JP3104347B2 - インクジェットヘッド - Google Patents
インクジェットヘッドInfo
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- JP3104347B2 JP3104347B2 JP33612591A JP33612591A JP3104347B2 JP 3104347 B2 JP3104347 B2 JP 3104347B2 JP 33612591 A JP33612591 A JP 33612591A JP 33612591 A JP33612591 A JP 33612591A JP 3104347 B2 JP3104347 B2 JP 3104347B2
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- Japan
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- insulating film
- heater
- protective
- wafer
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、インクジェット記録装
置のインクジェットヘッド、特に、インクジェットヘッ
ドのノズル面の層構成に関するものである。
置のインクジェットヘッド、特に、インクジェットヘッ
ドのノズル面の層構成に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、インクジェット記録装置として、
特開昭６０−１１６４５１号公報、特開昭６２−３３６
４８号公報、特開平２−９９３３４号公報に記載されて
いるような、サイドシュータ型と呼ばれるものが多く用
いられている。この形式のインクジェットヘッドは、ノ
ズルとなるチャネル部を形成した基板と、インクに吐出
エネルギーを与える熱作用部を有する基板とを接着し
て、ダイシングソーなどにより切断し、切断面をノズル
として使用するものである。
特開昭６０−１１６４５１号公報、特開昭６２−３３６
４８号公報、特開平２−９９３３４号公報に記載されて
いるような、サイドシュータ型と呼ばれるものが多く用
いられている。この形式のインクジェットヘッドは、ノ
ズルとなるチャネル部を形成した基板と、インクに吐出
エネルギーを与える熱作用部を有する基板とを接着し
て、ダイシングソーなどにより切断し、切断面をノズル
として使用するものである。
【０００３】上記した特開昭６０−１１６４５１号公
報、特開昭６２−３３６４８号公報、特開平２−９９３
３４号公報に記載されたインクジェットヘッドは、いず
れも切断面にヘッドを構成する絶縁膜が露出するもので
ある。特に、特開昭６２−３３６４８号公報、特開平２
−９９３３４号公報に記載されたインクジェットヘッド
は、後述する本発明の実施例と基本構造を同じくするも
のである。
報、特開昭６２−３３６４８号公報、特開平２−９９３
３４号公報に記載されたインクジェットヘッドは、いず
れも切断面にヘッドを構成する絶縁膜が露出するもので
ある。特に、特開昭６２−３３６４８号公報、特開平２
−９９３３４号公報に記載されたインクジェットヘッド
は、後述する本発明の実施例と基本構造を同じくするも
のである。
【０００４】この方式のインクジェットヘッドは、イン
クを吐出するための熱作用部としてヒーターを用いる
が、その他に、ヒーターを駆動するための高耐圧の駆動
トランジスタや、印字信号に応じてヒーターに駆動電圧
を選択的に印加するためのＬＳＩ回路を内蔵するもので
ある。これらの多機能化を実現するために、ヘッド作製
プロセスは複雑化し、層の構成も増加して構造を複雑な
ものとしている。
クを吐出するための熱作用部としてヒーターを用いる
が、その他に、ヒーターを駆動するための高耐圧の駆動
トランジスタや、印字信号に応じてヒーターに駆動電圧
を選択的に印加するためのＬＳＩ回路を内蔵するもので
ある。これらの多機能化を実現するために、ヘッド作製
プロセスは複雑化し、層の構成も増加して構造を複雑な
ものとしている。
【０００５】図６は、上述したインクジェットヘッドの
要部をチャネル部の軸線に垂直な平面で切った断面図で
ある。図中、１０はチャネルウェハ、１１はＳｉウェ
ハ、１２はノズル、１３はチャネル部、１４はインクリ
ザーバ、２０はヒーターウェハ、２１はＳｉウェハ、２
２は蓄熱層絶縁膜、２３はヒーター、２４は絶縁性保護
層、２５は金属保護層、２６は共通電極、２７は個別電
極、２８は層間絶縁膜、２９は保護絶縁膜、３０は有機
保護絶縁膜である。１５は接合したウェハの切断位置を
示す。
要部をチャネル部の軸線に垂直な平面で切った断面図で
ある。図中、１０はチャネルウェハ、１１はＳｉウェ
ハ、１２はノズル、１３はチャネル部、１４はインクリ
ザーバ、２０はヒーターウェハ、２１はＳｉウェハ、２
２は蓄熱層絶縁膜、２３はヒーター、２４は絶縁性保護
層、２５は金属保護層、２６は共通電極、２７は個別電
極、２８は層間絶縁膜、２９は保護絶縁膜、３０は有機
保護絶縁膜である。１５は接合したウェハの切断位置を
示す。
【０００６】チャネルウェハ１０とヒーターウェハ２０
が接着され、ダイシングソーにより切断位置１５で切断
されて、個々のチップに分離されヘッドが作製される。
切断面がノズル面となるが、ノズル面に露出する絶縁膜
は、ヒーター下部の蓄熱層絶縁膜２２である熱酸化膜
（ＳｉＯ2 ）、配線の層間絶縁膜２８（Ｐがドープされ
たＳｉＯ2 ）、ヘッド全体の保護膜である保護絶縁膜２
９（ＰがドープされたＳｉＯ2 ）である。
が接着され、ダイシングソーにより切断位置１５で切断
されて、個々のチップに分離されヘッドが作製される。
切断面がノズル面となるが、ノズル面に露出する絶縁膜
は、ヒーター下部の蓄熱層絶縁膜２２である熱酸化膜
（ＳｉＯ2 ）、配線の層間絶縁膜２８（Ｐがドープされ
たＳｉＯ2 ）、ヘッド全体の保護膜である保護絶縁膜２
９（ＰがドープされたＳｉＯ2 ）である。
【０００７】切断面に露出する絶縁膜のうち、特に信頼
性に問題があるのは層間絶縁膜２８とヘッド全体の保護
絶縁膜２９である。これら２種の絶縁膜は、他の領域の
下地層の段差における被覆性の向上や、特性改善のため
にＰがドープされている。Ｐのドープは、急激な段差を
改善し、微小な水分を捕獲する絶縁膜、保護膜としての
機能を持つが、インクジェットヘッドにおいて、切断面
に露出する膜では、インクなど過剰の水分に対してはＰ
が溶出し、ヘッド内部まで水分が侵入する経路となる。
したがって、長期間のインク噴射において、ノズルに付
着したインク滴によって絶縁膜が腐食され、故障の原因
となっていた。Ｐの濃度を低下させれば、絶縁膜の腐食
の問題は回避できるが、上述した平坦化や素子の保護効
果が損なわれ、両立しない問題点を有していた。
性に問題があるのは層間絶縁膜２８とヘッド全体の保護
絶縁膜２９である。これら２種の絶縁膜は、他の領域の
下地層の段差における被覆性の向上や、特性改善のため
にＰがドープされている。Ｐのドープは、急激な段差を
改善し、微小な水分を捕獲する絶縁膜、保護膜としての
機能を持つが、インクジェットヘッドにおいて、切断面
に露出する膜では、インクなど過剰の水分に対してはＰ
が溶出し、ヘッド内部まで水分が侵入する経路となる。
したがって、長期間のインク噴射において、ノズルに付
着したインク滴によって絶縁膜が腐食され、故障の原因
となっていた。Ｐの濃度を低下させれば、絶縁膜の腐食
の問題は回避できるが、上述した平坦化や素子の保護効
果が損なわれ、両立しない問題点を有していた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前面に露出
しインクにより腐食される従来の層構造を解決するため
になされたもので、Ｐがドープされた絶縁膜の腐食の問
題を回避できるノズルの構造を実現することにより、長
寿命のインクジェットヘッドを提供することを目的とす
るものである。
しインクにより腐食される従来の層構造を解決するため
になされたもので、Ｐがドープされた絶縁膜の腐食の問
題を回避できるノズルの構造を実現することにより、長
寿命のインクジェットヘッドを提供することを目的とす
るものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、チャネル部が形成されたチャネルウェハと、ヒータ
ーと該ヒーターに通電するための電極と、リンを含む少
なくとも１層の保護膜と、有機保護絶縁膜が形成された
ヒーターウェハを接合して構成され、個々のチップに切
断された切断面がインク吐出のノズル面として用いられ
るインクジェットヘッドにおいて、前記リンを含む少な
くとも１層の保護膜は、前記ノズル面より後退して形成
され、その前方が前記有機保護絶縁膜により覆われて前
記ノズル面に露出しないことを特徴とするものである。
は、チャネル部が形成されたチャネルウェハと、ヒータ
ーと該ヒーターに通電するための電極と、リンを含む少
なくとも１層の保護膜と、有機保護絶縁膜が形成された
ヒーターウェハを接合して構成され、個々のチップに切
断された切断面がインク吐出のノズル面として用いられ
るインクジェットヘッドにおいて、前記リンを含む少な
くとも１層の保護膜は、前記ノズル面より後退して形成
され、その前方が前記有機保護絶縁膜により覆われて前
記ノズル面に露出しないことを特徴とするものである。
【００１０】請求項２に記載の発明は、チャネル部が形
成されたチャネルウェハと、ヒーターと該ヒーターに通
電するための電極と、リンを含む少なくとも１層の保護
膜と、有機保護絶縁膜が形成されたヒーターウェハを接
合して構成され、個々のチップに切断された切断面がイ
ンク吐出のノズル面として用いられるインクジェットヘ
ッドにおいて、前記リンを含む少なくとも１層の保護膜
は、前記ノズル面より後退して形成され、その前方に無
機絶縁膜または有機絶縁膜が切断領域に露出するようヘ
ッド構成層と平面構成において別個に形成され、前記無
機絶縁膜または有機絶縁膜の上に前記有機保護絶縁膜が
形成されていることを特徴とするものである。
成されたチャネルウェハと、ヒーターと該ヒーターに通
電するための電極と、リンを含む少なくとも１層の保護
膜と、有機保護絶縁膜が形成されたヒーターウェハを接
合して構成され、個々のチップに切断された切断面がイ
ンク吐出のノズル面として用いられるインクジェットヘ
ッドにおいて、前記リンを含む少なくとも１層の保護膜
は、前記ノズル面より後退して形成され、その前方に無
機絶縁膜または有機絶縁膜が切断領域に露出するようヘ
ッド構成層と平面構成において別個に形成され、前記無
機絶縁膜または有機絶縁膜の上に前記有機保護絶縁膜が
形成されていることを特徴とするものである。
【００１１】
【作用】本発明によれば、リンを含む保護膜の少なくと
も１層がノズル面より後退して形成され、請求項１に記
載の発明においては、その前方が有機保護絶縁膜により
覆われ、また、請求項２に記載の発明においては、その
前方に無機絶縁膜または有機絶縁膜が切断領域に露出す
るようヘッド構成層と平面構成において別個に形成さ
れ、前記無機絶縁膜または有機絶縁膜の上に前記有機保
護絶縁膜が形成されていることによって、インク耐性の
ない絶縁膜は、ノズル面には存在しないヘッド構造であ
る。また、請求項２に記載の発明においては、ノズル部
の直下は、後退したＰがドープされた絶縁膜の厚さを補
正する無機または有機の孤立した絶縁層により、ノズル
部直下に生じる段差構造が回避でき、２枚の基板の密着
状態を正常に保持することができる。
も１層がノズル面より後退して形成され、請求項１に記
載の発明においては、その前方が有機保護絶縁膜により
覆われ、また、請求項２に記載の発明においては、その
前方に無機絶縁膜または有機絶縁膜が切断領域に露出す
るようヘッド構成層と平面構成において別個に形成さ
れ、前記無機絶縁膜または有機絶縁膜の上に前記有機保
護絶縁膜が形成されていることによって、インク耐性の
ない絶縁膜は、ノズル面には存在しないヘッド構造であ
る。また、請求項２に記載の発明においては、ノズル部
の直下は、後退したＰがドープされた絶縁膜の厚さを補
正する無機または有機の孤立した絶縁層により、ノズル
部直下に生じる段差構造が回避でき、２枚の基板の密着
状態を正常に保持することができる。
【００１２】
【実施例】図１は、本発明のインクジェットヘッドの第
１の実施例の斜視図であり、ウェハから個別に分離され
たプリントヘッドを示す。図２は、図１のインクジェッ
トヘッドの要部をチャネル部の軸線に垂直な平面で切っ
た断面図であり、ウェハの状態での断面図である。図
中、図６と同様な部分には同じ符号を付した。１６はイ
ンク滴である。
１の実施例の斜視図であり、ウェハから個別に分離され
たプリントヘッドを示す。図２は、図１のインクジェッ
トヘッドの要部をチャネル部の軸線に垂直な平面で切っ
た断面図であり、ウェハの状態での断面図である。図
中、図６と同様な部分には同じ符号を付した。１６はイ
ンク滴である。
【００１３】チャネルウェハ１０は、Ｓｉウェハ１１を
用い、その先端部にインクを吐出するノズル１２を形成
するチャネル部１３と、チャネル部１３にインクを供給
するためのインクリザーバ１４とが異方性エッチングに
より形成される。ヒーターウェハ２０も、Ｓｉウェハ２
１を用い、その上に、ヒーター、駆動トランジスタやＬ
ＳＩ回路が設けられる。
用い、その先端部にインクを吐出するノズル１２を形成
するチャネル部１３と、チャネル部１３にインクを供給
するためのインクリザーバ１４とが異方性エッチングに
より形成される。ヒーターウェハ２０も、Ｓｉウェハ２
１を用い、その上に、ヒーター、駆動トランジスタやＬ
ＳＩ回路が設けられる。
【００１４】ヒーターウェハ２０の主要部の作製工程を
説明する。まず、ヒーターの蓄熱層絶縁膜２２のための
熱酸化膜がＳｉウェハ２１の全面に形成される。続い
て、ヒーター２３を形成する発熱体であるＰｏｌｙ−Ｓ
ｉが堆積され、所望の抵抗値となるようイオンが打ち込
まれる。この間にヘッドを構成するためのトランジスタ
や集積回路のための膜形成、フォトリソグラフィー・エ
ッチング、イオン打ち込み等が繰り返し行なわれる。ヒ
ーター２３の近傍に関しては、ヒーター２３と接続され
る共通電極２６と個別電極２７のＡｌ配線を下地層と絶
縁分離するための層間絶縁膜２８が着膜され、電極接続
部とヒーター面が露出するようパターニングされる。こ
の層間絶縁膜２８は、下地層との段差を良好に被覆する
目的で、Ｐがドープされたガラス層であるＰＳＧが用い
られる。層間絶縁膜２８のパターニングは、切断位置１
５であるノズル面から露出しないようにするために、切
断位置１５の内側が終端となっている。
説明する。まず、ヒーターの蓄熱層絶縁膜２２のための
熱酸化膜がＳｉウェハ２１の全面に形成される。続い
て、ヒーター２３を形成する発熱体であるＰｏｌｙ−Ｓ
ｉが堆積され、所望の抵抗値となるようイオンが打ち込
まれる。この間にヘッドを構成するためのトランジスタ
や集積回路のための膜形成、フォトリソグラフィー・エ
ッチング、イオン打ち込み等が繰り返し行なわれる。ヒ
ーター２３の近傍に関しては、ヒーター２３と接続され
る共通電極２６と個別電極２７のＡｌ配線を下地層と絶
縁分離するための層間絶縁膜２８が着膜され、電極接続
部とヒーター面が露出するようパターニングされる。こ
の層間絶縁膜２８は、下地層との段差を良好に被覆する
目的で、Ｐがドープされたガラス層であるＰＳＧが用い
られる。層間絶縁膜２８のパターニングは、切断位置１
５であるノズル面から露出しないようにするために、切
断位置１５の内側が終端となっている。
【００１５】共通電極２６と個別電極２７のＡｌ配線、
ヒーター２３の保護膜としてシリコン窒化物による絶縁
性保護膜２４、その上にＴａによる金属保護層２５が形
成された後、無機保護膜が保護絶縁膜２９として着膜さ
れ、パターニングされる。この保護絶縁膜２９も、トラ
ンジスタや駆動回路の保護のために、Ｐがドープされた
ガラス層（ＰＳＧ）が用いられる。この保護絶縁膜２９
のパターニングも、ノズル面から露出しないように、切
断位置１５の内側が終端となるようパターニングされて
いる。最後に、気泡の成長領域を規定するための有機保
護絶縁膜３０が塗布され、パターニングされて、ヒータ
ーウェハ２０が作製される。
ヒーター２３の保護膜としてシリコン窒化物による絶縁
性保護膜２４、その上にＴａによる金属保護層２５が形
成された後、無機保護膜が保護絶縁膜２９として着膜さ
れ、パターニングされる。この保護絶縁膜２９も、トラ
ンジスタや駆動回路の保護のために、Ｐがドープされた
ガラス層（ＰＳＧ）が用いられる。この保護絶縁膜２９
のパターニングも、ノズル面から露出しないように、切
断位置１５の内側が終端となるようパターニングされて
いる。最後に、気泡の成長領域を規定するための有機保
護絶縁膜３０が塗布され、パターニングされて、ヒータ
ーウェハ２０が作製される。
【００１６】以上のようにして作製されたチャネルウェ
ハ１０とヒーターウェハ２０が接着され、ダイシングソ
ーにより切断位置１５で切断されて、個々のチップに分
離されヘッドが作製される。Ｐを含むガラス層は、ノズ
ル面に露出していないため、インクによる腐食が引き起
こされることはなく、長期的に安定してインクを噴射で
きるものである。
ハ１０とヒーターウェハ２０が接着され、ダイシングソ
ーにより切断位置１５で切断されて、個々のチップに分
離されヘッドが作製される。Ｐを含むガラス層は、ノズ
ル面に露出していないため、インクによる腐食が引き起
こされることはなく、長期的に安定してインクを噴射で
きるものである。
【００１７】この第１の実施例では、インクに対する長
期安定性についての問題はないが、Ｐを含むガラス層を
ノズル面の内側に後退させて形成したため、図３に示す
ように、有機保護絶縁膜３０の塗布膜厚が切断位置の近
傍より外側３３の部分において薄くなり、チャネルウェ
ハ１０との接着歩留まりを低下させることがある。な
お、図３において、図２と同様な部分には同じ符号を付
して説明を省略する。
期安定性についての問題はないが、Ｐを含むガラス層を
ノズル面の内側に後退させて形成したため、図３に示す
ように、有機保護絶縁膜３０の塗布膜厚が切断位置の近
傍より外側３３の部分において薄くなり、チャネルウェ
ハ１０との接着歩留まりを低下させることがある。な
お、図３において、図２と同様な部分には同じ符号を付
して説明を省略する。
【００１８】図４は、本発明のインクジェットヘッドの
第２の実施例の要部をチャネル部の軸線に垂直な平面で
切った断面図であり、ウェハの状態での断面図である。
図中、図１と同様な部分には同じ符号を付して説明を省
略する。３１は別途に形成された無機絶縁膜である。こ
の実施例では、第１の実施例における接着不良が発生し
やすい部分３３を改良して、接着歩留まりを向上させる
ことができるものである。無機絶縁膜３１は、層間絶縁
膜２８の形成後、熱酸化膜を形成し、Ｐを含むガラス層
の後退した領域のみに、孤立した段差補正を目的とした
パターンとして形成されるものである。無機絶縁膜３１
によるパターンは、他の絶縁層とは孤立した膜であるた
め、厚さ方向や平面方向において、ヘッドとして機能す
る層へはなんらの干渉もせず、ただ段差のみを改善する
効果を持つものであり、接着歩留まりの改善が達成され
る。
第２の実施例の要部をチャネル部の軸線に垂直な平面で
切った断面図であり、ウェハの状態での断面図である。
図中、図１と同様な部分には同じ符号を付して説明を省
略する。３１は別途に形成された無機絶縁膜である。こ
の実施例では、第１の実施例における接着不良が発生し
やすい部分３３を改良して、接着歩留まりを向上させる
ことができるものである。無機絶縁膜３１は、層間絶縁
膜２８の形成後、熱酸化膜を形成し、Ｐを含むガラス層
の後退した領域のみに、孤立した段差補正を目的とした
パターンとして形成されるものである。無機絶縁膜３１
によるパターンは、他の絶縁層とは孤立した膜であるた
め、厚さ方向や平面方向において、ヘッドとして機能す
る層へはなんらの干渉もせず、ただ段差のみを改善する
効果を持つものであり、接着歩留まりの改善が達成され
る。
【００１９】図５は、本発明のインクジェットヘッドの
要部をチャネル部の軸線に垂直な平面で切った断面図で
あり、ウェハの状態での断面図である。図中、図１と同
様な部分には同じ符号を付して説明を省略する。３２は
有機絶縁膜である。第２の実施例では、段差補正の絶縁
膜を無機絶縁膜であるＳｉＯ2 膜で形成したが、この実
施例では、有機絶縁膜３２で形成した。最終工程で形成
される有機絶縁膜の工程を１回追加するだけで、同様の
効果を得ることができるものである。この実施例では、
蓄熱層絶縁膜２２もノズル面の内側に後退させている。
したがって、蓄熱層絶縁膜２２をＰＳＧで形成すること
もできる。もちろん、蓄熱層絶縁膜２２を、第２の実施
例と同様の形態で形成しても、初期の目的は達成される
ものである。２枚のウェハの接合後の切断は、通常、ダ
イシングソーによって行なわれるが、ガラス層のような
脆性材料はチッピングが発生しやすく、ノズル品質の悪
化やダイシングブレードの摩耗によるノズル面の荒れを
招くという問題がある。これを改善するためには、切断
される面にガラス層が存在しないことが必要である。こ
の実施例では、当初の目的を達成するだけでなく、切断
面にガラス層が存在しないことにより、切断面の高精
度、高品質化を図ることができる。
要部をチャネル部の軸線に垂直な平面で切った断面図で
あり、ウェハの状態での断面図である。図中、図１と同
様な部分には同じ符号を付して説明を省略する。３２は
有機絶縁膜である。第２の実施例では、段差補正の絶縁
膜を無機絶縁膜であるＳｉＯ2 膜で形成したが、この実
施例では、有機絶縁膜３２で形成した。最終工程で形成
される有機絶縁膜の工程を１回追加するだけで、同様の
効果を得ることができるものである。この実施例では、
蓄熱層絶縁膜２２もノズル面の内側に後退させている。
したがって、蓄熱層絶縁膜２２をＰＳＧで形成すること
もできる。もちろん、蓄熱層絶縁膜２２を、第２の実施
例と同様の形態で形成しても、初期の目的は達成される
ものである。２枚のウェハの接合後の切断は、通常、ダ
イシングソーによって行なわれるが、ガラス層のような
脆性材料はチッピングが発生しやすく、ノズル品質の悪
化やダイシングブレードの摩耗によるノズル面の荒れを
招くという問題がある。これを改善するためには、切断
される面にガラス層が存在しないことが必要である。こ
の実施例では、当初の目的を達成するだけでなく、切断
面にガラス層が存在しないことにより、切断面の高精
度、高品質化を図ることができる。
【００２０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、ノズル面にインク耐性のないリンを含む保護
膜が露出することのないインクジェットヘッドを実現で
きるので、インクの長期噴射に安定であるという効果が
ある。
によれば、ノズル面にインク耐性のないリンを含む保護
膜が露出することのないインクジェットヘッドを実現で
きるので、インクの長期噴射に安定であるという効果が
ある。
【図１】 本発明のインクジェットヘッドの第１の実施
例の斜視図である。
例の斜視図である。
【図２】 本発明のインクジェットヘッドの第１の実施
例の断面図である。
例の断面図である。
【図３】 本発明のインクジェットヘッドの第１の実施
例の接着状態の説明図である。
例の接着状態の説明図である。
【図４】 本発明のインクジェットヘッドの第２の実施
例の断面図である。
例の断面図である。
【図５】 本発明のインクジェットヘッドの第３の実施
例の断面図である。
例の断面図である。
【図６】 従来のインクジェットヘッドの一例の断面図
である。
である。
１０ チャネルウェハ、１１ Ｓｉウェハ、１２ ノズ
ル、１３ チャネル部、１４ インクリザーバ、１５
切断位置、２０ ヒーターウェハ、２１ Ｓｉウェハ、
２２ 蓄熱層絶縁膜、２３ ヒーター、２４ 絶縁性保
護層、２５ 金属保護層、２６ 共通電極、２７ 個別
電極、２８ 層間絶縁膜、２９ 保護絶縁膜、３０ 有
機保護絶縁膜、３１ 無機絶縁膜、３２ 有機絶縁膜。
ル、１３ チャネル部、１４ インクリザーバ、１５
切断位置、２０ ヒーターウェハ、２１ Ｓｉウェハ、
２２ 蓄熱層絶縁膜、２３ ヒーター、２４ 絶縁性保
護層、２５ 金属保護層、２６ 共通電極、２７ 個別
電極、２８ 層間絶縁膜、２９ 保護絶縁膜、３０ 有
機保護絶縁膜、３１ 無機絶縁膜、３２ 有機絶縁膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 弥勒 美彦 神奈川県海老名市本郷2274番地 富士ゼ ロックス株式会社 海老名事業所内 (72)発明者 池田 宏 神奈川県海老名市本郷2274番地 富士ゼ ロックス株式会社 海老名事業所内 (72)発明者 片岡 雅樹 神奈川県海老名市本郷2274番地 富士ゼ ロックス株式会社 海老名事業所内 (72)発明者 田端 伸司 神奈川県海老名市本郷2274番地 富士ゼ ロックス株式会社 海老名事業所内 (72)発明者 三鍋 治郎 神奈川県海老名市本郷2274番地 富士ゼ ロックス株式会社 海老名事業所内 (72)発明者 三澤 誠 神奈川県海老名市本郷2274番地 富士ゼ ロックス株式会社 海老名事業所内 (72)発明者 小泉 幸久 神奈川県海老名市本郷2274番地 富士ゼ ロックス株式会社 海老名事業所内 (56)参考文献 特開 平２−99334（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−87265（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−98552（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B41J 2/05
Claims (2)
- 【請求項１】 チャネル部が形成されたチャネルウェハ
と、ヒーターと該ヒーターに通電するための電極と、リ
ンを含む少なくとも１層の保護膜と、有機保護絶縁膜が
形成されたヒーターウェハを接合して構成され、個々の
チップに切断された切断面がインク吐出のノズル面とし
て用いられるインクジェットヘッドにおいて、前記リン
を含む少なくとも１層の保護膜は、前記ノズル面より後
退して形成され、その前方が前記有機保護絶縁膜により
覆われて前記ノズル面に露出しないことを特徴とするイ
ンクジェットヘッド。 - 【請求項２】 チャネル部が形成されたチャネルウェハ
と、ヒーターと該ヒーターに通電するための電極と、リ
ンを含む少なくとも１層の保護膜と、有機保護絶縁膜が
形成されたヒーターウェハを接合して構成され、個々の
チップに切断された切断面がインク吐出のノズル面とし
て用いられるインクジェットヘッドにおいて、前記リン
を含む少なくとも１層の保護膜は、前記ノズル面より後
退して形成され、その前方に無機絶縁膜または有機絶縁
膜が切断領域に露出するようヘッド構成層と平面構成に
おいて別個に形成され、前記無機絶縁膜または有機絶縁
膜の上に前記有機保護絶縁膜が形成されていることを特
徴とするインクジェットヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33612591A JP3104347B2 (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | インクジェットヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33612591A JP3104347B2 (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | インクジェットヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05147211A JPH05147211A (ja) | 1993-06-15 |
| JP3104347B2 true JP3104347B2 (ja) | 2000-10-30 |
Family
ID=18295954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33612591A Expired - Fee Related JP3104347B2 (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | インクジェットヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3104347B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2914218B2 (ja) * | 1995-05-10 | 1999-06-28 | 富士ゼロックス株式会社 | サーマルインクジェットヘッドおよび記録装置 |
-
1991
- 1991-11-26 JP JP33612591A patent/JP3104347B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05147211A (ja) | 1993-06-15 |
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