JP3046681B2 - 読取装置 - Google Patents
読取装置Info
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- JP3046681B2 JP3046681B2 JP4232240A JP23224092A JP3046681B2 JP 3046681 B2 JP3046681 B2 JP 3046681B2 JP 4232240 A JP4232240 A JP 4232240A JP 23224092 A JP23224092 A JP 23224092A JP 3046681 B2 JP3046681 B2 JP 3046681B2
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- Japan
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- light
- semiconductor chip
- transmitting resin
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ファクシミリ装置やコ
ンピュータの画像入力用イメージスキャナ装置などに用
いられる原稿密着型の読取装置に関する。
ンピュータの画像入力用イメージスキャナ装置などに用
いられる原稿密着型の読取装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６（ａ）は、従来の読取装置の一例の
構成を示す部分斜視図である。この読取装置は、原稿６
０を斜め方向から照明するための光源６２と、原稿６０
からの反射光を結像して原稿像を形成するためのロッド
レンズアレイ６１と、該原稿像を受光するための多数の
光電変換素子から成る受光面７１を有する複数の半導体
チップ７０と、半導体チップ７０が固定される回路基板
６５などから構成されており、原稿６０を１走査線ずつ
ステップ搬送しながら、各半導体チップ７０の各光電変
換素子を順次走査することによって、読取信号が時系列
的に出力される。
構成を示す部分斜視図である。この読取装置は、原稿６
０を斜め方向から照明するための光源６２と、原稿６０
からの反射光を結像して原稿像を形成するためのロッド
レンズアレイ６１と、該原稿像を受光するための多数の
光電変換素子から成る受光面７１を有する複数の半導体
チップ７０と、半導体チップ７０が固定される回路基板
６５などから構成されており、原稿６０を１走査線ずつ
ステップ搬送しながら、各半導体チップ７０の各光電変
換素子を順次走査することによって、読取信号が時系列
的に出力される。
【０００３】図６（ｂ）は、図６（ａ）に示した半導体
チップ７０付近の部分断面図である。半導体チップ７０
は、図７の部分断面図に示すように、回路基板６５の配
線パターン６６に対して、Ａｕ線、Ａｌ線などのボンデ
ィングワイヤ６７によって電気的に接続されており、さ
らに半導体チップ７０および回路基板６５の表面には、
劣化防止や耐環境対策のために、膜厚約０．５ｍｍ〜約
１ｍｍ程度となるようにシリコーン樹脂などの光透過性
樹脂７２が形成されている。なお、配線パターン６６の
両側は、ＳｉＯ2 、ＳｉＮなどの保護膜６８が形成され
ているため、この部分の経時劣化は少なくなる。一方、
光透過性樹脂７２が存在しない場合は、配線パターン６
６が腐食してボンディングワイヤ６７がはずれ、接続不
良を招くおそれがある。
チップ７０付近の部分断面図である。半導体チップ７０
は、図７の部分断面図に示すように、回路基板６５の配
線パターン６６に対して、Ａｕ線、Ａｌ線などのボンデ
ィングワイヤ６７によって電気的に接続されており、さ
らに半導体チップ７０および回路基板６５の表面には、
劣化防止や耐環境対策のために、膜厚約０．５ｍｍ〜約
１ｍｍ程度となるようにシリコーン樹脂などの光透過性
樹脂７２が形成されている。なお、配線パターン６６の
両側は、ＳｉＯ2 、ＳｉＮなどの保護膜６８が形成され
ているため、この部分の経時劣化は少なくなる。一方、
光透過性樹脂７２が存在しない場合は、配線パターン６
６が腐食してボンディングワイヤ６７がはずれ、接続不
良を招くおそれがある。
【０００４】また、図６（ａ）に示す読取装置では、ロ
ッドレンズアレイ６１を用いて原稿を結像しているた
め、その原稿像は正立等倍像となり、原稿像をもれなく
受光するためには、各半導体チップ７０同士がほぼ密着
するように近接している。そのため、半導体チップ７０
同士の隙間の影響が、光透過性樹脂７２の表面に現れ
ず、光学的欠陥の少ない光透過性樹脂７２を形成するこ
とが可能である。
ッドレンズアレイ６１を用いて原稿を結像しているた
め、その原稿像は正立等倍像となり、原稿像をもれなく
受光するためには、各半導体チップ７０同士がほぼ密着
するように近接している。そのため、半導体チップ７０
同士の隙間の影響が、光透過性樹脂７２の表面に現れ
ず、光学的欠陥の少ない光透過性樹脂７２を形成するこ
とが可能である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図６（ａ）に示す従来
の読取装置の低コスト化および高性能化を図るために、
ロッドレンズアレイ６１の代わりに複数のレンズを用い
て、原稿を複数の領域に区分して結像し、その倒立縮小
像を複数の半導体チップで受光するようにした読取装置
が研究されている。このような読取装置においては、原
稿が縮小倍率で結像するため、図８の部分断面図に示す
ように、半導体チップ７０の寸法が小さくなるため、半
導体チップ７０および回路基板６５の表面に厚さＡ０．
５ｍｍ〜１ｍｍ程度の光透過性樹脂７２を形成する場
合、半導体チップ７０間の隙間が従来と比べて大きくな
り、光透過性樹脂７２の表面が平坦でなくなるという課
題がある。
の読取装置の低コスト化および高性能化を図るために、
ロッドレンズアレイ６１の代わりに複数のレンズを用い
て、原稿を複数の領域に区分して結像し、その倒立縮小
像を複数の半導体チップで受光するようにした読取装置
が研究されている。このような読取装置においては、原
稿が縮小倍率で結像するため、図８の部分断面図に示す
ように、半導体チップ７０の寸法が小さくなるため、半
導体チップ７０および回路基板６５の表面に厚さＡ０．
５ｍｍ〜１ｍｍ程度の光透過性樹脂７２を形成する場
合、半導体チップ７０間の隙間が従来と比べて大きくな
り、光透過性樹脂７２の表面が平坦でなくなるという課
題がある。
【０００６】そのため、光透過性樹脂７２の表面での光
の散乱や減衰が多くなり、読取感度の低下およびＭＴＦ
（Modulation Transfer Function）に代表される画像分
解能の劣化を招くという課題がある。さらに、光透過性
樹脂７２の表面の凹凸に起因して、そのレンズ効果によ
る光の収束や発散が生じて、画像歪みや感度ばらつきを
招くという課題がある。
の散乱や減衰が多くなり、読取感度の低下およびＭＴＦ
（Modulation Transfer Function）に代表される画像分
解能の劣化を招くという課題がある。さらに、光透過性
樹脂７２の表面の凹凸に起因して、そのレンズ効果によ
る光の収束や発散が生じて、画像歪みや感度ばらつきを
招くという課題がある。
【０００７】本発明の目的は、前述した課題を解決する
ため、高品質の画像信号を得ることができ、しかも信頼
性の高い読取装置を提供することである。
ため、高品質の画像信号を得ることができ、しかも信頼
性の高い読取装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、原稿を照明す
るための光源と、前記原稿からの反射光を結像して原稿
像を形成するために、所定間隔で直線状に配列された複
数のレンズと、前記原稿像を受光するために、各レンズ
に１対１に対応して直線状に配列された、多数の光電変
換素子を有する複数の半導体チップと、前記半導体チッ
プが固定される回路基板とを備えた読取装置において、
各半導体チップおよび回路基板の表面に、約１００μｍ
以下の膜厚を有する光透過性樹脂が形成されていること
を特徴とする読取装置である。
るための光源と、前記原稿からの反射光を結像して原稿
像を形成するために、所定間隔で直線状に配列された複
数のレンズと、前記原稿像を受光するために、各レンズ
に１対１に対応して直線状に配列された、多数の光電変
換素子を有する複数の半導体チップと、前記半導体チッ
プが固定される回路基板とを備えた読取装置において、
各半導体チップおよび回路基板の表面に、約１００μｍ
以下の膜厚を有する光透過性樹脂が形成されていること
を特徴とする読取装置である。
【０００９】
【作用】本発明に従えば、原稿像を受光する各半導体チ
ップおよび回路基板の表面に、約１００μｍ以下の膜厚
を有する光透過性樹脂が形成されていることによって、
各半導体チップの上に形成された光透過性樹脂の表面が
平坦になり、画質劣化の要因となる光学的欠陥がきわめ
て少なくなる。
ップおよび回路基板の表面に、約１００μｍ以下の膜厚
を有する光透過性樹脂が形成されていることによって、
各半導体チップの上に形成された光透過性樹脂の表面が
平坦になり、画質劣化の要因となる光学的欠陥がきわめ
て少なくなる。
【００１０】
【実施例】図１は、本発明の一実施例である読取装置の
部分斜視図であり、図２はその光軸に沿った部分断面図
である。読取装置は、原稿１０を照明するためのＬＥＤ
（発光ダイオード）や蛍光灯などの光源１２と、原稿１
０からの反射光を結像して原稿像を形成するために、所
定間隔で直線状に配列された複数のレンズ１１と、該原
稿像を受光するために、各レンズ１１に１対１に対応す
るように直線状に配列された、多数の光電変換素子から
成る受光面２１を有する複数の半導体チップ２０と、半
導体チップ２０が固定された回路基板１５などから構成
されている。
部分斜視図であり、図２はその光軸に沿った部分断面図
である。読取装置は、原稿１０を照明するためのＬＥＤ
（発光ダイオード）や蛍光灯などの光源１２と、原稿１
０からの反射光を結像して原稿像を形成するために、所
定間隔で直線状に配列された複数のレンズ１１と、該原
稿像を受光するために、各レンズ１１に１対１に対応す
るように直線状に配列された、多数の光電変換素子から
成る受光面２１を有する複数の半導体チップ２０と、半
導体チップ２０が固定された回路基板１５などから構成
されている。
【００１１】光源１２から射出された光は、原稿１０に
対して斜め方向から照明するとともに、原稿１０からの
反射光は各レンズ１１によってその複数のブロックＡ〜
Ｅ毎に結像され、各ブロックＡ〜Ｅに対応して半導体チ
ップ２０に設けられた複数の光電変換素子を順次走査す
ることによって、原稿１０の画像情報に対応した読取信
号が時系列的に出力される。なお、レンズ１１を保持す
る筐体１３には、迷光や外乱光を防止するため、各レン
ズ１１の間に遮光板１３ａが形成されている。
対して斜め方向から照明するとともに、原稿１０からの
反射光は各レンズ１１によってその複数のブロックＡ〜
Ｅ毎に結像され、各ブロックＡ〜Ｅに対応して半導体チ
ップ２０に設けられた複数の光電変換素子を順次走査す
ることによって、原稿１０の画像情報に対応した読取信
号が時系列的に出力される。なお、レンズ１１を保持す
る筐体１３には、迷光や外乱光を防止するため、各レン
ズ１１の間に遮光板１３ａが形成されている。
【００１２】図３は、半導体チップ２０が回路基板１５
に固定された状態を示す部分平面図である。半導体チッ
プ２０は、フォトダイオードやフォトトランジスタなど
の６４個の光電変換素子Ｐ１〜Ｐ６４から成る受光面２
１と、走査開始信号が入力される端子ＳＩ、走査クロッ
ク信号が入力される端子ＣＬＫ、電源が接続される端子
ＶＤＤ、グランド端子ＧＮＤ、読取信号を出力する端子
ＳＩＧ、アナログ回路用のグランド端子ＡＧＮＤ、およ
び走査終了信号を出力する端子ＳＯを有し、これらの各
端子は、回路基板１５に形成された配線パターン１６に
対してボンディングワイヤ１７で電気的に接続されてい
る。
に固定された状態を示す部分平面図である。半導体チッ
プ２０は、フォトダイオードやフォトトランジスタなど
の６４個の光電変換素子Ｐ１〜Ｐ６４から成る受光面２
１と、走査開始信号が入力される端子ＳＩ、走査クロッ
ク信号が入力される端子ＣＬＫ、電源が接続される端子
ＶＤＤ、グランド端子ＧＮＤ、読取信号を出力する端子
ＳＩＧ、アナログ回路用のグランド端子ＡＧＮＤ、およ
び走査終了信号を出力する端子ＳＯを有し、これらの各
端子は、回路基板１５に形成された配線パターン１６に
対してボンディングワイヤ１７で電気的に接続されてい
る。
【００１３】図４は、半導体チップ２０付近の部分断面
図である。高さＢが約０．４ｍｍである半導体チップ２
０および回路基板１５の表面には、劣化防止や耐環境対
策のために、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリエー
テルアミドなどの光透過性樹脂２２が、約１００μｍ以
下の膜厚Ｔで形成されている。その結果、半導体チップ
２０間の隙間の影響を受けることなく、光透過性樹脂２
２の表面が平坦になり、特に、半導体チップ２０の上の
光透過性樹脂２２に光学的欠陥が発生しなくなる。した
がって、光透過性樹脂２２での光の散乱や減衰が少なく
なって、読取感度の向上およびＭＴＦなどの画像分解能
が向上する。また、表面の凹凸が少なくなるため、画像
歪みや感度ばらつきを抑制することができる。
図である。高さＢが約０．４ｍｍである半導体チップ２
０および回路基板１５の表面には、劣化防止や耐環境対
策のために、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリエー
テルアミドなどの光透過性樹脂２２が、約１００μｍ以
下の膜厚Ｔで形成されている。その結果、半導体チップ
２０間の隙間の影響を受けることなく、光透過性樹脂２
２の表面が平坦になり、特に、半導体チップ２０の上の
光透過性樹脂２２に光学的欠陥が発生しなくなる。した
がって、光透過性樹脂２２での光の散乱や減衰が少なく
なって、読取感度の向上およびＭＴＦなどの画像分解能
が向上する。また、表面の凹凸が少なくなるため、画像
歪みや感度ばらつきを抑制することができる。
【００１４】次に、例としてシリコーン樹脂を用いて、
半導体チップ２０および回路基板１５の表面に光透過性
樹脂２２を形成する方法について具体的に説明する。ま
ず、溶媒としてｎ−ヘプタンを用いて、シリコーン樹脂
を７重量％の濃度になるよう溶解したところ、粘度が
１．３センチストークス（室温２５℃）になった。次
に、溶解したシリコーン樹脂をディスペンサなどで半導
体チップ２０の上方から１滴落下させて点滴塗布した
後、加熱槽に投入し温度１５０℃で約１時間加熱して硬
化させたところ、硬度１８（ＪＩＳ−Ａ）、絶縁破壊電
圧２０ｋＶ／ｍｍの光透過性樹脂２２を形成することが
できた。
半導体チップ２０および回路基板１５の表面に光透過性
樹脂２２を形成する方法について具体的に説明する。ま
ず、溶媒としてｎ−ヘプタンを用いて、シリコーン樹脂
を７重量％の濃度になるよう溶解したところ、粘度が
１．３センチストークス（室温２５℃）になった。次
に、溶解したシリコーン樹脂をディスペンサなどで半導
体チップ２０の上方から１滴落下させて点滴塗布した
後、加熱槽に投入し温度１５０℃で約１時間加熱して硬
化させたところ、硬度１８（ＪＩＳ−Ａ）、絶縁破壊電
圧２０ｋＶ／ｍｍの光透過性樹脂２２を形成することが
できた。
【００１５】得られた光透過性樹脂２２の膜厚を干渉膜
厚計で測定したところ、サンプル数ｎ＝１６で平均膜厚
値ｘ＝１３．６μｍ、標準偏差σ＝２．１μｍという値
が得られ、その透過率は波長λ＝５５０μｍで９２．７
％となった。
厚計で測定したところ、サンプル数ｎ＝１６で平均膜厚
値ｘ＝１３．６μｍ、標準偏差σ＝２．１μｍという値
が得られ、その透過率は波長λ＝５５０μｍで９２．７
％となった。
【００１６】同様に、膜厚１μｍおよび５μｍ光透過性
樹脂２２を形成する場合、シリコーン樹脂の濃度を３重
量％にして、上述と同一条件で点滴塗布し、硬化させ
た。また、膜厚５０μｍおよび１００μｍものについて
は、濃度７重量％のシリコーン樹脂を多数回点滴塗布し
た後、硬化させた。なお、比較例として、膜厚０．５ｍ
ｍ、０．８ｍｍ、１．０ｍｍのものを形成するために、
溶媒に希釈しない濃度１００重量％のシリコーン樹脂を
点滴塗布し、硬化させた。
樹脂２２を形成する場合、シリコーン樹脂の濃度を３重
量％にして、上述と同一条件で点滴塗布し、硬化させ
た。また、膜厚５０μｍおよび１００μｍものについて
は、濃度７重量％のシリコーン樹脂を多数回点滴塗布し
た後、硬化させた。なお、比較例として、膜厚０．５ｍ
ｍ、０．８ｍｍ、１．０ｍｍのものを形成するために、
溶媒に希釈しない濃度１００重量％のシリコーン樹脂を
点滴塗布し、硬化させた。
【００１７】このようにして得られた、膜厚１μｍ、５
μｍ、１０μｍ、５０μｍ、１００μｍ、０．５ｍｍ、
０．８ｍｍ、１ｍｍの光透過性樹脂２２が形成された半
導体チップ２０について、空間分解能を表すＭＴＦ（Mo
dulation Transfer Function）、および感度ばらつきを
表すＰＲＮＵ（Photo Response Non-Uniformity）を測
定し、さらに信頼性試験を行った。
μｍ、１０μｍ、５０μｍ、１００μｍ、０．５ｍｍ、
０．８ｍｍ、１ｍｍの光透過性樹脂２２が形成された半
導体チップ２０について、空間分解能を表すＭＴＦ（Mo
dulation Transfer Function）、および感度ばらつきを
表すＰＲＮＵ（Photo Response Non-Uniformity）を測
定し、さらに信頼性試験を行った。
【００１８】なお、ＭＴＦは、図５に示すように、矩形
波の白黒の組が、１ｍｍ当り４組存在する４ＬＰ／ｍｍ
の空間周波数における振幅Ｖを、白地を読取ったときの
振幅Ｗで除算して１００倍した値、すなわち、
波の白黒の組が、１ｍｍ当り４組存在する４ＬＰ／ｍｍ
の空間周波数における振幅Ｖを、白地を読取ったときの
振幅Ｗで除算して１００倍した値、すなわち、
【００１９】
【数１】
【００２０】という定義式を用いて算出した。なお、Ｍ
ＴＦの数値が大きい程、解像度が良いことを示す。
ＴＦの数値が大きい程、解像度が良いことを示す。
【００２１】また、ＰＲＮＵは、半導体チップ２０の１
個内の感度ばらつきを示す値であり、ＶＭＡＸを光学濃
度ＯＤ値が０．０７のコート紙を読取ったときの出力の
最大値とし、ＶＭＩＮを光学濃度ＯＤ値が０．０７のコ
ート紙を読取ったときの出力の最小値とすると、
個内の感度ばらつきを示す値であり、ＶＭＡＸを光学濃
度ＯＤ値が０．０７のコート紙を読取ったときの出力の
最大値とし、ＶＭＩＮを光学濃度ＯＤ値が０．０７のコ
ート紙を読取ったときの出力の最小値とすると、
【００２２】
【数２】
【００２３】という定義式を用いて算出した。なお、Ｐ
ＲＮＵの数値が小さい程、感度ばらつきが少ないことを
示す。
ＲＮＵの数値が小さい程、感度ばらつきが少ないことを
示す。
【００２４】また、信頼性試験は、温度８５℃、湿度８
５％の雰囲気に５００時間放置して加速劣化させ、電極
腐食などの異常発生の有無を調べた。
５％の雰囲気に５００時間放置して加速劣化させ、電極
腐食などの異常発生の有無を調べた。
【００２５】これらの試験結果を次の表１に示す。
【００２６】
【表１】
【００２７】以上の結果から、ファクシミリ装置やイメ
ージスキャナ装置に要求される特性が、ＭＴＦ６０％以
上、ＰＲＮＵ１０％以下であることを考慮すると、半導
体チップ２０の表面に形成する光透過性樹脂２２の膜厚
は、約１００μｍ以下が好ましいことが理解される。ま
た、あまり薄いと信頼性が低くなるためその膜厚は約５
μｍ以上が好ましい。
ージスキャナ装置に要求される特性が、ＭＴＦ６０％以
上、ＰＲＮＵ１０％以下であることを考慮すると、半導
体チップ２０の表面に形成する光透過性樹脂２２の膜厚
は、約１００μｍ以下が好ましいことが理解される。ま
た、あまり薄いと信頼性が低くなるためその膜厚は約５
μｍ以上が好ましい。
【００２８】
【発明の効果】以上詳説したように、本発明によれば、
（１）光透過性樹脂の存在によって、半導体チップの耐
環境性が向上し、特にＡｌ腐食を防止することができ
る。（２）光透過性樹脂の膜厚が従来より薄くなるた
め、光の減衰が少なくなり、読取感度を向上させること
ができる。（３）膜厚の薄い光透過性樹脂を形成する際
には、低粘度の樹脂溶解液を用いるため、半導体チップ
表面での凹凸が自ずと少なくなり、感度ばらつき（ＰＲ
ＮＵ）が良好となる。（４）光透過性樹脂の膜厚が従来
より薄くなるため、光の散乱による迷光が発生し難くな
り、画像分解能（ＭＴＦ）が向上する。
（１）光透過性樹脂の存在によって、半導体チップの耐
環境性が向上し、特にＡｌ腐食を防止することができ
る。（２）光透過性樹脂の膜厚が従来より薄くなるた
め、光の減衰が少なくなり、読取感度を向上させること
ができる。（３）膜厚の薄い光透過性樹脂を形成する際
には、低粘度の樹脂溶解液を用いるため、半導体チップ
表面での凹凸が自ずと少なくなり、感度ばらつき（ＰＲ
ＮＵ）が良好となる。（４）光透過性樹脂の膜厚が従来
より薄くなるため、光の散乱による迷光が発生し難くな
り、画像分解能（ＭＴＦ）が向上する。
【図１】本発明の一実施例である読取装置の部分斜視図
である。
である。
【図２】図１の光軸に沿った部分断面図である。
【図３】半導体チップ２０が回路基板１５に固定された
状態を示す部分平面図である。
状態を示す部分平面図である。
【図４】半導体チップ２０付近の部分断面図である。
【図５】ＭＴＦの定義を示すグラフである。
【図６】図６（ａ）は従来の読取装置の一例を示す部分
斜視図であり、図６（ｂ）は半導体チップ７０付近の部
分断面図である。
斜視図であり、図６（ｂ）は半導体チップ７０付近の部
分断面図である。
【図７】回路基板６５の配線パターン６６に対するボン
ディングワイヤ６７を示す部分断面図である。
ディングワイヤ６７を示す部分断面図である。
【図８】従来の読取装置における半導体チップ７０上の
光透過性樹脂７２を示す部分断面図である。
光透過性樹脂７２を示す部分断面図である。
１０ 原稿 １１ レンズ １２ 光源 １３ 筐体 １３ａ 遮光板 １５ 回路基板 １６ 配線パターン １７ ボンディングワイヤ ２０ 半導体チップ ２１ 受光面
Claims (1)
- 【請求項１】 原稿を照明するための光源と、 前記原稿からの反射光を結像して原稿像を形成するため
に、所定間隔で直線状に配列された複数のレンズと、 前記原稿像を受光するために、各レンズに１対１に対応
して直線状に配列された、多数の光電変換素子を有する
複数の半導体チップと、 前記半導体チップが固定される回路基板とを備えた読取
装置において、 各半導体チップおよび回路基板の表面に、約１００μｍ
以下の膜厚を有する光透過性樹脂が形成されていること
を特徴とする読取装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4232240A JP3046681B2 (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 読取装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4232240A JP3046681B2 (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 読取装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0686012A JPH0686012A (ja) | 1994-03-25 |
| JP3046681B2 true JP3046681B2 (ja) | 2000-05-29 |
Family
ID=16936171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4232240A Expired - Fee Related JP3046681B2 (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 読取装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3046681B2 (ja) |
-
1992
- 1992-08-31 JP JP4232240A patent/JP3046681B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0686012A (ja) | 1994-03-25 |
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