JP3108523B2 - 半田付け用加熱炉 - Google Patents

半田付け用加熱炉

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善次 岡崎
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品を回路基板に
半田付けするための半田付け用加熱炉に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】電子部品を回路基板に半田付けにより実
装する場合には、電子部品を所定の位置に搭載した回路
基板を加熱炉に通し、半田を溶融させて半田付けを行
う。この場合、加熱炉内には窒素ガスなどの不活性ガス
を充満させて、回路基板や電子部品の酸化を防止してい
る。
【０００３】加熱炉内に不活性ガスを充満させるには従
来、シャッターで炉内外を遮断する方式が一般的であっ
たが、この方式は作業性がわるいため、最近、図２に示
すような非接触シール方式の加熱炉が提案されている。
この加熱炉は、内部に面状ヒーター11、棒状ヒーター13
およびファン15などが設置された加熱室17と、入口通路
19と、出口通路21とを備えており、その中を電子部品を
搭載した回路基板23がチェーンコンベア25により両側縁
を支持された状態で走行するようになっている。チェー
ンコンベアの代わりにメッシュコンベアを使用する場合
もある。
【０００４】加熱室17内には電子部品を搭載した回路基
板23の酸化防止のため不活性ガスを充満させてある。こ
の不活性ガスは不活性ガス供給管27から供給され、外部
から炉内に空気が侵入するのを防止するため、入口通路
19および出口通路21から常時少しずつ不活性ガスが外部
に流出するように、その供給量を調節されている。
【０００５】この不活性ガスが外部に流出する量をでき
るだけ少なくするため従来は、入口通路19および出口通
路21内にガスシール部材29を配置し、これによって通路
内を通る不活性ガスに抵抗を与え、不活性ガスの流出を
制限している。ガスシール部材29は通常、回路基板23の
走行方向に所定の間隔をおいて配置した多数の金属板な
どで構成されている。
【０００６】なお図２の例では、不活性ガス供給管27を
出口通路21内に設置したが、不活性ガス供給管27は加熱
室17内に設置される場合もある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】この種の加熱炉では、
電子部品を搭載した回路基板が加熱室を通るうちに半田
付け温度に加熱されると、半田付け用のフラックスが気
化して不活性ガス中に混入する。気化したフラックスは
不活性ガスと共に炉外に流出するため実害はないと考え
られていたが、入口通路および出口通路にガスシール部
材を有する加熱炉の場合は次のような問題のあることが
判明した。
【０００８】例えば図２の加熱炉の場合、加熱室17内で
気化したフラックスを含む不活性ガスは、入口通路19を
通って炉外に流出するが、このとき温度の低いガスシー
ル部材29に接触するため、気化したフラックスがガスシ
ール部材29の表面で凝縮し、長期間運転を継続すると、
ガスシール部材29に付着したフラックスが回路基板23上
に滴下して、回路基板23に悪影響を及ぼす。
【０００９】なお図２の加熱炉は、不活性ガス供給管27
を出口通路21内に配置する方式であるため、出口通路21
内には加熱された不活性ガスが流れず、出口通路21内で
はフラックス付着の問題は発生しないが、不活性ガス供
給管を加熱室内に配置する方式では、出口通路からも加
熱された不活性ガスが外部に流出するため、出口通路内
でもフラックス付着の問題が生じる。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記のような
課題を解決した半田付け用加熱炉を提供するもので、そ
の構成は、電子部品を搭載した回路基板を半田付け温度
に加熱する加熱室と、加熱室に前記回路基板を導入する
入口通路と、加熱室から前記回路基板を導出する出口通
路とを備え、入口通路および出口通路内には加熱室内の
不活性ガスが炉外に流出するのを制限するガスシール部
材を配置してなる半田付け用加熱炉において、前記入口
通路および出口通路のうち加熱室で加熱された不活性ガ
スが流通する通路の上面に、その通路の上側のガスシー
ル部材を加熱する加熱手段を設けたことを特徴とする。
【００１１】
【作用】このようにすると、ガスシール部材が加熱され
るため、その表面でフラックスが凝縮することがなくな
り、フラックスの滴下による不良発生の問題が解消され
る。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細
に説明する。図１は本発明の一実施例を示す。図１にお
いて、先に説明した図２の加熱炉と同一部分には同一符
号を付してある。この加熱炉の特徴は、入口通路19の上
面にヒーター31と断熱材33を配置して、特に入口通路19
の上側に配置したガスシール部材29および入口通路19の
上部を加熱するようにしたことである。
【００１３】このようにすると、入口通路19内のガスシ
ール部材29が高温に保たれるため、加熱室27内で気化し
たフラックスが不活性ガスと共に入口通路19内を通ると
きに、ガスシール部材29の表面で凝縮することがなくな
る。このためフラックスが回路基板23の表面に滴下して
不良を発生させることがなくなる。
【００１４】なお上記実施例は、入口通路19にヒーター
31および断熱材33を設置した例であるが、加熱室内で加
熱された不活性ガスが出口通路（図示省略）からも流出
する場合には、出口通路にも同様のヒーターおよび断面
材を設置する。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、入
口通路および出口通路のうち加熱室で加熱された不活性
ガスが流通する通路の上面に、その通路の上側のガスシ
ール部材を加熱する加熱手段を設けたことにより、当該
ガスシール部材に加熱室内で気化したフラックスが付着
することがなくなるため、フラックスの滴下による不良
の発生をなくすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施例に係る半田付け用加熱炉の
要部を示す断面図。
【図２】 従来の半田付け用加熱炉を示す断面図。
【符号の説明】
11：面状ヒーター 13：棒状ヒーター 15：ファン 17：加熱室 19：入口通路 21：出口通路 23：電子部品を搭載した回路基板 25：チェーンコンベア 27：不活性ガス供給管 29：ガスシール部材 31：ヒーター 33：断熱材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−15970（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B23K 1/008 B23K 31/02 310 H05K 3/34 507

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】電子部品を搭載した回路基板を半田付け温
    度に加熱する加熱室と、加熱室に前記回路基板を導入す
    る入口通路と、加熱室から前記回路基板を導出する出口
    通路とを備え、入口通路および出口通路内には加熱室内
    の不活性ガスが炉外に流出するのを制限するガスシール
    部材を配置してなる半田付け用加熱炉において、前記入
    口通路および出口通路のうち加熱室で加熱された不活性
    ガスが流通する通路の上面に、その通路の上側のガスシ
    ール部材を加熱する加熱手段を設けたことを特徴とする
    半田付け用加熱炉。
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