JP3070004B2 - プラズマ・プロセス監視装置 - Google Patents
プラズマ・プロセス監視装置Info
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- plasma
- process monitoring
- processing apparatus
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜を生成するた
めのプラズマ・プロセス装置において、電界の状態変化
を検出し、また、状態変化が原因で発生する製造物の不
良を軽減するとともに、不良の可能性がある製造物を選
別するために使用するプラズマ・プロセス監視装置に関
する。
めのプラズマ・プロセス装置において、電界の状態変化
を検出し、また、状態変化が原因で発生する製造物の不
良を軽減するとともに、不良の可能性がある製造物を選
別するために使用するプラズマ・プロセス監視装置に関
する。
【０００１】
【従来の技術】近年、半導体、磁気記憶媒体、光学記憶
媒体、液晶表示素子等の製造においては、その土台とな
る基板の上に各種の薄膜を生成するために、薄膜の厚さ
を精度高く制御する装置が要求されており、この要求を
満足させるものとして、プラズマ技術を応用したプラズ
マ・プロセス装置が使用されるようになってきた。この
プラズマ・プロセス装置を図３に示す。図３において、
プラズマ・プロセス装置は薄膜を生成するプラズマ・プ
ロセス成膜部１と、このプラズマ・プロセス成膜部１に
高圧電源を供給する電源装置２と、プラズマ・プロセス
成膜部１を真空にするための真空ポンプ３およびプラズ
マ・プロセス成膜部１にスパッタガスを供給するガスタ
ンク４とから構成されている。
媒体、液晶表示素子等の製造においては、その土台とな
る基板の上に各種の薄膜を生成するために、薄膜の厚さ
を精度高く制御する装置が要求されており、この要求を
満足させるものとして、プラズマ技術を応用したプラズ
マ・プロセス装置が使用されるようになってきた。この
プラズマ・プロセス装置を図３に示す。図３において、
プラズマ・プロセス装置は薄膜を生成するプラズマ・プ
ロセス成膜部１と、このプラズマ・プロセス成膜部１に
高圧電源を供給する電源装置２と、プラズマ・プロセス
成膜部１を真空にするための真空ポンプ３およびプラズ
マ・プロセス成膜部１にスパッタガスを供給するガスタ
ンク４とから構成されている。
【０００２】プラズマ・プロセス成膜部１は、グロー放
電によりプラズマを発生させて薄膜を生成するスパッタ
装置であり、内部に対向してターゲットとなる陰極５と
陽極６が備えられ、陽極６の上に薄膜を生成する基板７
が設置される。このプラズマ・プロセス成膜部１は、真
空ポンプ３で装置内部を１０-5Ｔoor 程度の真空度にし
て，装置内にガスタンク４よりアルゴン等のスパッタガ
スを入れ、接続ケーブル８を介して電源装置２で−５０
０Ｖ程度の電圧を陰極５と陽極６に印加すると、グロー
放電が発生する。このグロー放電により発生した陽子イ
オンが陰極５に衝突して２次電子や陰極５の物質である
中性粒子を放出させる。この放出された中性粒子が基板
７に堆積して薄膜７ａを形成する。
電によりプラズマを発生させて薄膜を生成するスパッタ
装置であり、内部に対向してターゲットとなる陰極５と
陽極６が備えられ、陽極６の上に薄膜を生成する基板７
が設置される。このプラズマ・プロセス成膜部１は、真
空ポンプ３で装置内部を１０-5Ｔoor 程度の真空度にし
て，装置内にガスタンク４よりアルゴン等のスパッタガ
スを入れ、接続ケーブル８を介して電源装置２で−５０
０Ｖ程度の電圧を陰極５と陽極６に印加すると、グロー
放電が発生する。このグロー放電により発生した陽子イ
オンが陰極５に衝突して２次電子や陰極５の物質である
中性粒子を放出させる。この放出された中性粒子が基板
７に堆積して薄膜７ａを形成する。
【０００３】しかしながら、上述したプラズマ・プロセ
ス装置においては、電源装置２の変動や、ターゲットで
ある陰極５の消耗状態、真空度の変動、スパッタガスの
成分や濃度の変動により、プラズマの乱れやアーク放電
等の異常放電が発生し、この異常放電が発生した場合
は、生成される薄膜に異なる特性を有する部分（以下、
パーティクルという）が発生する可能性があり、薄膜生
成上の問題となっていた。このパーティクルの発生を減
らすため、熟練したオペレータがプラズマ・プロセス装
置の状態変化を目視や経過時間等から、経験的にプラズ
マ・プロセス成膜部１、電源装置２、真空ポンプ３、ガ
スタンク４等を操作し、良品と不良品を選別するため製
造後に全数検査をすることによりパーティクルの有無を
選別という非常に厄介な問題があった。
ス装置においては、電源装置２の変動や、ターゲットで
ある陰極５の消耗状態、真空度の変動、スパッタガスの
成分や濃度の変動により、プラズマの乱れやアーク放電
等の異常放電が発生し、この異常放電が発生した場合
は、生成される薄膜に異なる特性を有する部分（以下、
パーティクルという）が発生する可能性があり、薄膜生
成上の問題となっていた。このパーティクルの発生を減
らすため、熟練したオペレータがプラズマ・プロセス装
置の状態変化を目視や経過時間等から、経験的にプラズ
マ・プロセス成膜部１、電源装置２、真空ポンプ３、ガ
スタンク４等を操作し、良品と不良品を選別するため製
造後に全数検査をすることによりパーティクルの有無を
選別という非常に厄介な問題があった。
【０００４】また、プラズマ成膜装置による薄膜の質的
な良否は、成膜時における装置や付属機器、関連材料の
適切な状態が反映した結果なので、特にプラズマの発生
機構の信頼性や均一性の確保は、諸々のパラメータの確
認することの困難さと共に、長時間に亘る成膜期間中
に、正常動作を確保することは課題が多かった。この中
でも特に、プラズマを安定的に発生させること、および
その安定状態を保持することは難しく、成膜時の状態を
直接監視することが困難な状況を勘案して、成膜機構の
動作確認を容易にならしめる方法が望まれていた。
な良否は、成膜時における装置や付属機器、関連材料の
適切な状態が反映した結果なので、特にプラズマの発生
機構の信頼性や均一性の確保は、諸々のパラメータの確
認することの困難さと共に、長時間に亘る成膜期間中
に、正常動作を確保することは課題が多かった。この中
でも特に、プラズマを安定的に発生させること、および
その安定状態を保持することは難しく、成膜時の状態を
直接監視することが困難な状況を勘案して、成膜機構の
動作確認を容易にならしめる方法が望まれていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した問
題点に鑑みなされたもので、プラズマ・プロセス装置の
状態を定量的に判断し、その結果を製造装置にフィード
バックすることにより、パーティクルの少ない薄膜を生
成するとともに、薄膜へのパーティクル混入を予見し、
プロセスの早い段階で不良品を製造ラインから除外する
ことにより、無駄な工程を省くことのできる経済的な装
置を提供するものである。
題点に鑑みなされたもので、プラズマ・プロセス装置の
状態を定量的に判断し、その結果を製造装置にフィード
バックすることにより、パーティクルの少ない薄膜を生
成するとともに、薄膜へのパーティクル混入を予見し、
プロセスの早い段階で不良品を製造ラインから除外する
ことにより、無駄な工程を省くことのできる経済的な装
置を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明プラズマ・プロセスの監視装置は、プラズマ
・プロセス装置に並設して設置され、前記プラズマ・プ
ロセス装置の電界の攪乱により引き起こされる状態変化
を監視する装置であって、前記プラズマ・プロセス装置
に供給される積算電力を検出する検出手段と、前記検出
手段で検出した積算電力から前記状態変化により製造物
が受けたダメージを判別する判別手段とを備えている。
め、本発明プラズマ・プロセスの監視装置は、プラズマ
・プロセス装置に並設して設置され、前記プラズマ・プ
ロセス装置の電界の攪乱により引き起こされる状態変化
を監視する装置であって、前記プラズマ・プロセス装置
に供給される積算電力を検出する検出手段と、前記検出
手段で検出した積算電力から前記状態変化により製造物
が受けたダメージを判別する判別手段とを備えている。
【０００７】また、このプラズマ・プロセス監視装置
は、前記プラズマ・プロセス装置の状態変化の回数を計
数する回数計数手段を備えている。また、このプラズマ
・プロセス監視装置は、前記プラズマ・プロセス装置の
状態変化の発生率を計数する発生率計数手段とを備えて
いる。また、このプラズマ・プロセス監視装置は、前記
プラズマ・プロセス装置の状態変化の規模を識別する識
別手段を備えている。また、このプラズマ・プロセス監
視装置は、前記プラズマ・プロセス装置の状態および状
態変化の情報を情報処理装置に通知する送信手段を備え
ている。また、このプラズマ・プロセス監視装置は、前
記プラズマ・プロセス装置に状態変化があった場合に加
工された製造物を識別する識別手段を備えている。ま
た、このプラズマ・プロセス監視装置は、前記プラズマ
・プロセス装置の状態、状態変化、状態変化回数、状態
変化率の全て或いはその一部を表示する表示手段を備え
ている。また、このプラズマ・プロセス監視装置は、前
記プラズマ・プロセス装置に状態変化があった場合に、
前記プラズマ・プロセス装置を制御する構成とした。
は、前記プラズマ・プロセス装置の状態変化の回数を計
数する回数計数手段を備えている。また、このプラズマ
・プロセス監視装置は、前記プラズマ・プロセス装置の
状態変化の発生率を計数する発生率計数手段とを備えて
いる。また、このプラズマ・プロセス監視装置は、前記
プラズマ・プロセス装置の状態変化の規模を識別する識
別手段を備えている。また、このプラズマ・プロセス監
視装置は、前記プラズマ・プロセス装置の状態および状
態変化の情報を情報処理装置に通知する送信手段を備え
ている。また、このプラズマ・プロセス監視装置は、前
記プラズマ・プロセス装置に状態変化があった場合に加
工された製造物を識別する識別手段を備えている。ま
た、このプラズマ・プロセス監視装置は、前記プラズマ
・プロセス装置の状態、状態変化、状態変化回数、状態
変化率の全て或いはその一部を表示する表示手段を備え
ている。また、このプラズマ・プロセス監視装置は、前
記プラズマ・プロセス装置に状態変化があった場合に、
前記プラズマ・プロセス装置を制御する構成とした。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
基づいて説明する。図１は、本発明のプラズマ・プロセ
ス監視装置を使用したプラズマ・プロセス装置を示す説
明図、図２は、図１のプラズマ・プロセス監視装置の構
成を示すブロック図、である。なお、従来例と同一部品
には同一符号を付してその詳細な説明を省略する。
基づいて説明する。図１は、本発明のプラズマ・プロセ
ス監視装置を使用したプラズマ・プロセス装置を示す説
明図、図２は、図１のプラズマ・プロセス監視装置の構
成を示すブロック図、である。なお、従来例と同一部品
には同一符号を付してその詳細な説明を省略する。
【０００９】まず、本発明のプラズマ・プロセス監視装
置Ａは、図１に示すように、プラズマ・プロセス装置Ｂ
に供給する電力を検出する検出手段である検出部９と、
この検出部９で検出した電力の変化からプラズマ・プロ
セス装置Ｂの状態変化を判別する本体部１０とから構成
されている。また、プラズマ・プロセス装置Ｂは、薄膜
を生成するプラズマ・プロセス成膜部１と、このプラズ
マ・プロセス成膜部１に高圧電源を供給する電源装置２
と、プラズマ・プロセス成膜部１を真空にするための真
空ポンプ３およびプラズマ・プロセス成膜部１にスパッ
タガスを供給するガスタンク４とから構成され、プラズ
マ・プロセス成膜部１と電源装置２を接続する接続ケー
ブル８に前記プラズマ・プロセス監視装置Ａの検出部９
が接続されている。また、プラズマ・プロセス監視装置
Ａの本体部１０には、インターフェイス２１を介して接
続ケーブル２２で情報処理装置Ｃが接続されており、こ
の情報処理装置Ｃはプラズマ・プロセス装置Ｂで製造さ
れた製造物の基板７を制御するため、製造ラインと接続
ケーブル２４で接続されている。
置Ａは、図１に示すように、プラズマ・プロセス装置Ｂ
に供給する電力を検出する検出手段である検出部９と、
この検出部９で検出した電力の変化からプラズマ・プロ
セス装置Ｂの状態変化を判別する本体部１０とから構成
されている。また、プラズマ・プロセス装置Ｂは、薄膜
を生成するプラズマ・プロセス成膜部１と、このプラズ
マ・プロセス成膜部１に高圧電源を供給する電源装置２
と、プラズマ・プロセス成膜部１を真空にするための真
空ポンプ３およびプラズマ・プロセス成膜部１にスパッ
タガスを供給するガスタンク４とから構成され、プラズ
マ・プロセス成膜部１と電源装置２を接続する接続ケー
ブル８に前記プラズマ・プロセス監視装置Ａの検出部９
が接続されている。また、プラズマ・プロセス監視装置
Ａの本体部１０には、インターフェイス２１を介して接
続ケーブル２２で情報処理装置Ｃが接続されており、こ
の情報処理装置Ｃはプラズマ・プロセス装置Ｂで製造さ
れた製造物の基板７を制御するため、製造ラインと接続
ケーブル２４で接続されている。
【００１０】検出部９と本体部１０から構成されている
プラズマ・プロセス監視装置Ａは、図２に示すように、
接続ケーブル１２で接続されている。プラズマ・プロセ
ス成膜部１と、電源装置２を接続する接続ケーブル８に
接続される検出部９は、電力検出部１３から構成されて
おり、電力検出部１３で検出した値はケーブル１２を通
じて後述する本体部１０の状態変化検出部１５により測
定される。
プラズマ・プロセス監視装置Ａは、図２に示すように、
接続ケーブル１２で接続されている。プラズマ・プロセ
ス成膜部１と、電源装置２を接続する接続ケーブル８に
接続される検出部９は、電力検出部１３から構成されて
おり、電力検出部１３で検出した値はケーブル１２を通
じて後述する本体部１０の状態変化検出部１５により測
定される。
【００１１】本体部１０は、図１に示すように、金属製
の筐体の前面パネル１０ａに、プラズマ・プロセス装置
Ｂの状態変化をランプの点灯で表示する状態表示部１６
と、時間当たりの状態変化の発生数を表示する状態変化
率表示部１８と、状態変化の発生数の累積を表示する状
態変化回数表示部２０とが備えられており、図示しない
筐体の背面には、前記検出部９および情報処理装置Ｃと
の接続用のコネクタを備えている。この本体部１０の内
部には、図２に示すように、前記検出部９からの電力の
値を測定してプラズマ・プロセス装置Ｂの状態変化を判
断する状態変化検出部１５と、この状態変化検出部１５
の判断結果をランプで表示する状態表示部１６と、状態
変化検出部１５で読込んだデータの時間当たりの状態変
化の発生数をカウントする状態変化率計数部１７と、こ
の状態変化率計数部１７でカウントした結果を表示する
状態変化率表示部１８と、状態変化検出部１５で読込ん
だ状態変化の発生数の累積をカウントする状態変化回数
計数部１９と、この状態変化回数計数部１９でカウント
した結果を表示する状態変化回数表示部２０から構成さ
れている。
の筐体の前面パネル１０ａに、プラズマ・プロセス装置
Ｂの状態変化をランプの点灯で表示する状態表示部１６
と、時間当たりの状態変化の発生数を表示する状態変化
率表示部１８と、状態変化の発生数の累積を表示する状
態変化回数表示部２０とが備えられており、図示しない
筐体の背面には、前記検出部９および情報処理装置Ｃと
の接続用のコネクタを備えている。この本体部１０の内
部には、図２に示すように、前記検出部９からの電力の
値を測定してプラズマ・プロセス装置Ｂの状態変化を判
断する状態変化検出部１５と、この状態変化検出部１５
の判断結果をランプで表示する状態表示部１６と、状態
変化検出部１５で読込んだデータの時間当たりの状態変
化の発生数をカウントする状態変化率計数部１７と、こ
の状態変化率計数部１７でカウントした結果を表示する
状態変化率表示部１８と、状態変化検出部１５で読込ん
だ状態変化の発生数の累積をカウントする状態変化回数
計数部１９と、この状態変化回数計数部１９でカウント
した結果を表示する状態変化回数表示部２０から構成さ
れている。
【００１２】状態変化検出部１５はトリガー回路、ロー
パスフィルタ、ハイパスフィルタ、比較回路を備え、検
出部９から入力される検出信号をトリガー回路でゲート
を開いて読み込み、ローパスフィルタ、ハイパスフィル
タを通して誤判断の原因となるノイズ部分をカットし、
比較回路の設定条件と比較して状態変化の発生を判断す
るものである。また、この判断結果を、状態表示部１
６、状態変化率計数部１７、状態変化回数計数部１９に
送るものである。
パスフィルタ、ハイパスフィルタ、比較回路を備え、検
出部９から入力される検出信号をトリガー回路でゲート
を開いて読み込み、ローパスフィルタ、ハイパスフィル
タを通して誤判断の原因となるノイズ部分をカットし、
比較回路の設定条件と比較して状態変化の発生を判断す
るものである。また、この判断結果を、状態表示部１
６、状態変化率計数部１７、状態変化回数計数部１９に
送るものである。
【００１３】状態表示部１６は、ランプの点灯でプラズ
マ・プロセス装置Ｂの状態変化を表示するもので、状態
変化検出部１５で判断した結果、プラズマ・プロセス装
置Ｂの状態が正常であれば、例えば、グリーンのランプ
が点灯し、プラズマ・プロセス装置Ｂのプラズマ・プロ
セス成膜部１で状態変化が発生して異常になった場合
は、例えば赤のランプが点灯し、異常状態であることを
表示する。
マ・プロセス装置Ｂの状態変化を表示するもので、状態
変化検出部１５で判断した結果、プラズマ・プロセス装
置Ｂの状態が正常であれば、例えば、グリーンのランプ
が点灯し、プラズマ・プロセス装置Ｂのプラズマ・プロ
セス成膜部１で状態変化が発生して異常になった場合
は、例えば赤のランプが点灯し、異常状態であることを
表示する。
【００１４】状態変化率計数部１７は、状態変化検出部
１５より送られた状態変化の発生信号を、単位時間毎に
区切ってカウントするもので、単位時間としては、０．
１２５秒、０．２５秒、０．５秒、１秒、２秒を選択で
きる。このカウントした結果を状態変化率表示部１８に
送り、状態変化率表示部１８で表示する。状態変化率表
示部１８は、３桁の表示用セグメントを備え、状態変化
率計数部１７でカウントした数字を表示する。また、カ
ウンタリセットスイッチを備えてカウント値をリセット
する。
１５より送られた状態変化の発生信号を、単位時間毎に
区切ってカウントするもので、単位時間としては、０．
１２５秒、０．２５秒、０．５秒、１秒、２秒を選択で
きる。このカウントした結果を状態変化率表示部１８に
送り、状態変化率表示部１８で表示する。状態変化率表
示部１８は、３桁の表示用セグメントを備え、状態変化
率計数部１７でカウントした数字を表示する。また、カ
ウンタリセットスイッチを備えてカウント値をリセット
する。
【００１５】状態変化回数計数部１９は、状態変化検出
部１５より送られた状態変化の発生信号を累積してカウ
ントする。そして、このカウントした結果を状態変化回
数表示部２０に送り、状態変化回数表示部２０で表示す
る。状態変化回数表示部２０は、５桁の表示用セグメン
トを備え、状態変化回数計数部１９でカウントした数字
を表示する。また、カウンタリセットスイッチを備えて
カウント値をリセットする。
部１５より送られた状態変化の発生信号を累積してカウ
ントする。そして、このカウントした結果を状態変化回
数表示部２０に送り、状態変化回数表示部２０で表示す
る。状態変化回数表示部２０は、５桁の表示用セグメン
トを備え、状態変化回数計数部１９でカウントした数字
を表示する。また、カウンタリセットスイッチを備えて
カウント値をリセットする。
【００１６】つぎに、上記のように構成されたプラズマ
・プロセス監視装置Ａの動作を説明する。プラズマ・プ
ロセス装置Ｂにおいて、プラズマ・プロセス成膜部１で
アークが発生した場合は、陰極５と陽極６間の抵抗が極
端に下がり、大電流が流れて、電圧降下が発生する。こ
の時に製造物に与えるダメージは、アーク発生時の積算
電力から判断するもので、これは［数１］により求める
ことができる。
・プロセス監視装置Ａの動作を説明する。プラズマ・プ
ロセス装置Ｂにおいて、プラズマ・プロセス成膜部１で
アークが発生した場合は、陰極５と陽極６間の抵抗が極
端に下がり、大電流が流れて、電圧降下が発生する。こ
の時に製造物に与えるダメージは、アーク発生時の積算
電力から判断するもので、これは［数１］により求める
ことができる。
【００１７】
【数１】
【００１８】また、この積算電力は電圧効果を利用して
も求めることができる。この場合は、一般的に電源装置
２にはコンデンサを装備しているため、電圧降下の２乗
に比例したエネルギーが放出されていると理解でき、そ
の値から製造物へのダメージを判断する。
も求めることができる。この場合は、一般的に電源装置
２にはコンデンサを装備しているため、電圧降下の２乗
に比例したエネルギーが放出されていると理解でき、そ
の値から製造物へのダメージを判断する。
【００１９】このように、状態変化検出部１５でアーク
の発生を判断し、その判断結果を状態表示部１６がラン
プの色で表示するものである。そしてアーク放電等の異
常が発生した場合は、その単位時間当たりの発生数を状
態変化率計数部１７でカウントして状態変化率表示部１
８で表示し、その累積の発生数を状態変化回数計数部１
９でカウントして状態変化回数表示部２０で表示するも
のである。また、これらの結果は、図１に示すように、
通信手段であるインターフェイス２１を介して接続ケー
ブル２２で情報処理装置Ｃに伝達される。情報処理装置
Ｃは総合的に判断し、その判断結果によりプラズマ・プ
ロセス成膜部１、電源装置２、真空ポンプ３、ガスタン
ク４の制御が接続ケーブル２３を通じて行われる。情報
処理装置Ｃにては、プラズマ・プロセス監視装置Ａより
送られた結果をもとに、アーク発生による基板７の薄膜
へのダメージ具合を判断するが、その判断基準はアーク
発生の回数ならびに規模によるものである。
の発生を判断し、その判断結果を状態表示部１６がラン
プの色で表示するものである。そしてアーク放電等の異
常が発生した場合は、その単位時間当たりの発生数を状
態変化率計数部１７でカウントして状態変化率表示部１
８で表示し、その累積の発生数を状態変化回数計数部１
９でカウントして状態変化回数表示部２０で表示するも
のである。また、これらの結果は、図１に示すように、
通信手段であるインターフェイス２１を介して接続ケー
ブル２２で情報処理装置Ｃに伝達される。情報処理装置
Ｃは総合的に判断し、その判断結果によりプラズマ・プ
ロセス成膜部１、電源装置２、真空ポンプ３、ガスタン
ク４の制御が接続ケーブル２３を通じて行われる。情報
処理装置Ｃにては、プラズマ・プロセス監視装置Ａより
送られた結果をもとに、アーク発生による基板７の薄膜
へのダメージ具合を判断するが、その判断基準はアーク
発生の回数ならびに規模によるものである。
【００２０】上記のように情報処理装置Ｃで判断した結
果、基板７の薄膜がダメージを受けた可能性があると判
断された場合は、図１に示すように、接続ケーブル２４
を通じて、製造ライン２５の選別手段である選別装置２
５ａに伝達される。製造ライン２５では、プラズマ・プ
ロセス監視装置Ａの状態変化回数計数部１９により発生
時間から該当する製造物の基板７を識別するので、製造
ライン２５の識別手段である選別装置２５ａにおいて、
該当する基板７が自動的に除去される。
果、基板７の薄膜がダメージを受けた可能性があると判
断された場合は、図１に示すように、接続ケーブル２４
を通じて、製造ライン２５の選別手段である選別装置２
５ａに伝達される。製造ライン２５では、プラズマ・プ
ロセス監視装置Ａの状態変化回数計数部１９により発生
時間から該当する製造物の基板７を識別するので、製造
ライン２５の識別手段である選別装置２５ａにおいて、
該当する基板７が自動的に除去される。
【００２１】
【発明の効果】以上説明した本発明は、積算電力すなわ
ち電気的エネルギー量から製造物が受けたダメージを判
別するので、ダメージを確実に弁別することができる。
ち電気的エネルギー量から製造物が受けたダメージを判
別するので、ダメージを確実に弁別することができる。
【図１】本発明のプラズマ・プロセス監視装置を使用し
たプラズマ・プロセス装置を示す説明図である。
たプラズマ・プロセス装置を示す説明図である。
【図２】図１のプラズマ・プロセス監視装置の構成を示
すブロック図である。
すブロック図である。
【図３】従来のプラズマ・プロセス装置を示す説明図で
ある。
ある。
Ａ プラズマ・プロセス監視装置 Ｂ プラズマ・プロセス装置 Ｃ 情報処理装置 １ プラズマ・プロセス成膜部 ２ 電源装置 ３ 真空ポンプ ４ ガスタンク ５ 陰極 ６ 陽極 ７ 基板 ８ 接続ケーブル ９ 検出部 １０ 本体部 １２ 接続ケーブル １３ 電力検出部 １５ 状態変化検出部 １６ 状態表示部 １７ 状態変化率計数部 １８ 状態変化率表示部 １９ 状態変化回数計数部 ２０ 状態変化回数表示部 ２１ インターフェイス ２２ 接続ケーブル ２３ 接続ケーブル ２４ 接続ケーブル ２５ 製造ライン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 靖文 東京都千代田区富士見１丁目５番８号 株式会社ランドマークテクノロジー内 (56)参考文献 特開 平２−205675（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−72064（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−165068（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−230652（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−225935（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−88338（ＪＰ，Ａ) 特公 平６−53938（ＪＰ，Ｂ２) 特公 平７−45705（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 14/00 - 14/58 H05H 1/46 H01L 21/203 H01L 21/205 H01L 21/31
Claims (8)
- 【請求項１】 プラズマ・プロセス装置に並設して設置
され、前記プラズマ・プロセス装置の電界の攪乱により
引き起こされる状態変化を監視する装置であって、 前記プラズマ・プロセス装置に供給される積算電力を検
出する検出手段と、前記検出手段で検出した積算電力か
ら前記状態変化により製造物が受けたダメージを判別す
る判別手段と、 を備えたことを特徴とするプラズマ・プロセス監視装
置。 - 【請求項２】 前記プラズマ・プロセス監視装置に、前
記プラズマ・プロセス装置の状態変化の回数を計数する
回数計数手段を備えたことを特徴とする請求項１に記載
のプラズマ・プロセス監視装置。 - 【請求項３】 前記プラズマ・プロセス監視装置に、前
記プラズマ・プロセス装置の状態変化の発生率を計数す
る発生率計数手段を備えたことを特徴とする請求項１乃
至請求項２に記載のプラズマ・プロセス監視装置。 - 【請求項４】 前記プラズマ・プロセス監視装置に、前
記プラズマ・プロセス装置の状態変化の規模を識別する
識別手段を備えたことを特徴とする請求項１乃至請求項
３のいずれかの項に記載のプラズマ・プロセス監視装
置。 - 【請求項５】 前記プラズマ・プロセス監視装置に、前
記プラズマ・プロセス装置の状態および状態変化の情報
を情報処理装置に通知する通信手段を備えたことを特徴
とする請求項１乃至請求項４のいずれかの項に記載のプ
ラズマ・プロセス監視装置。 - 【請求項６】 前記プラズマ・プロセス監視装置に、前
記プラズマ・プロセス装置に状態変化があった場合に加
工された製造物を識別する識別手段を備えたことを特徴
とする請求項１乃至請求項５のいずれかの項に記載のプ
ラズマ・プロセス監視装置。 - 【請求項７】 前記プラズマ・プロセス監視装置に、前
記プラズマ・プロセス装置の状態、状態変化、状態変化
回数、状態変化率の全てまたはその一部を表示する表示
手段を備えたことを特徴とする請求項１乃至請求項６の
いずれかの項に記載のプラズマ・プロセス監視装置。 - 【請求項８】 前記プラズマ・プロセス監視装置は、前
記プラズマ・プロセス装置に状態変化があった場合に、
前記プラズマ・プロセス装置を制御することを特徴とす
る請求項１乃至請求項７のいずれかの項に記載のプラズ
マ・プロセス監視装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8307855A JP3070004B2 (ja) | 1996-11-19 | 1996-11-19 | プラズマ・プロセス監視装置 |
| US08/974,498 US6080292A (en) | 1996-11-19 | 1997-11-19 | Monitoring apparatus for plasma process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8307855A JP3070004B2 (ja) | 1996-11-19 | 1996-11-19 | プラズマ・プロセス監視装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10147866A JPH10147866A (ja) | 1998-06-02 |
| JP3070004B2 true JP3070004B2 (ja) | 2000-07-24 |
Family
ID=17973995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8307855A Expired - Lifetime JP3070004B2 (ja) | 1996-11-19 | 1996-11-19 | プラズマ・プロセス監視装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6080292A (ja) |
| JP (1) | JP3070004B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2000049216A (ja) * | 1998-07-28 | 2000-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置および当該装置で用いられる静電チャック吸着方法 |
| WO2004001094A1 (en) * | 2002-06-19 | 2003-12-31 | Tosoh Smd, Inc. | Sputter target monitoring system |
| US20050205415A1 (en) * | 2004-03-19 | 2005-09-22 | Belousov Igor V | Multi-component deposition |
| US7305311B2 (en) * | 2005-04-22 | 2007-12-04 | Advanced Energy Industries, Inc. | Arc detection and handling in radio frequency power applications |
| US8217299B2 (en) * | 2007-02-22 | 2012-07-10 | Advanced Energy Industries, Inc. | Arc recovery without over-voltage for plasma chamber power supplies using a shunt switch |
| US8044594B2 (en) * | 2008-07-31 | 2011-10-25 | Advanced Energy Industries, Inc. | Power supply ignition system and method |
| US8395078B2 (en) | 2008-12-05 | 2013-03-12 | Advanced Energy Industries, Inc | Arc recovery with over-voltage protection for plasma-chamber power supplies |
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|---|---|---|---|---|
| US5556549A (en) * | 1994-05-02 | 1996-09-17 | Lsi Logic Corporation | Power control and delivery in plasma processing equipment |
| US5576629A (en) * | 1994-10-24 | 1996-11-19 | Fourth State Technology, Inc. | Plasma monitoring and control method and system |
-
1996
- 1996-11-19 JP JP8307855A patent/JP3070004B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-11-19 US US08/974,498 patent/US6080292A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6080292A (en) | 2000-06-27 |
| JPH10147866A (ja) | 1998-06-02 |
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