JP3076663B2 - 粉末コーティング装置 - Google Patents

粉末コーティング装置

Info

Publication number
JP3076663B2
JP3076663B2 JP04097377A JP9737792A JP3076663B2 JP 3076663 B2 JP3076663 B2 JP 3076663B2 JP 04097377 A JP04097377 A JP 04097377A JP 9737792 A JP9737792 A JP 9737792A JP 3076663 B2 JP3076663 B2 JP 3076663B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
raw material
powder
material powder
drum
sputtering
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP04097377A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH05271921A (ja
Inventor
鋭機 竹島
薫 五ノ井
貴史 城倉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Steel Nisshin Co Ltd
Original Assignee
Nisshin Steel Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nisshin Steel Co Ltd filed Critical Nisshin Steel Co Ltd
Priority to JP04097377A priority Critical patent/JP3076663B2/ja
Publication of JPH05271921A publication Critical patent/JPH05271921A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3076663B2 publication Critical patent/JP3076663B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、円筒ドラムの内部に装
入された原料粉末にスパッタリングによってコーティン
グを施す際、個々の粉末粒子に対して均一にスパッタ粒
子が被着するように原料粉末を回転ドラム内に分配する
粉末コーティング装置に関する。
【0002】
【従来の技術】金属,セラミックス,プラスチックス等
の粉末粒子に金属皮膜,無機質皮膜等を形成すると、当
初の粉末粒子と異なる特性を与えることができる。たと
えば、タングステン粒子,ダイヤモンド粒子等に銅を被
覆すると、焼結性が向上し、熱伝導性に優れた焼結体が
得られる。また、銅被覆した粉末は、電磁シールド用の
フィラーとしても使用される。
【0003】粉末粒子にコーティングを施す手段として
は、粉末を懸濁状態にして電気めっき又は無電解めっき
を行う方法,流動状態にした粉末に対しスパッタリング
によって所定の皮膜を形成する方法等が知られている。
本発明者等も、スパッタリングによって粉末をコーティ
ングする装置として、回転ドラムを使用したスパッタリ
ング装置を特開平2−153068号公報で紹介した。
【0004】この粉末コーティング装置は、図1に示す
ように、コーティング前の粉末粒子Pが収容された減圧
加熱処理室1を、スパッタリング源3を内蔵した回転ド
ラム2に接続している。
【0005】粉末粒子Pは、加熱コイル1aを備えた容
器1bに収容されており、モータ1cで駆動されるスク
リューフィーダ1dにより、供給導管1eを経て回転ド
ラム2の内部に供給される。供給導管1eは、回転ドラ
ム2の一側端面に設けた軸受け2fで支持されている。
また、回転ドラム2の内部に不活性ガスを送り込むた
め、供給導管1eと同心円状にガス導入管1gが設けら
れている。
【0006】回転ドラム2は、駆動ロール2a及び従動
ロール2bで支持されている。駆動ロール2aは、モー
タ2cから動力を受け、回転ドラム2を水平軸回りに回
転させる。スパッタリング源3は、供給導管1eが挿入
された端面とは反対側の端面(図2では右側)で軸受け
3aで気密支持されたアーム3bによって回転ドラム2
内に固定配置されており、回転ドラム2の軸方向長さよ
り若干短いターゲットプレート3cを斜め下向きに配置
している。
【0007】供給導管1eから回転ドラム2の軸方向端
部に供給された粉末粒子Pは、回転ドラム2の回転に伴
ってドラム軸全長に分配され、回転ドラム2の内側底面
上を流動する。Ar等のプラズマによる衝撃でターゲッ
トプレート3cからコーティング材料が叩き出され、回
転ドラム2内を飛翔して流動状態にある粉末粒子Pに被
着する。所定の被覆層が形成されたとき、回転ドラム2
を開放してコーティングされた粉末粒子Pを取り出す。
【0008】また、生産能力を上げた粉末コーティング
装置として、図2に示すように真空チャンバー4の両側
にターゲットプレート駆動ユニット5及びドラム駆動ユ
ニット6をガイドレール5a,5bに沿って退避可能に
配置した装置を開発した。ターゲットプレート駆動ユニ
ット5は、図1に示したものと同様なスパッタリング源
3を片持ち支持する。ドラム駆動ユニット6は、真空チ
ャンバー4内の駆動軸と噛み合い、真空チャンバー4の
内部で回転ドラム2を回転させる駆動軸を備えている。
【0009】ターゲットプレート駆動ユニット5及びド
ラム駆動ユニット6は、それぞれの前進位置で気密継ぎ
手5b,6aを介し真空チャンバー4に接続される。ガ
イドレール6aが移動架台6cの上面に設けられている
ため、ドラム駆動ユニット6は、真空チャンバー4から
後退するX方向、更に直交するY方向に移動する。
【0010】図2に示した初期位置P0 で回転ドラム2
の内部を清浄化し、スパッタリングされる原料粉末を仕
込んだ後、移動架台6cの走行によって回転ドラム2及
びドラム駆動ユニット6を真空チャンバー4の軸線に一
致する待機位置P1 まで移動させる。次いで、ターゲッ
トプレート駆動ユニット5及びドラム駆動ユニット6を
作動位置P2 に前進させ、気密継ぎ手5b,6bを介し
て真空チャンバーに接続する。
【0011】真空チャンバー4の内部を真空系7のロー
タリポンプ7a及び拡散ポンプ7bによって真空引きし
た後、真空チャンバー4の内部で回転ドラム2を回転さ
せながら、スパッタリングによって原料粉末に所定のコ
ーティングを施す。そして、待機位置P1 を経て初期位
置P0 に送り、コーティングされた粉末を回転ドラム2
から取り出す。この方式によるとき、大径の回転ドラム
2を使用することができ、生産能力を向上させることが
できる。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】回転ドラム2を使用し
て原料粉末をスパッタリングするとき、均一なコーティ
ング層を形成するためには、個々の粉末粒子を回転ドラ
ム2内に薄く広く分配することが要求される。たとえ
ば、装入された原料粉末が回転ドラム2の内側底部に厚
い流動層を形成する状態で回転ドラム2が回転すると
き、ターゲットプレート3cから飛翔するスパッタ粒子
は、流動層上部にある粉末粒子に被着するのみで、下部
の粉末粒子に対するコーティングが行われない。
【0013】逆に、回転ドラム2の内面に対する原料粉
末の付着力が大きく、装入された原料粉末が回転ドラム
2の回転に伴って循環されると、スパッタ粒子が飛翔す
る領域の外に運ばれる原料粉末の割合が多くなる。その
ため、原料粉末のコーティングに使用されるスパッタ粒
子が減少し、スパッタリング効率を低下させる。
【0014】本発明は、このような問題を解消すべく案
出されたものであり、回転ドラム内面の表面粗さを調整
することにより、装入された原料粉末をスパッタリング
に好適な分布で回転ドラム内部に分散させ、効率よく原
料粉末のコーティングを行うことを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明の粉末スパッタリ
ング装置は、その目的を達成するため、コーティングさ
れる原料粉末が装入される回転ドラムと、該回転ドラム
の内部に軸方向に配置したスパッタリング装置とを備
え、前記回転ドラムの底部内周面に沿った有効コーティ
ング領域に前記原料粉末が分散されるように、前記回転
ドラムの内周面を表面粗さRa50〜300μmに調整
していることを特徴とする。
【0016】
【作 用】回転ドラムを使用した粉末コーティング装置
において、装入された原料粉末を効率よくコーティング
するためには、回転ドラム内でスパッタリングに適した
分布で原料粉末を分配することが必要である。
【0017】本発明者等は、先ず回転ドラム内で原料粉
末の流動性を高めるため、内面を鏡面仕上げした回転ド
ラムに試験用粉末を装入し、回転ドラムを回転させた。
この場合、回転ドラムの内面が平滑であるため試験用粉
末の滑りが大きく、ドラム軸方向に幅狭の比較的厚い原
料粉末の流動層が回転している回転ドラムの底部に形成
された。また、回転ドラムと共回りして持ち上げられる
原料粉末はごく僅かであった。このような粉末流動層に
対してスパッタリングを行うとき、スパッタ粒子は流動
層上層部のみに被着し、下層部の原料粉末にはスパッタ
リングの作用が及ばなかった。
【0018】そこで、回転ドラムの回転に伴って回転ド
ラムの内面に付着した状態で回転方向に上昇する原料粉
末を多くするため、内面に突起や凹凸を形成した回転ド
ラムを使用した。この場合、突起や凹凸に受け止められ
て回転方向に上昇する原料粉末の割合が多くなったもの
の、持ち上げられた原料粉末がスパッタリング装置の上
面に落下する割合も多くなった。スパッタリング装置の
上面に落下・堆積した原料粉末は、振動,衝撃等の外力
が加わったとき、スパッタリング装置から回転ドラムの
内側底部に落下した。この原料粉末は、スパッタリング
に晒されていないため、コーティング層がほとんど形成
されていない。そのため、当初から回転ドラムの内側底
部にある原料粉末に混入することにより、個々の粉末粒
子に施されたコーティング層のバラツキが大きくなっ
た。
【0019】このような研究の結果、最適分布で原料粉
末を回転ドラムの内側底部に分配させるためには、回転
ドラム内面の表面粗さをRa50〜300μmに調整す
ることが効果的であることを見い出した。表面粗さの調
整は、突起,凹凸等の形成のように余分な工程を必要と
しないため、所与の回転ドラムを作製する上でも有効な
手段である。
【0020】回転ドラム内面の表面粗さをRa50〜3
00μmの範囲に調整するとき、スパッタリング装置の
ターゲットプレートから飛翔するスパッタ粒子がドラム
内面に到達する領域とほぼ一致する範囲にわたって、装
入された粉末原料を薄く広く分配することができる。表
面粗さがRa50μm未満であると、鏡面仕上げした場
合と同様な欠陥が発生する。他方、表面粗さがRa30
0μmを超えると、ドラム内面に機械的に絡み合って回
転ドラムに共回りする原料粉末が多くなり、突起や凹凸
を形成した回転ドラムと同様な問題を生じる。
【0021】
【実施例】本実施例においては、図3及び図4に示す断
面構造を持つスパッタリング装置Aを使用した。このス
パッタリング装置Aは、回転ドラム2と同心円状に形成
した半円筒状のケーシング10を備えている。ケーシン
グ10の内部には、補強プレート11により二分され、
断熱・絶縁層として働く空洞部12,13が形成さてい
る。
【0022】ケーシング10の両端縁部には、取付け金
具14,15が固定されている。取付け金具14,15
を介して、ハウジング20がケーシング10に固定され
る。ハウジング20は、両側縁に支持プレート21,2
2を垂直下方に突出させている。取付け金具14,15
に絶縁材を組み込み、或いは支持プレート21,22を
絶縁性とすることにより、バッキングプレート30から
電気的に遮断する。
【0023】バッキングプレート30は、支持プレート
21及び22に挟持される。バッキングプレート30の
裏面に、マグネット31〜33を収容する複数の凹部が
形成されている。また、マグネット31〜33から外部
に磁束が漏洩しないように、磁気シールド34,35が
二重に組み込まれている。バッキングプレート30の表
面側には、押え金具41,42によりターゲットプレー
ト40が取り付けられている。バッキングプレート30
は、スパッタリング中に昇温するターゲットプレート4
0を抜熱・冷却するため、銅,銅合金等の熱伝導性の良
好な材料で作られている。
【0024】バッキングプレート30の裏面側には、水
冷機構50が配置される。水冷機構50は、プレート5
1と52との間に冷却水通路53を形成している。プレ
ート51は、絶縁体54を介してバッキングプレート3
0に固定される。スパッタリング中、ケーシング10及
び水冷機構50を大地電位とし、外部電源からバッキン
グプレート30を介して高電圧がターゲットプレート4
0に印加される。
【0025】ターゲットプレート40として、幅150
mm,ドラム軸方向長さ1270mmのTi板を使用し
た。ターゲットプレート40の中心線から回転ドラム2
の内面までの距離を170mmに設定し、水平線とター
ゲットプレート40との間の角度αが30度となるよう
に、内径600mm及び軸方向長さ1400mmの回転
ドラム2内にスパッタリング装置Aを傾斜配置した。こ
のとき、ターゲットプレート40からスパッタ粒子がド
ラム内面に到達する有効スパッタリング領域Rは、回転
ドラム2の内面円周方向に沿って500mmの範囲にあ
る。
【0026】他方、原料粉末PWを装入した回転ドラム
2を回転させると、回転方向Dの力が原料粉末Pに作用
する。そのため、原料粉末Pは、図3において回転ドラ
ム2の最下点2B を中心として右側では比較的狭い幅2
B −2R で、左側では比較的広い幅2B −2L で回転ド
ラム2の内側底部に分配された。この原料粉末PWの分
布範囲2R −2L が有効スパッタリング領域Dに一致す
るとき、最もスパッタリング効率が良くなることが予想
される。
【0027】原料粉末PWの分布範囲2R −2L は、ド
ラム内面の表面粗さに大きく影響されることは前述した
通りである。そこで、内径600mmの回転ドラム2に
平均粒度20μmのマイカ粉末を装入し、1.2r.
p.m.で回転ドラム2を回転させる条件下で、内面の
表面粗さRaを種々変えた回転ドラムを使用し、原料粉
末PWの分布範囲2R −2L に与える表面粗さRaの影
響を調査した。
【0028】調査結果を示す図5から明らかなように、
表面粗さRaを50〜300μmの範囲に維持すると
き、原料粉末PWの分布範囲2R −2L が400〜60
0mmとなり、有効スパッタリング領域Dに一致させる
ことができた。しかし、表面粗さRaが50μm未満に
なると、原料粉末がドラム内面を過度に滑り易くなり、
原料粉末PWは回転ドラム2の最下点2B を含む極狭い
範囲に分配された。この条件下では、有効スパッタリン
グ領域Dに対応する分布範囲2R −2L が得られなかっ
た。他方、ドラム内面が表面粗さRa300μmを超え
て粗くなったとき、粉末原料PBの分布範囲2R −2L
が有効スパッタリング領域Dを大幅に超えるようになっ
た。また、回転ドラム2に共回りした原料粉末PWがス
パッタリング装置Aの上面に落下する現象がみられた。
【0029】次いで、粉末原料PBの分布範囲2R −2
L がスパッタリングに与える影響を調査した。回転ドラ
ム2としては、何れも内径が600mm及び有効軸方向
長さ1400mmで、表面粗さをRa=30μm,Ra
=150μm及びRa=500μmに調整した3種類の
ドラムを使用した。また、原料粉末PWとしては、平均
粒径10μmのアルミナ粉末を5kg使用した。
【0030】原料粉末PWを装入した回転ドラム2を真
空チャンバー4(図2参照)内にセットし、2極マグネ
トロン方式によるスパッタリング(電力30kW,直
流)を真空度1×10-2Paの減圧雰囲気で10時間継
続した。スパッタリング後、回転ドラム2から原料粉末
PWを取り出し、個々の粉末粒子に施されたコーティン
グ層の厚み及びバラツキを調べた。
【0031】調査結果を示す図6から明らかなように、
表面粗さをRa=150μmに調整した回転ドラムを使
用した本発明例では、平均0.20μmのコーティング
層が個々の粒子表面に形成されていた。また、コーティ
ング層の厚みは0.15〜0.25μmの範囲に収めら
れ、実質的にバラツキのないコーティング層が得られて
いることが判る。これは、装入された原料粉末PWの分
布範囲2R −2L を有効スパッタリング領域Rにほぼ等
しくしたことにより、個々の粉末粒子が等しくスパッタ
粒子の飛翔に晒されたことに原因があると推察される。
【0032】これに対し、表面粗さRa=30μmと平
滑な内面をもつ回転ドラムを使用した比較例では、平均
0.16μmのコーティング層が形成されているもの
の、約20%の割合で原料粉末PWがコーティングされ
ないままの状態であった。これは、前述したように回転
ドラム2の内側底部に原料粉末が幅狭で比較的厚い流動
層を形成し、スパッタ粒子が流動層の上層部にある粉末
粒子に優先的に被着した結果である。
【0033】逆に、表面粗さRa=500μmと粗い内
面をもつ回転ドラムを使用した比較例では、平均0.1
2μmのコーティング層が形成されているものの、約3
0%の割合で原料粉末PWがコーティングされないまま
の状態であった。これは、装入された原料粉末PWの分
布範囲2R −2L が有効スパッタリング領域Rを大きく
超えて広がると共に、回転ドラム2に共回りしてスパッ
タリング装置Aの上面に落下・堆積した粉末がコーティ
ングされた粉末粒子に混入して取り出されたことに原因
があるものと推察される。
【0034】以上に説明したように、ドラム内面を表面
粗さRa:50〜300μmに調整するとき、回転ドラ
ム2に装入される原料粉末PWの分布範囲2R −2L
有効スパッタリング領域Rにほぼ等しく設定し、スパッ
タリングを効率よく行うことが可能となる。また、この
条件下でスパッタリングした粉末粒子には、図6の対比
から明らかなように短時間で比較的厚いコーティング層
が形成されている。
【0035】回転ドラム2に装入される原料粉末PWの
分布範囲2R −2L は、回転ドラム2の内径や回転速
度,原料粉末PWの粒径や形状等によっても当然変わ
る。しかし、これらの操業条件は、使用する原料粉末や
設備規模等に応じて定まる。そこで、表面粗さRa:5
0〜300μmに調整した回転ドラムを使用するとき、
標準操業における原料粉末PWの分布範囲2R −2L
び有効スパッタリング領域Rを予め求めておき、分布範
囲2R −2L が有効スパッタリング領域Rに一致するよ
うに操業条件を定めることが好ましい。たとえば、使用
する原料粉末PWの粒径や形状等に応じて回転ドラム2
の回転速度を制御することによって、分布範囲2R −2
L を有効スパッタリング領域Rに一致させることができ
る。
【0036】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明において
は、スパッタリング反応が行われる回転ドラムの内面を
表面粗さRa50〜300μmに調整することにより、
ターゲットプレートから飛翔するスパッタ粒子を効率よ
く個々の粉末粒子に被着させている。そのため、均一な
コーティング層が形成された粉末が得られると共に、コ
ーティング層の厚みにバラツキが少なく、しかもスパッ
タリング時間の短縮も図られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明者等が先に提案した小規模の粉末コー
ティング装置
【図2】 本発明者等が開発した大規模の粉末コーティ
ング装置
【図3】 大規模粉末コーティング装置におぴて回転ド
ラム内にスパッタリング装置を配置した状態
【図4】 同スパッタリング装置の断面図
【図5】 回転ドラム内面の表面粗さが原料粉末の分布
範囲に与える影響を表したグラフ
【図6】 粉末粒子表面に形成されたコーティング層の
厚み及びバラツキに回転ドラム内面の表面粗さが与える
影響を表したグラフ
【符号の説明】
2 回転ドラム A コーティング装置 R 有効
コーティング領域 PW 原料粉末 D 回転ドラムの回転方向 2R −2L 回転ドラムに装入された原料粉末の分布範
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平3−153864(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C23C 14/00 - 14/58 B22F 1/02

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 コーティングされる原料粉末が装入され
    る回転ドラムと、該回転ドラムの内部に軸方向に配置し
    たスパッタリング装置とを備え、前記回転ドラムの底部
    内周面に沿った有効コーティング領域に前記原料粉末が
    分散されるように、前記回転ドラムの内周面を表面粗さ
    Ra50〜300μmに調整していることを特徴とする
    粉末コーティング装置。
JP04097377A 1992-03-25 1992-03-25 粉末コーティング装置 Expired - Lifetime JP3076663B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP04097377A JP3076663B2 (ja) 1992-03-25 1992-03-25 粉末コーティング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP04097377A JP3076663B2 (ja) 1992-03-25 1992-03-25 粉末コーティング装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05271921A JPH05271921A (ja) 1993-10-19
JP3076663B2 true JP3076663B2 (ja) 2000-08-14

Family

ID=14190826

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP04097377A Expired - Lifetime JP3076663B2 (ja) 1992-03-25 1992-03-25 粉末コーティング装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3076663B2 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19609804C1 (de) * 1996-03-13 1997-07-31 Bosch Gmbh Robert Einrichtung, ihre Verwendung und ihr Betrieb zum Vakuumbeschichten von Schüttgut
JP3620842B2 (ja) * 2002-12-25 2005-02-16 孝之 阿部 多角バレルスパッタ装置、多角バレルスパッタ方法及びそれにより形成された被覆微粒子、被覆微粒子の製造方法
JP4052517B2 (ja) * 2004-06-25 2008-02-27 孝之 阿部 担持微粒子の製造方法
JP4725589B2 (ja) 2008-03-25 2011-07-13 ソニー株式会社 複合微粒子の製造装置及び製造方法
JP6337977B2 (ja) * 2017-01-04 2018-06-06 日立化成株式会社 ドラムスパッタ装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH05271921A (ja) 1993-10-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900008070B1 (ko) 용착 및 플라나화 방법 및 장치
US6521104B1 (en) Configurable vacuum system and method
US4478703A (en) Sputtering system
JP4516199B2 (ja) スパッタ装置及び電子デバイス製造方法
JP2006511715A (ja) アノードガス供給装置を備えたマグネトロンスパッタリング装置
AU2001264853A1 (en) Configurable vacuum system and method
JP3076663B2 (ja) 粉末コーティング装置
TW200301310A (en) Method and device for forming semiconductor wiring, method and device for producing semiconductor component, and wafer
US11830712B2 (en) High efficiency rotatable sputter target
US3514388A (en) Ion metal plating of multiple parts
JPH06505051A (ja) マグネトロンスパッタコーテイング法と回転磁石陰極を備えた装置
JP3068947B2 (ja) 粉末コーティング装置
JP3184293B2 (ja) 粉末コーティング用スパッタリング装置
JP3056222B2 (ja) スパッタ装置およびスパッタ方法
JP3429024B2 (ja) 冷却機構を備えた粉末コーティング装置
JP3051554B2 (ja) 粉末コーティング装置
JP3251790B2 (ja) 粉末コーティング装置
JP2009299191A (ja) プラズマ支援スパッタ成膜装置
JP2005226153A (ja) プラズマ支援スパッタ成膜装置
JP7438853B2 (ja) マグネトロンスパッタリング装置
JPH03173767A (ja) 薄膜形成装置
JPH05271923A (ja) 粉末コーティング用スパッタリング装置
CN108441828B (zh) 动密封件上的铜-铅自润滑薄膜的镀制设备和镀制方法
CA2507735A1 (en) Configurable vacuum system and method
JP3048555B2 (ja) 薄膜の製造方法とその装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20000530