JP3087340B2 - 透過型液晶表示装置 - Google Patents
透過型液晶表示装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＭＩＭ素子の基本構造
の改良に関するもので、特にフォト工程の簡略化を実現
する手段及び高信頼ＭＩＭを提供するものである。
の改良に関するもので、特にフォト工程の簡略化を実現
する手段及び高信頼ＭＩＭを提供するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のＭＩＭの基本プロセスは、Ｔａ成
膜パターン形成−陽極酸化−Ｃｒ成膜パターン形成−画
素透明電極としてのＩＴＯ成膜パターン形成であり、パ
ターン形成のためのフォト工程の回数は、最低でも３回
必要であった。従来のＭＩＭ素子形成基板断面図を図３
に示す。Ｔａなどの第１の金属１の表面に陽極酸化など
の方法により第１の絶縁膜２を形成し、その上にＣｒな
どの第２の金属７を成膜パターン形成する。最後に画素
透明電極４を成膜パターン形成して、ＭＩＭ素子形成基
板が出来上がる。フォト工程が３回必要である理由は、
ＭＩＭ素子の電気特性の非対称性をなくすため、つまり
極性差をなくすためにＭＩＭを構成する第２の金属７を
Ｃｒなどの金属材料として独立にパターン形成する必要
があることによる。画素透明電極としてのＩＴＯなどの
膜をＭＩＭの第２の金属としても兼用することができれ
ばフォト工程２回となるが、この場合極性差大となり、
故に液晶にＤＣ電圧成分が乗り液晶ディスプレイとして
の残像その他の信頼性上の問題となり、使えない。一画
素内に素子を２個形成して極性差を修正する方法もある
が、この場合プロセスが複雑になり生産効率の低減及び
歩留まり低減となる。
膜パターン形成−陽極酸化−Ｃｒ成膜パターン形成−画
素透明電極としてのＩＴＯ成膜パターン形成であり、パ
ターン形成のためのフォト工程の回数は、最低でも３回
必要であった。従来のＭＩＭ素子形成基板断面図を図３
に示す。Ｔａなどの第１の金属１の表面に陽極酸化など
の方法により第１の絶縁膜２を形成し、その上にＣｒな
どの第２の金属７を成膜パターン形成する。最後に画素
透明電極４を成膜パターン形成して、ＭＩＭ素子形成基
板が出来上がる。フォト工程が３回必要である理由は、
ＭＩＭ素子の電気特性の非対称性をなくすため、つまり
極性差をなくすためにＭＩＭを構成する第２の金属７を
Ｃｒなどの金属材料として独立にパターン形成する必要
があることによる。画素透明電極としてのＩＴＯなどの
膜をＭＩＭの第２の金属としても兼用することができれ
ばフォト工程２回となるが、この場合極性差大となり、
故に液晶にＤＣ電圧成分が乗り液晶ディスプレイとして
の残像その他の信頼性上の問題となり、使えない。一画
素内に素子を２個形成して極性差を修正する方法もある
が、この場合プロセスが複雑になり生産効率の低減及び
歩留まり低減となる。
【０００３】現在の有力な方法である従来の特開昭６０
−１６４７２４の公報で記載されているＭＩＭ素子は、
第2の金属の厚さを１００Å以下として、第2の金属と透
明ＩＴＯ電極を同一の形状に形成することによりフォト
工程２回のＭＩＭを達成するものである。このフォト工
程２回で形成できるＭＩＭ素子形成基板断面図を図4に
示す。この場合、Ｃｒなどの第2の金属８が、薄いなが
らもＭＩＭの電極として機能しているため、ＭＩＭ素子
の極性差がなくなるか、または非常に少なくなる。ま
た、第２の金属８を１００Å以下という超薄膜で形成し
ているため、この超薄膜そのものの可視光透過率が向上
し、画素の透明電極としても機能する。以上により、第2
の金属超薄膜８とＩＴＯなどの画素透明電極４を１回の
フォト工程で同一パターンに形成できるためフォト工程
2回のＭＩＭが達成できる。
−１６４７２４の公報で記載されているＭＩＭ素子は、
第2の金属の厚さを１００Å以下として、第2の金属と透
明ＩＴＯ電極を同一の形状に形成することによりフォト
工程２回のＭＩＭを達成するものである。このフォト工
程２回で形成できるＭＩＭ素子形成基板断面図を図4に
示す。この場合、Ｃｒなどの第2の金属８が、薄いなが
らもＭＩＭの電極として機能しているため、ＭＩＭ素子
の極性差がなくなるか、または非常に少なくなる。ま
た、第２の金属８を１００Å以下という超薄膜で形成し
ているため、この超薄膜そのものの可視光透過率が向上
し、画素の透明電極としても機能する。以上により、第2
の金属超薄膜８とＩＴＯなどの画素透明電極４を１回の
フォト工程で同一パターンに形成できるためフォト工程
2回のＭＩＭが達成できる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】但し、この図４に示す
フォト工程２回で達成できるＭＩＭ方式の唯一の欠点と
して、第２の金属超薄膜８の可視光透過率が約７０％程
度と低く、画素の透明電極として機能はするけれども、
液晶ディスプレイの画面が暗くなってしまう。暗い画面
ではコントラストも悪く見え、画質面での大きなマイナ
スとなる。
フォト工程２回で達成できるＭＩＭ方式の唯一の欠点と
して、第２の金属超薄膜８の可視光透過率が約７０％程
度と低く、画素の透明電極として機能はするけれども、
液晶ディスプレイの画面が暗くなってしまう。暗い画面
ではコントラストも悪く見え、画質面での大きなマイナ
スとなる。
【０００５】本発明は、従来のこのような欠点を解決し
て、液晶ディスプレイの可視光透過率を損なうことな
く、ＭＩＭ素子基板のフォト工程２回プロセスを達成し
て、生産効率向上及び歩留り向上を達成するものであ
る。また、本発明のもう１つの目的は、従来からある第
３図に示すＭＩＭ素子形成基板において、ＭＩＭ素子の
特性シフトが原因となる液晶ディスプレイの残像及び焼
き付き現象をなくすことにもある。
て、液晶ディスプレイの可視光透過率を損なうことな
く、ＭＩＭ素子基板のフォト工程２回プロセスを達成し
て、生産効率向上及び歩留り向上を達成するものであ
る。また、本発明のもう１つの目的は、従来からある第
３図に示すＭＩＭ素子形成基板において、ＭＩＭ素子の
特性シフトが原因となる液晶ディスプレイの残像及び焼
き付き現象をなくすことにもある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の透過型液晶表示
装置は、信号電極となる第１の金属と、前記第１の金属
の表面を陽極酸化してなる絶縁膜と、少なくとも前記絶
縁膜との界面近傍がＣｒ（クロム）酸化物からなるとと
もに膜厚が５００Å以下の第２の金属薄膜がこの順に積
層されてなる２端子素子と、前記第２の金属薄膜に接す
るように前記第２の金属薄膜上に、前記第２の金属薄膜
と同一形状のＩＴＯからなる画素電極とを有することを
特徴とする。
装置は、信号電極となる第１の金属と、前記第１の金属
の表面を陽極酸化してなる絶縁膜と、少なくとも前記絶
縁膜との界面近傍がＣｒ（クロム）酸化物からなるとと
もに膜厚が５００Å以下の第２の金属薄膜がこの順に積
層されてなる２端子素子と、前記第２の金属薄膜に接す
るように前記第２の金属薄膜上に、前記第２の金属薄膜
と同一形状のＩＴＯからなる画素電極とを有することを
特徴とする。
【０００７】また、前記第２の金属の酸化方法は、スパ
ッタ成膜時のプラズマガスをＯ2ガスを混入したＡｒガ
スとするリアクティブスパッタ法とすることを特徴とす
る。
ッタ成膜時のプラズマガスをＯ2ガスを混入したＡｒガ
スとするリアクティブスパッタ法とすることを特徴とす
る。
【０００８】また、前記第２の金属の別の酸化方法を、
成膜後の熱酸化とすることを特徴とする。
成膜後の熱酸化とすることを特徴とする。
【０００９】また、前記第２の金属の別の酸化方法を、
成膜後のランプアニールとすることを特徴とする。
成膜後のランプアニールとすることを特徴とする。
【００１０】また、前記第２の金属の酸化方法を、第２
の金属成膜及びパターン形成後の画素透明電極形成時に
おけるＩＴＯターゲットなどを用いてスパッタ成膜する
条件を、スパッタ温度２００℃以上にすることまたはプ
ラズマガス中のＯ2流量比を１％以上にすることの内少
なくとも１方法とすることを特徴とする。
の金属成膜及びパターン形成後の画素透明電極形成時に
おけるＩＴＯターゲットなどを用いてスパッタ成膜する
条件を、スパッタ温度２００℃以上にすることまたはプ
ラズマガス中のＯ2流量比を１％以上にすることの内少
なくとも１方法とすることを特徴とする。
【００１１】
【作用】第２の金属超薄膜を金属酸化物超薄膜とするこ
とにより、可視光透過率が向上する。同一質量膜厚で比
較した場合、金属超薄膜の可視光透過率約７０％に対し
て金属酸化物超薄膜の可視光透過率は約９５％となり大
幅に向上する。しかも、第２の金属をＣｒとした場合の
実験評価結果では、第２の金属を酸化してもＭＩＭ素子
の電気特性の極性差が、若干のアニール処理を行うこと
により、なくなるか、または非常に少なくなることが判
明した。
とにより、可視光透過率が向上する。同一質量膜厚で比
較した場合、金属超薄膜の可視光透過率約７０％に対し
て金属酸化物超薄膜の可視光透過率は約９５％となり大
幅に向上する。しかも、第２の金属をＣｒとした場合の
実験評価結果では、第２の金属を酸化してもＭＩＭ素子
の電気特性の極性差が、若干のアニール処理を行うこと
により、なくなるか、または非常に少なくなることが判
明した。
【００１２】酸化することにより、可視光透過率が向上
する原理メカニズムを以下に述べる。
する原理メカニズムを以下に述べる。
【００１３】金属は一般的に、伝導帯と価電子帯とが重
なりあっているため、バンドギャップが小さく、光を吸
収し電子が励起されやすい。よって、光が吸収されやす
く光透過率が悪い。一方金属酸化物は、伝導帯が上がり
バンドギャップが大きくなることにより、電子が励起さ
れにくく、故に光吸収分も減少する。つまり、光透過率
が向上するという原理である。
なりあっているため、バンドギャップが小さく、光を吸
収し電子が励起されやすい。よって、光が吸収されやす
く光透過率が悪い。一方金属酸化物は、伝導帯が上がり
バンドギャップが大きくなることにより、電子が励起さ
れにくく、故に光吸収分も減少する。つまり、光透過率
が向上するという原理である。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の第１の実施例を、図１のＭＩ
Ｍ素子形成基板断面図及び図２のＭＩＭ素子形成基板平
面図により説明する。
Ｍ素子形成基板断面図及び図２のＭＩＭ素子形成基板平
面図により説明する。
【００１５】第１の絶縁膜２の形成方法については、第
１の金属１の表面を陽極酸化法などで酸化して形成する
方法が一般的であるが、ＳｉＮｘ、ＳｉＯ2などの絶縁
材料を成膜する方法などもある。本発明の一番の特徴
は、この絶縁膜の上に形成する電極材料をＣｒなどの第
２の金属超薄膜として、さらにその膜を成膜中または成
膜後に酸化することにある。酸化する具体的方法は、色
々あるが、代表的な方法を以下に列挙する。
１の金属１の表面を陽極酸化法などで酸化して形成する
方法が一般的であるが、ＳｉＮｘ、ＳｉＯ2などの絶縁
材料を成膜する方法などもある。本発明の一番の特徴
は、この絶縁膜の上に形成する電極材料をＣｒなどの第
２の金属超薄膜として、さらにその膜を成膜中または成
膜後に酸化することにある。酸化する具体的方法は、色
々あるが、代表的な方法を以下に列挙する。
【００１６】（１）スパッタ成膜中に、Ａｒなどのプラ
ズマガス中にＯ2を混入するリアクティブスパッタ法と
する。
ズマガス中にＯ2を混入するリアクティブスパッタ法と
する。
【００１７】（２）スパッタまたは蒸着成膜後に、熱酸
化またはランプアニールによる酸化を行う。これによ
り、１度金属薄膜として成膜した後でその金属を酸化す
ることになる。
化またはランプアニールによる酸化を行う。これによ
り、１度金属薄膜として成膜した後でその金属を酸化す
ることになる。
【００１８】（３）第２の金属が５００Å以下の超薄膜
の場合、第２の金属成膜中及び成膜後には特に酸化する
工程を設けないで、その次の成膜工程である画素透明電
極形成時に、ＩＴＯターゲットなどを用いてスパッタ成
膜する条件をスパッタ温度２００℃以上にすることまた
はプラズマガス中のＯ2流量比を１％以上にすること。
これにより、画素透明電極を成膜しながら同時に第２の
金属の酸化も行うことができることがわかった。
の場合、第２の金属成膜中及び成膜後には特に酸化する
工程を設けないで、その次の成膜工程である画素透明電
極形成時に、ＩＴＯターゲットなどを用いてスパッタ成
膜する条件をスパッタ温度２００℃以上にすることまた
はプラズマガス中のＯ2流量比を１％以上にすること。
これにより、画素透明電極を成膜しながら同時に第２の
金属の酸化も行うことができることがわかった。
【００１９】以上により、第2の金属酸化物超薄膜３の
可視光透過率が約９９％まで向上するため、ＩＴＯなど
の透明電極だけの透明度と同じとなる。ちなみに、従来
の第２の金属薄膜の可視光透過率は約７０％であったか
ら、３０％程度も透過率が向上したことになる。よっ
て、図2の5に示すようなＩＴＯなどの画素透明電極と共
に同一パターン形状の2層膜パターンとして、ＭＩＭ素
子から画素領域までまたがって形成でき、フォト工程2
回の簡略化したプロセスが可能となる。
可視光透過率が約９９％まで向上するため、ＩＴＯなど
の透明電極だけの透明度と同じとなる。ちなみに、従来
の第２の金属薄膜の可視光透過率は約７０％であったか
ら、３０％程度も透過率が向上したことになる。よっ
て、図2の5に示すようなＩＴＯなどの画素透明電極と共
に同一パターン形状の2層膜パターンとして、ＭＩＭ素
子から画素領域までまたがって形成でき、フォト工程2
回の簡略化したプロセスが可能となる。
【００２０】なお、第２の金属酸化物超薄膜３は、Ｃｒ
などの材料を用いることにより、酸化物となってもＭＩ
Ｍ素子を構成する第２の金属として十分に機能する。す
なわち、ＭＩＭ素子の電気特性の極性差を小さく抑える
ことができるのである。従来からＭＩＭ素子の片側電極
材料はＣｒなどの金属薄膜でなければ、素子の電気特性
の対称性維持ができないという事実が通説となっていた
が、ここで初めて、以上の手段のところで述べたプロセ
スの工夫により、片側電極材料が金属の酸化物でも素子
の電気特性の対称性維持が充分可能であるということが
わかった。これを少し詳しく電気特性グラフに従って説
明する。図６に示す極性差の大きいＭＩＭ素子の電気特
性は、第１の金属＝Ｔａ、第１の絶縁膜＝Ｔａ2Ｏ5、第
２の金属＝Ｃｒとすると、第５図に示す極性差の小さい
ＭＩＭ素子の電気特性となり、この構造が従来から良く
使われてきた。ここで重要なことは、第２の金属＝Ｃｒ
Ｏxとしても第５図に示す極性差の小さいＭＩＭ素子の
電気特性となり、Ｔａ−ＴａＯx−ＣｒＯxＩＴＯという
新しい成膜の組合せが可能となり、しかもＣｒＯx−Ｉ
ＴＯの２層を同一パターンに形成できることである。つ
まり、ＣｒＯxが透明であるためにＩＴＯと同じように
画素透明電極として使えるのである。ここで、ＣｒＯx
の具体的な状態は、Ｃｒ2Ｏ3またはＣｒＯ2、ＣｒＯ3な
どが考えられる。次に本発明の第２の実施例を述べる。
これを、従来のＭＩＭ素子形成基板断面図である図３に
従って説明することにする。この図が初代ＭＩＭの基本
構成をあらわすものであり、第１の金属１の成膜パター
ニング、第２の金属７の成膜パターニング、ＩＴＯなど
の画素透明電極４の成膜パターニングというように少な
くとも3回のパターニングフォト工程が必要である。こ
の場合の第２の金属７の膜厚は、十分に厚くできる。以
上を基本構成とするＭＩＭ素子において、第２の金属７
の膜を例えばリアクティブスパッタなどにより金属酸化
物として成膜する。これにより、金属の陽極酸化などで
形成した第１の絶縁膜のさらなる酸化を進行させ、これ
により第１の絶縁膜内を酸素リッチの状態にする。以上
の第２の実施例に述べたメカニズムは、第１の実施例で
述べた構造と同様となる。ここで、第２の金属７が酸化
されて金属酸化物となった場合、シート抵抗が大きくな
りＭＩＭ素子を構成する第２の金属として必要な電気導
通の機能が果たせなくなる恐れがある。この場合には、
第１の絶縁膜との界面近傍のみ金属酸化物として、その
上の層を金属薄膜とする２層電極構造、または酸化状態
を連続的に変化させて形成する電極構造とすることによ
り、電気導通の機能を果たしながらしかも第１の絶縁膜
を酸素リッチの状態にするという両立も達成できる。
などの材料を用いることにより、酸化物となってもＭＩ
Ｍ素子を構成する第２の金属として十分に機能する。す
なわち、ＭＩＭ素子の電気特性の極性差を小さく抑える
ことができるのである。従来からＭＩＭ素子の片側電極
材料はＣｒなどの金属薄膜でなければ、素子の電気特性
の対称性維持ができないという事実が通説となっていた
が、ここで初めて、以上の手段のところで述べたプロセ
スの工夫により、片側電極材料が金属の酸化物でも素子
の電気特性の対称性維持が充分可能であるということが
わかった。これを少し詳しく電気特性グラフに従って説
明する。図６に示す極性差の大きいＭＩＭ素子の電気特
性は、第１の金属＝Ｔａ、第１の絶縁膜＝Ｔａ2Ｏ5、第
２の金属＝Ｃｒとすると、第５図に示す極性差の小さい
ＭＩＭ素子の電気特性となり、この構造が従来から良く
使われてきた。ここで重要なことは、第２の金属＝Ｃｒ
Ｏxとしても第５図に示す極性差の小さいＭＩＭ素子の
電気特性となり、Ｔａ−ＴａＯx−ＣｒＯxＩＴＯという
新しい成膜の組合せが可能となり、しかもＣｒＯx−Ｉ
ＴＯの２層を同一パターンに形成できることである。つ
まり、ＣｒＯxが透明であるためにＩＴＯと同じように
画素透明電極として使えるのである。ここで、ＣｒＯx
の具体的な状態は、Ｃｒ2Ｏ3またはＣｒＯ2、ＣｒＯ3な
どが考えられる。次に本発明の第２の実施例を述べる。
これを、従来のＭＩＭ素子形成基板断面図である図３に
従って説明することにする。この図が初代ＭＩＭの基本
構成をあらわすものであり、第１の金属１の成膜パター
ニング、第２の金属７の成膜パターニング、ＩＴＯなど
の画素透明電極４の成膜パターニングというように少な
くとも3回のパターニングフォト工程が必要である。こ
の場合の第２の金属７の膜厚は、十分に厚くできる。以
上を基本構成とするＭＩＭ素子において、第２の金属７
の膜を例えばリアクティブスパッタなどにより金属酸化
物として成膜する。これにより、金属の陽極酸化などで
形成した第１の絶縁膜のさらなる酸化を進行させ、これ
により第１の絶縁膜内を酸素リッチの状態にする。以上
の第２の実施例に述べたメカニズムは、第１の実施例で
述べた構造と同様となる。ここで、第２の金属７が酸化
されて金属酸化物となった場合、シート抵抗が大きくな
りＭＩＭ素子を構成する第２の金属として必要な電気導
通の機能が果たせなくなる恐れがある。この場合には、
第１の絶縁膜との界面近傍のみ金属酸化物として、その
上の層を金属薄膜とする２層電極構造、または酸化状態
を連続的に変化させて形成する電極構造とすることによ
り、電気導通の機能を果たしながらしかも第１の絶縁膜
を酸素リッチの状態にするという両立も達成できる。
【００２１】生産効率向上及び歩留まり向上を行い、コ
ストダウンを徹底して行う具体的策の一つに断面図４で
示されるフォト工程２回だけで形成できるＭＩＭがあ
る。本発明は、この第２の金属薄膜８の透過率劣化を抑
え、液晶ディスプレイとして十分な明るさを確保するこ
とができるものである。
ストダウンを徹底して行う具体的策の一つに断面図４で
示されるフォト工程２回だけで形成できるＭＩＭがあ
る。本発明は、この第２の金属薄膜８の透過率劣化を抑
え、液晶ディスプレイとして十分な明るさを確保するこ
とができるものである。
【００２２】第２の金属超薄膜を金属酸化物超薄膜とす
ることにより、可視光透過率が向上するのであるが同一
質量膜厚で比較した場合、金属超薄膜の可視光透過率約
７０％に対して金属酸化物超薄膜の可視光透過率は約９
９％となり大幅に向上する。よって、この金属酸化物超
薄膜の厚みを厚く形成しても簡単に透過率がダウンする
こともなく、そのため５００Å以下という膜厚制限もな
くなり薄膜形成が容易になる。しかも、第２の金属をＣ
ｒとした場合の実験評価結果では、第２の金属を酸化し
てもＭＩＭ素子の電気特性の極性差が、若干のアニール
処理を行うことにより、なくなるか、または非常に少な
くなることが判明した。本発明は、このように液晶ディ
スプレイとしての十分な明るさを維持しながら、フォト
工程を２回まで低減してプロセスの簡略化及び単純化を
図れるものである。
ることにより、可視光透過率が向上するのであるが同一
質量膜厚で比較した場合、金属超薄膜の可視光透過率約
７０％に対して金属酸化物超薄膜の可視光透過率は約９
９％となり大幅に向上する。よって、この金属酸化物超
薄膜の厚みを厚く形成しても簡単に透過率がダウンする
こともなく、そのため５００Å以下という膜厚制限もな
くなり薄膜形成が容易になる。しかも、第２の金属をＣ
ｒとした場合の実験評価結果では、第２の金属を酸化し
てもＭＩＭ素子の電気特性の極性差が、若干のアニール
処理を行うことにより、なくなるか、または非常に少な
くなることが判明した。本発明は、このように液晶ディ
スプレイとしての十分な明るさを維持しながら、フォト
工程を２回まで低減してプロセスの簡略化及び単純化を
図れるものである。
【００２３】本発明はまた、第２の金属を酸化すること
により、第１の金属の表面を酸化してなる第１の絶縁膜
のさなる酸化を進行させ、第１の絶縁膜内を酸素リッチ
の状態にすることができる。これは、第１の金属内の酸
化されていない可動金属イオンの濃度を減少させ、可動
イオンの移動により発生する素子の電気特性のシフトを
なくし、シフトが原因で発生していた液晶ディスプレイ
の残像現象及び焼き付き現象をなくすことができるので
ある。従来からある断面図３で示すＭＩＭにおいても、
第２の金属を酸化することにより、以上述べた可動イオ
ンの移動により発生する素子の電気特性のシフトをなく
すことができるため、残像及び焼き付きなどにおいて同
様の効果が期待できる。
により、第１の金属の表面を酸化してなる第１の絶縁膜
のさなる酸化を進行させ、第１の絶縁膜内を酸素リッチ
の状態にすることができる。これは、第１の金属内の酸
化されていない可動金属イオンの濃度を減少させ、可動
イオンの移動により発生する素子の電気特性のシフトを
なくし、シフトが原因で発生していた液晶ディスプレイ
の残像現象及び焼き付き現象をなくすことができるので
ある。従来からある断面図３で示すＭＩＭにおいても、
第２の金属を酸化することにより、以上述べた可動イオ
ンの移動により発生する素子の電気特性のシフトをなく
すことができるため、残像及び焼き付きなどにおいて同
様の効果が期待できる。
【発明の効果】本発明は、以下に述べる如き顕著な効果
を奏することができる。 （ａ）第１の金属電極、第１の金属電極の陽極酸化膜、
クロム酸化膜からなる２端子素子により、クロム酸化膜
を電極として利用することができ、電気特性の対称性を
維持することができる。 （ｂ）また、クロム酸化膜とＩＴＯとを同一形状に画素
透明電極とすることにより、透過率の高い透過型表示装
置を提供することができる。
を奏することができる。 （ａ）第１の金属電極、第１の金属電極の陽極酸化膜、
クロム酸化膜からなる２端子素子により、クロム酸化膜
を電極として利用することができ、電気特性の対称性を
維持することができる。 （ｂ）また、クロム酸化膜とＩＴＯとを同一形状に画素
透明電極とすることにより、透過率の高い透過型表示装
置を提供することができる。
【図１】 本発明のＭＩＭ素子形成基板断面図。
【図２】 本発明のＭＩＭ素子形成基板平面図。
【図３】 従来のＭＩＭ素子形成基板断面図。
【図４】 従来のフォト工程２回で形成できるＭＩＭ素
子形成基板断面図。
子形成基板断面図。
【図５】 極性差の小さいＭＩＭ素子の電気特性を表す
グラフ。
グラフ。
【図６】 極性差の大きいＭＩＭ素子の電気特性を表す
グラフ。
グラフ。
１ 第１の金属 ２ 第１の絶縁膜 ３ 第２の金属酸化物超薄膜 ４ 画素透明電極 ５ 第２の金属酸化物超薄膜と画素透明電極の２層パ
ターン ６ 第１の金属と第１の絶縁膜の２層パターン ７ 第２の金属 ８ 第２の金属超薄膜 ９ 第１の金属側にマイナス電圧を印加した場合 １０ 第１の金属側にプラス電圧を印加した場合
ターン ６ 第１の金属と第１の絶縁膜の２層パターン ７ 第２の金属 ８ 第２の金属超薄膜 ９ 第１の金属側にマイナス電圧を印加した場合 １０ 第１の金属側にプラス電圧を印加した場合
Claims (1)
- 【請求項１】 信号電極となる第１の金属と、前記第
１の金属の表面を陽極酸化してなる絶縁膜と、少なくと
も前記絶縁膜との界面近傍がＣｒ（クロム）酸化物から
なるとともに膜厚が５００Å以下の第２の金属薄膜がこ
の順に積層されてなる２端子素子と、前記第２の金属薄
膜に接するように前記第２の金属薄膜上に、前記第２の
金属薄膜と同一形状のＩＴＯからなる画素電極とを有す
ることを特徴とする透過型液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11331491A JP3087340B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 透過型液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP11331491A JP3087340B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 透過型液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04340930A JPH04340930A (ja) | 1992-11-27 |
| JP3087340B2 true JP3087340B2 (ja) | 2000-09-11 |
Family
ID=14609093
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP11331491A Expired - Fee Related JP3087340B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 透過型液晶表示装置 |
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Families Citing this family (1)
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|---|---|---|---|---|
| WO1994018600A1 (en) * | 1993-02-10 | 1994-08-18 | Seiko Epson Corporation | Non-linear resistance element, method of its manufacture, and liquid crystal display |
-
1991
- 1991-05-17 JP JP11331491A patent/JP3087340B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04340930A (ja) | 1992-11-27 |
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