JP3043836B2 - 非金属イオン型帯電防止性塩化ビニルシ−トの製造方法 - Google Patents
非金属イオン型帯電防止性塩化ビニルシ−トの製造方法Info
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Landscapes
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Description
【001】
【産業上の利用分野】本発明は、表層にイオン移動性の
アンモニウム塩の導電層を形成して、帯電性を防止した
塩化ビニルシ−トの製造方法に関する。
アンモニウム塩の導電層を形成して、帯電性を防止した
塩化ビニルシ−トの製造方法に関する。
【002】
【従来技術】プラスチック部材を使用する精密産業、例
えば、電子産業、バイオ産業などの分野では、帯電静電
気が半導体素子を破壊したり、塵や埃の付着を招いて歩
留まりを低下させたりするので、大きな問題になってい
る。特に半導体素子にプラスチックのパッケ−ジを使用
する場合などは、プラスチックに高い静電気帯電防止性
が要求される。
えば、電子産業、バイオ産業などの分野では、帯電静電
気が半導体素子を破壊したり、塵や埃の付着を招いて歩
留まりを低下させたりするので、大きな問題になってい
る。特に半導体素子にプラスチックのパッケ−ジを使用
する場合などは、プラスチックに高い静電気帯電防止性
が要求される。
【003】従来、この半導体素子のプラスチックパッケ
−ジとしては、帯電防止処理を施した塩化ビニルシ−ト
を使用していたが、その帯電防止処理は、金属や金属酸
化物などの導電性フィラ−を分散させた塗膜を表面に形
成する方法によっていた。この場合、金属や金属酸化物
にアルカリ金属やアルカリ土類金属などの導電性フィラ
−を用いると、品質の低下を招くので、使用していな
い。
−ジとしては、帯電防止処理を施した塩化ビニルシ−ト
を使用していたが、その帯電防止処理は、金属や金属酸
化物などの導電性フィラ−を分散させた塗膜を表面に形
成する方法によっていた。この場合、金属や金属酸化物
にアルカリ金属やアルカリ土類金属などの導電性フィラ
−を用いると、品質の低下を招くので、使用していな
い。
【004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法で帯電性を防止するには、高価な導電性フィラ−を有
機バインダ−と同重量以上配合しなければならないた
め、処理費が高価になり、また、透明性、光線透過性な
どが低下したり、塗膜が剥離し易いという問題があっ
た。本発明は、これらの欠点を解消した帯電防止性塩化
ビニルシ−トの製造方法を提供するものである。
法で帯電性を防止するには、高価な導電性フィラ−を有
機バインダ−と同重量以上配合しなければならないた
め、処理費が高価になり、また、透明性、光線透過性な
どが低下したり、塗膜が剥離し易いという問題があっ
た。本発明は、これらの欠点を解消した帯電防止性塩化
ビニルシ−トの製造方法を提供するものである。
【005】
【課題を解決するための手段】本発明は、塩化ビニルシ
−ト表面にアクリル酸、メタクリル酸の一方または両
方、あるいはこれらを25wt%以上含む溶液を塗布し
た後、塗布面側から電子線を20〜100kGy照射し
て、塗布モノマ−を塩化ビニルシ−トにグラフト重合さ
せ、その後、塩化ビニルシ−ト表面に残存するモノマ−
または溶液を洗浄して、塩化ビニルシ−トをアンモニア
で処理するようにした。
−ト表面にアクリル酸、メタクリル酸の一方または両
方、あるいはこれらを25wt%以上含む溶液を塗布し
た後、塗布面側から電子線を20〜100kGy照射し
て、塗布モノマ−を塩化ビニルシ−トにグラフト重合さ
せ、その後、塩化ビニルシ−ト表面に残存するモノマ−
または溶液を洗浄して、塩化ビニルシ−トをアンモニア
で処理するようにした。
【006】
【作用】塩化ビニルシ−ト(以下塩ビシ−トという)表
面にアクリル酸、メタクリル酸の一方または両方、ある
いはこれらを含む溶液を塗布した後、塗布面側から電子
線を照射すると、アクリル酸のアクリロイル基やメタク
リル酸のメタクリロイル基の二重結合部分が塩ビシ−ト
にグラフト重合するので、塩ビシ−ト表面にカルボキシ
ル基を有するグラフト層が形成される。このグラフト層
の形成された塩ビシ−トを洗浄して、表面に残存するモ
ノマ−または溶液を除去した後、塩ビシ−トをアンモニ
アで処理すると、グラフト層中のカルボキシル基がアン
モニアと反応して、カルボン酸アンモニウム(−COO
-NH4 +)になる。
面にアクリル酸、メタクリル酸の一方または両方、ある
いはこれらを含む溶液を塗布した後、塗布面側から電子
線を照射すると、アクリル酸のアクリロイル基やメタク
リル酸のメタクリロイル基の二重結合部分が塩ビシ−ト
にグラフト重合するので、塩ビシ−ト表面にカルボキシ
ル基を有するグラフト層が形成される。このグラフト層
の形成された塩ビシ−トを洗浄して、表面に残存するモ
ノマ−または溶液を除去した後、塩ビシ−トをアンモニ
アで処理すると、グラフト層中のカルボキシル基がアン
モニアと反応して、カルボン酸アンモニウム(−COO
-NH4 +)になる。
【007】このカルボン酸アンモニウムのアンモニウム
イオンは、グラフト層のカルボン酸アンモニウムの存在
する層中を自由移動できるので、塩ビシ−ト表面の電気
抵抗が低下し、静電気が漏洩し易くなって帯電防止性が
付与される。このアンモニウムイオンの移動性は、本発
明ではアクリル酸やメタクリル酸をグラフト重合させて
いるため、カルボン酸アンモニウムが連鎖しており、移
動が容易である。
イオンは、グラフト層のカルボン酸アンモニウムの存在
する層中を自由移動できるので、塩ビシ−ト表面の電気
抵抗が低下し、静電気が漏洩し易くなって帯電防止性が
付与される。このアンモニウムイオンの移動性は、本発
明ではアクリル酸やメタクリル酸をグラフト重合させて
いるため、カルボン酸アンモニウムが連鎖しており、移
動が容易である。
【008】本発明における塩ビシ−トは、主樹脂が塩ビ
ホモポリマ−であるもののほかに、酢酸ビニルエチレン
などのような塩ビと共重合可能なモノマ−と塩ビとの共
重合体、塩ビホモポリマ−と相溶するポリマ−を塩ビに
ブレンドしたものを含む。また、塩ビには、通常、可塑
剤を添加するが、この可塑剤を添加しないものでもよ
い。さらに、必要に応じて、エポキシ化合物、安定剤、
顔料、紫外線吸収剤、酸化防止剤などを添加する場合も
あるが、本発明での塩ビシ−トはこれらの添加有無を問
わないものである。
ホモポリマ−であるもののほかに、酢酸ビニルエチレン
などのような塩ビと共重合可能なモノマ−と塩ビとの共
重合体、塩ビホモポリマ−と相溶するポリマ−を塩ビに
ブレンドしたものを含む。また、塩ビには、通常、可塑
剤を添加するが、この可塑剤を添加しないものでもよ
い。さらに、必要に応じて、エポキシ化合物、安定剤、
顔料、紫外線吸収剤、酸化防止剤などを添加する場合も
あるが、本発明での塩ビシ−トはこれらの添加有無を問
わないものである。
【009】塩ビシ−ト表面に塗布するモノマ−は、電子
線反応性官能基であるアクリロイルもしくはメタクリロ
イル基と、アンモニアとの反応によりアンモニウムを形
成するカルボキシル基とを備えていることが必要である
が、アクリル酸またはメタクリル酸以外で、これらの官
能基を有するものであっても、アクリル酸やメタクリル
酸以外のもの、例えば、次のようなものはグラフト重合
が十分起こらないので、使用できない。 CH2=C(CH3)−CO−OCH2CH2−R R; −OCO(CH2)2−COOH −OCOC6H4−COOH −OCH2CH2−COOH
線反応性官能基であるアクリロイルもしくはメタクリロ
イル基と、アンモニアとの反応によりアンモニウムを形
成するカルボキシル基とを備えていることが必要である
が、アクリル酸またはメタクリル酸以外で、これらの官
能基を有するものであっても、アクリル酸やメタクリル
酸以外のもの、例えば、次のようなものはグラフト重合
が十分起こらないので、使用できない。 CH2=C(CH3)−CO−OCH2CH2−R R; −OCO(CH2)2−COOH −OCOC6H4−COOH −OCH2CH2−COOH
【010】アクリル酸やメタクリル酸は、単独で塗布し
ても、混合して塗布してもよい。また、溶液にして塗布
しても本発明の目的を達成できる。この場合、アクリル
酸やメタクリル酸の濃度は単独または合計で25wt%
以上にする必要がある。これより濃度が低いと、グラフ
ト重合が十分起こらないため、十分なる帯電防止性が得
られない。これは、グラフト重合量が少ないと、塩ビシ
−トの表層に導入されたカルボキシル基の濃度が低くな
るため、アンモニア処理で生成するカルボン酸アンモニ
ウム濃度も低くなり、電気抵抗が十分低下しないからで
ある。
ても、混合して塗布してもよい。また、溶液にして塗布
しても本発明の目的を達成できる。この場合、アクリル
酸やメタクリル酸の濃度は単独または合計で25wt%
以上にする必要がある。これより濃度が低いと、グラフ
ト重合が十分起こらないため、十分なる帯電防止性が得
られない。これは、グラフト重合量が少ないと、塩ビシ
−トの表層に導入されたカルボキシル基の濃度が低くな
るため、アンモニア処理で生成するカルボン酸アンモニ
ウム濃度も低くなり、電気抵抗が十分低下しないからで
ある。
【011】アクリル酸、メタクリル酸などの溶液の溶媒
としては、水、有機溶媒、モノマ−、オリゴマ−、ポリ
マ−などあらゆるものを用いることができるが、その選
択にあたっては、粘度調整性、塩ビシ−トへの溶解性、
膨潤能力などを考慮することが重要である。アクリル酸
やメタクリル酸をそのまま、あるいは溶液で塗布するに
しても、アクリル酸やメタクリル酸のホモ重合を抑制す
るために、モ−ル塩などの重合禁止剤を添加してもよ
い。
としては、水、有機溶媒、モノマ−、オリゴマ−、ポリ
マ−などあらゆるものを用いることができるが、その選
択にあたっては、粘度調整性、塩ビシ−トへの溶解性、
膨潤能力などを考慮することが重要である。アクリル酸
やメタクリル酸をそのまま、あるいは溶液で塗布するに
しても、アクリル酸やメタクリル酸のホモ重合を抑制す
るために、モ−ル塩などの重合禁止剤を添加してもよ
い。
【012】アクリル酸、メタクリル酸、その溶液の塩ビ
シ−トへの塗布は、公知方法、例えば、スプレ−法、カ
−テンフロ−法、ロ−ルコ−ト法などで行えばよい。
シ−トへの塗布は、公知方法、例えば、スプレ−法、カ
−テンフロ−法、ロ−ルコ−ト法などで行えばよい。
【013】アクリル酸、メタクリル酸の塩ビシ−トへの
グラフト重合は、表層のみに行えば静電気の帯電を防止
できるので、照射電子線は、エネルギ−が一般に低エネ
ルギ−型と呼ばれている300keV未満の電子線で十
分であるが、それ以上のエネルギ−を有する電子線も使
用でき、またγ線も使用できる。
グラフト重合は、表層のみに行えば静電気の帯電を防止
できるので、照射電子線は、エネルギ−が一般に低エネ
ルギ−型と呼ばれている300keV未満の電子線で十
分であるが、それ以上のエネルギ−を有する電子線も使
用でき、またγ線も使用できる。
【014】照射電子線の線量は、20〜100kGyに
するが、これは、20kGy未満であると、アクリル酸
やメタクリル酸が十分グラフト重合しないため、塩ビシ
−ト表層に導入されたカルボキシル基の濃度が低くな
り、アンモニア処理後のカルボン酸アンモニウム濃度が
不足して、電気抵抗が十分低下しないからである。一
方、100kGyを越えると、塩ビシ−トに劣化が起こ
り、黄変して商品価値が大きく低下し、また、表面にタ
ッキング性が生じてしまう。
するが、これは、20kGy未満であると、アクリル酸
やメタクリル酸が十分グラフト重合しないため、塩ビシ
−ト表層に導入されたカルボキシル基の濃度が低くな
り、アンモニア処理後のカルボン酸アンモニウム濃度が
不足して、電気抵抗が十分低下しないからである。一
方、100kGyを越えると、塩ビシ−トに劣化が起こ
り、黄変して商品価値が大きく低下し、また、表面にタ
ッキング性が生じてしまう。
【015】電子線照射後は、塩ビシ−ト表面に残存する
モノマ−やその溶液を洗浄し、アンモニアで処理する。
電子線照射後の溶液中にはアクリル酸やメタクリル酸の
ホモポリマ−が含まれているので、洗浄、除去しない
と、タッキング性が残り、また、アルカリ処理であるア
ンモニア処理工程に酸を持ち込み、pHの低下、異物の
混入をきたし、アンモニウム塩の形成が困難になる。洗
浄には、通常、水を使用するが、有機溶媒でもよい。
モノマ−やその溶液を洗浄し、アンモニアで処理する。
電子線照射後の溶液中にはアクリル酸やメタクリル酸の
ホモポリマ−が含まれているので、洗浄、除去しない
と、タッキング性が残り、また、アルカリ処理であるア
ンモニア処理工程に酸を持ち込み、pHの低下、異物の
混入をきたし、アンモニウム塩の形成が困難になる。洗
浄には、通常、水を使用するが、有機溶媒でもよい。
【016】アンモニア処理は、アンモニアを水、アルコ
−ルなどの溶媒に溶解した溶液に塩ビシ−トを浸漬する
方法、アンモニアガスと接触させる方法などによればよ
いが、溶液に浸漬する場合、溶液のアンモニア濃度、温
度が高い程、また、アンモニアガスと接触させる場合は
アンモニア蒸気圧が高い程短時間にカルボキシル基をカ
ルボン酸アンモニウムにすることができる。
−ルなどの溶媒に溶解した溶液に塩ビシ−トを浸漬する
方法、アンモニアガスと接触させる方法などによればよ
いが、溶液に浸漬する場合、溶液のアンモニア濃度、温
度が高い程、また、アンモニアガスと接触させる場合は
アンモニア蒸気圧が高い程短時間にカルボキシル基をカ
ルボン酸アンモニウムにすることができる。
【017】
【実施例】可塑剤添加量の異なる塩ビシ−トの表面にバ
−コ−タ−#20で種々のモノマ−またはその溶液を塗
布して、その塗布面側から電子線を加速電圧200kV
で線量を変化させながら照射した。その後、塩ビシ−ト
を水で洗浄して、表面に残存する溶液を除去し、種々の
濃度のアンモニア水(40℃)に1分間浸漬するか、ア
ンモニア飽和蒸気中に10分間静置し、水洗、乾燥し
た。
−コ−タ−#20で種々のモノマ−またはその溶液を塗
布して、その塗布面側から電子線を加速電圧200kV
で線量を変化させながら照射した。その後、塩ビシ−ト
を水で洗浄して、表面に残存する溶液を除去し、種々の
濃度のアンモニア水(40℃)に1分間浸漬するか、ア
ンモニア飽和蒸気中に10分間静置し、水洗、乾燥し
た。
【018】乾燥後、各シ−トの表面固有抵抗(JIS
K 6911)、帯電圧(JISL 1094)を温度2
3℃、湿度50%の条件で測定した。また、目視でシ−
トの透明性を評価した。表1、表2に実施例を、表3、
表4に比較例を処理条件とともに示す。なお、比較例で
用いたモノマ−のうち、モノマ−A、BおよびCは次の
ものである。 モノマ−A; CH2=C(CH3)−CO−OCH2CH2−OCO(CH2)2−COOH モノマ−B; CH2=C(CH3)−CO−OCH2CH2−OCOC6H4−COOH モノマ−C; CH2=C(CH3)−CO−OCH2CH2−OCH2CH2−COOH
K 6911)、帯電圧(JISL 1094)を温度2
3℃、湿度50%の条件で測定した。また、目視でシ−
トの透明性を評価した。表1、表2に実施例を、表3、
表4に比較例を処理条件とともに示す。なお、比較例で
用いたモノマ−のうち、モノマ−A、BおよびCは次の
ものである。 モノマ−A; CH2=C(CH3)−CO−OCH2CH2−OCO(CH2)2−COOH モノマ−B; CH2=C(CH3)−CO−OCH2CH2−OCOC6H4−COOH モノマ−C; CH2=C(CH3)−CO−OCH2CH2−OCH2CH2−COOH
【019】また、アンモニア処理でのアルカリA、Bお
よびCは次のような構造のものである。 アルカリA;10wt%(CH3)4N・OH水溶液 アルカリB;40wt%C6H5CH2N(CH3)3・O
H水溶液 アルカリC;90wt%NH2NH2・H2O水溶液
よびCは次のような構造のものである。 アルカリA;10wt%(CH3)4N・OH水溶液 アルカリB;40wt%C6H5CH2N(CH3)3・O
H水溶液 アルカリC;90wt%NH2NH2・H2O水溶液
【020】
【表1】
【021】
【表2】
【022】
【表3】
【023】
【表4】 (注1)*印のものは酸臭が残存していた。 (注2)★印のものは黄変していた。 (注2)不透明なものはいずれも表面にタッキング性が
認められた。
認められた。
【024】
【発明の効果】以上のように、本発明法は、塩ビシ−ト
表層にアクリル酸やメタクリル酸をグラフト重合させた
後、アンモニアで処理して、表層に導電層を形成するの
であるから、従来の導電性フィラ−を充填した塗膜を塩
ビシ−ト表面に形成する場合に比べて、処理費が安価
で、塩ビシ−トの透明は保持される。また、導電層は、
塩ビシ−トと化学結合しているので、剥離することがな
く、塩ビシ−トの物性は、導電層を形成してもほとんど
変化しない。
表層にアクリル酸やメタクリル酸をグラフト重合させた
後、アンモニアで処理して、表層に導電層を形成するの
であるから、従来の導電性フィラ−を充填した塗膜を塩
ビシ−ト表面に形成する場合に比べて、処理費が安価
で、塩ビシ−トの透明は保持される。また、導電層は、
塩ビシ−トと化学結合しているので、剥離することがな
く、塩ビシ−トの物性は、導電層を形成してもほとんど
変化しない。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI C08K 5/20 C08K 5/20 H01B 13/00 503 H01B 13/00 503Z H05F 1/02 H05F 1/02 K (72)発明者 増 原 憲 一 千葉県市川市高谷新町7番地の1 日新 製鋼株式会社 新材料研究所内 (56)参考文献 特開 昭64−36639(JP,A) 特開 昭63−166465(JP,A) 特開 昭63−196774(JP,A) 特公 昭38−16337(JP,B1) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01B 5/14 B05D 5/12 B32B 27/08 C08F 259/04 C08J 7/04 C08K 5/20 H01B 13/00 503 H05F 1/02
Claims (1)
- 【請求項1】 塩化ビニルシ−ト表面にアクリル酸、メ
タクリル酸の一方または両方、あるいはこれらを25w
t%以上含む溶液を塗布した後、塗布面側から電子線を
20〜100kGy照射して、塗布モノマ−を塩化ビニ
ルシ−トにグラフト重合させ、その後、塩化ビニルシ−
ト表面に残存するモノマ−または溶液を洗浄して、塩化
ビニルシ−トをアンモニアで処理することを特徴とする
非金属イオン型帯電防止性塩化ビニルシ−トの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3149592A JP3043836B2 (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 非金属イオン型帯電防止性塩化ビニルシ−トの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3149592A JP3043836B2 (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 非金属イオン型帯電防止性塩化ビニルシ−トの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04349307A JPH04349307A (ja) | 1992-12-03 |
| JP3043836B2 true JP3043836B2 (ja) | 2000-05-22 |
Family
ID=15478576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3149592A Expired - Lifetime JP3043836B2 (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 非金属イオン型帯電防止性塩化ビニルシ−トの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3043836B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6110801B2 (ja) | 2014-03-07 | 2017-04-05 | 富士フイルム株式会社 | 有機薄膜トランジスタ |
-
1991
- 1991-05-24 JP JP3149592A patent/JP3043836B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04349307A (ja) | 1992-12-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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