JP3106969B2 - フラッシュ型eeprom駆動用昇圧回路 - Google Patents

フラッシュ型eeprom駆動用昇圧回路

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、フラッシュ型EE
PROM駆動用昇圧回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】例えばドットキャラクタ型の液晶駆動装
置は、液晶駆動部と、タイミングコントロール部と、R
AM部と、ROM部と、電源部とから構成される。
【0003】図4は従来例を示すブロック図である。表
示しようとするデータは、CGROM(キャラクタージ
ェネレーターROM,240文字程度)22に格納され
ており、通常はマスクROMが使用されている。また、
ユーザー定義文字領域としてCGRAM(キャラクター
ジェネレーターRAM,16文字程度)12が準備され
ていることが多い。
【0004】次に液晶駆動電圧に関しては、一般に集積
回路(IC)の使用電圧(3〜5V程度)に比べ高い電
圧を必要とする。そこで、IC内部に液晶駆動用の昇圧
回路(DC/DCコンバータ)9が設けてある。ICの
駆動電圧が5V程度の場合は2倍昇圧,3Vの場合は3
倍昇圧が一般的である。
【0005】また、IC内部では、データ処理用のクロ
ック源として発振回路13を内蔵しており、源発振周波
数もしくは分周した周波数で利用する。一方、DC/D
Cコンバータ9においても、昇圧用クロックが必要であ
り、この発振回路13を兼用することが多い。ただし、
この際、データ処理用の周波数と昇圧用の周波数は一般
に同じではないため、分周回路等で調整する。図中、1
はセグメントドライバー,2はコモンドライバー,3は
パラシリ変換回路,4はタイミングコントロール部,5
はDDRAM(アドレスデータRAM),6はPGRA
M(ピクトグラフRAM),7はフラッシュ型EEPR
OM,8はインターフェイス,10はレベル電源回路で
ある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】第1の問題点は、従来
技術においてCGROM22の領域のデータをユーザー
が自由に書き替えられないことにある。その理由は、C
GROM22の領域が一般にマスクROMのため、IC
製造時のみでしか設定できないためである。ユーザー領
域のCGRAM12の容量を増やすことにより対応でき
るが、チップ面積増大とトレードオフの関係にあり、、
容量に上限がある。
【0007】第2の問題点は、マスクROM型では少量
生産に向かないことにある。その理由は、マスクでRO
Mの内容を切り替えるため、ロット単位での対応しかで
きず、例え対応したとしても極めて生産性が悪い。
【0008】第3の問題点は、上記2つの問題点はRO
Mをフラッシュ型EEPROMに置き換えることで解決
できるが、しかし、フラッシュ型EEPROMのデータ
書き替えに必要な電源として液晶駆動用昇圧回路を流用
することができないことにある。その理由は、一般にフ
ラッシュ型EEPROMのデータ書き替えには、5V以
上の電圧と数mAの電流駆動能力が必要であるためであ
る。液晶駆動用昇圧回路では、IC全体の消費電流を極
力抑えるため、電流能力としては大きくても1mA程度
の能力しかない。
【0009】本発明の目的は、CGROM(マスクRO
M)をフラッシュ型EEPROMに置き換えることでユ
ーザーが文字・図形を製品毎に任意に定義でき、また、
従来の回路構成からの大幅な変更が不要で設計および製
品展開が容易であり、しかもフラッシュ型EEPROM
用電源を液晶駆動用昇圧回路と兼用することで新規の電
源装置が不要となり、装置を小型化,低消費電力化が可
能となるフラッシュ型EEPROM駆動用昇圧回路を提
供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るフラッシュ型EEPROM駆動用昇圧
回路は、昇圧回路と、駆動能力切替手段とを有するフラ
ッシュ型EEPROM駆動用昇圧回路であって、昇圧回
路は、外部制御により昇圧してフラッシュ型EEPRO
Mを駆動するものであり、駆動能力切替手段は、制御信
号により昇圧回路の駆動能力を切り替え、フラッシュ型
EEPROMを使用するときには駆動能力を上げ、使用
されないときには駆動能力を下げて駆動を行う制御を行
うものである。
【0011】また前記駆動能力切替手段は、昇圧用コン
デンサの容量調整と昇圧用発振周波数調整とにより、前
記昇圧回路の駆動能力の切替を行うものである。
【0012】また前記駆動能力切替手段は、昇圧用発振
周波数の調整により、昇圧用発振周波数と、その他の回
路駆動用発振周波数を独立して調整するものである。
た前記昇圧回路は、フラッシュ型EEPROM駆動用と
液晶駆動用とを兼用しているものである。
【0013】
【作用】本発明のフラッシュ型EEPROM駆動用昇圧
回路は、液晶駆動用昇圧回路と兼用で、フラッシュ型E
EPROM駆動用昇圧回路15として動作させるときに
は、制御信号(インターフェイス8)により補助昇圧用
コンデンサ18,補助平滑用コンデンサ19を現状のも
の(コンデンサ16,17,液晶駆動用として最適値の
もの)に並列に挿入し(容量値を増やす)、かつ分周回
路14の分周段数を減らすことにより、昇圧用発振周波
数を上げる。
【0014】一方、フラッシュ型EEPROM7にデー
タを書かないとき、すなわち液晶駆動用昇圧回路として
のみ使用するときには、コンデンサ18,19は使用せ
ず、かつ分周段数は通常に戻す。
【0015】液晶表示装置内蔵のCGROMをフラッシ
ュ型EEPROMに置き換えることは容易に発想できる
が、液晶駆動用昇圧回路をフラッシュ型EEPROM用
として流用することの問題点は、前述の通りである。
【0016】そこで、本発明では、通常昇圧回路15の
効率,駆動能力の要因となる補助昇圧用コンデンサ1
8,補助平滑用コンデンサ19並びに昇圧用発振周波数
の3点に着眼した。
【0017】まず、通常動作である液晶駆動時は、でき
る限り消費電力を低減するため、昇圧用ならびに平滑用
コンデンサは必要最小限の値とし、チャージ,ディスチ
ャージのためのクロックは、前記コンデンサに対して最
適な周波数に設定する。この時点で当然消費電力は最低
である。
【0018】一方、コマンドに従いフラッシュ型EEP
ROMのデータを書き替えるときには、現状の液晶駆動
用の昇圧回路では能力的に不十分であり、能力を上げる
必要がある。駆動能力を上げる手段として、昇圧用,平
滑用コンデンサの容量を増やす。これはトランジスタス
イッチ等で容易に切り替え可能であることが想像でき
る。また、昇圧用クロックも再調整する必要があり、分
周回路の分周段数を減らし、最適化する。
【0019】以上のようにフラッシュ型EEPROMの
データ書替え時のみ昇圧回路の駆動能力を増やすため、
全体としての消費電力は、さほど増大せず(ROMの書
き替えは頻繁ではない)、しかも、それぞれ専用の昇圧
回路を設けないため、現状の回路構成を大幅に変更する
必要がない。また同じような製品に展開する際にも適用
が非常に簡単である。
【0020】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施形態について図
面を参照して説明する。
【0021】(実施形態1)図1を参照すると、本発明
の最良の形態は、従来使用されていたCGROM(キャ
ラクタージェネレータROM)22の代わりに、フラッ
シュ型EEPROM7と、EEPROM7の駆動を兼ね
備え、かつ切り替え制御可能な液晶駆動用昇圧回路(D
C/DCコンバータ)9を有するものである。
【0022】フラッシュ型EEPROM7は、従来使用
されていたCGRAM12を兼ねても良い。
【0023】図1において、1はセグメントドライバ
ー,2はコモンドライバー,3はパラシリ変換回路,4
はタイミングコントロール部,5はDDRAM,6はP
GRAM,8はインターフェイス,10はレベル電源回
路,13は発振回路である。
【0024】図2に示すDC/DCコンバータ9は、図
1で示すDC/DCコンバータ9の内部構成を説明する
ものであって、2倍昇圧回路を想定している。図2に示
すDC/DCコンバータ9は、発振回路13のクロック
信号をインターフェイス8からの制御信号で任意の分周
段数で分周する分周回路14と、チャージ,ディチャー
ジ用トランジスタスイッチを有する昇圧回路15と、昇
圧用コンデンサ16およびトランジスタスイッチ20を
有する補助昇圧用コンデンサ18と、平滑用コンデンサ
17およびトランジスタスイッチ21を有する補助平滑
用コンデンサ19とから構成される。
【0025】まず、通常の液晶表示の際は、IC全体の
低消費電力化のため、トランジスタスイッチ20および
21はOFF、すなわち昇圧用コンデンサ16,平滑用
コンデンサ17のみである。このとき、コンデンサ1
6,17は、昇圧回路15の性能に見合った最適な値と
する。また、昇圧用のクロックは分周回路14より供給
されるが、これも昇圧回路15に見合った最適な周波数
を選択する。この状態は、従来の液晶駆動装置とほとん
ど同じである。
【0026】次に、この液晶駆動装置を制御する、例え
ばCPU等からフラッシュ型EEPROM7の内容を書
き替える信号が入力した場合を考える。CPU等からの
インストラクションやデータは、インターフェイス8を
介し、デコードされトランジスタスイッチ20,21を
ONさせる。また、同時に、この信号は分周回路14に
も入り分周段数を選択する。この場合は、昇圧用クロッ
クを速くするため、段数を減らす。
【0027】EEPROM7の書き換えが完了すると、
再びトランジスタスイッチ20,21はOFFし、分周
回路14も通常の液晶駆動時の段数選択となる。
【0028】このようにCPU等からフラッシュ型EE
PROM7にアクセスしたときのみDC/DCコンバー
タ9の駆動能力が上がり、EEPROM7に書き込むた
めの十分な電圧と電流能力が得られる。しかも、EEP
ROM7にアクセスする時間は、通常の表示時間に比べ
非常に短いため、液晶駆動装置全体としての平均電力
は、さほど増加しないで済む。
【0029】(実施例)次に本発明の実施例について図
面を参照して詳細に説明する。
【0030】図3は、本実施例のフローチャートであ
る。ステップS1において、まず液晶駆動装置の電源ス
イッチをONにする。次に一般にはステップS2におい
て表示OFFコマンドを送り、各種イニシャライズコマ
ンド,データ等の設定を行う。十分な昇圧電圧になるま
での時間を稼ぐためでもある。
【0031】ステップS3において、イニシャライズが
完了した後、CPUからEEPROM7の書き替え要求
があった場合、ステップS4においてトランジスタスイ
ッチ20および21がONとなり、液晶駆動時に比べ昇
圧用コンデンサの容量と平滑用コンデンサの容量が増え
る。例えば、液晶駆動時のコンデンサ16,17は0.
1μF程度であり、補助用コンデンサ18,19は1か
ら10μF程度となる。
【0032】また、同時に昇圧用のクロック周波数も選
択され、液晶駆動時では15KHz程度のものが数10
0KHz程度まで高くなる。
【0033】このようにコンデンサの容量とクロック周
波数を制御することにより、EEPROM7のデータを
書き替えるに十分な駆動能力を得ることができる。最後
に、ステップS5において、EEPROMのデータの書
き替えが完了した後、ステップS6において通常の液晶
駆動状態に戻り、ステップS7において液晶表示コマン
ドONを送る。
【0034】以上がCPUからEEPROM7のデータ
書き替え要求があった場合のフローを説明したが、最後
に駆動能力と消費電流(無負荷時)の関係を説明する。
【0035】一般にDC/DCコンバータ9において、
負荷電流以外で消費される電流は寄生容量,スイッチン
グトランジスタ20,21のON抵抗等であり、昇圧効
率と深く関係する。簡単のために、そのほとんどが寄生
容量で消費されると仮定すると、その消費電流は次式の
ようになる。 消費電流(寄生)i=c(寄生容量)v(電圧)f(周
波数) ここで、液晶駆動時の寄生容量 c=100pF 昇圧電圧 v=10V 昇圧用クロック周波数 f=15KHz とすると、i=15μAとなる。
【0036】一方、EEPROM7の駆動時では、寄生
容量,電圧とも液晶駆動時と同じとし、クロック周波数
が300KHzになったとすると、 i=300μA で非常に大きなロス電流となってしまう。
【0037】このように常にEEPROM7を駆動でき
る昇圧回路にすると、非常に効率が悪く無駄に消費電力
が増大してしまう。
【0038】(実施形態2)次に、本発明の実施形態2
について図5を参照して説明する。
【0039】図5は、図2のDC/DCコンバータの変
形例を示すブロック図である。基本構成は実施形態1と
同じであるが、昇圧用クロックを自ら作り、かつ発振周
波数の自由度を上げるために、可変周波数発振回路23
を設けて、可変式としたことを特徴としている。
【0040】また、実施形態1では、補助用コンデンサ
18,19は、EEPROM7の駆動時のみとしたが、
実施形態2では補助用コンデンサ18の前段にタイマー
24を設け、一定の間隔で動作させている。
【0041】実施形態2によれば、可変式の可変周波数
発振回路23にすることにより、きめの細かな設定を可
能にすると同時にタイマー24により、例えば数秒程度
の間隔(補助用コンデンサ18,19の電荷が十分に残
っている時間程度)で補助用コンデンサ18,19を動
作させ、駆動能力を一時的に増加させる。
【0042】常にEEPROM7のデータを書き替える
わけではないため、この時間は無駄な電流を消費するこ
とになるが、常に液晶の表示をON状態にしたままEE
PROM7の書き替えが可能になるため、刻々とEEP
ROM7の書き替えが必要なグラフィカルな表示の際は
同様なフローをとる。
【0043】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、特別な専
用電源を必要とせず液晶駆動装置にフラッシュ型EEP
ROMを内蔵することができる。その理由は、一般に液
晶駆動装置に内蔵されている液晶駆動用昇圧回路の駆動
能力を選択的に変化させ、EEPROMでも駆動できる
能力を持たせることができるためである。
【0044】また、EEPROMを内蔵しても従来のC
GROM(マスクROM)のものと比較して、さほど消
費電力が増大しない。その理由は、EEPROMのデー
タを書き替える時のみ選択的に昇圧回路の駆動能力を大
きくするためである。通常EEPROMは頻繁にはデー
タの書き替えはない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態1を示すブロック図である。
【図2】図1に示したDC/DCコンバータの内部構成
図である。
【図3】本発明の機能フローチャートである。
【図4】従来の液晶駆動装置を示すブロック図である。
【図5】本発明の実施形態2を示すブロック図である。
【符号の説明】
1 セグメントドライバー 2 コモンドライバー 3 パラシリ変換回路 4 タイミングコントロール部 5 DDRAM(アドレスデータRAM) 6 PGRAM(ピクトグラフRAM) 7 フラッシュ型EEPROM 8 インターフェイス 9 DC/DCコンバータ 10 レベル電源回路 11 EEPROM用電源ライン 12 CGRAM(キャラクタージェネレーターRA
M) 13 発振回路 14 分周回路 15 昇圧回路 16 昇圧用コンデンサ 17 平滑用コンデンサ 18 補助昇圧用コンデンサ 19 補助平滑用コンデンサ 20 トランジスタスイッチ 21 トランジスタスイッチ 22 CGROM(キャラクタージェネレーターRO
M) 23 可変周波数発振回路 24 タイマー

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 昇圧回路と、駆動能力切替手段とを有す
    るフラッシュ型EEPROM駆動用昇圧回路であって、 昇圧回路は、外部制御により昇圧してフラッシュ型EE
    PROMを駆動するものであり、 駆動能力切替手段は、制御信号により昇圧回路の駆動能
    力を切り替え、フラッシュ型EEPROMを使用すると
    きには駆動能力を上げ、使用されないときには駆動能力
    を下げて駆動を行う制御を行うものであることを特徴と
    するフラッシュ型EEPROM駆動用昇圧回路。
  2. 【請求項2】 前記駆動能力切替手段は、昇圧用コンデ
    ンサの容量調整と昇圧用発振周波数調整とにより、前記
    昇圧回路の駆動能力の切替を行うものであることを特徴
    とする請求項1に記載のフラッシュ型EEPROM駆動
    用昇圧回路。
  3. 【請求項3】 前記駆動能力切替手段は、昇圧用発振周
    波数の調整により、昇圧用発振周波数と、その他の回路
    駆動用発振周波数を独立して調整するものであることを
    特徴とする請求項2に記載のフラッシュ型EEPROM
    駆動用昇圧回路。
  4. 【請求項4】 前記昇圧回路は、フラッシュ型EEPR
    OM駆動用と液晶駆動用とを兼用していることを特徴と
    する請求項1乃至3に記載のフラッシュ型EEPROM
    駆動用昇圧回路。
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