JP3069330U - Semiconductor test equipment - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 本考案は、パフォマンスボードや診断ボード
を着脱する際に発生する高電圧の静電気によるコンパレ
ータの損傷防止をコストの高いサージアレスタを使用す
ることなくできる半導体試験装置を提供する。
【解決手段】 パフォーマンスボードの着脱をする場合
に、信号ラインと終端抵抗とを接続するリレーをONと
した状態に制御できる解決手段。
(57) [Summary] (With correction) [Problem] The present invention can prevent damage to a comparator due to high-voltage static electricity generated when attaching or detaching a performance board or a diagnostic board without using a costly surge arrester. Provide a semiconductor test device. SOLUTION: When a performance board is attached / detached, a relay for connecting a signal line and a terminating resistor can be controlled to be turned on.
Description
【0001】[0001]
本考案は、テストヘッドのパフォマンスボード等を着脱するときに信号ライン に発生する高電圧の静電気の放電対策をした半導体試験装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor test apparatus for preventing high-voltage static electricity generated in a signal line when a performance board or the like of a test head is attached or detached.
【0002】[0002]
従来技術の例について、図4〜図7を参照して説明する。 最初に、半導体試験装置の概要について説明する。 図4に示すように、半導体試験装置の構成は、ワークステーション10と、半 導体試験装置本体20と、テストヘッド30とで構成している。 An example of the related art will be described with reference to FIGS. First, an outline of the semiconductor test apparatus will be described. As shown in FIG. 4, the configuration of the semiconductor test apparatus includes a workstation 10, a semiconductor test apparatus main body 20, and a test head 30.
【0003】 ワークステーション10は、半導体試験装置とオペレータとのインタフェース となり、キャリブレーションや試験プログラムの実行をおこなう。The workstation 10 serves as an interface between a semiconductor test apparatus and an operator, and performs calibration and execution of a test program.
【0004】 半導体試験装置本体20は、試験信号を発生するユニットと、被試験デバイス (DUT:Device Under Test)であるDUT31からの信号を受けて合否の 判定を行うユニットと、制御プロッセッサと、電源等とで構成される。The semiconductor test apparatus main body 20 includes a unit for generating a test signal, a unit for receiving a signal from a DUT 31 which is a device under test (DUT: Device Under Test) to make a pass / fail judgment, a control processor, and a power supply. And so on.
【0005】 テストヘッド30は、パフォマンスボード33を介して、ICソケット32に 搭載されたDUT31と試験信号の受け渡しを行う。 但し、ICソケット32を搭載したパフォマンスボード33を含めてテストヘ ッドという場合もあるが、本明細書では説明の便宜上わけている。 また、考案とは直接関係しないので、テストヘッド30の機構的要素に関して は省略している。 なお、図4に示してはいないが、キャリブレーションを実行する場合は、パフ ォマンスボード33を診断ボードに置き換えておこなう。The test head 30 exchanges a test signal with a DUT 31 mounted on an IC socket 32 via a performance board 33. However, there is a case where the test head includes the performance board 33 on which the IC socket 32 is mounted, but in this specification, it is separated for convenience of explanation. Further, the mechanical elements of the test head 30 are omitted because they are not directly related to the invention. Although not shown in FIG. 4, when performing the calibration, the performance board 33 is replaced with a diagnostic board.
【0006】 次に、テストヘッド30の詳細に関して図5を参照して説明する。 テストヘッド30は、図5に示すように、接続手段34と、ピンエレクトロニ クス35とで構成している。Next, details of the test head 30 will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 5, the test head 30 includes a connecting means 34 and pin electronics 35.
【0007】 ピンエレクトロニクス35は、DUT31の各ピンに対応した計測用回路であ る。 例えば、DUT31を64個同時測定する半導体試験装置の場合、ピン数は1 0000ピンに対応するピンエレクトロニクス35が必要となる。 但し、図を簡明とするため、図5は1組のピンエレクトロニクス35のみ表示 している。The pin electronics 35 is a measurement circuit corresponding to each pin of the DUT 31. For example, in the case of a semiconductor test apparatus that measures 64 DUTs 31 simultaneously, the pin electronics 35 corresponding to 10000 pins is required. However, for the sake of simplicity, FIG. 5 shows only one set of pin electronics 35.
【0008】 接続手段34は、テストヘッド30からパフォマンスボード33を着脱可能と する手段で、例えば、パフォマンスボード33の各パッドとバネ圧により押圧す るポゴピンP1、P2を使用して信号の受け渡しをする。[0008] The connection means 34 is means for making the performance board 33 detachable from the test head 30. For example, the connection and reception of signals is performed using each pad of the performance board 33 and pogo pins P1 and P2 pressed by spring pressure. I do.
【0009】 パフォマンスボード33は、1辺が50cm程度の多層基板であり、DUT3 1に対応したICソケット32を搭載している。The performance board 33 is a multilayer board having a side of about 50 cm, and has an IC socket 32 corresponding to the DUT 31 mounted thereon.
【0010】 ICソケット32は、試験するDUT31のピン数と形状とに合わせたソケッ トである。The IC socket 32 is a socket that matches the number of pins and the shape of the DUT 31 to be tested.
【0011】 DUT31は、半導体試験装置により試験されるデバイスであり、ICソケッ ト32に搭載して試験される。The DUT 31 is a device to be tested by a semiconductor test device, and is mounted on an IC socket 32 and tested.
【0012】 次に、ピンエレクトロニクス35の要部構成例と動作について説明する。 図5示すように、ピンエレクトロニクス35の要部の一例は、リレーS11、 S12、S21、S22、S31、S32、S41、S42と、ドライバ51と 、コンパレータ61、62と、サージアレスタ71、72と、抵抗R1、R2と で構成している。Next, a configuration example and operation of the main part of the pin electronics 35 will be described. As shown in FIG. 5, an example of a main part of the pin electronics 35 includes relays S11, S12, S21, S22, S31, S32, S41, S42, a driver 51, comparators 61 and 62, and surge arresters 71 and 72. , Resistors R1 and R2.
【0013】 そして、図7に示すように、リレーS11、S21、S31、S41の制御は 、トランジスタQ1、Q2、Q3、Q4で各リレーのコイルをドライブして行っ ている。 また、リレーS12、S22、S32、S42の制御は、図7と同様におこな っているので回路図は省略する。As shown in FIG. 7, the relays S11, S21, S31, and S41 are controlled by driving the coils of the respective relays with transistors Q1, Q2, Q3, and Q4. The control of the relays S12, S22, S32, and S42 is performed in the same manner as in FIG. 7, and the circuit diagram is omitted.
【0014】 ここで、リレーS11、S12、S21、S22、S31、S32、S41、 S42とは、デフォルトの状態ではすべてOFF(ブレーク)しており、それぞ れのリレーを制御するコマンド信号により独立してON(メーク)する。 例えば、リレーS11、S21、S31、S41をONするコマンド信号は、 それぞれDR OUT、DR DC、DR CAL、DR TERMである。Here, the relays S11, S12, S21, S22, S31, S32, S41, and S42 are all OFF (break) in a default state, and are independent by a command signal for controlling each relay. And turn on (make). For example, the command signals for turning on the relays S11, S21, S31, and S41 are DR OUT, DR DC, DR CAL, and DR TERM, respectively.
【0015】 リレーS11、S12は、DUT31のI/Oピンに論理信号を印加またはD UT31の出力ピンからの論理信号を受けるとき、コマンド信号でONする。The relays S 11 and S 12 are turned on by a command signal when a logic signal is applied to an I / O pin of the DUT 31 or a logic signal is received from an output pin of the DUT 31.
【0016】 リレーS21、S22は、DUT31のI/Oピンまたは出力ピンの直流(D C)試験信号を印加または測定するとき、コマンド信号でONする。The relays S 21 and S 22 are turned on by a command signal when applying or measuring a direct current (DC) test signal of an I / O pin or an output pin of the DUT 31.
【0017】 リレーS31、S32は、各ピンエレクトロニクス35の試験タイミングを一 致させるキャリブレーションを行うとき、コマンド信号でONする。The relays S 31 and S 32 are turned on by a command signal when performing calibration for matching the test timing of each pin electronics 35.
【0018】 リレーS41は、DUT31のI/Oピンに論理信号を印加またはDUT31 の出力ピンからの論理信号を受けるとき、コマンド信号でONし、信号を抵抗R 1により終端させる。 リレーS42は、DUT31の出力ピンからの論理信号を受けるとき、コマン ド信号でONして、信号ラインの信号を抵抗R2により終端させる。When applying a logic signal to the I / O pin of the DUT 31 or receiving a logic signal from the output pin of the DUT 31, the relay S41 is turned on by a command signal and terminates the signal by the resistor R1. When receiving the logic signal from the output pin of the DUT 31, the relay S42 is turned on by the command signal, and terminates the signal on the signal line by the resistor R2.
【0019】 ドライバ51は、DUT31に印加する試験信号を所定の電圧に増幅して出力 する。The driver 51 amplifies a test signal applied to the DUT 31 to a predetermined voltage and outputs the amplified signal.
【0020】 コンパレータ61、62は、DUT31の出力信号の電圧と、ハイレベルの比 較電圧またはローレベルの比較電圧とを比較する。The comparators 61 and 62 compare the voltage of the output signal of the DUT 31 with a high-level comparison voltage or a low-level comparison voltage.
【0021】 サージアレスタ71、72は、信号ラインの高電圧の静電気を吸収する素子で ある。The surge arresters 71 and 72 are elements that absorb high-voltage static electricity on signal lines.
【0022】 抵抗R1、R2は、終端抵抗で、信号ラインの特性インピーダンスに抵抗値を 合わせる。The resistors R1 and R2 are terminating resistors and adjust the resistance value to the characteristic impedance of the signal line.
【0023】 次に、半導体試験装置の試験手順の一例について以下箇条書きで概要を説明す る。 (1)半導体試験装置のテストヘッド30に診断用ボードを着装してキャリブレ ーションをおこなう。 キャリブレーションが終了したら、テストヘッド30から診断用ボードを脱着 して取り外す。Next, an outline of an example of a test procedure of the semiconductor test apparatus will be described in the following paragraphs. (1) A diagnostic board is mounted on the test head 30 of the semiconductor test apparatus and calibration is performed. After the calibration is completed, the diagnostic board is detached from the test head 30 and removed.
【0024】 (2)試験を行うDUT31に対応したパフォマンスボード33をテストヘッド 30に着装する。(2) A performance board 33 corresponding to the DUT 31 to be tested is mounted on the test head 30.
【0025】 (3)試験するDUT31をパフォマンスボード33のICソケット32に搭載 する。(3) The DUT 31 to be tested is mounted on the IC socket 32 of the performance board 33.
【0026】 (4)試験プログラムを実行してDUT31の試験を行い、合否判定させる。(4) The test program is executed to test the DUT 31 and make a pass / fail decision.
【0027】 (5)合否判定したDUT31をパフォマンスボード33のICソケット32か ら取り外す。(5) The DUT 31 that has been determined to be acceptable is removed from the IC socket 32 of the performance board 33.
【0028】 (6)さらに、同じ種類のDUT31を連続して試験するときは、(3)のステ ップにもどって動作を繰り返す。(6) Further, when testing the same type of DUT 31 continuously, the operation is repeated by returning to the step (3).
【0029】 (7)次に、別の種類のDUT31を試験するときは、図6に示すように現在搭 載しているパフォマンスボード33を脱着して、次に試験しようとするDUT3 1に対応したパフォマンスボード33をテストヘッド30に着装する。(7) Next, when testing another type of DUT 31, as shown in FIG. 6, the currently mounted performance board 33 is detached, and the DUT 31 corresponding to the DUT 31 to be tested next is removed. The mounted performance board 33 is mounted on the test head 30.
【0030】 (8)そして、(3)〜(5)の動作を繰り返す。(8) Then, the operations of (3) to (5) are repeated.
【0031】 上記の試験手順からわかるように、DUT31を試験する場合、診断ボードや パフォマンスボード33を着脱する必要がある。 例えば、パフォマンスボード33を着脱する場合における、過去の問題につい て説明する。As can be seen from the above test procedure, when testing the DUT 31, it is necessary to attach and detach a diagnostic board and a performance board 33. For example, a problem in the past when the performance board 33 is attached and detached will be described.
【0032】 パフォマンスボード33を着脱する場合、パフォマンスボード33に数kVの 高電圧の静電気が発生し、OFFしているリレーS11、S12のギャップを介 して、ピンエレクトロニクス35のコンパレータ61、62に高電圧の静電気が かかって損傷することがあった。When the performance board 33 is attached or detached, high-voltage static electricity of several kV is generated in the performance board 33, and the static electricity is applied to the comparators 61 and 62 of the pin electronics 35 via the gaps of the relays S 11 and S 12 which are turned off. It could be damaged by high voltage static electricity.
【0033】 そこで、従来の静電気対策として、ピンエレクトロニクス35において、リレ ーS11、S12の接続手段34側の信号ラインにサージアレスタ71、72を 挿入してパフォマンスボード33を着脱する際に発生する高電圧の静電気を吸収 してコンパレータ61、62の損傷を防止している。 しかし、従来のピンエレクトロニクス35は、試験するDUT31のピン数増 大に対応して、必要となるサージアレスタ71、72の数も増大し単価も高いの でコストアップする要因となっていた。 なお、診断ボードを着脱する場合にも、同様の問題が発生することがある。Therefore, as a conventional countermeasure against static electricity, in the pin electronics 35, the surge arresters 71 and 72 are inserted into the signal lines on the connection means 34 side of the relays S11 and S12 to attach and detach the performance board 33. The static electricity of the voltage is absorbed to prevent the comparators 61 and 62 from being damaged. However, the conventional pin electronics 35 increases the number of surge arresters 71 and 72 required in response to the increase in the number of pins of the DUT 31 to be tested, and the unit price is high. A similar problem may occur when a diagnostic board is attached or detached.
【0034】[0034]
上記説明のように、従来のピンエレクトロニクスは、パフォマンスボードや診 断ボードを着脱のとき発生する静電気対策としてサージアレスタを付加している が、単価も高く必要数も増大してコストアップする実用上の問題があった。 そこで、本考案は、こうした問題に鑑みなされたもので、その目的は、パフォ マンスボードや診断ボードを着脱する際に発生する高電圧の静電気によるコンパ レータの損傷防止をコストの高いサージアレスタを使用しなくてもできる半導体 試験装置を提供することにある。 As described above, conventional pin electronics add surge arresters as a countermeasure against static electricity that occurs when a performance board or diagnostic board is attached or detached. There was a problem. Therefore, the present invention has been made in view of these problems, and its purpose is to use a high-cost surge arrester to prevent damage to the comparator due to high-voltage static electricity generated when attaching or detaching a performance board or a diagnostic board. It is an object of the present invention to provide a semiconductor test apparatus which can be performed without performing the above.
【0035】[0035]
即ち、上記目的を達成するためになされた本考案は、 パフォーマンスボードの着脱をする場合に、信号ラインと終端抵抗とを接続す るリレーをONとした状態に制御できることを特徴とする半導体試験装置。 That is, the present invention has been made to achieve the above object. According to the present invention, when a performance board is attached or detached, it is possible to control a relay for connecting a signal line and a terminating resistor to an ON state. .
【0036】[0036]
本考案の実施の形態は、下記の実施例において説明する。 Embodiments of the present invention will be described in the following examples.
【0037】[0037]
本考案の実施例について、図1〜図3を参照して説明する。 半導体試験装置の概要については、従来技術において説明したので省略する。 An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The outline of the semiconductor test apparatus has been described in the prior art and will not be described.
【0038】 次に、テストヘッド30に関して、図1を参照して説明する。 テストヘッド30は、接続手段34と、ピンエレクトロニクス36とで構成し ている。 また、接続手段34に関しても、従来技術において説明したので省略する。Next, the test head 30 will be described with reference to FIG. The test head 30 includes connection means 34 and pin electronics 36. Also, the connection means 34 has been described in the prior art, and will not be described.
【0039】 次に、ピンエレクトロニクス36の要部構成例について説明する。 図1に示すように、ピンエレクトロニクス36の要部の一例は、リレーS11 、S12、S21、S22、S31、S32、S41、S42と、ドライバ51 、コンパレータ61、62と、抵抗R1、R2とで構成している。 つまり、ピンエレクトロニクス36の構成は、従来のピンエレクトロニクス3 5からサージアレスタ71、72を削除した構成となっている。Next, an example of a configuration of a main part of the pin electronics 36 will be described. As shown in FIG. 1, an example of a main part of the pin electronics 36 includes relays S11, S12, S21, S22, S31, S32, S41, S42, a driver 51, comparators 61 and 62, and resistors R1 and R2. Make up. That is, the configuration of the pin electronics 36 is such that the surge arresters 71 and 72 are deleted from the conventional pin electronics 35.
【0040】 次に、リレーの制御回路について説明する。 そして、図3に示すように、リレーS11、S21、S31の制御は、トラン ジスタQ1、Q2、Q3で各リレーのコイルをドライブしておこなっている。 また、リレーS11、S12、S21、S22、S31、S32とは、デフォ ルトの状態ではOFF(ブレーク)しており、それぞれのリレーを制御するコマ ンドにより独立してON(メーク)する。 例えば、リレーS11、S21、S31をONするコマンド信号は、それぞれ DR OUT、DR DC、DR CALとする。Next, a relay control circuit will be described. Then, as shown in FIG. 3, the control of the relays S11, S21, S31 is performed by driving the coils of the respective relays with transistors Q1, Q2, Q3. The relays S11, S12, S21, S22, S31, and S32 are OFF (break) in the default state, and are turned ON (make) independently by a command for controlling each relay. For example, command signals for turning on the relays S11, S21, and S31 are DR OUT, DR DC, and DR CAL, respectively.
【0041】 一方、リレーS41の制御は、リレーS31、S21、S31の制御信号をN ORゲート80で受けて、該NORゲート80の出力とコマンド信号DR TE RMの信号とをORゲート90で受けて、トランジスタQ4をドライブしておこ なっている。 従って、リレーS41は、デフォルトの状態と、プログラムを実行していない 状態とではONしており、プログラムを実行してコマンド信号DR OUT、D R DC、DR CALのいずれかを与えることによりOFFとなる。 また、プログラムを実行してコマンド信号DR TERMにより独立してON することもできる。On the other hand, the control of the relay S 41 is such that the control signals of the relays S 31, S 21 and S 31 are received by the NOR gate 80, and the output of the NOR gate 80 and the signal of the command signal DR TER RM are received by the OR gate 90. Therefore, the transistor Q4 is driven. Therefore, the relay S41 is ON in the default state and in the state in which the program is not executed, and is turned OFF by executing the program and giving any of the command signals DR OUT, DR DC, and DR CAL. Become. Alternatively, the program can be executed and turned on independently by the command signal DR TERM.
【0042】 また、リレーS12、S22、S32、S42の制御は、図3と同様におこな えるので回路図とリレーS42の動作説明は省略する。The control of the relays S12, S22, S32, and S42 can be performed in the same manner as in FIG. 3, so that the circuit diagram and the operation description of the relay S42 are omitted.
【0043】 ここで、パフォーマンスボードまたは診断ボードを交換する場合は、デフォル トの状態またはプログラムを実行していない状態であり、リレー41とリレー4 2とは常にONの状態となっている。Here, when the performance board or the diagnostic board is replaced, the default state or the state where the program is not executed, and the relay 41 and the relay 42 are always on.
【0044】 次に、診断ボードを着脱する場合の動作について説明する。 例えば、キャリブレーションするために診断ボードを装着するときは、リレー S41、リレーS42はONの状態となっているので、診断ボードに発生した高 電圧の静電気は、ポゴピンP1、P2と、OFFしているリレーS11、S12 のギャップとを介して、リレー41、リレー42がONしているので、終端抵抗 R1、R2によりそれぞれ吸収される。 そして、キャリブレーションを開始する場合、キャリブレーションループを接 続するリレーS31をONすると、リレーS41はOFFし、またリレーS32 をONすると、リレーS42はOFFとなる。Next, an operation for attaching and detaching a diagnostic board will be described. For example, when the diagnostic board is mounted for calibration, the relay S41 and the relay S42 are in the ON state, so that the high-voltage static electricity generated on the diagnostic board is turned off by the pogo pins P1 and P2. Since the relays 41 and 42 are ON through the gaps between the relays S11 and S12, they are absorbed by the terminating resistors R1 and R2, respectively. When the calibration is started, when the relay S31 connecting the calibration loop is turned on, the relay S41 is turned off, and when the relay S32 is turned on, the relay S42 is turned off.
【0045】 また、キャリブレーションを終了した場合、キャリブレーションループを接続 するリレーS32をOFFすると、リレーS41をONとなり、またリレーS3 2をOFFすると、リレーS42はONとなる。When the calibration is completed, when the relay S32 connecting the calibration loop is turned off, the relay S41 is turned on, and when the relay S32 is turned off, the relay S42 is turned on.
【0046】 次に、パフォマンスボード33を着脱する場合の動作について説明する。 図1に示すように、DUT31の試験をするためにパフォマンスボード33を 着装する場合、リレーS41、リレーS42はONの状態となっているので、パ フォマンスボード33に発生した高電圧の静電気は接続手段34のポゴピンP1 、P2とリレーS11、リレーS41のギャップとを介して終端抵抗R1、R2 によりそれぞれ吸収される。 そして、プログラムを実行してDUT31の試験をする場合、コマンド信号D R OUT、DR DC、DR CALのいずれかによりリレーS41、リレー S42はOFFし、コマンド信号DR TERMによりONとすることができる 。Next, an operation for attaching and detaching the performance board 33 will be described. As shown in FIG. 1, when the performance board 33 is worn to test the DUT 31, the relay S41 and the relay S42 are in the ON state, so that the high-voltage static electricity generated on the performance board 33 is low. The pogo pins P1 and P2 of the connection means 34 and the gaps between the relays S11 and S41 are absorbed by the terminating resistors R1 and R2, respectively. Then, when the DUT 31 is tested by executing the program, the relays S41 and S42 can be turned off by any of the command signals DROUT, DRDC, and DRCAL, and turned on by the command signal DRTERM.
【0047】 また、図2に示すように、DUT31の試験を終了してパフォマンスボード3 3を脱着する場合、着装する場合と同様に、リレーS41、リレーS42はON の状態となっているので、パフォマンスボード33に発生した高電圧の静電気は 接続手段34のポゴピンP1、P2と、リレーS11、リレーS41のギャップ とを介して終端抵抗R1、R2によりそれぞれ吸収される。As shown in FIG. 2, when the test of the DUT 31 is completed and the performance board 33 is detached and attached, the relays S41 and S42 are in the ON state as in the case of wearing. The high-voltage static electricity generated on the performance board 33 is absorbed by the terminating resistors R1 and R2 via the pogo pins P1 and P2 of the connecting means 34 and the gap between the relays S11 and S41.
【0048】 従って、フォーマンスボードまたは診断ボードを交換するとき発生する高電圧 の静電気は、接続手段34のポゴピンP1、P2と、リレーS11、S12のギ ャップを介して、リレー41、リレー42がONしているので、終端抵抗R1、 R2により吸収されてコンパレータ61、62を損傷しない。Therefore, the high-voltage static electricity generated when the performance board or the diagnostic board is replaced is transferred to the relays 41 and 42 via the pogo pins P1 and P2 of the connecting means 34 and the gaps of the relays S11 and S12. Since it is ON, it is absorbed by the terminating resistors R1 and R2 and does not damage the comparators 61 and 62.
【0049】[0049]
本考案は、以上説明したような形態で実施され、以下に記載されるような効果 を奏する。 即ち、パフォマンスボードや診断ボードを着脱する際に発生する高電圧の静電 気を終端抵抗R1、R2により吸収できるようにし、コストの高いサージアレス タを使用しなくてもよいのでコストを低くできる効果がある。 The present invention is embodied in the form described above and has the following effects. That is, the high-voltage static electricity generated when the performance board or the diagnostic board is attached or detached can be absorbed by the terminating resistors R1 and R2, and the cost can be reduced since a costly surge arrestor does not need to be used. There is.
【図1】本考案の半導体試験装置のテストヘッドにパフ
ォマンスボードを着装した回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram in which a performance board is mounted on a test head of a semiconductor test apparatus of the present invention.
【図2】本考案の半導体試験装置のテストヘッドからパ
フォマンスボードを脱着した回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram of the semiconductor test apparatus of the present invention in which a performance board is detached from a test head.
【図3】本考案の半導体試験装置のリレーの制御回路図
である。FIG. 3 is a control circuit diagram of the relay of the semiconductor test device of the present invention.
【図4】半導体試験装置の構成図である。FIG. 4 is a configuration diagram of a semiconductor test apparatus.
【図5】従来の半導体試験装置のテストヘッドにパフォ
マンスボードを着装した回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram in which a performance board is mounted on a test head of a conventional semiconductor test apparatus.
【図6】従来の半導体試験装置のテストヘッドからパフ
ォマンスボードを脱着した回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram in which a performance board is detached from a test head of a conventional semiconductor test apparatus.
【図7】従来の半導体試験装置のリレーの制御回路図で
ある。FIG. 7 is a control circuit diagram of a relay of a conventional semiconductor test apparatus.
10 ワークステーション 20 半導体試験装置本体 30 テストヘッド 31 DUT 32 ICソケット 33 パフォマンスボード 34 接続手段 35、36 ピンエレクトロニクス 51 ドライバ 61、62 コンパレータ 71、72 サージアレスタ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Workstation 20 Semiconductor test apparatus main body 30 Test head 31 DUT 32 IC socket 33 Performance board 34 Connection means 35, 36 pin electronics 51 Driver 61, 62 Comparator 71, 72 Surge arrester
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【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成12年1月21日(2000.1.2
1)[Submission date] January 21, 2000 (2000.1.2
1)
【手続補正1】[Procedure amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】実用新案登録請求の範囲[Correction target item name] Claims for utility model registration
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【実用新案登録請求の範囲】[Utility model registration claims]
Claims (1)
に、信号ラインと終端抵抗とを接続するリレーをONと
した状態に制御できることを特徴とする半導体試験装
置。1. A semiconductor test apparatus capable of controlling a relay for connecting a signal line and a terminating resistor to an ON state when a performance board is attached or detached.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1999008147U JP3069330U (en) | 1999-10-26 | 1999-10-26 | Semiconductor test equipment |
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JP3069330U true JP3069330U (en) | 2000-06-16 |
Family
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Family Applications (1)
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JP1999008147U Expired - Fee Related JP3069330U (en) | 1999-10-26 | 1999-10-26 | Semiconductor test equipment |
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JP (1) | JP3069330U (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2010007770A1 (en) * | 2008-07-15 | 2012-01-05 | 株式会社アドバンテスト | Test equipment |
-
1999
- 1999-10-26 JP JP1999008147U patent/JP3069330U/en not_active Expired - Fee Related
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