JP3109480B2 - Thermal infrared detector - Google Patents

Thermal infrared detector

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JP3109480B2
JP3109480B2 JP10167138A JP16713898A JP3109480B2 JP 3109480 B2 JP3109480 B2 JP 3109480B2 JP 10167138 A JP10167138 A JP 10167138A JP 16713898 A JP16713898 A JP 16713898A JP 3109480 B2 JP3109480 B2 JP 3109480B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、熱分離構造を有す
る熱型赤外線検出素子に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thermal infrared detecting element having a thermal isolation structure.

【0002】[0002]

【従来の技術】熱型赤外線検出素子は、検出部が赤外線
を受光することで検出部の温度が上昇し、これにより検
出部の抵抗値が変化する。この抵抗値の変化を検出する
ことにより、赤外線の検出を行うものである。熱型赤外
線検出素子の場合、その感度を高めるには、赤外線の受
光による検出部の温度上昇幅を大きくする必要がある。
従来、この検出感度を高めるために、熱型赤外線検出素
子を構成する検出部とその他の要素を熱的に分離するこ
とで検出部の温度上昇幅を大きくする提案がなされてい
る。
2. Description of the Related Art In a thermal infrared detecting element, the temperature of the detecting section rises when the detecting section receives infrared rays, whereby the resistance value of the detecting section changes. By detecting the change in the resistance value, infrared rays are detected. In the case of a thermal infrared detecting element, in order to increase the sensitivity, it is necessary to increase the temperature rise of the detecting section due to the reception of infrared light.
Conventionally, in order to increase the detection sensitivity, there has been proposed a method of thermally separating a detection unit constituting a thermal infrared detection element from other elements to increase a temperature rise width of the detection unit.

【0003】例えば、特開平5−172630号公報に
は、基板の上に絶縁層を積層し、さらにその上方に赤外
線検出部が積層された構成で、赤外線検出部が投影され
る基板の部分に熱分離性を高めるための空間部が形成さ
れ、さらにこの空間部の形成による赤外線検出部の支持
を補強するための複数本の金属線が設けられたものが提
案されている。
For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-172630 discloses a configuration in which an insulating layer is laminated on a substrate, and an infrared detector is further laminated thereon. A proposal has been made in which a space portion for improving thermal separation is formed, and a plurality of metal wires are provided for reinforcing the support of the infrared detection unit by the formation of the space portion.

【0004】この他、検出部を2本の梁で支持すること
により熱分離性を高めようとする熱型赤外線検出素子の
提案されている(例えばRadford et a
l.:SPIE Vol.2746,1996年,p.
82, Wada et al.:SPIE Vol.
3224,1997年,p.82)。
[0004] In addition, there has been proposed a thermal infrared detecting element which enhances thermal isolation by supporting a detecting section with two beams (for example, Radford et a).
l. : SPIE Vol. 2746, 1996, p.
82, Wada et al. : SPIE Vol.
3224, 1997, p. 82).

【0005】この検出部を2本の梁で支持するタイプの
熱型赤外線検出素子の平面図を図4に、図5に図4のC
−C線での断面図、図6に図4のD−D線での断面図を
それぞれ示す。
FIGS. 4 and 5 show plan views of a thermal infrared detecting element of the type in which this detecting portion is supported by two beams.
FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line D-D in FIG. 4.

【0006】図4に示すように赤外線の検出部であるダ
イアフラム30は、ダイアフラム30から張り出し、土
手36まで伸びた2本の梁32により保持される。ダイ
アフラム30の電極24はコンタクト35で電配線3
4に接続されている。
[0006] As shown in FIG. 4, the diaphragm 30, which is an infrared detecting unit, projects from the diaphragm 30 and is held by two beams 32 extending to a bank 36. Electrode 24 of the diaphragm 30 is electrical wiring in the contact 35 3
4 is connected.

【0007】また、図5及び図6に示すように、基板2
2の上面の両側部には土手36が形成され、また、土手
36に挟まれる基板22の上面には赤外線を反射する完
全反射膜21が積層されている。基板22の上部には空
洞部29を介して、ダイアフラム30が設けられてい
る。このダイアフラム30は電極4を両側に有するボ
ロメータ薄膜25と、これらを被覆するように形成され
ている保護膜36と、保護膜36の上面に積層されてい
る赤外線吸収膜37とで構成されている。
As shown in FIGS. 5 and 6, the substrate 2
Banks 36 are formed on both sides of the upper surface of the substrate 2, and a complete reflection film 21 that reflects infrared rays is laminated on the upper surface of the substrate 22 sandwiched between the banks 36. A diaphragm 30 is provided above the substrate 22 through a cavity 29. The diaphragm 30 and the bolometer thin film 25 having electrodes 2 4 on each side, the protective film 36 is formed so as to cover them, it consists of an infrared absorbing film 37 is laminated on the upper surface of the protective film 36 I have.

【0008】図4〜図6に示した従来の熱型赤外線検出
素子の赤外線検出の概略を以下に説明する。
The outline of infrared detection of the conventional thermal infrared detecting element shown in FIGS. 4 to 6 will be described below.

【0009】赤外線31が赤外線吸収膜37に照射され
ると、一部は表面で反射されようとし、残りはダイアフ
ラム30を殆ど透過し完全反射膜21により赤外線吸収
膜37の方向に反射される。この反射成分は、同吸収膜
表面で反射されようとした赤外線と打ち消し合う干渉を
起こし、赤外線吸収膜37の中のフリ−キャリアにより
吸収される。このような赤外線吸収機構によりダイアフ
ラム30の温度が上昇しボロメ−タ薄膜25の抵抗値が
変化する。この抵抗値の変化を電極24、コンタクト3
5及び電配線34を介して検出することで赤外線31
を検出することとなる。
When the infrared ray 31 is applied to the infrared ray absorbing film 37, a part of the infrared ray is supposed to be reflected on the surface, and the rest is almost transmitted through the diaphragm 30 and is reflected by the perfect reflecting film 21 in the direction of the infrared ray absorbing film 37. This reflection component causes interference that cancels out infrared rays that are going to be reflected on the surface of the absorption film, and is absorbed by free carriers in the infrared absorption film 37. With such an infrared absorption mechanism, the temperature of the diaphragm 30 rises and the resistance value of the bolometer thin film 25 changes. The change in the resistance value is measured by the electrode 24, the contact 3
Infrared by detecting through 5 and electrical wiring 34 31
Will be detected.

【0010】この際、赤外線検出の感度を高めるため、
ボロメータ薄膜25の熱分離を高めることが必要とな
る。このため、基板22とダイアフラム30との間の空
洞部29により断熱するとともに、土手36への直接的
な、熱伝導による熱の逃げを少なくするためにダイアフ
ラム30を2本の梁32で支持している。
At this time, in order to increase the sensitivity of infrared detection,
It is necessary to enhance the thermal separation of the bolometer thin film 25. For this reason, while being thermally insulated by the hollow portion 29 between the substrate 22 and the diaphragm 30, the diaphragm 30 is supported by two beams 32 in order to reduce heat escape to the bank 36 by direct heat conduction. ing.

【0011】このようにして、従来の熱型赤外線検出素
子はダイアフラム30と土手36との熱分離性を高めよ
うとするものである。
As described above, the conventional thermal infrared detecting element is intended to enhance the thermal separation between the diaphragm 30 and the bank 36.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記
の、基板の上に絶縁層を積層し、さらにその上方に複数
本の金属線で支持された赤外線検出部が積層されたタイ
プの従来例では、複数本の金属線が赤外線検出部から基
板への熱の逃げ道となってしまうこと等により熱分離性
がそれほど向上しないことが問題点であった。
However, in the above-mentioned conventional example in which an insulating layer is laminated on a substrate, and an infrared detector supported by a plurality of metal wires is further laminated thereon, There has been a problem in that thermal separation properties are not so improved because a plurality of metal wires serve as escape paths for heat from the infrared detecting section to the substrate.

【0013】また、2本の梁で赤外線検出部であるダイ
アフラムを支持するタイプの従来例でも、複数の梁を通
して、土手に熱が逃げることで熱分離性がまだ不十分で
あることのみならず、複数の梁の存在によりダイアフラ
ムの占有面積が小さくなり、よってフィルファクタが小
さくなってしまうという問題点があった。
[0013] Further, even in the conventional example of the type in which the diaphragm serving as the infrared detecting unit is supported by two beams, not only the heat separation property is still insufficient because heat escapes to the bank through a plurality of beams. In addition, there is a problem that the area occupied by the diaphragm is reduced due to the presence of the plurality of beams, and the fill factor is reduced.

【0014】そこで本発明は、第1の目的として、熱分
離性の高い熱型赤外線検出素子を提供する。また第2の
目的として、フィルファクタの高い熱型赤外線検出素子
を提供する。
Accordingly, the first object of the present invention is to provide a thermal infrared detecting element having high thermal separation. A second object is to provide a thermal infrared detecting element having a high fill factor.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の熱型赤外線検出素子は、赤外線を吸収する赤外
線吸収膜と、両端部にそれぞれ1つずつの電極を有し前
記赤外線を検出するボロメータ薄膜と、前記ボロメータ
薄膜および前記各電極を取り囲む絶縁保護膜を含む赤外
線受光部を有する熱型赤外線検出素子において、 2本の
第1の電気配線を有する、前記赤外線受光部の下部に配
置された基板と、 前記基板と前記赤外線受光部とをつな
ぐ1本の梁とを有し、 前記梁は、前記2本の第1の電気
配線と前記各電極とをそれぞれ電気的に接続する2本の
第2の電気配線を有することを特徴とする。
In order to achieve the above-mentioned object, a thermal type infrared detecting element of the present invention comprises an infrared ray absorbing infrared ray.
It has a line absorbing film and one electrode at each end.
A bolometer thin film for detecting infrared rays, and the bolometer
Infrared including a thin film and an insulating protective film surrounding each of the electrodes
In the thermal type infrared detecting element having the line light receiving section, two
A first electrical wiring, which is disposed below the infrared receiving section;
Substrate, and the substrate and the infrared receiver are connected to each other.
A beam, and the beam is connected to the two first electric
Two wires for electrically connecting the wiring and each of the electrodes
It has a second electric wiring.

【0016】上記の通り構成された本発明の熱型赤外線
検出素子は、基板に対して赤外線受光部が1本の梁のみ
によって支えられているため、赤外線が照射されること
で生じる赤外線受光部の熱が基板へ逃げる経路は上述の
1本の梁のみとなる。
In the thermal infrared detecting element of the present invention configured as described above, the infrared receiving section is supported by only one beam with respect to the substrate. The path through which the heat escapes to the substrate is only the one beam described above.

【0017】梁は、少なくとも2本の第2の電気配線を
含む多層構造を有し、2本の第2の電気配線の上層が2
つの電極のうち、一方の電極に接続され、2本の第2の
電気配線の下層が2つの電極のうち、他方の電極に接続
されるものでもよいし、また、2つの電極は、ボロメー
タ薄膜の一端部の上面と、他端部の下面とに設けられて
いるものでもよい。
The beam connects at least two second electric wires.
And the upper layer of two second electrical wirings is 2
Of One electrode is connected to one electrode, of the two second electric wiring lower layer has two electrodes, may be one connected to the other electrode, also, the two electrodes, the bolometer thin film May be provided on the upper surface of one end and the lower surface of the other end.

【0018】さらに、赤外線受光部と基板との間に空洞
層が形成されているものでもよいし、基板は、2本の第
1の電気配線を含む土手部を有し、1本の梁は土手部で
支持されるものでもよい。
Further, a cavity layer may be formed between the infrared ray receiving section and the substrate, or the substrate may have a bank portion including two first electric wirings, and one beam may be provided. It may be supported by a bank.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0020】図1に本発明の熱型赤外線検出素子の平面
図を、また、図2に図1のA−A線での断面図、図3に
図1のB−B線での断面図をそれぞれ示す。
FIG. 1 is a plan view of the thermal infrared detecting element of the present invention, FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of FIG. 1, and FIG. 3 is a sectional view taken along line BB of FIG. Are respectively shown.

【0021】図1に示すように、ダイアフラム10は、
ダイアフラム10から付け根13を介して張り出し、土
手16まで伸びた1本の梁12により保持される。ダイ
アフラム10の電極4a、4bは、梁12のそれぞれ
配線17a、17bを介し、コンタクト15a、15
で電配線14a、14bそれぞれ接続されてい
る。また、ダイアフラム10及び梁12と、土手16と
の間にはスリット8が形成されている。
As shown in FIG. 1, the diaphragm 10
It is held by a single beam 12 extending from the diaphragm 10 through a base 13 and extending to a bank 16. The electrodes 4 a and 4 b of the diaphragm 10 are
Through the gas line 17a, the 17b, contact 15 a, 15
b In electrical wiring 14 a, are connected to 14b. A slit 8 is formed between the diaphragm 10 and the beam 12 and the bank 16.

【0022】また、図2及び図3に示すようにヒートシ
ンクである基板2の上面の両側部には土手16が形成さ
れ、また、土手16に挟まれる基板2の上面には赤外線
を反射する完全反射膜1が積層されている。土手16は
内部に2層構造の電配線14a、14bを有する。
As shown in FIGS. 2 and 3, banks 16 are formed on both sides of the upper surface of the substrate 2 which is a heat sink, and the upper surface of the substrate 2 sandwiched between the banks 16 has a complete reflection of infrared rays. The reflection film 1 is laminated. Bank 16 has electrical wiring 14 a, 14b of the two-layer structure therein.

【0023】基板2の上部には空洞部9を介してダイア
フラム10が設けられている。このダイアフラム10
は、ボロメータ薄膜5の一端部の上面に電極4aが設け
られ、他端部の下面に電極4bが設けられている以外の
構成および機能、すなわち、絶縁保護膜6および赤外線
吸収膜7の構成および機能は従来のダイアフラムの構成
と同様である。
A diaphragm 10 is provided above the substrate 2 via a cavity 9. This diaphragm 10
Is provided with an electrode 4a on the upper surface of one end of the bolometer thin film 5.
Except that the electrode 4b is provided on the lower surface of the other end.
Structure and function, ie, insulating protective film 6 and infrared ray
The structure and function of the absorbing film 7 are the same as those of a conventional diaphragm.
Is the same as

【0024】梁12を通る2本の電気配線17a、17
層構造の梁12の一部であり、上下に間隔をもっ
て配されているので、左右方向の幅をできるだけ占有し
ないような構成となっている。
Two electric wires 17a, 17 passing through the beam 12
b is part of the beam 12 of the multi-layer structure, so are arranged at an interval in the vertical direction, and has a so as not to occupy as much as possible the width of the lateral direction arrangement.

【0025】本発明の熱型赤外線検出素子の上方から赤
外線11が赤外線吸収膜7に照射されると、一部は表面
で反射されようとし、残りはダイアフラム10を殆ど透
過し完全反射膜1により赤外線吸収膜7の方向に反射さ
れる。この反射成分は、同吸収膜表面で反射されようと
した赤外線と打ち消し合う干渉を起こし、赤外線吸収膜
7の中のフリ−キャリアにより吸収される。このような
赤外線吸収機構によりダイアフラム10の温度が上昇し
ボロメ−タ薄膜5の抵抗値が変化する。この抵抗値の変
化を、電極4a、4b、コンタクトa、15b、電
気配線17a、17b、電気配線14a、14b、を介
して検出することで赤外線11を検出することとなる。
なお、電極4a、4b、コンタクト15a、15b、電
気配線17a、17b、電気配線14a、14b、は、
それぞれ同じ添字のもの同士が電気的に接続されている
ものである。
When the infrared ray 11 is applied to the infrared ray absorbing film 7 from above the thermal infrared ray detecting element of the present invention, a part of the infrared ray absorbing film 7 tends to be reflected on the surface, and the rest almost passes through the diaphragm 10 and is completely reflected by the completely reflecting film 1. The light is reflected in the direction of the infrared absorbing film 7. This reflection component causes interference that cancels out infrared rays that are going to be reflected on the surface of the absorption film, and is absorbed by free carriers in the infrared absorption film 7. With such an infrared absorption mechanism, the temperature of the diaphragm 10 rises and the resistance value of the bolometer thin film 5 changes. The change in resistance value, and thus to detect the infrared 11 electrodes 4 a, 4b, the contact 1 5 a, 15b, electric wires 1 7a, 17b, electric wires 14a, 14b, by detecting through.
The electrodes 4a and 4b, the contacts 15a and 15b,
Air wiring 17a, 17b, electric wiring 14a, 14b,
Those with the same subscript are electrically connected to each other
Things.

【0026】この際、赤外線検出の感度を高めるため、
ボロメータ薄膜5の熱分離を高めることが必要となる。
このため、基板2とダイアフラム10との間の空洞部9
により断熱するとともに、土手16への直接的な、熱伝
導による熱の逃げを少なくするためにダイアフラム10
を1本の梁12で支持している。
At this time, in order to increase the sensitivity of infrared detection,
It is necessary to enhance the thermal separation of the bolometer thin film 5.
Therefore, the cavity 9 between the substrate 2 and the diaphragm 10
In order to reduce heat escape due to heat conduction directly to the bank 16, the diaphragm 10
Are supported by one beam 12.

【0027】以上のような構成のため、従来の2本の梁
32で支持されるダイアフラム30に比べ、本発明の熱
型赤外線検出素子は梁12が1本であり、さらに梁12
の幅ができるだけ抑えられているため、ダイアフラム1
0から土手16への熱伝導により逃げる熱量は極めて小
さくなるだけでなく、ダイアフラム10の占有面積を広
くとることができる。
Due to the above configuration, the thermal infrared detecting element of the present invention has one beam 12 and the beam 12 compared to the conventional diaphragm 30 supported by two beams 32.
Of the diaphragm 1
The amount of heat escaping from the heat conduction from zero to the bank 16 becomes extremely small, and the occupied area of the diaphragm 10 can be increased.

【0028】[0028]

【実施例】次に、上記本発明の実施形態の実施例につい
て以下に説明する。
Next, examples of the embodiment of the present invention will be described below.

【0029】図1を用いて、本発明の実施例を以下に説
明する。 (第1の実施例) 画素サイズL1が50μm角、ダイアフラム10の横寸
法L2が45μm、縦寸法L3が45μm、梁12の幅
L4が2μm、スリット8の幅L5が0.5μm、電
配線17a、17bの幅L6が1μmとして、熱型赤外
線検出素子を作製した。この場合、フィルファクタ−を
従来例(Wada et al.:SPIE Vol.
3224,1997年,p.40)の51%から81%
(1.6倍)に増やすことができ、同時に熱分離の指標
であるtermal conductanceを0.
2μW/Kから0.15μW/K(0.75倍)に改善
することができた。その結果、熱型赤外線検出素子の感
度を従来の素子に比べて2倍向上させることができた。 (第2の実施例) 画素サイズLが30μm角、ダイアフラム10の横寸法
L2が25μm、縦寸法L3が25μm、梁12の幅L
4が1.5μm、スリット8の幅L5が0.5μm、電
配線17a、17bの幅L6が0.8μmとして、熱
型赤外線検出素子を作製した。この場合、フィルファク
タ−を従来例(Wada et al.:SPIE V
ol.3224,1997年,p.40)の51%から
69%(1.35倍)に増やすことができ、同時に熱分
離の指標であるtermalconductance
を0.2μW/Kから0.15μW/K(0.75倍)
に改善することができた。その結果、熱型赤外線検出素
子の感度を従来の素子に比べて2倍弱向上させることが
できた。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. (First embodiment) pixel size L1 is 50μm square, transverse dimension L2 is 45 [mu] m of the diaphragm 10, the longitudinal dimension L3 is 45 [mu] m, a width L4 of the beam 12 is 2 [mu] m, the width L5 of the slits 8 is 0.5 [mu] m, electricity < The thermal type infrared detecting element was manufactured by setting the width L6 of the wirings 17a and 17b to 1 μm. In this case, the fill factor is set to a conventional value (Wada et al .: SPIE Vol.
3224, 1997, p. 40) 51% to 81%
Can be increased to (1.6 times), a t h ermal conductance is indicative of thermal isolation simultaneously 0.
It could be improved from 2 μW / K to 0.15 μW / K (0.75 times). As a result, the sensitivity of the thermal infrared detecting element could be improved twice as compared with the conventional element. Second Embodiment A pixel size L is 30 μm square, a horizontal dimension L2 of the diaphragm 10 is 25 μm, a vertical dimension L3 is 25 μm, and a width L of the beam 12.
4 is 1.5 μm, the width L5 of the slit 8 is 0.5 μm,
A thermal infrared detecting element was manufactured by setting the width L6 of the air wirings 17a and 17b to 0.8 μm. In this case, the fill factor is set to a conventional value (Wada et al .: SPIEV).
ol. 3224, 1997, p. Can be increased from 51% of 40) to 69% (1.35 times), t h ermalconductance is indicative of simultaneous thermal separation
From 0.2 μW / K to 0.15 μW / K (0.75 times)
Could be improved. As a result, the sensitivity of the thermal type infrared detecting element could be improved slightly less than twice as compared with the conventional element.

【0030】[0030]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、基板に対
して赤外線受光部が1本の梁のみによって支えられてい
るため、赤外線が照射されることで生じる赤外線受光部
の熱が基板へ逃げる経路は上述の1本の梁のみとなり、
熱分離性の高い熱型赤外線検出素子となる。また、梁が
1本のみであるため、上層基板の赤外線受光のための占
有面積を大きくとることができ、よってフィルファクタ
も大きくなる。
As described above, according to the present invention, since the infrared light receiving portion is supported by only one beam with respect to the substrate, the heat of the infrared light receiving portion generated by the irradiation of the infrared light is applied to the substrate. The only escape route is the one beam mentioned above.
It becomes a thermal type infrared detecting element having high thermal isolation. Further, since there is only one beam, the area occupied by the upper layer substrate for receiving infrared rays can be increased, and the fill factor also increases.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の熱型赤外線検出素子の平面図である。FIG. 1 is a plan view of a thermal infrared detecting element of the present invention.

【図2】図1の熱型赤外線検出素子のA−A線での断面
図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA of the thermal infrared detecting element of FIG.

【図3】図1の熱型赤外線検出素子のB−B線での断面
図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view of the thermal infrared detection element of FIG. 1 taken along line BB.

【図4】従来の熱型赤外線検出素子の平面図である。FIG. 4 is a plan view of a conventional thermal infrared detecting element.

【図5】図4の熱型赤外線検出素子のC−C線での断面
図である。
5 is a cross-sectional view of the thermal infrared detecting element of FIG. 4 taken along line CC.

【図6】図4の熱型赤外線検出素子のD−D線での断面
図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view of the thermal infrared detection element of FIG. 4 taken along line DD.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、21 完全反射膜 2、22 基板 4a、4b、24 電極 5、25 ボロメータ薄膜 6、26 絶縁保護膜 8、28 スリット 9、29 空洞部 10、30 ダイアフラム 11、31 赤外線 12、32 梁 13、33 付け根 14a、14b、17a、17b、34 電配線 15a、15b、35 コンタクト 16、36 土手1,21 Complete reflection film 2,22 Substrate 4a, 4b , 24 electrode 5,25 Bolometer thin film 6,26 Insulation protection film 8,28 Slit 9,29 Cavity part 10,30 Diaphragm 11,31 Infrared light 12,32 Beam 13 , 33 base 14 a, 14b, 17a, 17b , 34 electrical wirings 15 a, 15b, 35 Contacts 16 and 36 bank

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 赤外線を吸収する赤外線吸収膜と、両端
部にそれぞれ1つずつの電極を有し前記赤外線を検出す
るボロメータ薄膜と、前記ボロメータ薄膜および前記各
電極を取り囲む絶縁保護膜を含む赤外線受光部を有する
熱型赤外線検出素子において、 2本の第1の電気配線を有する、前記赤外線受光部の下
部に配置された基板と、 前記基板と前記赤外線受光部とをつなぐ1本の梁とを有
し、 前記梁は、前記2本の第1の電気配線と前記各電極とを
それぞれ電気的に接続する2本の第2の電気配線を有す
ることを特徴とする熱型赤外線検出素子。
An infrared absorbing film for absorbing infrared light, and both ends
Each part has one electrode to detect the infrared rays
A bolometer thin film, the bolometer thin film and each of the
It has an infrared light receiving section including an insulating protective film surrounding the electrodes
In the thermal type infrared detecting element, under the infrared light receiving portion, which has two first electric wires.
Yes and substrate disposed part, and a one beam connecting the substrate and the infrared receiver
The beam connects the two first electrical wires and the electrodes.
Each having two second electrical wires for electrical connection
A thermal infrared detecting element, characterized in that:
【請求項2】 前記梁は、少なくとも前記2本の第2の
電気配線を含む多層構造を有し、前記2本の第2の電気
配線の上層が前記2つの電極のうち、一方の電極に接続
され、前記2本の第2の電気配線の下層が前記2つの電
極のうち、他方の電極に接続される請求項1に記載の熱
型赤外線検出素子。
2. The beam according to claim 2, wherein at least the two second beams are provided.
A multi-layer structure including electric wiring, wherein the two second electric
The upper layer of the wiring is connected to one of the two electrodes
The lower layer of the two second electric wirings is
The heat according to claim 1, wherein the heat is connected to the other of the poles.
Type infrared detecting element.
【請求項3】 前記2つの電極は、前記ボロメータ薄膜
の一端部の上面と、他端部の下面とに設けられている請
求項1または2に記載の熱型赤外線検出素子。
3. The bolometer thin film according to claim 2, wherein said two electrodes are
On the upper surface at one end and the lower surface at the other end.
3. The thermal infrared detecting element according to claim 1 or 2.
【請求項4】 前記赤外線受光部と前記基板との間に空
洞層が形成されている請求項1ないし3のいずれか1項
に記載の熱型赤外線検出素子。
4. An empty space between the infrared receiving section and the substrate.
4. The method according to claim 1, wherein a sinus layer is formed.
4. A thermal infrared detecting element according to claim 1.
【請求項5】 前記基板は、前記2本の第1の電気配線
を含む土手部を有し、前記1本の梁は前記土手部で支持
される請求項1ないし4のいずれか1項に記載の熱型赤
外線検出素子。
5. The semiconductor device according to claim 1, wherein the substrate includes the two first electric wirings.
And the one beam is supported by the bank.
The thermal red according to any one of claims 1 to 4, wherein
Outside line detection element.
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