of the solder plating 5 seen from the lead cutting surface 2a, the lead cutting surface 2a
Is stable, the solder wettability at the lead cutting portion, that is, the area of the solder fillet F and the height H1
Can be stabilized above a certain level.

【0038】(実施形態2)図2は、本発明の実施形態
1に係る半導体装置用リード切断装置を示す断面図であ
る。
Embodiment 2 FIG. 2 is a sectional view showing a semiconductor device lead cutting apparatus according to Embodiment 1 of the present invention.

【0039】図1に示す本発明の実施形態1では、逃げ
部9をRで構成したが、本発明の実施形態2では、ダイ
6の外部リード挟圧面6aのリードカットポンチ通過側
の角部に、外部リード2にダレを生じさせる逃げ部9を
面取りにより構成したものである。
In the first embodiment of the present invention shown in FIG. 1, the relief portion 9 is formed by R, but in the second embodiment of the present invention, a corner portion of the external lead pressing surface 6 a of the die 6 on the lead cut punch passing side is used. In addition, a relief portion 9 that causes sagging of the external lead 2 is formed by chamfering.

【0040】本発明の実施形態2における逃げ部9を構
成する面取りの寸法は、外部リード板厚の少なくとも1
/3の大きさに設定している。そして、逃げ部9を構成
する面取りの寸法の大きさは、外部リード2のリードカ
ット面に必要な半田めっき面積によって決定されるが、
外部リード2の板厚の1/2程度が最も望ましいもので
ある。その他の構成は、実施形態1と同様である。
In the second embodiment of the present invention, the size of the chamfer forming the clearance 9 is at least one of the thickness of the external lead plate.
/ 3 is set. The size of the chamfered dimension that forms the clearance 9 is determined by the solder plating area required for the lead cut surface of the external lead 2.
About 1/2 of the plate thickness of the external lead 2 is most desirable. Other configurations are the same as in the first embodiment.

【0041】以上のように本発明によれば、ダイに設け
られた逃げ部の寸法分だけ半田めっきを拡大してリード
切断面に安定して存在させることができ、リード切断面
での半田付着面積を、リードカットポンチとダイのクリ
アランスに関わらず、一定以上に保つことができる。
As described above, according to the present invention, the solder plating can be expanded by the dimension of the clearance provided in the die and can be stably present on the cut surface of the lead. The area can be kept above a certain level regardless of the clearance between the lead cut punch and the die.

【0042】さらにリード切断面の半田付着面積が安定
することにより、リード切断部での半田濡れ性、すなわ
ち半田フィレットの面積も一定レベル以上で安定させる
ことができる。
Further, since the solder attachment area of the cut section of the lead is stabilized, the solder wettability at the cut section of the lead, that is, the area of the solder fillet can be stabilized at a certain level or more.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態1に係る半導体装置用リード
切断装置を示す断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a lead cutting device for a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施形態2に係る半導体装置用リード
切断装置を示す断面図である。
FIG. 2 is a sectional view showing a semiconductor device lead cutting device according to a second embodiment of the present invention;

【図3】(a)は、表面実装型半導体装置を示す図、
(b)は、従来例に係る外部リードのリード切断面を示
す断面図、(c)は、同平面図、(d)は、本発明に係
る外部リードのリード切断面を示す断面図、(e)は同
平面図である。
FIG. 3A is a diagram showing a surface-mounted semiconductor device;
(B) is a cross-sectional view showing a cut section of an external lead according to a conventional example, (c) is a plan view of the same, (d) is a cross-sectional view showing a cut section of an external lead according to the present invention, ( e) is a plan view of the same.

【図4】従来例に係る半導体装置用リード切断装置を示
す断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a lead cutting device for a semiconductor device according to a conventional example.

【図5】従来例に係る半導体装置用リード切断装置を示
す断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a lead cutting device for a semiconductor device according to a conventional example.

【図6】従来例に係る半導体装置用リード切断装置を示
す断面図である。
FIG. 6 is a sectional view showing a lead cutting device for a semiconductor device according to a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 パッケージ 2 外部リード 2a リード切断面 3 回路基板 4 半田 5 半田めっき 6 ダイ 7 シェダー 8 リードカットポンチ 9 逃げ部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Package 2 External lead 2a Lead cut surface 3 Circuit board 4 Solder 5 Solder plating 6 Die 7 Shedder 8 Lead cut punch 9 Escape part

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 半導体装置の半田めっきが施された外部
リードを、ダイとシェダーによって挟圧保持させ、前記
シェダーから前記ダイの方向に、前記シェダーと前記ダ
イに沿って、リードカットポンチを移動させて、外部リ
ードをリードカットポンチで切断する半導体装置用リー
ド切断装置であり、 前記ダイの外部リード挟圧面のリードカットポンチ通過
側の角部に、外部リードにダレを生じさせる逃げ部を設
けたことを特徴とする半導体装置用リード切断装置。
The method according to claim 1 external lead solder plated of the semiconductor device, by nipping held by the die and the shedder, the
In the direction from the shedder to the die, the shedder and the
Along the y, move the lead cutting punch, a semiconductor device lead cutting device for cutting the outer leads in lead cutting punch, the corner portion of the lead cutting punch passage side of the outer leads nip-pressing surface of the die, external A lead cutting device for a semiconductor device, wherein an escape portion for causing sagging of a lead is provided.
【請求項2】 前記逃げ部は、R又は面取りで構成した
ものであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装
置用リード切断装置。
2. The lead cutting device for a semiconductor device according to claim 1, wherein the escape portion is formed by an R or a chamfer.
【請求項3】 前記R又は面取りの寸法は、外部リード
板厚の少なくとも1/3の大きさであることを特徴とす
る請求項2に記載の半導体装置用リード切断装置。
3. The lead cutting device for a semiconductor device according to claim 2, wherein the dimension of the R or the chamfer is at least one third of the thickness of the external lead plate.
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