JP3078534B1 - Electronic equipment - Google Patents

Electronic equipment

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JP3078534B1
JP3078534B1 JP11082251A JP8225199A JP3078534B1 JP 3078534 B1 JP3078534 B1 JP 3078534B1 JP 11082251 A JP11082251 A JP 11082251A JP 8225199 A JP8225199 A JP 8225199A JP 3078534 B1 JP3078534 B1 JP 3078534B1
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16195Flat cap [not enclosing an internal cavity]

Abstract

【要約】 【課題】 容器を封止するろう材の一部が容器内部に収
容する電子部品に付着して電子部品の正常な作動を妨げ
る。 【解決手段】 絶縁基体1の上面に取着された金属枠体
2の内側に電子部品4を搭載するとともに、金属枠体2
の上面にろう材8を介してシーム溶接により金属蓋体3
を接合して成る電子装置であって、シーム溶接によるろ
う材8の溶融領域W1が、金属蓋体3の外周縁から0.1
mm以上あり、かつ金属枠体2の内周縁から0.05mm以
上離間している。容器の気密性が高く、内部の電子部品
3へのろう材8の付着もない。
A part of a brazing material for sealing a container adheres to an electronic component housed in the container and hinders normal operation of the electronic component. An electronic component (4) is mounted inside a metal frame (2) attached to an upper surface of an insulating substrate (1).
Metal cover 3 by seam welding through brazing material 8 on the upper surface of
Wherein the melting region W1 of the brazing material 8 by seam welding is 0.1 mm from the outer peripheral edge of the metal lid 3.
mm or more and 0.05 mm or more from the inner peripheral edge of the metal frame 2. The airtightness of the container is high, and there is no adhesion of the brazing material 8 to the internal electronic components 3.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、セラミックス等の
絶縁基体と金属蓋体とから成る容器の内部に圧電振動子
や半導体素子等の電子部品を気密に収容して成る電子装
置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic device in which electronic components such as a piezoelectric vibrator and a semiconductor element are hermetically housed in a container formed of an insulating base such as ceramics and a metal cover. .

【0002】[0002]

【従来の技術】圧電振動子や半導体素子等の電子部品
は、この電子部品を収容するための容器内に気密に収容
されることによって製品としての電子装置となる。
2. Description of the Related Art Electronic components such as a piezoelectric vibrator and a semiconductor element are air-tightly accommodated in a container for accommodating the electronic components to become an electronic device as a product.

【0003】かかる電子装置において最も信頼性の高い
とされるものは、酸化アルミニウム質焼結体等のセラミ
ックスから成り、上面中央部に電子部品が搭載される搭
載部を有する絶縁基体と、この絶縁基体の上面に搭載部
を取り囲むようにして取着された鉄−ニッケル合金や鉄
−ニッケル−コバルト合金から成る金属枠体と、この金
属枠体にシーム溶接により接合される鉄−ニッケル合金
や鉄−ニッケル−コバルト合金から成る金属蓋体とから
構成される容器内部に電子部品を気密に封止したタイプ
のものである。
[0003] Among the electronic devices, the most reliable one is an insulating base made of ceramics such as an aluminum oxide sintered body and having a mounting portion for mounting electronic components at the center of the upper surface. A metal frame made of an iron-nickel alloy or an iron-nickel-cobalt alloy attached to the upper surface of the base so as to surround the mounting portion; and an iron-nickel alloy or iron joined to the metal frame by seam welding. -An electronic component is hermetically sealed inside a container composed of a metal cover made of a nickel-cobalt alloy.

【0004】このタイプの電子装置は、絶縁基体の搭載
部に電子部品を搭載した後、絶縁基体に取着された金属
枠体に金属蓋体を載置して、この金属蓋体の外周縁にシ
ーム溶接機の一対のローラー電極を接触させながら転動
させるとともにこのローラー電極間に溶接のための大電
流を流し、金属枠体に金属蓋体をシーム溶接することに
よって製作される。
In an electronic device of this type, after mounting an electronic component on a mounting portion of an insulating base, a metal lid is mounted on a metal frame attached to the insulating base, and an outer peripheral edge of the metal lid is mounted. The roller is rolled while a pair of roller electrodes of a seam welding machine are brought into contact with each other, a large current for welding is passed between the roller electrodes, and a metal lid is seam-welded to a metal frame.

【0005】なお、このタイプの電子装置においては、
通常は金属枠体および金属蓋体の表面に予めニッケルめ
っき膜および金めっき膜が被着されており、シーム溶接
の熱によりこれらのニッケルめっき膜および金めっき膜
の一部を溶融させることによって金属枠体と金属蓋体と
が溶接される。
In this type of electronic device,
Normally, a nickel plating film and a gold plating film are previously applied to the surfaces of the metal frame and the metal lid, and a part of the nickel plating film and the gold plating film is melted by heat of seam welding to form a metal. The frame and the metal lid are welded.

【0006】しかしながら、このタイプの電子装置で
は、金属枠体に金属蓋体をシーム溶接する際に金属枠体
および金属蓋体に被着させたニッケルめっきおよび金め
っきを溶融させる必要があることから、溶接部に約1000
℃を超える高温が印加される。
However, in this type of electronic device, it is necessary to melt the nickel plating and the gold plating adhered to the metal frame and the metal lid when the metal lid is seam-welded to the metal frame. , About 1000 to weld
High temperatures above ℃ are applied.

【0007】このような約1000℃を超える高温が溶接部
に印加されると、これが大きな熱衝撃として絶縁基体に
伝わり、その結果、この大きな熱衝撃により絶縁基体に
クラックが発生してしまいやすいという問題点を有して
いた。
When such a high temperature exceeding about 1000 ° C. is applied to the welded portion, this is transmitted as a large thermal shock to the insulating substrate, and as a result, cracks are likely to occur in the insulating substrate due to the large thermal shock. Had problems.

【0008】そこで、金属枠体と金属蓋体とをシーム溶
接する際に金属枠体と金属蓋体との間に融点が約800 ℃
以下のろう材を介在させて溶接した電子装置が提案され
ている。この電子装置によれば、シーム溶接の際に金属
枠体と金属蓋体との間に介在させた融点が約800 ℃以下
のろう材を溶融させることで金属枠体と金属蓋体とを接
合することができるので、溶接部に1000℃を超えるよう
な高温を印加する必要がない。したがって、金属枠体に
金属蓋体をシーム溶接する際に絶縁基体に大きな熱衝撃
が印加されることがなく、絶縁基体にクラックが発生す
ることを有効に防止することができる。
Therefore, when seam welding the metal frame and the metal lid, the melting point between the metal frame and the metal lid is about 800 ° C.
An electronic device welded with the following brazing material interposed has been proposed. According to this electronic device, the metal frame and the metal lid are joined by melting a brazing material having a melting point of about 800 ° C. or less interposed between the metal frame and the metal lid during seam welding. Therefore, it is not necessary to apply a high temperature exceeding 1000 ° C. to the welded portion. Therefore, a large thermal shock is not applied to the insulating base when the metal lid is seam-welded to the metal frame, and it is possible to effectively prevent the occurrence of cracks in the insulating base.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この金
属枠体と金属蓋体とを両者の間に融点が約800 ℃以下の
ろう材を介在させてシーム溶接により接合した容器の内
部に電子部品を気密に収容したタイプの電子装置では、
金属枠体と金属蓋体とを間にろう材を介してシーム溶接
する際に、シーム溶接の熱により溶融したろう材の一部
が容器内部に飛び散って内部の電子部品に付着し、その
結果、電子部品の正常な作動を妨げてしまうことがある
という問題点があった。
However, an electronic component is placed inside a container in which the metal frame and the metal lid are joined by seam welding with a brazing material having a melting point of about 800 ° C. or less interposed therebetween. In electronic devices of the type that is housed in an airtight manner,
When seam welding is performed between the metal frame and the metal lid via a brazing material therebetween, a part of the brazing material melted by the heat of the seam welding scatters inside the container and adheres to the internal electronic components. However, there has been a problem that the normal operation of electronic components may be hindered.

【0010】本発明は、かかる問題点に鑑み案出された
ものであり、その目的は、内部の電子部品へのろう材の
付着がなく、電子部品を正常に作動させることができる
電子装置を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide an electronic device capable of operating electronic components normally without the attachment of brazing material to the internal electronic components. To provide.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明の電子装置は、絶
縁基体の上面に取着された金属枠体の内側に電子部品を
搭載するとともに、前記金属枠体の上面にろう材を介し
てシーム溶接により金属蓋体を接合して成る電子装置で
あって、前記シーム溶接による前記ろう材の溶融領域
が、前記金属蓋体の外周縁から0.1 mm以上あり、かつ
前記金属枠体の内周縁から0.05mm以上離間しているこ
とを特徴とするものである。
According to an electronic device of the present invention, an electronic component is mounted inside a metal frame attached to an upper surface of an insulating base and a brazing material is interposed on the upper surface of the metal frame. An electronic device in which a metal lid is joined by seam welding, wherein a melting region of the brazing material by the seam welding is 0.1 mm or more from an outer peripheral edge of the metal lid and an inner peripheral edge of the metal frame. And at least 0.05 mm apart from the

【0012】また、本発明の電子装置は、絶縁基体の上
面に被着された枠状のメタライズ金属層の内側に電子部
品を搭載するとともに、前記メタライズ金属層の上面に
ろう材を介してシーム溶接により金属蓋体を接合して成
る電子装置であって、前記シーム溶接による前記ろう材
の溶融領域が、前記金属蓋体の外周縁から0.1 mm以上
あり、かつ前記メタライズ金属層の内周縁から0.05mm
以上離間していることを特徴とするものである。
Further, in the electronic device of the present invention, an electronic component is mounted inside a frame-shaped metallized metal layer attached to an upper surface of an insulating base, and a seam is formed on the upper surface of the metallized metal layer via a brazing material. An electronic device in which a metal lid is joined by welding, wherein a melting region of the brazing material by the seam welding is 0.1 mm or more from an outer peripheral edge of the metal lid and from an inner peripheral edge of the metallized metal layer. 0.05mm
It is characterized by being separated as described above.

【0013】本発明の電子装置によれば、シーム溶接に
よるろう材の溶融領域が、金属蓋体の外周縁から0.1 m
m以上あり、かつ金属枠体やメタライズ金属層の内周縁
から0.05mm以上離間していることから、金属蓋体を絶
縁基体に取着された金属枠体や絶縁基体のメタライズ金
属層に間にろう材を介してシーム溶接する際にシーム溶
接の熱により溶融したろう材の一部が容器内部に飛び散
ろうとしても、その飛び散りは金属枠体やメタライズ金
属層の内周縁側の溶融していないろう材によって有効に
防止されるとともに、金属蓋体の外周縁からの溶融領域
が0.1 mm以上のろう材で金属蓋体と金属枠体やメタラ
イズ金属層とが強固に接合される。
According to the electronic device of the present invention, the melting region of the brazing material by seam welding is 0.1 m from the outer peripheral edge of the metal lid.
m or more, and is separated from the inner peripheral edge of the metal frame or metallized metal layer by 0.05 mm or more, so that the metal lid is interposed between the metal frame and the metallized metal layer of the insulating base attached to the insulating base. When a part of the brazing material melted by the heat of the seam welding attempts to scatter into the container during seam welding via the brazing material, the splatter is melted on the inner peripheral side of the metal frame or the metallized metal layer. The metal lid is effectively prevented by the brazing filler metal, and the metal lid and the metal frame or the metallized metal layer are firmly joined by a brazing filler metal having a melting area from the outer peripheral edge of the metal lid of 0.1 mm or more.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】次に、本発明の電子装置を添付の
図面を基に説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, an electronic device according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

【0015】図1は、本発明の電子装置の実施の形態の
一例を示した断面図である。同図において1は絶縁基
体、2は絶縁基体1に取着された金属枠体、3は金属蓋
体、4は例えば圧電振動子や半導体素子等の電子部品で
ある。そして、金属枠体2が取着された絶縁基体1と金
属蓋体3とから成る容器の内部に電子部品4を気密に収
容することによって電子装置が構成されている。
FIG. 1 is a sectional view showing an example of an embodiment of the electronic device of the present invention. In the figure, 1 is an insulating base, 2 is a metal frame attached to the insulating base 1, 3 is a metal lid, and 4 is an electronic component such as a piezoelectric vibrator or a semiconductor element. The electronic device is configured by hermetically housing the electronic component 4 in a container including the insulating base 1 to which the metal frame 2 is attached and the metal lid 3.

【0016】絶縁基体1は、電子部品4を支持する支持
体として機能するものであり、酸化アルミニウム質焼結
体や窒化アルミニウム質焼結体等のセラミックスから成
り、例えばその上面中央部に電子部品3を収容するため
の凹部Aを有している。そして凹部Aの底面は電子部品
4を搭載するための搭載部1aを形成しており、搭載部
1aに電子部品4が搭載されている。
The insulating substrate 1 functions as a support for supporting the electronic component 4 and is made of a ceramic such as an aluminum oxide sintered body or an aluminum nitride sintered body. 3 is provided. The bottom surface of the recess A forms a mounting portion 1a for mounting the electronic component 4, and the electronic component 4 is mounted on the mounting portion 1a.

【0017】絶縁基体1は、例えば酸化アルミニウム質
焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム・酸化
珪素・酸化マグネシウム・酸化カルシウム等の原料粉末
に適当な有機バインダ・溶剤を添加混合して泥漿状とな
すとともに、これを従来周知のドクターブレード法やカ
レンダーロール法を採用することによってセラミックグ
リーンシートとなし、しかる後、このセラミックグリー
ンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともに複数枚積
層し、高温で焼成することによって製作される。
If the insulating substrate 1 is made of, for example, an aluminum oxide sintered body, a suitable organic binder and a solvent are added to a raw material powder such as aluminum oxide, silicon oxide, magnesium oxide, calcium oxide, etc., and mixed. The ceramic green sheet is formed by adopting a doctor blade method or a calender roll method, which is well known in the art, and thereafter, a plurality of ceramic green sheets are subjected to appropriate punching and laminated at a high temperature. It is manufactured by firing.

【0018】また、絶縁基体1には、搭載部1aの上面
から絶縁基体1の下面にかけて導出するタングステンや
モリブデン等の金属粉末メタライズから成るメタライズ
配線層5が被着形成されている。
Further, a metallized wiring layer 5 made of metal powder of a metal powder such as tungsten or molybdenum, which extends from the upper surface of the mounting portion 1a to the lower surface of the insulating substrate 1, is formed on the insulating substrate 1.

【0019】メタライズ配線層5は、電子部品4の各電
極を外部に電気的に導出するための導電路として機能
し、その搭載部1a上面部位には電子部品4の電極が例
えば導電性接着剤を介して電気的に接続されている。そ
して、メタライズ配線層5の絶縁基体1の下面に導出し
た部位は、外部電気回路基板(図示せず)の配線導体に
例えば半田を介して電気的に接続される。
The metallized wiring layer 5 functions as a conductive path for electrically leading each electrode of the electronic component 4 to the outside, and the electrode of the electronic component 4 is provided with a conductive adhesive on the upper surface of the mounting portion 1a. Are electrically connected via The portion of the metallized wiring layer 5 extending to the lower surface of the insulating base 1 is electrically connected to a wiring conductor of an external electric circuit board (not shown) via, for example, solder.

【0020】メタライズ配線層5は、例えばタングステ
ン粉末メタライズから成る場合であれば、タングステン
粉末に適当な有機バインダ・溶剤を添加混合して得たタ
ングステンペーストを絶縁基体1となるセラミックグリ
ーンシートに従来周知のスクリーン印刷法により所定パ
ターンに印刷塗布し、これを絶縁基体1となるセラミッ
クグリーンシートとともに焼成することによって、絶縁
基体1の搭載部1a上面から下面にかけて所定パターン
に被着導出される。
When the metallized wiring layer 5 is made of, for example, metallized tungsten powder, a tungsten paste obtained by adding and mixing an appropriate organic binder and solvent to the tungsten powder is conventionally known on a ceramic green sheet to be used as the insulating substrate 1. Is printed and applied in a predetermined pattern by the screen printing method described above, and is fired together with the ceramic green sheet to be the insulating base 1, so that the insulating base 1 is attached and derived in a predetermined pattern from the upper surface to the lower surface of the mounting portion 1a.

【0021】なお、メタライズ配線層5は、その露出す
る表面にニッケル・金等の耐食性に優れ、かつ半田との
濡れ性に優れる金属をメッキ法により1〜20μmの厚み
に被着させておくと、メタライズ配線層5の酸化腐食を
有効に防止することができるとともに、メタライズ配線
層5と外部電気回路基板の配線導体との接続を強固なも
のとなすことができる。従って、メタライズ配線層5の
表面にはニッケル・金等の耐食性に優れ、かつ半田との
濡れ性に優れる金属をメッキ法により1〜20μmの厚み
に被着させておくことが好ましい。
The metallized wiring layer 5 is preferably provided with a metal having excellent corrosion resistance such as nickel and gold and excellent wettability with solder to a thickness of 1 to 20 μm on the exposed surface by plating. In addition, oxidation corrosion of the metallized wiring layer 5 can be effectively prevented, and the connection between the metallized wiring layer 5 and the wiring conductor of the external electric circuit board can be made strong. Therefore, it is preferable that a metal having excellent corrosion resistance, such as nickel and gold, and excellent in wettability with solder is applied to the surface of the metallized wiring layer 5 to a thickness of 1 to 20 μm by plating.

【0022】さらに、絶縁基体1の上面外周部には、幅
が0.3 〜0.5 mm程度で、厚みが10〜50μm程度の枠状
のメタライズ金属層6が搭載部1aを取り囲むようにし
て被着形成されている。このメタライズ金属層6には金
属枠体2が銀−銅ろう等のろう材7を介して取着されて
いる。
Further, a frame-shaped metallized metal layer 6 having a width of about 0.3 to 0.5 mm and a thickness of about 10 to 50 μm is formed on the outer peripheral portion of the upper surface of the insulating base 1 so as to surround the mounting portion 1a. Have been. The metal frame 2 is attached to the metallized metal layer 6 via a brazing material 7 such as silver-copper brazing.

【0023】メタライズ金属層6は、絶縁基体1に金属
枠体2を接合させるための下地金属として機能し、タン
グステン・モリブデン等の金属粉末メタライズから成
る。例えばタングステン粉末メタライズから成る場合で
あれば、タングステン粉末に適当な有機バインダ・溶剤
を添加混合して得たタングステンペーストを絶縁基体1
となるセラミックグリーンシート上に従来周知のスクリ
ーン印刷法を採用して予め所定厚み、所定パターンに印
刷塗布し、これを絶縁基体1となるセラミックグリーン
シートとともに焼成することによって、絶縁基体1の上
面に搭載部1aを取り囲むようにして枠状に被着形成さ
れる。
The metallized metal layer 6 functions as a base metal for joining the metal frame 2 to the insulating base 1, and is made of metal powder such as tungsten and molybdenum. For example, in the case of tungsten powder metallization, a tungsten paste obtained by adding and mixing an appropriate organic binder and solvent to tungsten powder is used as an insulating substrate 1
By applying a conventionally known screen printing method on a ceramic green sheet to become a predetermined thickness and a predetermined pattern in advance and firing it together with the ceramic green sheet to become the insulating base 1, the upper surface of the insulating base 1 is formed. It is formed in a frame shape so as to surround the mounting portion 1a.

【0024】なお、メタライズ金属層6は、その表面に
ニッケル・金等の耐食性に優れ、かつろう材7との濡れ
性に優れる金属をメッキ法により1〜20μmの厚みに被
着させておくと、メタライズ金属層6が酸化腐食するの
を有効に防止することができるとともに、メタライズ金
属層6へのろう材7を介した金属枠体2の取着を強固な
ものとなすことができる。従って、メタライズ金属層6
の表面には、ニッケルや金等の耐食性に優れ、かつろう
材7との濡れ性に優れる金属をめっき法により1〜20μ
mの厚みに被着させておくことが好ましい。
The metallized metal layer 6 is preferably formed by plating a metal having excellent corrosion resistance, such as nickel and gold, and excellent wettability with the brazing material 7 to a thickness of 1 to 20 μm on the surface thereof by plating. In addition, the metallized metal layer 6 can be effectively prevented from being oxidized and corroded, and the attachment of the metal frame 2 to the metallized metal layer 6 via the brazing material 7 can be made strong. Therefore, the metallized metal layer 6
Is coated with a metal having excellent corrosion resistance, such as nickel or gold, and excellent wettability with the brazing material 7 by 1 to 20 μm by plating.
m.

【0025】また、メタライズ金属層6に取着された金
属枠体2は、鉄−ニッケル合金や鉄−ニッケル−コバル
ト合金等の金属から形成されており、例えば幅が0.2 〜
0.5mm程度、厚みが0.2 〜0.5 mm程度である。
The metal frame 2 attached to the metallized metal layer 6 is made of a metal such as an iron-nickel alloy or an iron-nickel-cobalt alloy and has a width of, for example, 0.2 to 0.2.
The thickness is about 0.5 mm and the thickness is about 0.2 to 0.5 mm.

【0026】金属枠体2は、絶縁基体1に金属蓋体3を
溶接するための下地金属部材として機能し、その上面に
は金属蓋体3が間にろう材8を介してシーム溶接されて
いる。
The metal frame 2 functions as a base metal member for welding the metal cover 3 to the insulating base 1. The metal cover 3 is seam-welded to the upper surface thereof with a brazing material 8 interposed therebetween. I have.

【0027】なお、金属枠体2は、その表面にニッケル
や金等の耐食性に優れ、かつろう材8との濡れ性に優れ
る金属をメッキ法により1〜20μmの厚みに被着させて
おくと、金属枠体2が酸化腐食するのを有効に防止する
ことができるとともに、金属枠体2へのろう材8を介し
た金属蓋体3のシーム溶接を強固なものとなすことがで
きる。従って、金属枠体2の表面には、ニッケルや金等
の耐食性に優れ、かつろう材8との濡れ性に優れる金属
をめっき法により1〜20μmの厚みに被着させておくこ
とが好ましい。
The metal frame 2 is preferably coated with a metal having excellent corrosion resistance such as nickel and gold and excellent wettability with the brazing material 8 to a thickness of 1 to 20 μm by plating on the surface thereof. In addition, the metal frame 2 can be effectively prevented from being oxidized and corroded, and the seam welding of the metal lid 3 to the metal frame 2 via the brazing material 8 can be made strong. Therefore, it is preferable to apply a metal having excellent corrosion resistance, such as nickel or gold, and excellent wettability with the brazing material 8 to a thickness of 1 to 20 μm on the surface of the metal frame 2 by plating.

【0028】また、金属枠体2にシーム溶接された金属
蓋体3は、厚みが0.1 mm程度の鉄−ニッケル合金板あ
るいは鉄−ニッケル−コバルト合金板から成り、絶縁基
体1に取着された金属枠体2に間にろう材8を介してシ
ーム溶接により接合されることにより、絶縁基体1との
間で電子部品4を気密に封止している。
The metal lid 3 seam-welded to the metal frame 2 is made of an iron-nickel alloy plate or an iron-nickel-cobalt alloy plate having a thickness of about 0.1 mm, and is attached to the insulating base 1. The electronic component 4 is hermetically sealed with the insulating base 1 by being joined to the metal frame 2 by seam welding with the brazing material 8 interposed therebetween.

【0029】金属蓋体3と金属枠体2とのシーム溶接に
よる接合は、平板状の金属蓋体2を絶縁基体1に取着さ
れた金属枠体2に間にろう材8を配置して載置するとと
もに、金属蓋体3の外周縁にシーム溶接機の一対のロー
ラー電極を接触させながら転動させ、このローラー電極
間に溶接のための大電流を流し、ローラー電極と金属蓋
体との接触部をジュール発熱させて、この熱を金属蓋体
3の下面に伝達させてろう材8の一部8aを溶融させる
ことによって行なわれている。
The joining of the metal lid 3 and the metal frame 2 by seam welding is performed by disposing a brazing material 8 between the flat metal lid 2 and the metal frame 2 attached to the insulating base 1. While being mounted, a pair of roller electrodes of a seam welding machine are rolled while being brought into contact with the outer peripheral edge of the metal lid 3, and a large current for welding is passed between the roller electrodes, and the roller electrode and the metal lid are The heat is transmitted to the lower surface of the metal lid 3 to melt a part 8a of the brazing material 8 by causing Joule heat to be generated at the contact portion.

【0030】また、金属蓋体3と金属枠体2との間に配
されるろう材8は、銀−銅合金や金−錫合金・鉛−錫合
金・アルミニウム−シリコン合金・銅−亜鉛合金・銀−
銅−リン合金あるいは銀−インジウム−錫合金等から成
り、金属蓋体3を金属枠体2に接合するための接合材と
して機能し、金属蓋体3の外周縁とローラー電極との接
触部に発生するジュール発熱による熱が金属蓋体3の下
面外周部に伝達されることによって、この熱に応じた溶
融領域W1をもってその一部8aが溶融する。
The brazing material 8 disposed between the metal lid 3 and the metal frame 2 is made of silver-copper alloy, gold-tin alloy, lead-tin alloy, aluminum-silicon alloy, copper-zinc alloy.・ Silver
It is made of a copper-phosphorus alloy or a silver-indium-tin alloy and functions as a joining material for joining the metal lid 3 to the metal frame 2, and is provided at a contact portion between the outer peripheral edge of the metal lid 3 and the roller electrode. When the heat generated by the generated Joule heat is transmitted to the outer peripheral portion of the lower surface of the metal lid 3, a part 8a of the metal cover 3 is melted with a melting area W1 corresponding to the heat.

【0031】なお、ろう材8は、金属蓋体3と金属枠体
2との間に配置させる際に、その配置の作業性を良好と
するために、予め金属蓋体3の下面にクラッド法やめっ
き法等により厚みが10〜50μm程度に被着されている。
When the brazing material 8 is disposed between the metal cover 3 and the metal frame 2, the lower surface of the metal cover 3 is clad in advance in order to improve the workability of the arrangement. And a thickness of about 10 to 50 μm by plating or the like.

【0032】そして、本発明の電子装置においては、こ
の時の溶融したろう材8aの溶融領域W1を、金属蓋体
3の外周縁から0.1 mm以上であり、かつ金属枠体2の
内周縁に対から0.05mm以上離間したものとすることが
重要である。
In the electronic device of the present invention, the molten region W1 of the molten brazing material 8a at this time is set to be 0.1 mm or more from the outer peripheral edge of the metal cover 3 and to the inner peripheral edge of the metal frame 2. It is important that the distance from the pair is 0.05 mm or more.

【0033】溶融したろう材8aの溶融領域W1を金属
蓋体3の外周縁から0.1 mm以上でかつ金属枠体2の内
周縁から0.05mm以上離間したものとすることで、絶縁
基体1に取着された金属枠体2と金属蓋体3とを気密性
高くかつ強固に接合することができるとともに、溶融し
たろう材8aの一部が絶縁基体1の凹部1a内に飛び散
ろうとしても、その飛び散りは、溶融したろう材8aの
内側にある溶融していないろう材8が障壁となって有効
に阻止される。その結果、絶縁基体1の凹部1a内に収
容された電子部品4に溶融したろう材8aの一部が付着
して電子部品3の正常な作動を妨げてしまうことはな
い。
The molten region W1 of the molten brazing material 8a is separated from the outer peripheral edge of the metal cover 3 by 0.1 mm or more and separated from the inner peripheral edge of the metal frame 2 by 0.05 mm or more, so that The attached metal frame 2 and metal lid 3 can be joined with high airtightness and firmly, and even if a part of the molten brazing material 8a tries to fly into the recess 1a of the insulating base 1, The scattering is effectively prevented by the unmelted brazing material 8 inside the molten brazing material 8a serving as a barrier. As a result, a part of the melted brazing material 8a does not adhere to the electronic component 4 accommodated in the concave portion 1a of the insulating base 1 and does not hinder the normal operation of the electronic component 3.

【0034】なお、溶融したろう材8aの溶融領域W1
が金属蓋体3の外周縁から0.1 mm未満となると、絶縁
基体1に取着された金属枠体2と金属蓋体3とを気密性
高くかつ強固に接合することが困難となってしまう傾向
がある。また、溶融したろう材8aの溶融領域W1が金
属枠体2の内周縁に対し0.05mm未満に近接すると、溶
融したろう材8aの一部が絶縁基体1の凹部1a内に露
出して飛び散り、凹部1a内部に収容する電子部品4に
付着して電子部品4の正確な作動を損ねてしまう傾向が
ある。したがって、溶融したろう材8aの溶融領域W1
は、金属蓋体3の外周縁から0.1 mm以上であり、かつ
金属枠体2の内周縁から0.05mm以上離間していること
が必要である。
The molten region W1 of the molten brazing material 8a
Is less than 0.1 mm from the outer peripheral edge of the metal lid 3, it becomes difficult to join the metal frame 2 and the metal lid 3 attached to the insulating base 1 with high airtightness and firmly. There is. When the molten region W1 of the molten brazing material 8a approaches less than 0.05 mm with respect to the inner peripheral edge of the metal frame 2, a part of the molten brazing material 8a is exposed and scatters in the concave portion 1a of the insulating base 1, It tends to adhere to the electronic component 4 housed inside the concave portion 1a and impair the accurate operation of the electronic component 4. Therefore, the melting region W1 of the molten brazing material 8a
Must be 0.1 mm or more from the outer peripheral edge of the metal lid 3 and 0.05 mm or more from the inner peripheral edge of the metal frame 2.

【0035】なお、溶融したろう材8aの溶融領域W1
を金属蓋体3の外周縁から0.1 mm以上でかつ金属枠体
2の内周縁から0.05mm以上離間したものとするには、
金属蓋体3の外周縁にシーム溶接機のローラー電極を転
動させながら、このローラー電極間にシーム溶接のため
の電流を流してシーム溶接する際にローラー電極間に流
れる電流の大きさやローラー電極の転動速度等をろう材
8の種類や金属蓋体3と金属枠体2との対向幅W2に応
じて適当な値に調整すればよい。
The molten region W1 of the molten brazing material 8a
Is set to be 0.1 mm or more from the outer peripheral edge of the metal lid 3 and 0.05 mm or more from the inner peripheral edge of the metal frame 2.
While rolling the roller electrode of the seam welding machine on the outer peripheral edge of the metal cover 3, a current for seam welding is supplied between the roller electrodes to perform the seam welding. May be adjusted to an appropriate value according to the type of the brazing material 8 and the facing width W2 between the metal lid 3 and the metal frame 2.

【0036】かくして、本発明の電子装置によれば、金
属枠体2が取着された絶縁基体1と金属蓋体3とから成
る容器の内部に電子部品4がその正常な作動を妨げられ
ることなく気密性高く収容された電子装置が得られる。
Thus, according to the electronic device of the present invention, the normal operation of the electronic component 4 is prevented inside the container including the insulating base 1 to which the metal frame 2 is attached and the metal lid 3. Thus, an electronic device housed with high airtightness can be obtained.

【0037】なお、本発明は、上述の実施の形態の一例
に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない
範囲であれば、種々の変更が可能であることはいうまで
もない。例えば、上述の実施の形態の一例では、金属蓋
体3は、絶縁基体1に取着された金属枠体2にシーム溶
接されていたが、金属蓋体3は必ずしも金属枠体2を介
して絶縁基体1に接合される必要はない。例えば、図2
に断面図で示すように、絶縁基体1のメタライズ金属層
6に金属枠体2を取着せずに、金属蓋体3をメタライズ
金属層6にろう材8を介して直接シーム溶接してもよ
い。この場合、ろう材8の溶融領域W1は、金属蓋体3
の外周縁から0.1 mm以上あり、かつメタライズ金属層
6の内周縁から0.05mm以上離間したものとすることが
必要である。
It is to be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and it is needless to say that various modifications can be made without departing from the scope of the present invention. For example, in the example of the above-described embodiment, the metal lid 3 is seam-welded to the metal frame 2 attached to the insulating base 1, but the metal lid 3 is not necessarily provided via the metal frame 2. It is not necessary to be joined to the insulating base 1. For example, FIG.
As shown in a sectional view, the metal lid 3 may be directly seam-welded to the metallized metal layer 6 via the brazing material 8 without attaching the metal frame 2 to the metallized metal layer 6 of the insulating base 1. . In this case, the melting region W1 of the brazing material 8 is
Is required to be at least 0.1 mm from the outer peripheral edge of the metallized metal layer 6 and separated from the inner peripheral edge of the metallized metal layer 6 by at least 0.05 mm.

【0038】[0038]

【発明の効果】本発明の電子装置によれば、シーム溶接
によるろう材の溶融領域が金属蓋体の外周縁から0.1 m
m以上あり、かつ金属枠体やメタライズ金属層の内周縁
から0.05mm以上離間していることから、金属蓋体を絶
縁基体に取着された金属枠体や絶縁基体のメタライズ金
属層に間にろう材を介してシーム溶接する際にシーム溶
接の熱により溶融したろう材の一部が容器内部に飛び散
ろうとしても、その飛び散りは内側の溶融していないろ
う材によって有効に防止されるとともに、金属蓋体の外
周縁からの溶融領域が0.1 mm以上のろう材で金属蓋体
とメタライズ金属層とが強固に接合される。その結果、
内部に収容する電子部品へのろう材の付着がなく、電子
部品を正常に作動させることができるとともに、電子部
品を気密性高く封止した電子装置を提供することができ
る。
According to the electronic device of the present invention, the melting region of the brazing material by seam welding is 0.1 m from the outer peripheral edge of the metal lid.
m or more, and is separated from the inner peripheral edge of the metal frame or metallized metal layer by 0.05 mm or more, so that the metal lid is interposed between the metal frame and the metallized metal layer of the insulating base attached to the insulating base. Even if a part of the brazing material melted by the heat of seam welding attempts to fly into the container when seam welding is performed via the brazing material, the scattering is effectively prevented by the unmelted brazing material inside. The metal cover and the metallized metal layer are firmly joined by a brazing material whose melting area from the outer peripheral edge of the metal cover is 0.1 mm or more. as a result,
It is possible to provide an electronic device in which the electronic component can be normally operated without the attachment of the brazing material to the electronic component housed therein, and the electronic component is hermetically sealed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の電子装置の実施の形態の一例を示す断
面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an example of an embodiment of an electronic device of the present invention.

【図2】本発明の電子装置の実施の形態の他の例を示す
断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing another example of the embodiment of the electronic device of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・・・絶縁基体 1a・・・・搭載部 2・・・・・金属枠体 3・・・・・金属蓋体 4・・・・・電子部品 6・・・・・メタライズ金属層 8・・・・・ろう材 W1・・・・・ろう材の溶融領域 W2・・・・・金属枠体の上面と金属蓋体との対向幅 W3・・・・・メタライズ金属層の上面と金属蓋体との
対向幅
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Insulating base 1a ... Mounting part 2 ... Metal frame 3 ... Metal cover 4 ... Electronic parts 6 ... Metallized metal layer 8 Brazing material W1 Melting region of brazing material W2 ... Opposing width between upper surface of metal frame and metal lid W3 ... Upper surface of metallized metal layer Width facing metal lid

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 絶縁基体の上面に取着された金属枠体の
内側に電子部品を搭載するとともに、前記金属枠体の上
面にろう材を介してシーム溶接により金属蓋体を接合し
て成る電子装置であって、前記シーム溶接による前記ろ
う材の溶融領域が、前記金属蓋体の外周縁から0.1m
m以上あり、かつ前記金属枠体の内周縁から0.05m
m以上離間していることを特徴とする電子装置。
An electronic component is mounted inside a metal frame attached to an upper surface of an insulating base, and a metal lid is joined to the upper surface of the metal frame by seam welding via a brazing material. An electronic device, wherein a melting region of the brazing material by the seam welding is 0.1 m from an outer peripheral edge of the metal lid.
m or more, and 0.05 m from the inner peripheral edge of the metal frame.
An electronic device, which is separated by at least m.
【請求項2】 絶縁基体の上面に被着された枠状のメタ
ライズ金属層の内側に電子部品を搭載するとともに、前
記メタライズ金属層の上面にろう材を介してシーム溶接
により金属蓋体を接合して成る電子装置であって、前記
シーム溶接による前記ろう材の溶融領域が、前記金属蓋
体の外周縁から0.1mm以上あり、かつ前記メタライ
ズ金属層の内周縁から0.05mm以上離間しているこ
とを特徴とする電子装置。
2. An electronic component is mounted inside a frame-shaped metallized metal layer attached to an upper surface of an insulating base, and a metal lid is joined to the upper surface of the metalized metal layer by seam welding via a brazing material. The molten region of the brazing material by the seam welding is 0.1 mm or more from an outer peripheral edge of the metal lid, and is separated by 0.05 mm or more from an inner peripheral edge of the metallized metal layer. An electronic device, comprising:
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