JP3094707U - 信号発生装置 - Google Patents

信号発生装置

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JP3094707U JP2002007972U JP2002007972U JP3094707U JP 3094707 U JP3094707 U JP 3094707U JP 2002007972 U JP2002007972 U JP 2002007972U JP 2002007972 U JP2002007972 U JP 2002007972U JP 3094707 U JP3094707 U JP 3094707U
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B19/00Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source
    • H03B19/06Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source by means of discharge device or semiconductor device with more than two electrodes
    • H03B19/08Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source by means of discharge device or semiconductor device with more than two electrodes by means of a discharge device
    • H03B19/12Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source by means of discharge device or semiconductor device with more than two electrodes by means of a discharge device using division only

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  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 出力される信号の周波数を広い範囲にわたっ
て変えられるようにして、多種の高周波機器に共通に使
用できるようにする 【解決手段】 電圧制御発振回路1と、電圧制御発振回
路1から出力される発振信号を分周する分周回路3、4
と、発振信号の周波数を設定する制御電圧を外部から入
力するための制御電圧入力端子11と、分周回路3、4
から出力される分周信号を外部に取り出すための分周信
号出力端子12、13とを備えて、源信号である電圧制
御発振回路1の発振信号の周波数以下の広い周波数範囲
にわたって分周信号を出力できるようにした。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【考案の属する技術分野】
この考案は携帯電話機の送受信回路等に使用される信号発生装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の信号発生装置を図5及び図6によって説明する。図5は信号発生装置と しての電圧制御発振器の回路構成を示し、図6はその分解斜視図である。
【0003】 図5において、電源端子31と接地端子32との間には外部から電源電圧が印 加される。発振トランジスタ33のコレクタは電源端子32に接続され、エミッ タはバイアス抵抗34を介して接地端子32に接続されると共に、コンデンサ3 5を介して出力端子36に接続される。ベースには電源端子31と接地端子32 との間に接続された分圧用抵抗37、38によってバイアス電圧が印加される。 また、ベースとエミッタとの間及びエミッタと接地端子32との間にはそれぞれ 帰還コンデンサ39、40が接続される。
【0004】 共振回路41はインダクタンス素子41aとバラクタダイオード41bとから なり、その一端は発振トランジスタ33のベースに結合され、他端は接地端子3 2に接続される。バラクタダイオード41bのカソードはチョークインダクタ4 2を介して制御電圧端子43に接続される。制御電圧端子43には外部から制御 電圧が印加される。制御電圧を変化することによって発振周波数が設定される。
【0005】 上記の回路は図6に示す回路基板50上に構成される。回路基板50は多層構 造を有し、上面には発振トランジスタ33、バラクタダイオード41b等が搭載 されると共に、その他の回路部品、例えば抵抗34やコンデンサ35等も搭載さ れる。また、インダクタンス素子41aは回路基板50の内層に形成したストリ ップライン(図示せず)によって構成される。そして、回路基板50の端面に電 源端子31、複数の接地端子32、出力端子36、制御電圧端子43が設けられ る。回路を覆う金属カバー51には下方に突出する複数の爪51aが設けられて おり、この爪51aが回路基板50の接地端子32に接続される。
【0006】
【考案が解決しようとする課題】
このような電圧制御発振器の発振周波数は、それが使用される送受信回路の仕 様に合わせて決められるため、例えば、携帯電話機の方式が異なると電圧制御発 振器の発振周波数もそれに合ったものが必要となり、電圧制御発振器の製造者に とっては多くの機種を準備することとなり製造管理が煩雑となってコスト低減が 図れないという問題がある。
【0007】 この考案は、出力される信号の周波数を広い範囲にわたって変えられるように して、多種の高周波機器に共通に使用できるようにすることを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本考案は、電圧制御発振回路と、前記電圧制御発振回路から出力される発振信 号を分周する分周回路と、前記発振信号の周波数を設定する制御電圧を外部から 入力するための制御電圧入力端子と、前記分周回路から出力される分周信号を外 部に取り出すための分周信号出力端子とを備えた。
【0009】 また、前記電圧制御発振回路と前記分周回路とを同一の集積回路内に構成し、 前記集積回路に前記制御電圧入力端子及び前記分周信号出力端子を設けた。
【0010】 また、前記電圧制御発振回路と前記分周回路とを搭載する回路基板を設け、前 記回路基板の端面または底面に前記制御電圧入力端子及び前記分周信号出力端子 を設けた。
【0011】 また、前記分周回路を複数設け、前記複数の分周回路を互いに直列に接続する と共に、前記各分周回路からの前記分周信号をそれぞれ外部に取り出すように構 成した。
【0012】 また、前記各分周回路は分周比が切り替えられる可変分周回路で構成され、前 記各可変分周回路の分周比を切り替えるための切替信号を外部から入力する分周 比切替端子を設けた。
【0013】
【考案の実施の形態】
図1は本考案の信号発生装置のブロック構成を示す。電圧制御発振回路1には 制御電圧入力端子11から発振周波数を設定するための制御電圧が供給される。 電圧制御発振回路1の次段にはバッファアンプ2が設けられる。また、バッファ アンプ2には複数の分周回路(実施例では二つの分周回路3、4)が縦続接続さ れる。そして、各分周回路3、4の出力端がそれぞれ分周信号出力端子12、1 3に接続される。分周回路3、4は分周比が切り替えられる可変分周回路で構成 される。各分周回路3、4にはそれぞれ分周比切替端子14、15から分周比切 替信号が入力される。この分周比切替信号によって設定される分周比は自然数の みに限らず分数で示される分周比も含まれる。
【0014】 以上の構成によれば、分周回路3、4は分周比切替信号によって分周比が種々 切り替えられるので、源信号である電圧制御発振回路1の発振信号の周波数以下 の広い周波数範囲にわたって分周信号を出力できる。
【0015】 図2は上記の信号発生装置をCMOS構成で集積回路化した場合の電圧制御発 振回路1のみを具体回路で示すものである。集積回路10には上記の制御電圧入 力端子11、分周信号出力端子12、13、分周比切替端子14、15の他に電 源端子16、接地端子17、バイアス端子18等が設けられる。電圧制御発振回 路1、バッファアンプ2、分周回路3、4には電源端子16から電源電圧が供給 され、各回路から接地端子17に電流が流れる。
【0016】 電圧制御発振回路1は平衡型に構成され、二つの発振用のFET(電界効果ト ランジスタ)1a、1bは互いのゲートが相手のドレインに接続される。可変容 量素子を構成する二つのFET1c、1dはそれぞれドレインとソースとが互い に接続されて直列接続され、FET1cのゲートはFET1aのドレインに接続 され、FET1dのゲートはFET1bのドレインに接続される。そして、FE T1c、1dの各ドレインとソースとが制御電圧入力端子11に接続される。
【0017】 FET1c、1dに対してはプレーナ構造で形成された直列接続のインダクタ 1e、1fが並列接続され、二つのインダクタ1e、1fの接続点が電源端子1 6に接続される。また、FET1a、1bのソースはプレーナ構造で形成された インダクタ1gを介してバイアス用のFET1iのドレインに接続され、そのソ ースが接地端子17に接続され、ゲートはバイアス端子18に接続される。さら に、インダクタ1gは容量素子1hを介して接地端子17に接続される。よって 、発振用の二つのFET1a、1bにFET1iからバイアス電流が与えられ、 インダクタ1gと容量素子1hによってフィルタが構成される。 発振信号はFET1a、1bのドレインから平衡出力されてバッファアンプ2 に入力される。
【0018】 図2の構成では信号発生装置が集積回路10によって構成されるので、そのま ま周波数シンセサイザ等に使用でき、分周比切替信号の設定のみで簡単に所望の 周波数の信号を出力できる。
【0019】 図3は電圧制御発振回路1とバッファアンプ2と分周回路3、4とを回路基板 上に構成していわゆるモジュール構造にした場合の回路を示し、図4はその分解 斜視図を示す。
【0020】 図3において、電源端子21と接地端子22との間には外部から電源電圧が印 加される。電圧制御発振回路1の発振トランジスタ1jのコレクタは電源端子2 1に接続され、エミッタはバイアス抵抗1kを介して接地端子22に接続される 。ベースには電源端子21と接地端子22との間に接続された分圧用抵抗1m、 1nによってバイアス電圧が印加される。また、ベースとエミッタとの間及びエ ミッタと接地端子22との間にはそれぞれ帰還コンデンサ1p、1qが接続され る。
【0021】 共振回路1rはインダクタンス素子LとバラクタダイオードDとからなり、そ の一端は発振トランジスタ1jのベースに結合され、他端は接地端子22に接続 される。バラクタダイオードDのカソードはチョークインダクタ1sを介して制 御電圧入力端子11に接続される。制御電圧入力端子11には外部から制御電圧 が印加される。制御電圧を変化することによって発振周波数が設定される。
【0022】 電圧制御発振回路1に結合されたバッファアンプ2はエミッタ接地された増幅 トランジスタ2aを有し、ここで増幅された発振信号は二段構成の分周回路3、 4に順次入力される。この分周回路は分周比が切り替えられる構成のものであり 、共に集積回路化されている。従って、分周比を切り替えるための切替信号がそ れぞれ端子14、15から入力される。そして、各分周回路3、4から分周され た信号が分周信号出力端子12、13に出力される。
【0023】 上記の回路は図4に示す回路基板25上に構成される。回路基板25は多層構 造を有し、上面には発振トランジスタ1j、バラクタダイオードD、増幅トラン ジスタ2a、分周回路3、4等が搭載されると共に、その他の回路部品も搭載さ れる。また、インダクタンス素子Lは回路基板25の内層に形成したストリップ ライン(図示せず)によって構成される。そして、回路基板25の端面に制御電 圧入力端子11、電源端子21、複数の接地端子22、出力端子12、13、分 周比切替端子14、15が設けられる。回路を覆う金属カバー26には下方に突 出する複数の爪26aが設けられており、この爪26aが回路基板25の接地端 子22に接続される。 なお、各端子は回路基板25の底面に設けてもよい。
【0024】 図3及び図4に示した構成では、既存の部品を使用してモジュール化された信 号発生装置を簡単に構成できる。そして、同様に源信号である電圧制御発振回路 1の発振信号の周波数以下の広い周波数範囲にわたって分周信号を出力できる。
【0025】
【考案の効果】
以上説明したように、本考案は電圧制御発振回路と、電圧制御発振回路から出 力される発振信号を分周する分周回路と、発振信号の周波数を設定する制御電圧 を外部から入力するための制御電圧入力端子と、分周回路から出力される分周信 号を外部に取り出すための分周信号出力端子とを備えたので、源信号である電圧 制御発振回路の発振信号の周波数以下の広い周波数範囲にわたって分周信号を出 力できる。
【0026】 また、電圧制御発振回路と分周回路とを同一の集積回路内に構成し、集積回路 に制御電圧入力端子及び分周信号出力端子を設けたので、集積回路をそのまま周 波数シンセサイザ等に使用でき、簡単に所望の周波数の信号を出力できる。
【0027】 また、電圧制御発振回路と分周回路とを搭載する回路基板を設け、回路基板の 端面または底面に制御電圧入力端子及び分周信号出力端子を設けたので、既存の 部品を使用してモジュール化された信号発生装置を簡単に構成できる。
【0028】 また、分周回路を複数設け、複数の分周回路を互いに直列に接続すると共に、 各分周回路からの分周信号をそれぞれ外部に取り出すように構成したので、分周 信号の周波数範囲を拡大できる。
【0029】 また、各分周回路は分周比が切り替えられる可変分周回路で構成され、各可変 分周回路の分周比を切り替えるための切替信号を外部から入力する分周比切替端 子を設けたので、外部からの操作によって所望の周波数の分周信号を取り出すこ とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の信号発生装置の構成を示すブロック構
成図である。
【図2】本考案の信号発生装置を集積回路化した場合の
回路構成図である。
【図3】本考案の信号発生装置をモジュール構造にした
場合の回路構成図である。
【図4】本考案の信号発生装置をモジュール構造にした
場合の分解斜視図である。
【図5】従来の信号発生装置の構成を示す回路である。
【図6】従来の信号発生装置の分解斜視図である。
【符号の説明】
1 電圧制御発振回路 1a、1b 発振用FET 1c、1d FET 1e、1f、1g インダクタ 1h 容量素子 1i バイアス用FET 1j 発振トランジスタ 1r 共振回路 L インダクタンス素子 D バラクタダイオード 2 バッファアンプ 2a 増幅トランジスタ 3、4 分周回路 10 集積回路 11 制御電圧入力端子 12、13 分周信号出力端子 14、15 分周比切替端子 16、21 電源端子 17、22 接地端子 18 バイアス端子 25 回路基板 26 金属カバー

Claims (5)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電圧制御発振回路と、前記電圧制御発振
    回路から出力される発振信号を分周する分周回路と、前
    記発振信号の周波数を設定する制御電圧を外部から入力
    するための制御電圧入力端子と、前記分周回路から出力
    される分周信号を外部に取り出すための分周信号出力端
    子とを備えたことを特徴とする信号発生装置。
  2. 【請求項2】 前記電圧制御発振回路と前記分周回路と
    を同一の集積回路内に構成し、前記集積回路に前記制御
    電圧入力端子及び前記分周信号出力端子を設けたことを
    特徴とする請求項1に記載の信号発生装置。
  3. 【請求項3】 前記電圧制御発振回路と前記分周回路と
    を搭載する回路基板を設け、前記回路基板の端面または
    底面に前記制御電圧入力端子及び前記分周信号出力端子
    を設けたことを特徴とする請求項1に記載の信号発生装
    置。
  4. 【請求項4】 前記分周回路を複数設け、前記複数の分
    周回路を互いに直列に接続すると共に、前記各分周回路
    からの前記分周信号をそれぞれ外部に取り出すように構
    成したことを特徴とする請求項2又は3に記載の信号発
    生装置。
  5. 【請求項5】 前記各分周回路は分周比が切り替えられ
    る可変分周回路で構成され、前記各可変分周回路の分周
    比を切り替えるための切替信号を外部から入力する分周
    比切替端子を設けたことを特徴とする請求項4に記載の
    信号発生装置。
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