JP3076831B2 - Device test equipment - Google Patents

Device test equipment

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JP3076831B2
JP3076831B2 JP01303745A JP30374589A JP3076831B2 JP 3076831 B2 JP3076831 B2 JP 3076831B2 JP 01303745 A JP01303745 A JP 01303745A JP 30374589 A JP30374589 A JP 30374589A JP 3076831 B2 JP3076831 B2 JP 3076831B2
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典雄 大谷
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Description

【発明の詳細な説明】 イ.産業上の利用分野 本発明は素子試験装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION TECHNICAL FIELD The present invention relates to an element test device.

ロ.従来技術 一般に、IC(Integrated Circuit)の組立工程におい
てスクライブ工程によってウエハを切り離す前に、ウエ
ハ上に形成された各ICチップの電気的な試験を行うこと
によりそれらの不良品を検出するウエハの検査工程が行
われている。これは、通常主に、プローバ(Prober)と
呼ばれる、多数のプローブ(各ICチップの各パッドに電
気的に接触させるための針)が設けられたプローブカー
ドを有する装置と、ICテスタと呼ばれる高速の自動測定
装置とで構成されたテスト・システムによって行われ
る。即ち、ICテスタにより上記プローブを通してICチッ
プの各パッド(入力パッド)に所定の信号を送り込み、
その結果を出力パッドに接触されたプローブを通してIC
テスタで測定することによって各ICチップが良品と不良
品とに選別される。この選別は磁気インク等で不良品を
刻印することにより行われる。
B. 2. Description of the Related Art In general, before a wafer is separated by a scribing process in an IC (Integrated Circuit) assembling process, an inspection of a wafer is performed by performing an electrical test of each IC chip formed on the wafer to detect those defective products. A process is taking place. This is mainly based on a device having a probe card provided with a large number of probes (probes for electrically contacting each pad of each IC chip) called a prober, and a high-speed called an IC tester. The test system is made up of an automatic measuring device. That is, a predetermined signal is sent to each pad (input pad) of the IC chip through the probe by the IC tester,
The result is passed through the probe contacted to the output pad to the IC.
By measuring with a tester, each IC chip is sorted into non-defective products and defective products. This sorting is performed by imprinting defective products with magnetic ink or the like.

上述したプローバの一例を第21図及び第25図において
説明する。但し、第21図は第25図のXXI−XXI線に沿う要
部概略断面図、第25図はプローバ全体の上面図である。
An example of the above-described prober will be described with reference to FIGS. 21 and 25. However, FIG. 21 is a schematic cross-sectional view of a main part along the line XXI-XXI in FIG. 25, and FIG. 25 is a top view of the entire prober.

プローバ1は、試験すべきウエハ3を供給する供給カ
セット2及び試験されたウエハ3を収納する収納カセッ
ト14と、ウエハ3を予め機械的にアライメントを行うた
めのプリアライメント・ステージ5と、ウエハ3を吸い
上げて夫々所定の位置へ移動させるためのベルヌーイチ
ャック7、12と、ベルヌーイチャック7によって運ばれ
たウエハ3を所定の位置で吸着してプロービング(試験
動作)エリア9へ移動させるための吸着ステージ(図示
省略)を有するチャック47と(第21図参照)、ヘッドス
テージ10に取付けられて所定のプロービングに供する多
数のプローブニードル19を有するプローブカード17とに
よって主に構成されている。
The prober 1 includes a supply cassette 2 for supplying a wafer 3 to be tested, a storage cassette 14 for storing the tested wafer 3, a pre-alignment stage 5 for mechanically aligning the wafer 3 in advance, and a wafer 3. Chucks 12 for sucking the wafer 3 and moving them to predetermined positions, respectively, and a suction stage for sucking the wafer 3 carried by the Bernoulli chuck 7 at a predetermined position and moving it to a probing (test operation) area 9. It is mainly constituted by a chuck 47 (not shown) and a probe card 17 (see FIG. 21) having a number of probe needles 19 attached to the head stage 10 and used for predetermined probing.

なお、図中の符号4はウエハ3を移動させるためのベ
ルト、6はローディング側、8はウエハの形状を測定す
るための変位センサ、11はアンローディング側、15はプ
ローブ動作が正確に行われるように監視するための顕微
鏡、16はウエハ3のファインアライメント(ウエハ3上
のチップ3aをX軸とY軸を基準にして正確に合わせるア
ライメント)を行うためのファインアライメント装置の
光学ユニットであり、矢印A1〜A7は夫々ウエハ3の移動
する方向を示すものである。
In the figure, reference numeral 4 denotes a belt for moving the wafer 3, 6 denotes a loading side, 8 denotes a displacement sensor for measuring the shape of the wafer, 11 denotes an unloading side, and 15 denotes a probe operation accurately. And a microscope 16 for monitoring the wafer 3 is an optical unit of a fine alignment device for performing a fine alignment of the wafer 3 (alignment for accurately aligning the chip 3a on the wafer 3 with reference to the X axis and the Y axis). Arrows A1 to A7 indicate the directions in which the wafer 3 moves.

プローブ動作に際しては、第21図に示すように、チャ
ック47がX、Y方向(水平方向)及びZ方向(上下方
向)に動作するように構成されていて、プローブカード
17の開口18を通して顕微鏡15で監視しながら水平方向の
微調整を行い、チャック47を上昇させて各プローブ19を
ICチップ3aの各パッド(第21図では図示省略)に所定の
押圧力をもって電気的に接触させる。
At the time of the probe operation, as shown in FIG. 21, the chuck 47 is configured to operate in the X and Y directions (horizontal direction) and the Z direction (vertical direction),
Fine adjustment in the horizontal direction is performed while monitoring with the microscope 15 through the opening 18 of 17, the chuck 47 is raised, and each probe 19 is moved.
Each pad (not shown in FIG. 21) of the IC chip 3a is electrically contacted with a predetermined pressing force.

次に、上述したプローバ1の問題点を第21図〜第24図
において説明する。
Next, problems of the above-described prober 1 will be described with reference to FIGS. 21 to 24. FIG.

即ち、上述した例では、プローブ動作を行う際に顕微
鏡15によってプローブカード17の開口18を通して監視し
ながらその動作を行わなければならないため、第21図に
示すように、プローブカード17に設けられたプローブニ
ードル19をICチップ3aに対して所定の角度をもって(斜
め方向に)配置しなければならない(即ち、プローブカ
ード17の開口18を通して顕微鏡15によりプローブ動作の
監視が行えるようなレイアウトにしなければならな
い。)。そのため、通常、先端部19aの部分がほぼく字
状に折曲され、しかもその先端に向かって多少細くなる
ように形成されたプローブニードル19は、、第22A図に
示すように、パッド3bへの接触の際、どうしても矢印F
の方向(水平方向)に力を受け、パッド3bとの摩擦によ
って、第22B図に示すように、その先端部19aが削られ
る。
That is, in the above-described example, when performing the probe operation, since the operation must be performed while monitoring through the opening 18 of the probe card 17 by the microscope 15, the probe is provided on the probe card 17 as shown in FIG. The probe needle 19 must be arranged at a predetermined angle (in an oblique direction) with respect to the IC chip 3a (that is, the layout must be such that the probe operation can be monitored by the microscope 15 through the opening 18 of the probe card 17). .). For this reason, the probe needle 19, whose tip portion 19a is generally bent in a substantially U-shape, and which is formed so as to be slightly narrower toward its tip, is normally connected to the pad 3b as shown in FIG. 22A. Arrow F
(Horizontal direction), and the tip 19a is scraped off by friction with the pad 3b as shown in FIG. 22B.

従って、プローブニードル19の先端部19aの長さや径
が変動するため、位置ずれを生じ易くなり、ひどい場合
には、第22B図に示すように、パッド3b上に多少被覆さ
れた絶縁膜(保護膜)3cをも破損してしまうことにな
る。その結果、後工程のダイシング工程において、絶縁
膜の破損した箇所にて水分(湿気)等が侵入し易く、内
部回路素子にダメージを与えるという重大な問題が生じ
る。また、通常プローブニー19にはタングステンが用い
られているが、タングステンは材質的に比較的摩擦に対
して弱く、どうしても先端部19aが減るのを防ぐことは
できない。
Therefore, since the length and diameter of the tip portion 19a of the probe needle 19 fluctuate, the displacement is likely to occur. In the worst case, as shown in FIG. 22B, an insulating film (protective film) slightly coated on the pad 3b is used. The film 3c will also be damaged. As a result, in a later dicing step, moisture (humidity) or the like easily enters at a portion where the insulating film is damaged, which causes a serious problem that the internal circuit element is damaged. Tungsten is usually used for the probe knee 19, but tungsten is relatively weak in material in terms of friction, and it is impossible to prevent the tip 19a from being reduced.

ここで、第23図に示すように、プローブニードル19の
先端部19aの接触面に対する角度をθとし、先端部19aの
減った長さをlnとすると接触面に対する水平方向の位置
tnは、 tn=ln・cosθ と表される。但し、図中のt0は先端部19aが減る前の接
触面に対する水平方向の位置(原位置)、t1は先端部19
aの長さがl1だけ減ったときの接触面に対する水平方向
の位置である。
Here, as shown in FIG. 23, when the angle of the distal end portion 19a of the probe needle 19 with respect to the contact surface is θ, and the reduced length of the distal end portion 19a is ln, the horizontal position with respect to the contact surface.
t n is expressed as t n = l n · cos θ. However, t 0 in the figure is the horizontal position (original position) with respect to the contact surface before the tip 19 a is reduced, and t 1 is the tip 19.
a horizontal position relative to the contact surface when the length of a is decreased by l 1.

即ち、上式が示すように、lnが大きくなるほどt0とtn
との間隔も大きくなり、位置ずれも大きくなる。また、
先端に向かって、多少細くなるようにプローブニードル
19の先端部19aが形成されているため、lnが大きくなる
ほどその径φも大きくなる。
That is, as shown in the above equation, as l n increases, t 0 and t n
, And the positional deviation also increases. Also,
Probe needle so that it becomes slightly thinner toward the tip
Since the tip portion 19a of 19 is formed, the diameter φ increases as l n increases.

なお、第24図は上述した例におけるプローバ1を用い
て多数個のICチップ3aのパッド3bに同時に各プローブニ
ードル19を接触させることができないことを説明するた
めの概略平面図である。
FIG. 24 is a schematic plan view for explaining that the probe needles 19 cannot be simultaneously brought into contact with the pads 3b of many IC chips 3a using the prober 1 in the above-described example.

ハ.発明の目的 本発明の目的は、プローブ等の接触子による半導体チ
ップのパッド面に対する位置ずれをなくして信頼性の高
い試験を可能にするとともに、不良の半導体チップが存
在しても他の半導体チップの試験を正常に行えるように
した素子試験装置を提供することにある。
C. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a highly reliable test by eliminating displacement of a semiconductor chip with respect to a pad surface due to a contact such as a probe. It is an object of the present invention to provide an element test apparatus capable of normally performing the test.

ニ.発明の構成 即ち、本発明は、半導体チップの電源用パッド及び信
号用パッドに1対1の対応関係でそれぞれ実質的に垂直
に接触する複数の接触子と、上記半導体チップを試験す
るテスタに上記電源用パッドをそれと対応する上記接触
子を介して電気的に接続するための直列に接続されたス
イッチ手段及び第1の配線と、上記テスタに上記信号用
パッドをそれと対応する上記接触子を介して電気的に接
続するための第2の配線とを含む単位試験部を複数個有
し、半導体ウエハに形成された複数の半導体チップの各
パッドに対して上記複数の単位試験部の各対応する接触
子を接触させて上記複数の半導体チップの試験を同時に
行う際に、不良の半導体チップが検出されると当該不良
半導体チップの電源パッドに対応する上記スイッチ手段
を開状態にして上記不良半導体チップへの電源供給を停
止するようにした素子試験装置に係わるものである。
D. In other words, the present invention relates to a tester for testing the semiconductor chip and a plurality of contacts that substantially vertically contact the power supply pad and the signal pad of the semiconductor chip in a one-to-one correspondence relationship. Switch means and first wiring connected in series for electrically connecting the power supply pad via the corresponding contact, and the signal pad connected to the tester via the corresponding contact. And a plurality of unit test sections each including a second wiring for electrically connecting the plurality of unit test sections, and each of the plurality of unit test sections corresponds to each pad of a plurality of semiconductor chips formed on a semiconductor wafer. When a plurality of semiconductor chips are simultaneously tested by contacting a contact, when a defective semiconductor chip is detected, the switch means corresponding to a power supply pad of the defective semiconductor chip is opened. The present invention relates to an element test apparatus in which power supply to the defective semiconductor chip is stopped.

なお、上記実質的に垂直とは、理想的には90゜を意味
するが、その他、例えば90゜±5゜といった程度の誤差
範囲をも包含する意味である。
The term “substantially perpendicular” ideally means 90 °, but also includes an error range of about 90 ° ± 5 °.

ホ.実施例 以下、本発明の実施例を説明する。E. Examples Hereinafter, examples of the present invention will be described.

第1図〜第11図は本発明の第1の実施例を示すもので
ある。
FIG. 1 to FIG. 11 show a first embodiment of the present invention.

本例によるウエハの試験装置全体のシステムは上述し
た例とほぼ同様であるので、説明を省略するが、著しく
異なる点は、上述したプローバ1におけるプローブカー
ド17に代えて、ICチップ3aのパッド3b面に対してすべて
垂直に向けられた複数のプローブが設けられたプローブ
カードを用いていることである。
Since the entire system of the wafer test apparatus according to this embodiment is substantially the same as the above-described embodiment, the description is omitted, but a significant difference is that instead of the probe card 17 in the above-described prober 1, the pad 3b of the IC chip 3a is replaced. That is, a probe card provided with a plurality of probes all oriented perpendicular to the surface is used.

即ち、本例によるプローブカード27について説明する
と、第1図及び第2図に示すように、主に、複数の垂直
に向けられたプローブ29を固定して保持するためのホル
ダ26と、このホルダ26を固定すると共に所定のプリント
配線が施されたボード27aと、試験時に後述するICテス
タ30側に接続された電源Vcc及び接地側Vssとそれらに対
応するプローブ29との夫々の接続のオン・オフを行うた
めのリレー(RL1〜RL16)を取付けると共に所定のプリ
ント配線が施されたリレー用ボード23とで構成されてい
る。但し、この例では16チップ(ウエハ3上に形成され
たICチップ3aを16個)を同時に測定できるように構成さ
れているため、プローブ29の数も例えば1チップあたり
のパッド数を21個とすると合計336本となり、また、リ
レーも1チップあたり電源側Vccと接地側Vssの組合せで
合計32個必要となるが、説明の都合上、第1図〜第3図
においては接地側VssのリレーRL1〜RL16のみを示してあ
り、電源側VDDのリレーは図示省略してある(この電源
側VDDのリレーも上記接地側VSSのリレーRL1〜RL16と同
様のものを用いて同様に構成できる。)。
That is, the probe card 27 according to the present embodiment will be described. As shown in FIGS. 1 and 2, mainly, a holder 26 for fixing and holding a plurality of vertically oriented probes 29 and this holder and board 27a of a predetermined printed wiring has been applied to fix the 26, each of the connection between the probe 29 and their corresponding power supply V cc and the ground V ss, which is connected to the IC tester 30 side described later when the test A relay board (RL1 to RL16) for turning on and off is mounted, and a relay board 23 on which predetermined printed wiring is provided. However, in this example, since 16 chips (16 IC chips 3a formed on the wafer 3) can be measured at the same time, the number of probes 29 is, for example, 21 pads per chip. Then for a total of 336, also relay also becomes a total of 32 required in combination with ground V ss power supply side V cc per chip, for convenience of explanation, in FIG. 1-FIG. 3 ground V Only the ss relays RL1 to RL16 are shown, and the power supply-side V DD relay is not shown (this power supply-side V DD relay is also the same as the ground-side V SS relay RL 1 to RL 16 described above. It can be similarly configured.).

ここで、図中の符号21は同軸ケーブル(75Ω)であ
り、これが各プローバ29の後述するポスト部29cに直接
半田付けされ、更にボード27a上に所定の配線が施さ
れ、そのボード27aから、後述する第5図及び第8図に
示すようにテスタ30へと所定の配線によって接続されて
いる。また、符号22はケーブルの押さえ板、24はリレー
用ボード23をボード27a上に固定するための固定台、25
はプローブホルダ26をボード27aに取付けるための開
口、CはVDD側に接続されたコンデンサ(第5図及び第
8図参照)である。なお、本例では、第1図〜第3図に
示すように、プローブカード27のボード27a上における
所定の配線をVDD側とVSS側とに分けて行っている。
Here, reference numeral 21 in the drawing denotes a coaxial cable (75Ω), which is directly soldered to a post portion 29c, which will be described later, of each prober 29, and is further provided with predetermined wiring on a board 27a. As shown in FIGS. 5 and 8, which will be described later, the tester 30 is connected to the tester 30 by predetermined wiring. Reference numeral 22 denotes a cable pressing plate, reference numeral 24 denotes a fixing base for fixing the relay board 23 on the board 27a,
Is an opening for attaching the probe holder 26 to the board 27a, and C is a capacitor (see FIGS. 5 and 8) connected to the VDD side. In this example, as shown in FIG. 1-FIG. 3, is performed by dividing the predetermined wiring on the board 27a of the probe card 27 to the V DD side and V SS side.

プローブホルダ26は、第2図、第3図及び第4図に示
すように、主に、プローブ29の固定のための固定用板26
a、プローブ29の横方向への振れを防ぐための支持板26b
及びプローブ29が下方にずれるのを防ぐためのストッパ
用板の3枚から構成されていて、これにより非常に細
く、しかも縦に長いプローブ29を夫々保持することがで
きる。また、プローブ29は、例えばBeCu製のニードル部
(先端部)29a(径の異なる2つの円柱状をした部分か
らなっていて、接触側の径の小さめの部分はその先端に
丸みがあり、また、反対側の径の大きめの部分の端部は
三角錐状に形成されている。)と、例えばステンレス製
の全面に金めっきが施された円筒状のケース29bと、例
えばBeCu製のポスト部29c(径の異なる2つの円柱状を
した部分からなっていて、その両端が夫々三角錐状に形
成されている。)と、ケース29bに収容されてニードル
部29aがICチップ3aのパッド3bに接触したときに所定の
接触圧が得られるように形成された例えば通常ピアノ線
と呼ばれるSWP製のスプリング31とによって夫々構成さ
れている。
The probe holder 26 mainly includes a fixing plate 26 for fixing the probe 29, as shown in FIGS.
a, support plate 26b to prevent lateral deflection of probe 29
And a stopper plate for preventing the probe 29 from shifting downward, whereby the very thin and vertically long probes 29 can be held respectively. The probe 29 is made of, for example, a BeCu needle portion (tip portion) 29a (two cylindrical portions having different diameters, and a portion having a smaller diameter on the contact side has a rounded tip. The end of the larger diameter part on the opposite side is formed in a triangular pyramid shape.), A cylindrical case 29b made of, for example, stainless steel and the whole surface is plated with gold, and a post part made of, for example, BeCu 29c (consisting of two cylindrical portions having different diameters, both ends of which are formed in a triangular pyramid shape), and a needle portion 29a housed in a case 29b and attached to a pad 3b of the IC chip 3a. Each of them is constituted by, for example, a SWP spring 31 usually called a piano wire, which is formed so as to obtain a predetermined contact pressure when it comes into contact.

そして、本例では、第5図及び第6図に示すように、
長方形状をした各チップ3aにおいて短辺側の2辺にパッ
ド3bが夫々設けられ、ウエハ3上における2行8列で合
計16チップ(CHIP1〜CHIP16)の各パッド3bに同時に接
触する(パッド3b面に対してすべて垂直に向けられるよ
うに接触する)ように複数のプローブ29が夫々プローブ
カード27のプローブホルダ26に設けられている(第1
図、第2図及び第3図参照)。なお、第8図はプローブ
カード27における各プローブ29とテスタ30の接続関係を
示す概略ブロック図である。また、第9図はVSS用のリ
レーRL1〜RL8(又はRL9〜RL16)の接続回路図、第10図
はリレー用ボード23における接続配線パターンを表す図
(即ち、第9図に示した接続回路図をリレー用ボード23
上に配線パターンとして形成するための図)、第11図は
本例において使用されるVSS側の切換え用リレーRL1〜RL
16の外観図(この例では例えばコイル電圧5Vで可動接点
タイプのサンコー工業社製VS−105Nを用いている。)で
ある。ここで、本例ではVDD側の切換え用リレーRL21〜R
L36についての説明は省略してあるが、上述した第9図
〜第11図に示したVSS側切換え用リレー回路と同様に構
成することによって容易にVDD側の切換え用リレー回路
(第5図及び第8図参照)を実現できる。但し、VDD
のリレー回路では、第9図に示した回路図におけるGND
ラインがテスタ30から所定の電圧が加えられるためのV
DDラインとなる。
In this example, as shown in FIGS. 5 and 6,
In each of the rectangular chips 3a, pads 3b are provided on two short sides, respectively. The pads 3b are simultaneously contacted with the pads 3b of 16 chips (CHIP1 to CHIP16) in two rows and eight columns on the wafer 3 (pad 3b). A plurality of probes 29 are provided on the probe holder 26 of the probe card 27 so as to be in contact with each other so as to be all perpendicular to the surface (first).
FIG. 2, FIG. 3 and FIG. 3). FIG. 8 is a schematic block diagram showing a connection relationship between each probe 29 and the tester 30 in the probe card 27. Further, FIG. 9 is a connection circuit diagram of a relay RL1~RL8 for V SS (or RL9~RL16), FIG. FIG. 10 is representative of the connection wiring pattern in the relay board 23 (i.e., connections depicted in FIG. 9 Circuit diagram for relay board 23
Figure) for forming a wiring pattern on, FIG. 11 changeover relay V SS side that is used in this example RL1~RL
16 is an external view of this example (in this example, a VS-105N manufactured by Sanko Kogyo Co., Ltd. of a movable contact type with a coil voltage of 5 V is used). Here, for switching the relay of V DD side in this example RL21~R
A description of is omitted for L36, but switching relay circuit easily V DD side with the structure similar to the V SS side switching relay circuit shown in FIG. 9 to 11 diagram described above (5 (See FIG. 8 and FIG. 8). However, in the relay circuit on the VDD side, the GND in the circuit diagram shown in FIG.
The line is V for applying a predetermined voltage from the tester 30.
DD line.

図5および図8に示すように、本実施例における各単
位試験部は、各半導体チップCHIPのVDD,Vssパッド及び
それ以外のパッド(信号パッド)3bに1対1の対応関係
でそれぞれ実質的に垂直に接触する複数(この例では32
個)のプローブ29と、テスタ30にVDDパッドおよびVssパ
ッド3bをそれと対応するプローブ29を介して電気的に接
続するための直列に接続されたリレースイッチRL及び第
1の配線60と、テスタ30に信号用パッド3bをそれと対応
するプローブ29を介して電気的に接続するための第2の
配線62とを含んでいる。
As shown in FIG. 5 and FIG. 8, each unit test section in this embodiment substantially corresponds to the V DD and Vss pads of each semiconductor chip CHIP and the other pads (signal pads) 3b in a one-to-one correspondence. Multiple vertical contacts (32 in this example)
Probe 29, a relay switch RL and a first wiring 60 connected in series for electrically connecting the VDD pad and the Vss pad 3b to the tester 30 via the corresponding probe 29, 30 includes a second wiring 62 for electrically connecting the signal pad 3b via the corresponding probe 29 to the signal pad 3b.

テストに際しては、上述の例と同様に、第3図に示す
ように、所定の位置調整を行いながらチャック47を上昇
させ、これによって、すべてのプローブ29が、第4B図に
示すように、所定のICチップ3a上の各パッド3bに対して
垂直に向けられ、ばね31により所定の接触圧を保ちなが
らそれらのパッド3bに夫々接触させる。そして、テスタ
30側から所定の信号を各プローブ29を通して各パッド3b
に供給し、その結果を出力パッド等に接触させられたプ
ローブ29を通してテスタ30側で検出することによって所
定の例えばDCテスト等の各試験を行う。この際、例えば
各試験項目のうち1つの項目について試験を行った結果
が不良であったチップ3aに対してはそのつどそのチップ
におけるVDDパッド及びVSSパッドを夫々テスタ30側から
回路的に切離さなければならないため(そうしないと、
他の正常なチップ3aにテスタ30側から所定の電圧が十分
供給されなくなってしまい、その他のテスト項目の各試
験が行えなくなる。)、上述したように、各チップ3aの
VDDパッド及びVSSパッドとテスタ30側との間に接続され
た各リレーRL1〜RL36のうちの不良のチップ3aに接続さ
れたリレー(例えば第5図に示すCHIP1が不良だとする
とリレーRL1及びRL21)をテスタ30側のコントロールに
よってオフさせる。即ち、リレーのコイルにテスタ30側
から例えば5Vの電圧を加えることによってリレースイッ
チをオフさせ、不良チップ3aのVDDパッド及びVSSパッド
のみをテスタ30側から切離す。
During the test, the chuck 47 is raised while performing a predetermined position adjustment as shown in FIG. 3 as in the above-described example, whereby all the probes 29 are moved to the predetermined positions as shown in FIG. 4B. Are vertically oriented with respect to the pads 3b on the IC chip 3a, and are respectively brought into contact with the pads 3b while maintaining a predetermined contact pressure by a spring 31. And tester
A predetermined signal from the 30 side is passed to each pad 3b through each probe 29.
The tester 30 performs a predetermined test such as a DC test by detecting the result on the tester 30 side through the probe 29 contacted with the output pad or the like. In this case, for example, among one item V DD pad and V SS pad circuitry to respectively from the tester 30 side of the chip each time for chip 3a result of the test is defective for each test item Must be cut off (otherwise,
The predetermined voltage is not sufficiently supplied from the tester 30 side to the other normal chips 3a, and each test of other test items cannot be performed. ), As described above, each chip 3a
Of the relays RL1 to RL36 connected between the V DD pad and the V SS pad and the tester 30 side, the relay connected to the defective chip 3a (for example, if the chip 1 shown in FIG. 5 is defective, the relays RL1 and RL21 ) Is turned off by the control on the tester 30 side. That is, turns off the relay switch by applying a voltage of the coil, for example, from the tester 30 side to 5V relays disconnected only from the tester 30 side V DD pad and V SS pads defective chip 3a.

そして、実際に、例えば6インチのウエハ3における
286個のICチップ3a(例えば1MのダイナミックRAM)の試
験手順を第7図において説明すると、まず、スタート位
置から矢印W1で示す方向に向かって(オリエンテーショ
ンフラット面に向かって)の領域のすべてのチップ3a
について上述した各操作を繰返すことによって所定のテ
ストを行う。この際、上述したように、本例によるプロ
ーバ1のプローブカード27には、2行8列で合計16チッ
プにおける各パッド3bに同時に接触させることができる
プローブ29が設けられているが、図に示すように、チッ
プ3aの存在しない部分には当然プローブ29は接触せず、
従ってプローブ29が接触したチップ3aのみの試験が行わ
れる(その他の各領域においても同様。)。
And actually, for example, in a 6-inch wafer 3
The test procedure for the 286 IC chips 3a (for example, a 1M dynamic RAM) will be described with reference to FIG. 7. First, all the areas in the direction from the start position in the direction indicated by the arrow W1 (toward the orientation flat surface) will be described. Chip 3a
A predetermined test is performed by repeating each operation described above for. At this time, as described above, the probe card 27 of the prober 1 according to the present embodiment is provided with the probe 29 that can simultaneously contact each pad 3b of a total of 16 chips in 2 rows and 8 columns. As shown, the probe 29 does not naturally contact the portion where the chip 3a does not exist,
Therefore, the test is performed only on the chip 3a that has come into contact with the probe 29 (the same applies to other areas).

次に、の領域におけるすべてのチップ3aについて各
試験を行った後、図中に矢印W2で示す方向に向かって
(オリエンテーションフラット面から図の下方に向かっ
て)の領域のすべてのチップ3aについて上述と同様の
試験を行う。そして、の領域におけるすべてのチップ
3aについての各試験を行った後、同様にして矢印W3、W4
及びW5の示す各方向に向かって、、の各領域にお
けるすべてのチップ3aについての各試験を行うことによ
ってウエハ3の試験を完了する。
Next, after performing each test for all the chips 3a in the region (3), the above description is performed for all the chips 3a in the region (in the direction from the orientation flat surface to the bottom in the diagram) in the direction indicated by the arrow W2 in the drawing. Perform the same test as. And all the chips in the area of
After performing each test for 3a, the arrows W3 and W4
The test of the wafer 3 is completed by performing the respective tests on all the chips 3a in the respective regions in the directions indicated by W5 and W5.

なお、本例においては図示省略したが、例えば上述し
た第3図においてチャック47の所定箇所にCCDカメラ等
を設置し、更に所定の光学系装置によって各プローブ29
が各ICチップ3aのパッド3bに接続する様子を上記CCDカ
メラによって外部からモニタできるように構成された所
定のモニタ手段を有することにより、テストの際には上
述した例と同様にウエハ3(ICチップ3a)の位置の微調
整が容易に行える。
Although not shown in this example, for example, a CCD camera or the like is installed at a predetermined position of the chuck 47 in FIG.
Has a predetermined monitoring means configured so that the state of connection to the pad 3b of each IC chip 3a can be externally monitored by the CCD camera, so that the wafer 3 (IC Fine adjustment of the position of the tip 3a) can be easily performed.

また、実際にはウエハ3上に形成されたICチップ3a中
に、性能は良好であるので本来は良品であるが、製品と
しては良品として扱えないチップ3aが存在する(例えば
ウエハ3の裏面には通常金めっきが施されるが、その外
周にはこれが施されない領域がどうしてもできてしま
う。)。予めそれらのチップ3aをテストしないチップ
(INK CHIP)と決めてテストは行わないが(本例で
は、第7図に示したように、ウエハ3上に形成されたIC
チップ3aは全部で316個あるが、そのうち図示省略の上
記INK CHIPが30個存在する。)、上述した例では説明
の都合上、図示省略してある(以下の例においても同
様。)。
In addition, there are actually IC chips 3a formed on the wafer 3 that are good in nature because of good performance, but cannot be handled as non-defective products (for example, on the back surface of the wafer 3). Is usually plated with gold, but there is always a region on the outer periphery where this is not done.) The chip 3a is determined not to be a test chip (INK CHIP) in advance and the test is not performed (in this example, the IC formed on the wafer 3 as shown in FIG. 7).
There are a total of 316 chips 3a, of which there are 30 INK CHIPs not shown. In the above-described example, illustration is omitted for convenience of explanation (the same applies to the following examples).

以上に説明したように、本例によれば、複数のプロー
ブ29の先端部29aがICチップ3aのパッド3bの接触面に対
してすべて垂直に向けられるように構成されているの
で、上述した従来のプローブ19のようにその先端部19a
が、パッド3bの接触面に対して斜めに(所定の角度で)
接触することはない。従って、プローブ29がICチップ3a
のパッド3bに接触する際に、上述したような横方向の力
を受けることによる位置ずれを生じることはなく(即
ち、第4B図に示すように、プローブ29の先端部29aがパ
ッド3bの接触面に対して垂直に向けられて接触している
ため、横方向の力は受けない。)、その位置決めも容易
となり、信頼性の高い試験が行える。
As described above, according to the present example, the distal ends 29a of the plurality of probes 29 are configured so as to be all perpendicular to the contact surface of the pad 3b of the IC chip 3a. The tip 19a like the probe 19
But obliquely (at a predetermined angle) to the contact surface of the pad 3b
There is no contact. Therefore, the probe 29 is connected to the IC chip 3a.
When contacting the pad 3b, there is no positional displacement due to the above-described lateral force (that is, as shown in FIG. 4B, the tip 29a of the probe 29 contacts the pad 3b). Since it is oriented perpendicularly to the surface and is in contact with it, no lateral force is applied.), Its positioning is easy, and a highly reliable test can be performed.

また、本例では、上述したように、プローブ29の先端
部29aにBeCuを用いているので、材質的に接触抵抗が小
さく、従って接触面における摩擦に対する悪影響も少な
く、従来のようにプローブ29の先端部29aの摩擦等によ
る減りを心配する必要もない。また、本例では、上述し
たように、プローブ29の先端部29aとは別に形成された
スプリング31によってパッド3b面に対する所定の接触圧
を保持できるように構成しているので、そのスプリング
31を適切に設計することによって容易に上記接触圧を適
宜設定できる。
Further, in this example, as described above, since BeCu is used for the distal end portion 29a of the probe 29, the contact resistance is small in terms of material, and therefore, there is little adverse effect on the friction on the contact surface. There is no need to worry about reduction of the tip portion 29a due to friction or the like. Further, in the present embodiment, as described above, the spring 31 formed separately from the distal end portion 29a of the probe 29 is configured to be able to maintain a predetermined contact pressure on the pad 3b surface.
By appropriately designing 31, the above contact pressure can be easily set appropriately.

また、本例において注目すべきことは、上述した第5
図及び第6図において示したように、第7図に示すウエ
ハ3上において2行8列で合計16チップ(CHIP1〜CHIP1
6)のICチップ3aを同時に試験できることである。即
ち、従来の斜めに突出したプローブ19(第21図参照)に
よって第24図に示すように、本例のような16チップのIC
チップ3aを同時に試験することを考えた場合、上述した
ようなプローブ19のレイアウト上の制約により(即ち、
従来のプローブ19では、第21図に示したように横方向の
レイアウトの制約を受ける。)、隣接するチップ3a間
(例えばCHIP1とCHIP9)において夫々隣接する各パッド
3bへのプローブ19の接触は不可能であるが、本例におい
ては、上述したように、各ICチップ3aの夫々のパッド3b
の接触面に対してすべて垂直に向けられるような複数の
プローブ29を有しているので、従来のように横方向のレ
イアウト上の制約をほとんど問題にする必要がなく、そ
のレイアウト上の自由度が増すことになる。その結果、
16チップ(CHIP1〜CHIP16)のすべての各パッド3bにプ
ローブ29を接触させることができ、本例のように例えば
16チップ等といった多チップを同様に試験することが可
能となる。また、従来のプローブ19ではチップ3a上のパ
ッド3bの位置によってそのプローブ19の長さが異なり、
そのためパッド3bへの接触力が異なって所定の電圧が供
給されなくなる可能性があるが、本例によるプローブ29
は、パッド3bの位置によらず、一定の接触力を夫々のパ
ッド3bに与えることができる。
What should be noted in this example is that the fifth
As shown in FIG. 6 and FIG. 6, a total of 16 chips (CHIP1 to CHIP1) on the wafer 3 shown in FIG.
6) The ability to test the IC chip 3a simultaneously. That is, as shown in FIG. 24, a 16-chip IC such as this example is provided by a conventional obliquely protruding probe 19 (see FIG. 21).
Considering that the chip 3a is tested at the same time, due to the layout limitation of the probe 19 as described above (that is,
In the conventional probe 19, the layout in the horizontal direction is restricted as shown in FIG. ), Each adjacent pad between adjacent chips 3a (eg, CHIP1 and CHIP9)
Although contact of the probe 19 with the probe 3b is impossible, in this example, as described above, each pad 3b of each IC chip 3a is used.
Since there are a plurality of probes 29 that can be all directed perpendicular to the contact surface of the device, there is almost no need to worry about restrictions on the horizontal layout as in the past, and the degree of freedom in the layout is increased. Will increase. as a result,
The probe 29 can be brought into contact with all the pads 3b of the 16 chips (CHIP1 to CHIP16).
Many chips such as 16 chips can be similarly tested. In the conventional probe 19, the length of the probe 19 varies depending on the position of the pad 3b on the chip 3a,
Therefore, there is a possibility that a predetermined voltage is not supplied due to a difference in contact force with the pad 3b.
Can apply a constant contact force to each pad 3b regardless of the position of the pad 3b.

そして、実際に、1チップごとにテストを行った場合
には、1枚のウエハ3上のすべての(例えば286チッ
プ)ICチップ3aのテストを完了するのに約2.19時間とい
う非常に多大な時間を要していたのに対し、本例では上
述したように16チップを同時にテストできるので、その
要する時間を約12.9分と大幅に短縮できることになる。
これは、従来のテスト装置では全く考えられない画期的
なことである。
When the test is actually performed for each chip, it takes about 2.19 hours to complete the test of all (for example, 286 chips) IC chips 3a on one wafer 3. However, in this example, since 16 chips can be tested simultaneously as described above, the time required can be greatly reduced to about 12.9 minutes.
This is an epoch-making thing that cannot be considered at all with the conventional test equipment.

第12図〜第14図は本発明の他の例を示すものであっ
て、基本的な構造やその動作等は上述の第1の実施例と
ほぼ同様であるので、説明を省略するが、異なる点は、
ウエハ3上において1行1列で合計8チップ(CHIP1〜C
HIP8)を同時にテストするように構成されていることで
ある。
FIGS. 12 to 14 show another example of the present invention, and the basic structure and operation thereof are almost the same as those of the above-described first embodiment. The difference is
A total of 8 chips (CHIP1 to C
HIP8) are configured to be tested simultaneously.

即ち、第13図及び第14図に示すように、上述の例と同
様の複数のプローブ29がCHIP1〜CHIP8の各ICチップ3aに
おける各パッド3b(VSS側とVDD側の2辺に夫々位置して
いる各パッド)の接触面に対してすべて垂直に向けられ
るようにして各パッド3bの接触面に同時に接触するよう
に構成されている。
That is, as shown in Figure 13 and Figure 14, respectively two sides of each pad 3b (V SS side and the V DD side plurality of probes 29 similar to the example described above in each IC chip 3a of CHIP1~CHIP8 s It is configured so that all the pads 3b are oriented perpendicularly to the contact surface of each of the pads 3b and simultaneously contact the contact surface of each of the pads 3b.

従って、本例においても上述の例と同様にプローブ29
のICチップ3a上のパッド3bの接触面に接触する際の位置
ずれを心配する必要がないという利点を有すると共に、
この例でも、上述したように、8チップ(CHIP1〜CHIP
8)を同時にテストできるように構成しているので、実
際に1枚のウエハ3上のすべての(例えば286チップ)I
Cチップ3aのテストを完了するのに約20.8分と非常に短
い時間で行えることは上述の例と同様に注目すべきこと
である。
Therefore, also in this example, the probe 29
With the advantage that there is no need to worry about displacement when contacting the contact surface of the pad 3b on the IC chip 3a,
Also in this example, as described above, the eight chips (CHIP1 to CHIP
8) can be tested simultaneously, so that all (for example, 286 chips) I on a single wafer 3 are actually
It should be noted that the test of the C chip 3a can be completed in a very short time of about 20.8 minutes as in the above example.

第15図及び第16図は本発明の他の例を示すものであっ
て、基本的な構成は上述した第12図〜第14図の例とほぼ
同様であるので説明を省略するが、その他の異なる点
は、図に示すように、銅等により所定の配線パターン38
aが施されたフレキシブル基板38を用いることによっ
て、プローブカード37のボード37a上における同軸ケー
ブル等の配線の引回しを必要とせずに、予めプローブ29
を所定のプローブホルダ36に取付けておいてから、プロ
ーブカード37のボード37aの開口部35に挿入してそのボ
ード37aに固定し、更に直接プローブ29をフレキシブル
基板38上に設けられたスルーホール38bを通して容易に
取付けることができる。
FIG. 15 and FIG. 16 show another example of the present invention, and the basic configuration is almost the same as the example of FIG. 12 to FIG. The difference is that, as shown in FIG.
By using the flexible substrate 38 provided with the a, the wiring of the coaxial cable or the like on the board 37a of the probe card 37 is not required, and the probe 29
Is attached to a predetermined probe holder 36, inserted into an opening 35 of a board 37a of a probe card 37 and fixed to the board 37a, and the probe 29 is directly passed through a through hole 38b provided on a flexible substrate 38. Can be easily installed through.

従って、上述したように、予め所定の配線パターン38
aが施されたフレキシブル基板38を用いているため、プ
ローブ29とテスタ30側との接続を行うためのプローブカ
ード37のボード37a上における配線の引回し等を行う必
要がないので、プローブカード37の製作も容易となり、
実装上も好都合となる。また、フレキシブル基板38を変
更することによって容易に配線パターンを適宜変更で
き、プローブ29とテスタ30側との接続関係を適宜設定で
きる。また、フレキシブル基板38のようにフレキシブル
な材料を用いているので、多重配線も可能となり、実装
密度の向上にもつながる。
Therefore, as described above, the predetermined wiring pattern 38
Since the flexible board 38 provided with a is used, it is not necessary to perform wiring or the like on the board 37a of the probe card 37 for connecting the probe 29 to the tester 30 side. Is easy to manufacture,
This is convenient for implementation. Further, by changing the flexible substrate 38, the wiring pattern can be easily changed as appropriate, and the connection relationship between the probe 29 and the tester 30 can be set as appropriate. In addition, since a flexible material such as the flexible substrate 38 is used, multiple wiring is possible, which leads to an improvement in mounting density.

但し、本例では説明の都合上、各ICチップ3aのVDD
ッド及びVSSパッドとテスタ30側との接続を切離すため
の各リレーは図示省略してあるが、それらは上述の例と
同様に構成できる。また、図中の符号39はフレキシブル
基板38をボード37a上に保持するための補強板である
が、第16図においては図示省略してある。
However, in this example, for the sake of explanation, the relays for disconnecting the V DD pad and the V SS pad of each IC chip 3a from the tester 30 side are not shown, but they are the same as those described above. It can be configured similarly. Reference numeral 39 in the figure denotes a reinforcing plate for holding the flexible substrate 38 on the board 37a, but is not shown in FIG.

第17図は本発明の更に他の例を示すものであって、上
述した各例における複数のプローブ29は、全体がICチッ
プ3aの各パッド3bの接触面に対してすべて垂直に向けら
れるように構成されているが、本例の場合、プローブ49
の各先端部49aのみがパッド3bの接触面に対してすべて
垂直に向けられるように構成されているものであって、
その他の構成は従来のプローブ19と同様である。
FIG. 17 shows yet another example of the present invention, in which the plurality of probes 29 in each of the above-described examples are all directed perpendicularly to the contact surface of each pad 3b of the IC chip 3a. However, in this example, the probe 49
Are configured so that only the respective tip portions 49a are all directed perpendicularly to the contact surface of the pad 3b,
Other configurations are the same as those of the conventional probe 19.

従って、本例においても、上述の例と同様に、プロー
ブ49の各先端部49aがICチップ3aに対する各パッド3bの
接触面に対してすべて垂直に向けられるように構成され
ているので、パッド3bに接触する際のプローブ49の位置
ずれ等をほとんど心配する必要がないという利点を有し
ていると共に、本例の場合、プローブ49の先端部49aの
設計を従来のものから多少変更することにより容易に実
現できる。
Therefore, also in this example, similarly to the above-described example, each tip portion 49a of the probe 49 is configured so as to be all directed perpendicularly to the contact surface of each pad 3b with the IC chip 3a. This has the advantage that there is almost no need to worry about the displacement of the probe 49 when it comes into contact with the probe.In the case of this example, the design of the tip 49a of the probe 49 is slightly changed from the conventional one. Can be easily realized.

第18図はICチップ3aにおいてパッド3bが4辺に位置す
る例であり、図示はしていないが、上述した例における
プローブ29を用いれば、図に示したような配列パターン
のパッド3bを有するICチップ3aにおいても多チップ(例
えば上述した例のように16チップ)を同時に試験できる
ように容易に構成できる。
FIG. 18 shows an example in which pads 3b are located on four sides in the IC chip 3a, and is not shown. However, if the probe 29 in the above-described example is used, the pads 3b having the arrangement pattern shown in the figure are provided. The IC chip 3a can be easily configured so that multiple chips (for example, 16 chips as in the above-described example) can be simultaneously tested.

第19図及び第20図は上述したプローブ29のポスト部29
cを絶縁性を有するキャップ50を用いて覆うことによ
り、夫々隣り合うプローブ29同士のショートを防止でき
るようにした例である。即ち、図に示すように、各プロ
ーブ29のポスト部29cに上述の例と同様にケーブル21が
半田付けされ、更にその半田付けされたケーブル21と共
にポスト部29cをキャップ50により覆ってから、夫々隣
り合うプローブ29のポスト部29cに設けられたキャップ5
0を交互に左右に曲げる。
19 and 20 show the post 29 of the probe 29 described above.
This is an example in which short-circuiting between adjacent probes 29 can be prevented by covering c with an insulating cap 50. That is, as shown in the figure, the cable 21 is soldered to the post portion 29c of each probe 29 in the same manner as in the above-described example, and further, the post portion 29c is covered with the cap 50 together with the soldered cable 21. Cap 5 provided on post part 29c of adjacent probe 29
Bend 0 left and right alternately.

以上、本発明を例示したが、上述した例は本発明の技
術的思想に基づいて更に変形可能である。
Although the present invention has been described above, the above-described example can be further modified based on the technical idea of the present invention.

例えば上述した例では複数のプローブの先端部がICチ
ップ3aの各パッド3bの接触面に対して完全にすべて垂直
に向けられるように構成したが、上記接触面に対して完
全に垂直でなくて多少ずれていてもよく、或いは多少角
度を垂直からずらしてもよく、要は実質的に垂直であれ
ばよい。また、上記プローブの材質、形状や構造等も種
々変更してよく、例えば上述したプローブ29のパッド3b
面への接触圧を保持する手段は、ばね31以外にも弾性を
有する適宜の手段を用いてもよい。また、その他の各構
成部分も種々変形可能である。
For example, in the above-described example, the tip portions of the plurality of probes are configured to be completely perpendicular to the contact surface of each pad 3b of the IC chip 3a, but they are not completely perpendicular to the contact surface. The angle may be slightly shifted, or the angle may be slightly shifted from the vertical. Further, the material, shape, structure and the like of the probe may be variously changed, for example, the pad 3b of the probe 29 described above.
As means for maintaining the contact pressure on the surface, an appropriate means having elasticity other than the spring 31 may be used. In addition, other components can be variously modified.

また、上述した例では16チップ及び8チップを同時に
試験する例について説明したが、上述したプローブ29等
のように構成することにより、24チップや32チップはも
ちろんのこと1枚のウエハを一度に同時に試験すること
も可能となる。また、上述した第18図の例のように、4
辺にパッド3bを有するICチップ3aに対し、多チップ同時
測定用に構成されたプローブ29を有するプローブカード
を用いれば、2辺にパッド3bを有するものにも使用で
き、パッド3bのレイアウトによらず、自由度の高いウエ
ハの試験が行える。更に、例えばウエハ3を吸着させた
チャック47自体を回転させるように構成したり、プロー
ブを設けたプローブカード自体を回転可能に構成するこ
とにより、いちいちプローブカード等を交換しなくとも
容易に適切なウエハの試験が行える。
In the above-described example, an example in which 16 chips and 8 chips are tested at the same time has been described. However, by configuring the probe 29 and the like, 24 wafers and 32 chips as well as one wafer can be simultaneously tested. Testing can be performed at the same time. Also, as in the example of FIG.
If a probe card having a probe 29 configured for simultaneous measurement of multiple chips is used for an IC chip 3a having a pad 3b on one side, a probe card having a pad 3b on two sides can be used. And a highly flexible wafer test can be performed. Further, for example, the chuck 47 itself on which the wafer 3 is adsorbed is configured to be rotated, or the probe card provided with the probe is configured to be rotatable, so that an appropriate probe card can be easily replaced without having to replace the probe card or the like. Testing of wafers can be performed.

また、上述した各例では、各プローブが同時にICチッ
プ3aの各パッド3bに接触するように構成されているが、
例えばプランジャソレノイド等の適宜の選択手段を用い
て各プローブのうち、所定のプローブのみを選択的にパ
ッドに接触させるように構成することも可能である。
In each of the above examples, each probe is configured to contact each pad 3b of the IC chip 3a at the same time.
For example, it is also possible to use a suitable selecting means such as a plunger solenoid or the like so that only a predetermined probe among the probes is selectively brought into contact with the pad.

なお、上述した各例ではICチップの試験に本発明を適
用したが、その他の素子の試験に本発明を適用しても勿
論よい。
In each of the above-described examples, the present invention is applied to the test of the IC chip. However, the present invention may be applied to the test of other elements.

ヘ.発明の作用効果 本発明は、上述したように、複数の接触子(例えば上
述したプローブ29、49)のすべてにおいて少なくとも各
先端部(例えば上述した先端部29a、49a)がICチップ等
の素子のパッド等の接触面に対して実質的に垂直に向け
られるように構成しているので、従来のプローブ等のよ
うに上記接触面に対してその先端部が斜めに接触するこ
とがない。従って、それによる上記接触面に対する上記
接触子の位置ずれのない、信頼性の高い素子試験装置を
提供できる。また、本発明の素子試験装置においては、
ウエハの複数のICチップを同時に試験する際に、不良の
ICチップが検出されると当該不良チップのVDDパッドお
よびVSSパッドに対応するリレースイッチをオフさせる
ので、他の正常なICチップにテスタから所定の電圧が十
分に供給されなくなって試験が行えなくなるという不具
合を防止できる。
F. Advantageous Effects of the Invention As described above, according to the present invention, at least each of the tips (for example, the above-described tips 29a, 49a) of all of the plurality of contacts (for example, the above-described probes 29, 49) is an element such as an IC chip. Since it is configured to be directed substantially perpendicular to the contact surface such as a pad, the tip portion does not obliquely contact the contact surface unlike a conventional probe or the like. Therefore, it is possible to provide a highly reliable device test apparatus without displacement of the contact with respect to the contact surface. In the device testing apparatus of the present invention,
When testing multiple IC chips on a wafer simultaneously,
When an IC chip is detected, the relay switch corresponding to the V DD pad and V SS pad of the defective chip is turned off, so that the tester cannot perform the test because the predetermined voltage is not sufficiently supplied from the tester to other normal IC chips. The problem of disappearing can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図〜第20図は本発明の実施例を示すものであって、 第1図は本発明による16チップを同時に試験できるよう
に構成されたプローブカードの斜視図、第2図は第1図
の一部破断斜視図、 第3図は第1図のIII−III線に沿うプローブカードとそ
の周辺のプローバ装置を示す要部断面図、第4A図はプロ
ーブの内部構造及びそのプローブがICチップのパッドに
接触する前の状態を示す要部断面図、 第4B図は同プローブがICチップのパッドに接触した後の
状態を示す要部断面図、 第5図は各プローブを介して16個のICチップにおける各
パッドとテスタ側とが夫々接続されていることを説明す
るための概略平面図、 第6図は各プローブが16個のICチップにおける各パッド
に接触していることを説明するための概略平面図、 第7図は実際のウエハにおいてプローバ装置によって試
験を行う手順を説明するための平面図、第8図は各プロ
ーブとテスタとの接続関係を説明するための概略ブロッ
ク図、 第9図はVSS用パッドとテスタ側との接続を切離すため
のリレー用のリレー回路図、 第10図は同リレー回路の実装用パターン図、第11図はV
SS用パッドとテスタ側との接続を切離すためのリレーの
外観図、 第12図は本発明の他の例を示すプローブカードの斜視
図、 第13図は第12図のXIII−XIII線に沿うプローブカードと
その周辺のプローバ装置を示す要部断面図、 第14図は各プローブを介して8個のICチップにおける各
パッドとテスタ側とが夫々接続されていることを説明す
るための概略平面図、 第15図は本発明の他の例によるプローブカードとその周
辺のプローバ装置を示す要部断面図、 第16図は第15図の例によるプローブカードの分解斜視
図、 第17図は本発明の他の例によるプローブの要部断面図
(但し、プローブは説明の都合上、断面を表す斜線を省
略してある。)、 第18図はICチップにおいて4辺にパッドを有する例を示
す概略平面図、 第19図はプローブに隣り合うプローブ同士の電気的ショ
ートを防止するためのキャップを取付ける状態を示す斜
視図、 第20図はすべてのプローブにキャップを取付けた状態を
示す概略斜視図 である。 第21図〜第25図は従来例を示すものであって、 第21図は従来のプローブカードとその周辺のプローバ装
置を示す要部断面図(後述する第25図のXXI−XXI線断面
図)、 第22A図及び第22B図は夫々従来のプローブのICチップの
パッド面に対する位置ずれを説明するための要部断面図
(但し、説明の都合上、プローブには断面を表す斜線を
省略してある。)、 第23図はプローブのパッドに対する位置ずれによってそ
の先端部が減る様子を説明するためのプローブの要部斜
視図、 第24図は従来のプローブによって16個のICチップの各パ
ッドに同時に夫々接触させることは不可能であることを
説明するための概略平面図、 第25図はプローバ装置の平面図 である。 なお、図面に示す符号において、 1……プローバ装置 3……ウエハ 3a……ICチップ 3b……パッド 19、29、49……プローブ 19a、29a、49a……先端部 10、20……ヘッドステージ 21……同軸ケーブル 26、36……プローブホルダ 27、37……プローブカード 30……テスタ 47……チャック RL1〜RL36……リレー である。
1 to 20 show an embodiment of the present invention. FIG. 1 is a perspective view of a probe card constructed so that 16 chips according to the present invention can be tested at the same time, and FIG. FIG. 3 is a partially cutaway perspective view, FIG. 3 is a cross-sectional view of a main part showing a probe card and a prober device around the probe card along the line III-III in FIG. 1, and FIG. 4A is an internal structure of the probe and the probe is an IC. FIG. 4B is a cross-sectional view of a main part showing a state before contacting a pad of a chip, FIG. 4B is a cross-sectional view of a main part showing a state after the probe comes into contact with a pad of an IC chip, and FIG. FIG. 6 is a schematic plan view for explaining that each pad on one IC chip is connected to the tester side, and FIG. 6 illustrates that each probe is in contact with each pad on 16 IC chips. FIG. 7 is a schematic plan view showing an actual wafer. Plan view for explaining a procedure of performing a test by chromatography server apparatus, a schematic block diagram for FIG. 8 is for explaining a connection relationship between each probe and the tester, and FIG. 9 is V SS pad with the tester-side Relay circuit diagram for relay to disconnect, Fig. 10 is mounting pattern diagram of the relay circuit, Fig. 11 is V
FIG. 12 is an external view of a relay for disconnecting the connection between the SS pad and the tester, FIG. 12 is a perspective view of a probe card showing another example of the present invention, and FIG. 13 is a view taken along line XIII-XIII of FIG. FIG. 14 is a cross-sectional view of a main part showing a probe card along and a prober device around the probe card. FIG. 14 is a schematic diagram for explaining that pads and tester sides of eight IC chips are connected to each other via each probe. FIG. 15 is a sectional view of a main part showing a probe card according to another example of the present invention and a prober device around the probe card, FIG. 16 is an exploded perspective view of the probe card according to the example of FIG. 15, and FIG. FIG. 18 is a cross-sectional view of a main part of a probe according to another example of the present invention (however, the probe is omitted from cross-sectional hatching for convenience of explanation). FIG. 18 shows an example in which pads are provided on four sides of an IC chip. FIG. 19 is a schematic plan view, and FIG. 19 is a pair of probes adjacent to the probe. Perspective view showing a state of attaching a cap to prevent electrical shorts, FIG. 20 is a schematic perspective view showing a state of attaching the cap to all probes. 21 to 25 show a conventional example, and FIG. 21 is a sectional view of a main part showing a conventional probe card and a prober device around the probe card (a sectional view taken along a line XXI-XXI in FIG. 25 described later). FIG. 22A and FIG. 22B are cross-sectional views of a main part for explaining the displacement of the conventional probe with respect to the pad surface of the IC chip (however, for the sake of explanation, diagonal lines representing the cross section are omitted from the probe). FIG. 23 is a perspective view of a main part of the probe for explaining how the tip is reduced due to displacement of the probe with respect to the pad, and FIG. 24 is each pad of 16 IC chips by a conventional probe. FIG. 25 is a schematic plan view for explaining that it is impossible to make contact with the prober at the same time, and FIG. 25 is a plan view of the prober device. In the reference numbers shown in the drawings, 1 ... prober device 3 ... wafer 3a ... IC chip 3b ... pads 19, 29, 49 ... probes 19a, 29a, 49a ... tips 10, 20 ... head stage 21 Coaxial cable 26, 36 Probe holder 27, 37 Probe card 30 Tester 47 Chuck RL1 to RL36 Relay

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01R 1/073 G01R 31/28 H01L 21/66 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) G01R 1/073 G01R 31/28 H01L 21/66

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】半導体チップの電源用パッド及び信号用パ
ッドに1対1の対応関係でそれぞれ実質的に垂直に接触
する複数の接触子と、上記半導体チップを試験するテス
タに上記電源用パッドをそれと対応する上記接触子を介
して電気的に接続するための直列に接続されたスイッチ
手段及び第1の配線と、上記テスタに上記信号用パッド
をそれと対応する上記接触子を介して電気的に接続する
ための第2の配線とを含む単位試験部を複数個有し、 半導体ウエハに形成された複数の半導体チップの各パッ
ドに対して上記複数の単位試験部の各対応する接触子を
接触させて上記複数の半導体チップの試験を同時に行う
際に、不良の半導体チップが検出されると当該不良半導
体チップの電源パッドに対応する上記スイッチ手段を開
状態にして上記不良半導体チップへの電源供給を停止す
るようにした素子試験装置。
1. A plurality of contacts which respectively substantially vertically contact a power supply pad and a signal pad of a semiconductor chip in a one-to-one correspondence, and the power supply pad is provided to a tester for testing the semiconductor chip. A switch means and a first wiring connected in series for electrical connection through the corresponding contact, and the signal pad is electrically connected to the tester through the corresponding contact. A plurality of unit test sections each including a second wiring for connection, and a corresponding contact of each of the plurality of unit test sections is brought into contact with each pad of a plurality of semiconductor chips formed on a semiconductor wafer; When a plurality of semiconductor chips are simultaneously tested and a defective semiconductor chip is detected, the switch means corresponding to the power supply pad of the defective semiconductor chip is opened to open the defective semiconductor chip. An element testing device that stops power supply to a semiconductor chip.
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