JP3106993B2 - スイッチ回路 - Google Patents

スイッチ回路

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JP3106993B2
JP3106993B2 JP09046614A JP4661497A JP3106993B2 JP 3106993 B2 JP3106993 B2 JP 3106993B2 JP 09046614 A JP09046614 A JP 09046614A JP 4661497 A JP4661497 A JP 4661497A JP 3106993 B2 JP3106993 B2 JP 3106993B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、スイッチ回路に関
し、特にトランジスタスイッチ回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のMOSトランジスタスイッチ回路
は、nチャンネルトランジスタで構成されている。
【0003】図5を参照すると、従来のMOSトランジ
スタスイッチ回路14は、スイッチを制御する端子OE
と、nチャンネルトランジスタ14とから構成されてい
る。スイッチの両端AおよびBのいずれかの電圧が(ス
イッチの電源電圧−1)〔V〕よりも大きいと、スイッ
チはオフ(非導通)する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来のスイッチ回路
は、nチャンネルトランジスタで構成されているため、
電源電圧レベルの信号が端子に印加されると制御信号に
よらずオフしてしまうので、電源電圧レベルの信号をオ
ン・オフできないという欠点を有する。
【0005】本発明の目的は、0から電源電圧レベルの
信号をスイッチでオン・オフするMOSトランジスタス
イッチを提供することにある。
【0006】本発明の他の目的は、スイッチの両端のど
ちらかの電圧がスイッチの電源電圧よりも大きいときオ
フするMOSトランジスタスイッチを提供することにあ
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明のスイッチ回路
は、スイッチ両端の電圧とスイッチの電源電圧とを比較
してその中で最も高い電圧で動作をする手段を有する。
【0008】さらに、本発明のスイッチ回路は、スイッ
チの両端のどちらかの電圧がスイッチの電源電圧よりも
大きいときスイッチをオフさせる手段を有する。
【0009】本発明では、スイッチの両端のそれぞれの
電圧をそれぞれの電圧比較検出回路で電源電圧と比較し
ている。両端のどちらかの電圧が電源電圧より大きくな
ると、Pチャンネルトランジスタ(図1の4)をオフさ
せる。
【0010】また、電圧比較回路によって、スイッチの
両端の電圧と、電源電圧のうちで最も高い電圧がPチャ
ンネルトランジスタ(図1の4)のサブストレートに印
加される。
【0011】これによって、スイッチの両端のどちらか
の電圧がスイッチの電源電圧よりも大きいとスイッチを
オフさせることができる。
【0012】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面を参照して詳細に説明をする。
【0013】図1を参照すると、本発明の低電圧対応M
OSトランジスタスイッチの実施の形態は、スイッチ端
子AおよびBの電圧VAおよびVBと電源電圧VDDと
の大小を比較して、論理ゲート2へ制御信号を出力する
電圧比較検出回路1および3を備える。また、論理ゲー
ト2は、電圧比較検出回路1および3からの信号とスイ
ッチのイネーブル信号OEとに基づいてスイッチの制御
を行なう。第1および第2の電圧比較回路6および7は
スイッチ端子AおよびBの電圧VAおよびVBと電源電
圧VDDとを比較して高い方の電圧V6およびV7を出
力する。さらに、第3の電圧比較回路5は電圧V6とV
7とを比較して高い方の電圧VPWを出力する。
【0014】次に電圧比較検出回路1および3の回路構
成について説明する。これらの回路は、例えば図2に示
すような回路で実現できる。図2において、Pチャンネ
ルトランジスタ8と抵抗R1とで電源電圧VDDと電圧
VAまたはVBとが比較され、インバーター回路9から
電圧比較検出信号が出力される。
【0015】次に電圧比較回路の回路構成について説明
する。この回路は、例えば図3に示すような回路で実現
できる。図3において、Pチャンネルトランジスタ10
と抵抗R2とで電圧VI1とVI2とが比較され、Pチ
ャンネルトランジスタ11および12で、電圧VI1と
VI2とのうちの大きい方の電圧が出力される。
【0016】次に本実施の形態の動作について、図面を
参照して説明する。電圧比較回路6および7は、電源電
圧VDDとスイッチ4の端子の電圧VAおよびVBとの
うちの高い方の電圧V6およびV7を出力する。さらに
電圧比較回路5は、電圧比較回路6および7の出力電圧
V6およびV7のうちの高い方の電圧VPWを出力す
る。このようにして生成された電圧VPWは、端子電圧
VA,VBおよび電源電圧VDDの中で最も高い電圧で
ある。この電圧VPWで電圧比較検出回路1,3、論理
ゲート2、電圧比較回路5,6,7およびPチャンネル
トランジスタ4が動作をする。
【0017】そして端子AまたはBの電圧VAまたはV
Bが電源電圧VDDよりも高いとき、電圧比較検出回路
1または3から“L”レベルの信号が出力され、このた
め、スイッチ制御端子OEの入力信号に関係なく、スイ
ッチ4がオフとなる。このとき、スイッチ4は、電圧V
A,VB,VDDのうちで最も高い電圧で動作している
ため、端子AおよびBから電源へ電流が流れ込まない。
【0018】端子電圧VAおよびVBが0から電源電圧
の範囲では、スイッチ制御端子OEの信号に応じた通常
のスイッチとして動作する。
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て、詳細に説明する。図4を参照すると、本発明のスイ
ッチ回路は、5V電源の素子と3.3V電源の素子との
間の接続に用いられている。通常、5V電源と3.3V
電源とが印加されている場合、5V電源素子から3.3
V電源素子への信号はスイッチ回路が3.3V以上でオ
フするため、3.3V電源にプルアップされた抵抗(数
kΩ〜数10kΩが望ましい)とで3.3V電源レベル
に変換されて伝送される。また、3.3V電源素子から
5V電源素子への信号は、3.3V電源レベルで5V電
源の素子へ伝送される。5V電源の素子は、TTLレベ
ルのため、3.3V電源レベルの信号を受けることがで
きる。以上により、5V電源の素子と3.3V電源の素
子との間で問題なく信号伝送ができる。
【0019】さらに、3.3V電源が印加されていない
場合には、スイッチ回路がオフするため、5V電源の素
子から、3.3V電源の素子への電流の流れ込みを防ぐ
ことができる。
【0020】次に、本発明の第2の実施の形態について
説明をする。
【0021】本発明の第2の実施の形態では、本発明の
スイッチ回路が素子の入出力回路の中に組み込まれる。
【0022】これによって、スイッチ回路が組み込まれ
た中の素子は、自身の電源電圧レベル以上の信号が入力
されなくなるため、外部に余分な付加回路なしで素子を
保護することができる。
【0023】
【発明の効果】以上、本発明には、スイッチ端子の電圧
を検出して、過電圧時にスイッチをオフさせる機能を設
けたことにより、スイッチで結ばれたノード間で過電圧
による電流の流れ込みを防ぐことができるという効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態を示す回路図である。
【図2】電圧比較回路を示す回路図である。
【図3】電圧比較回路を示す回路図である。
【図4】本発明の実施例を示す回路図である。
【図5】従来例の回路図である。
【符号の説明】
1,3 電圧比較検出回路 5,6,7 電圧比較回路 4,8,10,11,12 PMOSトランジスタ 14 NMOSトランジスタ 13 MOSトランジスタスイッチ回路

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電源電圧とスイッチの両端の各端子
    れぞれ印加される電圧とを検出し、最も高い電圧を前記
    スイッチのサブストレートに供給する供給手段と、 電源が印加され、スイッチ制御がオン状態で、前記スイ
    ッチの両端の各端子それぞれ印加される電圧がともに
    電源電圧以下のときのみ前記スイッチが導通状態となる
    ように制御する制御手段とを含むことを特徴とするスイ
    ッチ回路。
  2. 【請求項2】 Pチャンネルトランジスタと、このPチャンネルトランジスタの第1および第2の端子
    にそれぞれ印加される電圧と、電源電圧とのうちで最も
    高い電圧を前記Pチャンネルトランジスタのサブストレ
    ートに供給する供給手段と、 前記Pチャンネルトランジスタの第1の端子の電圧およ
    第2の端子の電圧のうち少なくとも一方が電源電圧よ
    り大きい場合に前記Pチャンネルトランジスタを非導
    通状態にする制御信号を出力する制御手段とを含むこと
    を特徴とするスイッチ回路。
  3. 【請求項3】 前記供給手段は、前記第1の端子の電圧
    と前記電源電圧とを比較して高い方の電圧を出力する第
    1の電圧比較回路と、 前記第2の端子の電圧と前記電源電圧とを比較して高い
    方の電圧を出力する第2の比較回路と、 前記第1の比較回路および第2の比較回路の出力電圧を
    比較して高い方の電圧を前記Pチャンネルトランジスタ
    のサブストレートに供給する第3の電圧比較回路とを含
    むことを特徴とする請求項2記載のスイッチ回路
  4. 【請求項4】前記制御手段は、 前記第1の端子の電圧と前記電源電圧とを比較し、前記
    第1の端子の電圧の方が高い場合に第1の信号を出力
    し、それ以外の場合は第2の信号を出力する第1の電圧
    比較検出手段と、 前記第2の端子の電圧と前記電源電圧とを比較し、前記
    第2の端子の電圧の方が高い場合に第1の信号を出力
    し、それ以外の場合は第2の信号を出力する第2の電圧
    比較検出手段と、 前記第1および第2の電圧比較検出手段の出力と、前記
    Pチャネルトランジスタの導通・非導通状態を制御する
    ためのスイッチ制御信号とを入力し、前記第1および第
    2の電圧比較検出手段の出力のうち少なくとも一方が第
    1の信号である場合は前記Pチャネルトランジスタを非
    導通にする前記制御信号を前記Pチャネルトランジスタ
    に対し出力し、前記第1および第2の電圧比較検出手段
    の出力がともに第2の信号である場合は前記スイッチ制
    御信号を前記Pチャネルトランジスタに対し出力する論
    理回路とを含むことを特徴とする請求項2記載のスイッ
    チ回路。
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