JP3090413B2 - 液状封止材料 - Google Patents
液状封止材料Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の封止に用
いられる液状封止材料に関するものである。
いられる液状封止材料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】プラスチックピングリッドアレイ（以
下、ＰＰＧＡという）型半導体封止には液状の封止材料
が用いられているが、セラミックスによる気密封止型に
比べて信頼性の点で充分でなく、デュアルインライン
（以下、ＤＩＰという）型に比べプラスチックパッケー
ジの普及が遅れていた。ＰＰＧＡ型半導体の信頼性低下
の原因としては、 パッケージ加工された有機のプリント配線基板部分か
ら湿気が侵入する。 ＤＩＰ型パッケージのトランスファーモールド成形と
異なり、無圧下で液状樹脂をパッケージ内に流入し成形
するため樹脂中に気泡が残存して、熱ストレスが加わっ
た際にクラックが発生する。 樹脂と半導体チップ、有機基板との線膨張係数が異な
るために熱ストレスが加わった際、界面での剥離を生じ
湿気の侵入を容易にしてしまう。等が挙げられる。
下、ＰＰＧＡという）型半導体封止には液状の封止材料
が用いられているが、セラミックスによる気密封止型に
比べて信頼性の点で充分でなく、デュアルインライン
（以下、ＤＩＰという）型に比べプラスチックパッケー
ジの普及が遅れていた。ＰＰＧＡ型半導体の信頼性低下
の原因としては、 パッケージ加工された有機のプリント配線基板部分か
ら湿気が侵入する。 ＤＩＰ型パッケージのトランスファーモールド成形と
異なり、無圧下で液状樹脂をパッケージ内に流入し成形
するため樹脂中に気泡が残存して、熱ストレスが加わっ
た際にクラックが発生する。 樹脂と半導体チップ、有機基板との線膨張係数が異な
るために熱ストレスが加わった際、界面での剥離を生じ
湿気の侵入を容易にしてしまう。等が挙げられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明者らは、
従来のこのような問題を解決するために鋭意検討を重ね
てきた結果、特定のエポキシ樹脂、多官能シアン酸エス
テル及び／又はシアン酸エステルプレポリマー、エラス
トマー及び／又はポリオレフィンに無機充填材を配合し
た組成物が、プレッシャークッカーテスト（以下、ＰＣ
Ｔという）や冷熱サイクルテスト（以下、Ｔ／Ｃとい
う）等の促進試験においても半導体の信頼性を大幅に向
上できるパッケージ材料となることを見いだし、本発明
を完成するに至ったものである。
従来のこのような問題を解決するために鋭意検討を重ね
てきた結果、特定のエポキシ樹脂、多官能シアン酸エス
テル及び／又はシアン酸エステルプレポリマー、エラス
トマー及び／又はポリオレフィンに無機充填材を配合し
た組成物が、プレッシャークッカーテスト（以下、ＰＣ
Ｔという）や冷熱サイクルテスト（以下、Ｔ／Ｃとい
う）等の促進試験においても半導体の信頼性を大幅に向
上できるパッケージ材料となることを見いだし、本発明
を完成するに至ったものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、（ａ）液状エ
ポキシ樹脂、（ｂ）多官能シアン酸エステル及び／又は
シアン酸エステルプレポリマー、（ｃ）トリアリルイソ
シアヌレート及び／又はトリアリルシアヌレート、
（ｄ）エポキシ基、アミノ基、水酸基、カルボキシル基
の群から選ばれる１個以上の官能基を分子内に有するエ
ラストマー及び／又はポリオレフィン、及び（ｅ）無機
充填材を主成分とする液状封止材料において、各成分の
配合割合が重量比で（ａ）／｛（ａ）＋（ｂ）＋
（ｃ）｝＝０．３０〜０．７０、（ｂ）／｛（ａ）＋
（ｂ）＋（ｃ）｝＝０．２５〜０．６５、（ｃ）／
｛（ａ）＋（ｂ）＋（ｃ）｝＝０．０５〜０．４５、
（ｄ）／｛（ａ）＋（ｂ）＋（ｃ）｝＝０．０２〜０．
３０で、かつ（ｅ）／｛（ａ）＋（ｂ）＋（ｃ）＋
（ｄ）＋（ｅ）｝＝０．５０〜０．８０であり、有機プ
リント配線基板を用いたＰＰＧＡ型半導体の信頼性を大
幅に向上させることができる。
ポキシ樹脂、（ｂ）多官能シアン酸エステル及び／又は
シアン酸エステルプレポリマー、（ｃ）トリアリルイソ
シアヌレート及び／又はトリアリルシアヌレート、
（ｄ）エポキシ基、アミノ基、水酸基、カルボキシル基
の群から選ばれる１個以上の官能基を分子内に有するエ
ラストマー及び／又はポリオレフィン、及び（ｅ）無機
充填材を主成分とする液状封止材料において、各成分の
配合割合が重量比で（ａ）／｛（ａ）＋（ｂ）＋
（ｃ）｝＝０．３０〜０．７０、（ｂ）／｛（ａ）＋
（ｂ）＋（ｃ）｝＝０．２５〜０．６５、（ｃ）／
｛（ａ）＋（ｂ）＋（ｃ）｝＝０．０５〜０．４５、
（ｄ）／｛（ａ）＋（ｂ）＋（ｃ）｝＝０．０２〜０．
３０で、かつ（ｅ）／｛（ａ）＋（ｂ）＋（ｃ）＋
（ｄ）＋（ｅ）｝＝０．５０〜０．８０であり、有機プ
リント配線基板を用いたＰＰＧＡ型半導体の信頼性を大
幅に向上させることができる。
【０００５】
【発明の実施の態様】本発明に用いられる液状エポキシ
樹脂は、その成分の５０重量％以上は、２５℃における
粘度が１０Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。エポキ
シ樹脂成分の５０重量％以上が低粘度の液状エポキシで
ないと組成物の粘度が高くなり、ＰＰＧＡパッケージ中
を液状封止材料で流入封止する際、気泡を巻き込んだ
り、コーナー端部への充填不良が発生し易くなり信頼性
低下につながるので好ましくない。エポキシ樹脂の粘度
測定方法としては、室温で液状の材料の場合、２５℃に
おいて東機産業（株）・製Ｅ型粘度計で測定する。室温
で固形の材料の場合、高温用コーンプレート粘度計を用
い１５０℃で測定する。この要件を満足するエポキシ樹
脂であれば、特に限定されるものではないが具体例を挙
げると、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル型エポ
キシ、ビスフェノールＦジグリシジルエーテル型エポキ
シ、ビスフェノールＳジグリシジルエーテル型エポキ
シ、３，３′，５，５′−テトラメチル−４，４′−ジ
ヒドロキシジフェニルメタンジグリシジルエーテル型エ
ポキシ、３，３′，５，５′−テトラメチル−４，４′
−ジヒドロキシビフェニルジグリシジルエーテル型エポ
キシ、４，４′−ジヒドロキシビフェニルジグリシジル
エーテル型エポキシ、１，６−ジヒドロキシナフタレン
ジグリシジルエーテル型エポキシ、フェノールノボラッ
ク型エポキシ、クレゾールノボラック型エポキシ、臭素
化ビスフェノールＡジグリシジルエーテル型エポキシ、
臭素化クレゾールノボラック型エポキシ、ビスフェノー
ルＤジグリシジルエーテル型エポキシ等がある。これら
は単独でも混合して用いても差し支えない。
樹脂は、その成分の５０重量％以上は、２５℃における
粘度が１０Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。エポキ
シ樹脂成分の５０重量％以上が低粘度の液状エポキシで
ないと組成物の粘度が高くなり、ＰＰＧＡパッケージ中
を液状封止材料で流入封止する際、気泡を巻き込んだ
り、コーナー端部への充填不良が発生し易くなり信頼性
低下につながるので好ましくない。エポキシ樹脂の粘度
測定方法としては、室温で液状の材料の場合、２５℃に
おいて東機産業（株）・製Ｅ型粘度計で測定する。室温
で固形の材料の場合、高温用コーンプレート粘度計を用
い１５０℃で測定する。この要件を満足するエポキシ樹
脂であれば、特に限定されるものではないが具体例を挙
げると、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル型エポ
キシ、ビスフェノールＦジグリシジルエーテル型エポキ
シ、ビスフェノールＳジグリシジルエーテル型エポキ
シ、３，３′，５，５′−テトラメチル−４，４′−ジ
ヒドロキシジフェニルメタンジグリシジルエーテル型エ
ポキシ、３，３′，５，５′−テトラメチル−４，４′
−ジヒドロキシビフェニルジグリシジルエーテル型エポ
キシ、４，４′−ジヒドロキシビフェニルジグリシジル
エーテル型エポキシ、１，６−ジヒドロキシナフタレン
ジグリシジルエーテル型エポキシ、フェノールノボラッ
ク型エポキシ、クレゾールノボラック型エポキシ、臭素
化ビスフェノールＡジグリシジルエーテル型エポキシ、
臭素化クレゾールノボラック型エポキシ、ビスフェノー
ルＤジグリシジルエーテル型エポキシ等がある。これら
は単独でも混合して用いても差し支えない。
【０００６】本発明に用いられる多官能シアン酸エステ
ル及びシアン酸エステルプレポリマーの融点は１２０℃
以下であり、１５０℃における粘度は０．１Ｐａ・ｓ以
下であることが好ましい。融点が１２０℃を越えると液
状のエポキシ樹脂との相溶性が低下するので好ましくな
い。又１５０℃での粘度が０．１Ｐａ・ｓを越えたもの
は封止材料とした際に高粘度となり、パッケージへの封
入作業性の低下や気泡の巻き込みによる信頼性低下の原
因となるので好ましくない。融点の測定方法は、市販の
セイコー電子工業（株）・製走査型示差熱分析装置を用
い、１０℃／１分の昇温速度で測定した時の吸熱ピーク
の温度を融点とした。本発明の多官能シアン酸エステル
又はシアン酸エステルプレポリマーの例を挙げると、
３，３′，５，５′−テトラメチル−４，４′−ジシア
ナートジフェニルメタン、２，２−ビス（４−シアナー
トフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−シアナート
フェニル）エタン等の化合物とこれらを適当な金属触媒
の存在下で加熱し、シアン酸エステルを３量化してトリ
アジン環を一部形成したプレポリマー等がある。これら
は単独でも混合して用いても差し支えない。本発明に用
いられるトリアリルイソシアヌレート及び／又はトリア
リルシアヌレートは特に限定されるものではないが、単
独でも混合して用いても差し支えない。
ル及びシアン酸エステルプレポリマーの融点は１２０℃
以下であり、１５０℃における粘度は０．１Ｐａ・ｓ以
下であることが好ましい。融点が１２０℃を越えると液
状のエポキシ樹脂との相溶性が低下するので好ましくな
い。又１５０℃での粘度が０．１Ｐａ・ｓを越えたもの
は封止材料とした際に高粘度となり、パッケージへの封
入作業性の低下や気泡の巻き込みによる信頼性低下の原
因となるので好ましくない。融点の測定方法は、市販の
セイコー電子工業（株）・製走査型示差熱分析装置を用
い、１０℃／１分の昇温速度で測定した時の吸熱ピーク
の温度を融点とした。本発明の多官能シアン酸エステル
又はシアン酸エステルプレポリマーの例を挙げると、
３，３′，５，５′−テトラメチル−４，４′−ジシア
ナートジフェニルメタン、２，２−ビス（４−シアナー
トフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−シアナート
フェニル）エタン等の化合物とこれらを適当な金属触媒
の存在下で加熱し、シアン酸エステルを３量化してトリ
アジン環を一部形成したプレポリマー等がある。これら
は単独でも混合して用いても差し支えない。本発明に用
いられるトリアリルイソシアヌレート及び／又はトリア
リルシアヌレートは特に限定されるものではないが、単
独でも混合して用いても差し支えない。
【０００７】又、液状エポキシ（ａ）、シアン酸エステ
ル（ｂ）、シアヌレート化合物（ｃ）の重量配合割合
は、（ａ）／｛（ａ）＋（ｂ）＋（ｃ）｝＝０．３０〜
０．７０、（ｂ）／｛（ａ）＋（ｂ）＋（ｃ）｝＝０．
２５〜０．６５、（ｃ）／｛（ａ）＋（ｂ）＋（ｃ）｝
＝０．０５〜０．４である。シアン酸エステル基は加熱
すると単独では３量化しトリアジン環を形成して耐熱性
に優れた硬化物を与えるが、金属やプリント配線基板等
への接着性が充分でなく、また高温高湿下での吸水率が
大きく耐湿性も充分ではなかったが、エポキシ樹脂と組
合わせて硬化させることにより前述の欠点を改善できる
ことを見いだした。またシアヌレート化合物は、ラジカ
ル触媒の存在下或いは非存在下において加熱することに
より架橋密度の高い高耐熱性の硬化物を与えるが単独で
は脆く、エポキシ樹脂やシアネート樹脂と併用してする
ことにより耐熱性を損なうことなく硬化速度の速い樹脂
系を与え、又室温で低粘度の液状であるために無機充填
材を配合した材料系でも低粘度で塗布作業性に優れたも
のが得られる。
ル（ｂ）、シアヌレート化合物（ｃ）の重量配合割合
は、（ａ）／｛（ａ）＋（ｂ）＋（ｃ）｝＝０．３０〜
０．７０、（ｂ）／｛（ａ）＋（ｂ）＋（ｃ）｝＝０．
２５〜０．６５、（ｃ）／｛（ａ）＋（ｂ）＋（ｃ）｝
＝０．０５〜０．４である。シアン酸エステル基は加熱
すると単独では３量化しトリアジン環を形成して耐熱性
に優れた硬化物を与えるが、金属やプリント配線基板等
への接着性が充分でなく、また高温高湿下での吸水率が
大きく耐湿性も充分ではなかったが、エポキシ樹脂と組
合わせて硬化させることにより前述の欠点を改善できる
ことを見いだした。またシアヌレート化合物は、ラジカ
ル触媒の存在下或いは非存在下において加熱することに
より架橋密度の高い高耐熱性の硬化物を与えるが単独で
は脆く、エポキシ樹脂やシアネート樹脂と併用してする
ことにより耐熱性を損なうことなく硬化速度の速い樹脂
系を与え、又室温で低粘度の液状であるために無機充填
材を配合した材料系でも低粘度で塗布作業性に優れたも
のが得られる。
【０００８】（ａ）／｛（ａ）＋（ｂ）＋（ｃ）｝＝
０．３０未満であると、材料の金属、プリント基板、Ｉ
Ｃチップ等への接着性が低下するので好ましくなく、
０．７０を越えると硬化物の架橋密度が低下し耐熱性が
低下してしまうので好ましくない。（ｂ）／｛（ａ）＋
（ｂ）＋（ｃ）｝＝０．２５未満であると、エポキシ基
と反応する成分が少なくなりガラス転移温度に代表され
る耐熱性が低下し、冷熱サイクルでの信頼性が低下する
ので好ましくなく、０．６５を越えると金属、有機基板
への接着性の低下とＰＣＴでの耐湿信頼性が低下するの
で好ましくない。（ｃ）／｛（ａ）＋（ｂ）＋（ｃ）｝
＝０．０５未満であると、耐熱性向上効果や粘度低下効
果が小さいので好ましくなく、０．４５を越えると架橋
密度が高くなり過ぎ、脆くなって半導体パッケージの冷
熱サイクルテストでの耐熱衝撃性が低下するので好まし
くない。
０．３０未満であると、材料の金属、プリント基板、Ｉ
Ｃチップ等への接着性が低下するので好ましくなく、
０．７０を越えると硬化物の架橋密度が低下し耐熱性が
低下してしまうので好ましくない。（ｂ）／｛（ａ）＋
（ｂ）＋（ｃ）｝＝０．２５未満であると、エポキシ基
と反応する成分が少なくなりガラス転移温度に代表され
る耐熱性が低下し、冷熱サイクルでの信頼性が低下する
ので好ましくなく、０．６５を越えると金属、有機基板
への接着性の低下とＰＣＴでの耐湿信頼性が低下するの
で好ましくない。（ｃ）／｛（ａ）＋（ｂ）＋（ｃ）｝
＝０．０５未満であると、耐熱性向上効果や粘度低下効
果が小さいので好ましくなく、０．４５を越えると架橋
密度が高くなり過ぎ、脆くなって半導体パッケージの冷
熱サイクルテストでの耐熱衝撃性が低下するので好まし
くない。
【０００９】本発明の（ｄ）成分は、（ｄ）／｛（ａ）
＋（ｂ）＋（ｃ）｝＝０．０２〜０．３０のである。
（ｄ）成分は、封止材料の耐湿性向上や接着性向上に効
果があるだけでなく、半導体パッケージの冷熱サイクル
テスト時に発生する応力の緩和効果も有している。とこ
ろが一般にエラストマーやポリオレフィン類はエポキシ
樹脂やシアン酸エステル樹脂、シアヌレート化合物に対
する相溶性に乏しく硬化物中の分散状態が不均一で、前
述の種々の効果は必ずしも充分ではなかった。本発明の
（ｄ）成分は、エポキシ基、アミノ基、水酸基、カルボ
キシル基のようにエポキシ樹脂やシアン酸エステル樹脂
と反応し得る官能基を有しているので、硬化物中への分
散が良好となり、耐湿性向上、接着性向上及びストレス
緩和効果が得られるので好ましい。（ｄ）／｛（ａ）＋
（ｂ）＋（ｃ）｝＝０．０２が０．０２未満であると、
前述の種々の効果が得られないので好ましくなく、０．
３０を越えると、耐熱性や機械的強度が低下してしまう
ので好ましくない。
＋（ｂ）＋（ｃ）｝＝０．０２〜０．３０のである。
（ｄ）成分は、封止材料の耐湿性向上や接着性向上に効
果があるだけでなく、半導体パッケージの冷熱サイクル
テスト時に発生する応力の緩和効果も有している。とこ
ろが一般にエラストマーやポリオレフィン類はエポキシ
樹脂やシアン酸エステル樹脂、シアヌレート化合物に対
する相溶性に乏しく硬化物中の分散状態が不均一で、前
述の種々の効果は必ずしも充分ではなかった。本発明の
（ｄ）成分は、エポキシ基、アミノ基、水酸基、カルボ
キシル基のようにエポキシ樹脂やシアン酸エステル樹脂
と反応し得る官能基を有しているので、硬化物中への分
散が良好となり、耐湿性向上、接着性向上及びストレス
緩和効果が得られるので好ましい。（ｄ）／｛（ａ）＋
（ｂ）＋（ｃ）｝＝０．０２が０．０２未満であると、
前述の種々の効果が得られないので好ましくなく、０．
３０を越えると、耐熱性や機械的強度が低下してしまう
ので好ましくない。
【００１０】本発明に用いられるエラストマーとして
は、例えば、アミノ基末端アクリロニトリル−ブタジエ
ンラバー、水酸基末端アクリロニトリル−ブタジエンラ
バー、エポキシ基含有ブタジエンラバー、部分架橋カル
ボン酸末端アクリロニトリル−ブタジエンラバー等が挙
げられるが、特にこれらに限定されるものではない。又
本発明の官能基を有するポリオレフィンとしては、例え
ば、エポキシ基含有アクリルゴム、エポキシ基含有ポリ
スチレン、ヒドロキシル基含有ポリスチレン、ヒドロキ
シル基含有ポリスチレン−アクリロニトリル共重合体、
ヒドロキシル基含有シリコーンエラストマー、カルボキ
シル基含有ポリスチレン、カルボキシル基含有ポリスチ
レン−アクリロニトリル共重合体、カルボキシル基含有
ポリブチルアクリレート、カルボキシル基含有ポリメチ
ルメタクリレート、エポキシ基含有ポリスチレン−アク
リロニトリル共重合体等が挙げられるが、特にこれらに
限定されるものではない。無機充填材（ｅ）としては、
例えば、結晶シリカ、溶融シリカ等が用いられる。無機
充填材の添加することにより線膨張係数の低減効果があ
る。（ｅ）／｛（ａ）＋（ｂ）＋（ｃ）＋（ｄ）＋
（ｅ）｝＝０．５０〜０．８０である。０．５０未満だ
と、線膨張係数の低減効果が小さく、０．８０を越える
と粘度が高くなり過ぎ好ましくない。
は、例えば、アミノ基末端アクリロニトリル−ブタジエ
ンラバー、水酸基末端アクリロニトリル−ブタジエンラ
バー、エポキシ基含有ブタジエンラバー、部分架橋カル
ボン酸末端アクリロニトリル−ブタジエンラバー等が挙
げられるが、特にこれらに限定されるものではない。又
本発明の官能基を有するポリオレフィンとしては、例え
ば、エポキシ基含有アクリルゴム、エポキシ基含有ポリ
スチレン、ヒドロキシル基含有ポリスチレン、ヒドロキ
シル基含有ポリスチレン−アクリロニトリル共重合体、
ヒドロキシル基含有シリコーンエラストマー、カルボキ
シル基含有ポリスチレン、カルボキシル基含有ポリスチ
レン−アクリロニトリル共重合体、カルボキシル基含有
ポリブチルアクリレート、カルボキシル基含有ポリメチ
ルメタクリレート、エポキシ基含有ポリスチレン−アク
リロニトリル共重合体等が挙げられるが、特にこれらに
限定されるものではない。無機充填材（ｅ）としては、
例えば、結晶シリカ、溶融シリカ等が用いられる。無機
充填材の添加することにより線膨張係数の低減効果があ
る。（ｅ）／｛（ａ）＋（ｂ）＋（ｃ）＋（ｄ）＋
（ｅ）｝＝０．５０〜０．８０である。０．５０未満だ
と、線膨張係数の低減効果が小さく、０．８０を越える
と粘度が高くなり過ぎ好ましくない。
【００１１】本発明の液状封止材料には、前記の必須成
分の他に必要に応じて他の樹脂や反応を促進するための
触媒、希釈剤、顔料、カップリング剤、レベリング剤、
消泡剤等の添加物を用いても差し支えない。液状封止材
料は、例えば各成分、添加物等を３本ロールにて分散混
練し真空下脱泡処理して製造する。
分の他に必要に応じて他の樹脂や反応を促進するための
触媒、希釈剤、顔料、カップリング剤、レベリング剤、
消泡剤等の添加物を用いても差し支えない。液状封止材
料は、例えば各成分、添加物等を３本ロールにて分散混
練し真空下脱泡処理して製造する。
【００１２】以下本発明を実施例で具体的に説明する。 実施例１ ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業（株）・製、ＥＸＡ −８３０ＣＲＰ，２５℃での粘度１．４Ｐａ・ｓ） １００重量部 ビスフェノールＥ型シアネート樹脂（チバガイギー（社）・製、Ｌ−１０、粘 度０．１Ｐａ・ｓ以下／１５０℃） １００重量部 トリアリルイソシアヌレート ５０重量部 ＡＡＣｕ（銅アセチルアセトナート） ０．１重量部 ＸＥＲ−９１（日本合成ゴム（株）・製、カルボキシル変性架橋ゴム、粒径１ μｍ以下） ２０重量部 溶融シリカ（電気化学工業（株）・製、ＦＢ−３０） ５００重量部 ・カーボンブラック（三菱化学（株）・製、ＭＡ−１００） ２．５重量部 上記の原材料を３本ロールにて、分散混練し真空下脱泡
処理をして液状封止材料を得た。得られた液状封止樹脂
を用いて、ＰＰＧＡパッケージを封止し１２０℃で１時
間、及び１６５℃で２時間オーブン中で硬化して半導体
パッケージを得た。
処理をして液状封止材料を得た。得られた液状封止樹脂
を用いて、ＰＰＧＡパッケージを封止し１２０℃で１時
間、及び１６５℃で２時間オーブン中で硬化して半導体
パッケージを得た。
【００１３】超音波探傷機（以下、ＳＡＴという）に
て、パッケージ内部のボイドの有無（パッケージ充填性
で表現）、半導体チップとプリント基板界面との剥離、
クラックの有無を確認したところ全くそのような現象は
認められなかった。次にＰＣＴ処理（１２５℃／２．３
ａｔｍ）、Ｔ／Ｃ処理（−６５℃／３０分⇔１５０℃／
３０分）を施して、ＳＡＴにて半導体チップとプリント
基板界面との剥離、クラックの有無を確認したところＰ
ＣＴ処理７２０時間、Ｔ／Ｃ処理１０００サイクルまで
全くそのような現象は認められず、良好な信頼性を有し
ていることが判明した。各評価ごとに用いたＰＰＧＡパ
ッケージの数は、１０個である。 実施例２〜７、比較例１〜９ 表１、表２に示した組成以外は、全く実施例１と同一の
方法にて液状封止材料を得て、ＰＰＧＡパッケージを封
止しその信頼性を評価した。その結果を表１、表２に示
す。
て、パッケージ内部のボイドの有無（パッケージ充填性
で表現）、半導体チップとプリント基板界面との剥離、
クラックの有無を確認したところ全くそのような現象は
認められなかった。次にＰＣＴ処理（１２５℃／２．３
ａｔｍ）、Ｔ／Ｃ処理（−６５℃／３０分⇔１５０℃／
３０分）を施して、ＳＡＴにて半導体チップとプリント
基板界面との剥離、クラックの有無を確認したところＰ
ＣＴ処理７２０時間、Ｔ／Ｃ処理１０００サイクルまで
全くそのような現象は認められず、良好な信頼性を有し
ていることが判明した。各評価ごとに用いたＰＰＧＡパ
ッケージの数は、１０個である。 実施例２〜７、比較例１〜９ 表１、表２に示した組成以外は、全く実施例１と同一の
方法にて液状封止材料を得て、ＰＰＧＡパッケージを封
止しその信頼性を評価した。その結果を表１、表２に示
す。
【００１４】実施例１に記載していない、原料について
下記に示す。 ＊１：大日本インキ化学工業(株)・製、ビスフェノール
Ａジグリシジルエーテル型エポキシ ＊２：大日本インキ化学工業(株)・製、２，６−ジヒド
ロキシナフタレン型エポキシ ＊３：油化シェルエポキシ(株)・製、ビスフェノールＡ
ジグリシジルエーテル型エポキシ ＊４：チバガイギー(株)・製、３，３′，５，５′−テ
トラメチル−４，４′−ジシアナートフェニルメタン ＊５：チバガイギー(株)・製、２，２−ビス−（４−シ
アナートフェニル）プロパン ＊６：Ｂ−１０を加熱して得られる三量化率５０％のプ
レポリマー ＊７：２−エチル−４−メチルイミダゾール ＊８：日本石油化学(株)・製、エポキシ含有ブタジエン
ラバー ＊９：東亜合成化学(株)・製、エポキシ含有ポリスチレ
ン−メチルメタクリレート共重合体
下記に示す。 ＊１：大日本インキ化学工業(株)・製、ビスフェノール
Ａジグリシジルエーテル型エポキシ ＊２：大日本インキ化学工業(株)・製、２，６−ジヒド
ロキシナフタレン型エポキシ ＊３：油化シェルエポキシ(株)・製、ビスフェノールＡ
ジグリシジルエーテル型エポキシ ＊４：チバガイギー(株)・製、３，３′，５，５′−テ
トラメチル−４，４′−ジシアナートフェニルメタン ＊５：チバガイギー(株)・製、２，２−ビス−（４−シ
アナートフェニル）プロパン ＊６：Ｂ−１０を加熱して得られる三量化率５０％のプ
レポリマー ＊７：２−エチル−４−メチルイミダゾール ＊８：日本石油化学(株)・製、エポキシ含有ブタジエン
ラバー ＊９：東亜合成化学(株)・製、エポキシ含有ポリスチレ
ン−メチルメタクリレート共重合体
【００１５】
【表１】
【００１６】
【表２】
【００１７】
【発明の効果】本発明の液状封止材料で半導体パッケー
ジの封止を行うと、プレッシャークッカーテストや冷熱
サイクルテストにおいても剥離クラックのない高信頼性
の半導体を得ることができるので工業的メリット大であ
る。
ジの封止を行うと、プレッシャークッカーテストや冷熱
サイクルテストにおいても剥離クラックのない高信頼性
の半導体を得ることができるので工業的メリット大であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ 23/31 (56)参考文献 特開 平９−12685（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−12684（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−108860（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−157452（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−141310（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−98245（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−52941（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C08L 63/00 - 63/10 C08L 79/06 C08L 101/02 - 101/10 C08G 59/40 - 59/66 H01L 23/29
Claims (3)
- 【請求項１】 （ａ）液状エポキシ樹脂、（ｂ）多官能
シアン酸エステル及び／又はシアン酸エステルプレポリ
マー、（ｃ）トリアリルイソシアヌレート及び／又はト
リアリルシアヌレート、（ｄ）エポキシ基、アミノ基、
水酸基、カルボキシル基の群から選ばれる１個以上の官
能基を分子内に有するエラストマー及び／又はポリオレ
フィン、及び（ｅ）無機充填材を主成分とする液状封止
材料において、各成分の配合割合が重量比で（ａ）／
｛（ａ）＋（ｂ）＋（ｃ）｝＝０．３０〜０．７０、
（ｂ）／｛（ａ）＋（ｂ）＋（ｃ）｝＝０．２５〜０．
６５、（ｃ）／｛（ａ）＋（ｂ）＋（ｃ）｝＝０．０５
〜０．４５、（ｄ）／｛（ａ）＋（ｂ）＋（ｃ）｝＝
０．０２〜０．３０で、かつ（ｅ）／｛（ａ）＋（ｂ）
＋（ｃ）＋（ｄ）＋（ｅ）｝＝０．５０〜０．８０であ
ることを特徴とする液状封止材料。 - 【請求項２】 （ａ）液状エポキシ樹脂の少なくとも５
０重量％の成分の粘度が１０Ｐａ・ｓ（２５℃測定）以
下である請求項１記載の液状封止材料。 - 【請求項３】 （ｂ）多官能シアン酸エステル及びシア
ン酸エステルプレポリマーの各々の融点が、１２０℃以
下でかつ粘度が０．１Ｐａ・ｓ（１５０℃測定）以下で
ある請求項１又は請求項２記載の液状封止材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP07281454A JP3090413B2 (ja) | 1995-10-30 | 1995-10-30 | 液状封止材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07281454A JP3090413B2 (ja) | 1995-10-30 | 1995-10-30 | 液状封止材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09124898A JPH09124898A (ja) | 1997-05-13 |
| JP3090413B2 true JP3090413B2 (ja) | 2000-09-18 |
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ID=17639415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07281454A Expired - Fee Related JP3090413B2 (ja) | 1995-10-30 | 1995-10-30 | 液状封止材料 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3090413B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000336246A (ja) * | 1999-05-26 | 2000-12-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物および半導体装置 |
| JP3444237B2 (ja) * | 1999-05-26 | 2003-09-08 | 松下電工株式会社 | 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物および半導体装置 |
-
1995
- 1995-10-30 JP JP07281454A patent/JP3090413B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH09124898A (ja) | 1997-05-13 |
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