JP3036753B2 - 電 線 - Google Patents
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- H01B3/421—Polyesters
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- H01B7/17—Protection against damage caused by external factors, e.g. sheaths or armouring
- H01B7/28—Protection against damage caused by moisture, corrosion, chemical attack or weather
- H01B7/2813—Protection against damage caused by electrical, chemical or water tree deterioration
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- H01B7/17—Protection against damage caused by external factors, e.g. sheaths or armouring
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- H01B7/295—Protection against damage caused by extremes of temperature or by flame using material resistant to flame
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- Surgical Instruments (AREA)
- Extrusion Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、電線、特に、芳香族ポリマー系の電気絶縁
物質を用いた電線に関する。
物質を用いた電線に関する。
芳香族ポリマー絶縁物質を用いた電線が、長年、多く
の用途に使用されてきた。例えば、通常はフルオロポリ
マー接着剤層により結合されているポリイミドラップま
たはテープを用いた電線が、航空機電線として、民生お
よび軍用の両方の用途に広く用いられていた。機器電線
すなわち「回路用」ワイヤー、機体電線および配線ハー
ネスに用いられる芳香族絶縁物質の他の例は、芳香族ポ
リエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、変性
ポリフェニレンオキシドおよびポリイミドアミドを含
む。一連の望ましい特性、特に高度の強度および靭性、
耐摩耗性、耐熱性、絶縁耐力を有し、本来難燃性が高い
ことが多いので、芳香族性の高いポリマーが多くの用途
において良好に用いられてきた。
の用途に使用されてきた。例えば、通常はフルオロポリ
マー接着剤層により結合されているポリイミドラップま
たはテープを用いた電線が、航空機電線として、民生お
よび軍用の両方の用途に広く用いられていた。機器電線
すなわち「回路用」ワイヤー、機体電線および配線ハー
ネスに用いられる芳香族絶縁物質の他の例は、芳香族ポ
リエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、変性
ポリフェニレンオキシドおよびポリイミドアミドを含
む。一連の望ましい特性、特に高度の強度および靭性、
耐摩耗性、耐熱性、絶縁耐力を有し、本来難燃性が高い
ことが多いので、芳香族性の高いポリマーが多くの用途
において良好に用いられてきた。
これらの特性が組み合わさって、上記ポリマーから加
工された電線およびケーブルを小型軽量の構造物に使用
することができた。近年の電気装置は密度が高く複雑な
ので、軍および民間の両方の用途においてそのような構
造物の使用が増加した。
工された電線およびケーブルを小型軽量の構造物に使用
することができた。近年の電気装置は密度が高く複雑な
ので、軍および民間の両方の用途においてそのような構
造物の使用が増加した。
しかしながら、これらの高芳香族性ポリマーには大き
な問題がある：すなわち、アーキングによる絶縁破壊に
特に敏感である。二つの導体間の、または絶縁が機械的
に損傷した導体と接地部との間の電位差により、導体間
または導体と接地部との間にアークが形成され得る。ア
ークの高温によりポリマーが非常に急速に分解し、急速
に広がり得る導電性の炭素質付着物質が形成され、大き
な損傷となって、電線束中の電線の多くがまたは全てが
破壊される。アーキングは、非常に低い電圧、例えば直
流24Vまたはそれ以下で起こり得、トラッキングとは異
なり電解質または湿分が関与しないので特に危険な現象
である。例えばソマーヴィル（J.M.Somerville）「ジ・
エレクトリック・アーク（The Electric Arc）」、メス
エン（Methuen）1959に記載されているように、アーキ
ングは、間に電流が流れている二つの導体を引き離すこ
とによっても起こり得る。
な問題がある：すなわち、アーキングによる絶縁破壊に
特に敏感である。二つの導体間の、または絶縁が機械的
に損傷した導体と接地部との間の電位差により、導体間
または導体と接地部との間にアークが形成され得る。ア
ークの高温によりポリマーが非常に急速に分解し、急速
に広がり得る導電性の炭素質付着物質が形成され、大き
な損傷となって、電線束中の電線の多くがまたは全てが
破壊される。アーキングは、非常に低い電圧、例えば直
流24Vまたはそれ以下で起こり得、トラッキングとは異
なり電解質または湿分が関与しないので特に危険な現象
である。例えばソマーヴィル（J.M.Somerville）「ジ・
エレクトリック・アーク（The Electric Arc）」、メス
エン（Methuen）1959に記載されているように、アーキ
ングは、間に電流が流れている二つの導体を引き離すこ
とによっても起こり得る。
トラッキングおよびアーキングに関係し得るもう一つ
の現象は腐食である。この場合、放電により生ずる気化
過程により導電性付着物が形成されることなく絶縁物質
が除去され、絶縁物質の完全な絶縁破壊が起こるまで絶
縁損傷は起こらない。
の現象は腐食である。この場合、放電により生ずる気化
過程により導電性付着物が形成されることなく絶縁物質
が除去され、絶縁物質の完全な絶縁破壊が起こるまで絶
縁損傷は起こらない。
本発明によれば、長い導電体、および、 （ａ）加熱後に850℃で測定して15重量％以下のチャー
残量を示し、脂肪族部分を有するポリアミドまたはポリ
エステルからなる内側溶融押出絶縁層と （ｂ）芳香族ポリマーからなる外側溶融押出絶縁層 からなる電気絶縁体からなる電線が提供される。
残量を示し、脂肪族部分を有するポリアミドまたはポリ
エステルからなる内側溶融押出絶縁層と （ｂ）芳香族ポリマーからなる外側溶融押出絶縁層 からなる電気絶縁体からなる電線が提供される。
本発明の電線は、芳香族性の高いポリマーの有益な特
性、例えば良好な耐電気絶縁破壊性、難燃性、温度安定
性および機械的靭性と優れた耐アーク−トラッキング性
を併せ持つことができるという利点を有する。更に、本
発明によれば、これまでに提案された弗化ポリマーと比
べて比較的廉価で軽量であり、ポリオレフィンと比べて
より靭性が大きい、例えば切断および摩擦に対する抵抗
力がより大きく、しわがよる傾向がより小さいポリマー
を内側層に用いることができる。
性、例えば良好な耐電気絶縁破壊性、難燃性、温度安定
性および機械的靭性と優れた耐アーク−トラッキング性
を併せ持つことができるという利点を有する。更に、本
発明によれば、これまでに提案された弗化ポリマーと比
べて比較的廉価で軽量であり、ポリオレフィンと比べて
より靭性が大きい、例えば切断および摩擦に対する抵抗
力がより大きく、しわがよる傾向がより小さいポリマー
を内側層に用いることができる。
好ましくは内側層を形成するポリアミドまたはポリエ
ステルの炭素質チャー残量は、10％を越えない、最も好
ましくは５％を越えない、特に２％を越えない、特に実
質的に０である。本発明の電線中のポリマー成分のチャ
ー残量は、ポリマーのサンプルを窒素または他の不活性
ガス雰囲気中で所定の速度で所定の温度に加熱し、チャ
ーからなる残留重量を記録する熱重量分析すなわちTGA
として知られている方法により測定することができる。
チャー残量は、簡単には、非ポリマー性の揮発または非
揮発性成分を考慮に入れた後の残留チャーの最初のポリ
マーに対する割合として表された量である。本明細書に
引用されたチャー残量は850℃で測定した値であると定
義される。これは、通常、炭素対水素モル比が比較的低
いポリアミドまたはポリエステルを選択することにより
達成される。好ましくは、ポリマーの炭素対水素比は1.
1を越えない、より好ましくは1.0を越えない、特に0.75
を越えない、特に0.65を越えない。
ステルの炭素質チャー残量は、10％を越えない、最も好
ましくは５％を越えない、特に２％を越えない、特に実
質的に０である。本発明の電線中のポリマー成分のチャ
ー残量は、ポリマーのサンプルを窒素または他の不活性
ガス雰囲気中で所定の速度で所定の温度に加熱し、チャ
ーからなる残留重量を記録する熱重量分析すなわちTGA
として知られている方法により測定することができる。
チャー残量は、簡単には、非ポリマー性の揮発または非
揮発性成分を考慮に入れた後の残留チャーの最初のポリ
マーに対する割合として表された量である。本明細書に
引用されたチャー残量は850℃で測定した値であると定
義される。これは、通常、炭素対水素モル比が比較的低
いポリアミドまたはポリエステルを選択することにより
達成される。好ましくは、ポリマーの炭素対水素比は1.
1を越えない、より好ましくは1.0を越えない、特に0.75
を越えない、特に0.65を越えない。
ポリエステルまたはポリアミドは脂肪族部分に加えて
一種またはそれ以上の芳香族部分を含むことができ、実
際、多くの好ましいポリマーがそうである。しかしなが
ら、C:H比が高くなりすぎないようにポリマーは充分な
脂肪族性を有するべきである。好ましいポリアミドは、
ナイロン、例えばナイロン46、ナイロン６、ナイロン
７、ナイロン66、ナイロン610、ナイロン611、ナイロン
612、ナイロン11、ナイロン12およびナイロン1212なら
びに脂肪族／芳香族ポリアミド、例えば、テレフタル酸
とトリメチルヘキサメチレンジアミン（好ましくは、2,
2,4−および2,4,4−トリメチルヘキサメチレンジアミン
異性体の混合物を含む）との縮合ポリアミドのような芳
香族ジカルボン酸と脂肪族ジアミンとの縮合ポリアミ
ド、一種またはそれ以上のビスアミノメチルノルボルナ
ン異性体と一種またはそれ以上の脂肪族、脂環式または
芳香族ジカルボン酸、例えばテレフタル酸との縮合によ
り得られ、要すれば一種またはそれ以上のアミノ酸また
はラクタム、例えばε−カプロラクタムコモノマーを含
むポリアミド、ラウリンラクタム、イソフタル酸および
ビス−（４−アミノ−３−メチルシクロヘキシル）メタ
ンから得られる単位を含むポリアミド、2,2−ビス−
（ｐ−アミノシクロヘキシル）プロパンとアジピン酸お
よびアゼライン酸との縮合ポリアミド、およびトランス
シクロヘキサン−1,4−ジカルボン酸と上記トリメチル
ヘキサメチレンジアミン異性体との縮合ポリアミドを含
む。
一種またはそれ以上の芳香族部分を含むことができ、実
際、多くの好ましいポリマーがそうである。しかしなが
ら、C:H比が高くなりすぎないようにポリマーは充分な
脂肪族性を有するべきである。好ましいポリアミドは、
ナイロン、例えばナイロン46、ナイロン６、ナイロン
７、ナイロン66、ナイロン610、ナイロン611、ナイロン
612、ナイロン11、ナイロン12およびナイロン1212なら
びに脂肪族／芳香族ポリアミド、例えば、テレフタル酸
とトリメチルヘキサメチレンジアミン（好ましくは、2,
2,4−および2,4,4−トリメチルヘキサメチレンジアミン
異性体の混合物を含む）との縮合ポリアミドのような芳
香族ジカルボン酸と脂肪族ジアミンとの縮合ポリアミ
ド、一種またはそれ以上のビスアミノメチルノルボルナ
ン異性体と一種またはそれ以上の脂肪族、脂環式または
芳香族ジカルボン酸、例えばテレフタル酸との縮合によ
り得られ、要すれば一種またはそれ以上のアミノ酸また
はラクタム、例えばε−カプロラクタムコモノマーを含
むポリアミド、ラウリンラクタム、イソフタル酸および
ビス−（４−アミノ−３−メチルシクロヘキシル）メタ
ンから得られる単位を含むポリアミド、2,2−ビス−
（ｐ−アミノシクロヘキシル）プロパンとアジピン酸お
よびアゼライン酸との縮合ポリアミド、およびトランス
シクロヘキサン−1,4−ジカルボン酸と上記トリメチル
ヘキサメチレンジアミン異性体との縮合ポリアミドを含
む。
他の好ましい脂肪族ポリマーは、ポリエーテルおよび
ポリアミドブロック系のポリマー、特に、 式： 〔式中、Ａは平均分子量が300〜15000、好ましくは800
〜5000のポリアミド鎖、Ｂは平均分子量が200〜6000、
好ましくは400〜3000の直鎖状または分岐状ポリオキシ
アルキレン鎖を表す。〕 で示される繰り返し単位からなるいわゆる「ポリエーテ
ル−エステルアミドブロックコポリマー」を含む。
ポリアミドブロック系のポリマー、特に、 式： 〔式中、Ａは平均分子量が300〜15000、好ましくは800
〜5000のポリアミド鎖、Ｂは平均分子量が200〜6000、
好ましくは400〜3000の直鎖状または分岐状ポリオキシ
アルキレン鎖を表す。〕 で示される繰り返し単位からなるいわゆる「ポリエーテ
ル−エステルアミドブロックコポリマー」を含む。
ポリアミド鎖は、好ましくは、α，ω−アミノカルボ
ン酸、ラクタムまたはC4〜C14炭素鎖を有するジアミン
／ジカルボン酸コンビネーションから形成され、ポリオ
キシアルキレン鎖は、エチレングリコール、プロピレン
グリコール及び／又はテトラメチレングリコールからな
り、ポリオキシアルキレン鎖は全ブロックコポリマーの
５〜85重量％、特に10〜50重量％を占める。これらのポ
リマーおよびその調製法が、英国特許第1,473,972、同
1,532,930、1,555,644、2,005,283Aおよび2,011,450Aに
記載されている。
ン酸、ラクタムまたはC4〜C14炭素鎖を有するジアミン
／ジカルボン酸コンビネーションから形成され、ポリオ
キシアルキレン鎖は、エチレングリコール、プロピレン
グリコール及び／又はテトラメチレングリコールからな
り、ポリオキシアルキレン鎖は全ブロックコポリマーの
５〜85重量％、特に10〜50重量％を占める。これらのポ
リマーおよびその調製法が、英国特許第1,473,972、同
1,532,930、1,555,644、2,005,283Aおよび2,011,450Aに
記載されている。
内側層に用いるポリエステルは、好ましくは少なくと
も３個の炭素原子を有するポリアルキレンジオールまた
は脂環式ジーオルと芳香族ジカルボン酸から得られるポ
リエステルを、好ましく含む。好ましいポリエステル
は、ポリテトラメチレンテレフタレート、および脂肪環
式ジオール／テレフタル酸コポリマー、例えばテレフタ
レートおよびイソフタレート単位と1,4−シクロヘキサ
ンジメチロキシ単位とのコポリマーを含む。ポリエステ
ルは、ポリエーテルエステル、例えば、 式： で示される長鎖エステル単位および 式： で示される短鎖エステル単位 〔式中、Ｇはポリアルキレンオキシドグリコール、好ま
しくは分子量600〜6000のポリ（C2〜C4アルキレンオキ
シド）から末端水酸基を除去した後の二価の基、Ｒは少
なくとも一種の分子量が約300より低いジカルボン酸か
らカルボキシル基を除去した後の二価の基、Ｄは少なく
とも一種の分子量が250より低いジオールから水酸基を
除去した後の二価の基を表す。〕 を有するポリエーテルポリエステルブロックコポリマー
を含む。
も３個の炭素原子を有するポリアルキレンジオールまた
は脂環式ジーオルと芳香族ジカルボン酸から得られるポ
リエステルを、好ましく含む。好ましいポリエステル
は、ポリテトラメチレンテレフタレート、および脂肪環
式ジオール／テレフタル酸コポリマー、例えばテレフタ
レートおよびイソフタレート単位と1,4−シクロヘキサ
ンジメチロキシ単位とのコポリマーを含む。ポリエステ
ルは、ポリエーテルエステル、例えば、 式： で示される長鎖エステル単位および 式： で示される短鎖エステル単位 〔式中、Ｇはポリアルキレンオキシドグリコール、好ま
しくは分子量600〜6000のポリ（C2〜C4アルキレンオキ
シド）から末端水酸基を除去した後の二価の基、Ｒは少
なくとも一種の分子量が約300より低いジカルボン酸か
らカルボキシル基を除去した後の二価の基、Ｄは少なく
とも一種の分子量が250より低いジオールから水酸基を
除去した後の二価の基を表す。〕 を有するポリエーテルポリエステルブロックコポリマー
を含む。
好ましいコポリエステルは、テレフタル酸、ポリテト
ラメチレンエーテルグリコールおよび1,4−ブタンジオ
ールから誘導されたポリエーテルエステルポリマーであ
る。これらは、 式： で示される繰り返し単位を有する結晶性ハードブロッ
ク、および 式： で示され、分子量が約600〜3000、すなわちｎ＝６〜40
である繰り返し単位を有する非晶質エラストマー状ポリ
テトラメチレンエーテルテレフタレートソフトブロック
を有するランダムブロックコポリマーである。
ラメチレンエーテルグリコールおよび1,4−ブタンジオ
ールから誘導されたポリエーテルエステルポリマーであ
る。これらは、 式： で示される繰り返し単位を有する結晶性ハードブロッ
ク、および 式： で示され、分子量が約600〜3000、すなわちｎ＝６〜40
である繰り返し単位を有する非晶質エラストマー状ポリ
テトラメチレンエーテルテレフタレートソフトブロック
を有するランダムブロックコポリマーである。
所望により、ポリアミドまたはポリエステルを一種ま
たはそれ以上の他のポリマーとブレンドすることができ
る。例えば、ポリアミドをポリエステル、ポリエチレン
のようなポリオレフィン、エチレン／エチルアクリレー
トコポリマーまたはスチレン／ジエンブロックコポリマ
ーと、ブレンドして用いることができ、ポリエステルを
イオノマーまたはポリアミドに関して述べた上記ポリマ
ーとブレンドして用いることができる。
たはそれ以上の他のポリマーとブレンドすることができ
る。例えば、ポリアミドをポリエステル、ポリエチレン
のようなポリオレフィン、エチレン／エチルアクリレー
トコポリマーまたはスチレン／ジエンブロックコポリマ
ーと、ブレンドして用いることができ、ポリエステルを
イオノマーまたはポリアミドに関して述べた上記ポリマ
ーとブレンドして用いることができる。
本発明で使用される好ましい芳香族ポリマーは、当業
者に良く知られており、例えば、米国特許第3,025,605
号、同第3,306,874号、同第3,257,357号、同第3,354,12
9号、同第3,441,538号、同第3,442,538号、同第3,446,6
54号、同第3,658,938号、同第3,677,921号、同第3,838,
097号、同第3,847,867号、同第3,953,400号、同第3,95
6,240号、同第4,107,147号、同第4,108,837号、同第4,1
11,908号、同第4,175,175号、同第4,293,670号、同第4,
320,224号、および同第3,446,654号、英国特許971,22
7、同1,369,210、同1,599,106およびヨーロッパ特許出
願170,065、同124,276および同178,185が参照される。
そのようなポリマーは、ポリケトン、ポリエーテルケト
ン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホ
ン、ポリエーテルケトン／スルホンコポリマー、ポリエ
ーテルイミドおよびポリフェニレンオキシドを含む。異
なるポリマーのブレンドを使用することができる。好ま
しい芳香族ポリマーは、融点または軟化点が低くとも25
0℃、特に低くとも300℃であるポリマーであり、結晶性
または非晶質であってよい。非晶質ポリマーの軟化点
は、熱機械的分析（TMA）により都合良く測定すること
ができ、その場合、軟化点はプローブが60％貫入する温
度である。
者に良く知られており、例えば、米国特許第3,025,605
号、同第3,306,874号、同第3,257,357号、同第3,354,12
9号、同第3,441,538号、同第3,442,538号、同第3,446,6
54号、同第3,658,938号、同第3,677,921号、同第3,838,
097号、同第3,847,867号、同第3,953,400号、同第3,95
6,240号、同第4,107,147号、同第4,108,837号、同第4,1
11,908号、同第4,175,175号、同第4,293,670号、同第4,
320,224号、および同第3,446,654号、英国特許971,22
7、同1,369,210、同1,599,106およびヨーロッパ特許出
願170,065、同124,276および同178,185が参照される。
そのようなポリマーは、ポリケトン、ポリエーテルケト
ン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホ
ン、ポリエーテルケトン／スルホンコポリマー、ポリエ
ーテルイミドおよびポリフェニレンオキシドを含む。異
なるポリマーのブレンドを使用することができる。好ま
しい芳香族ポリマーは、融点または軟化点が低くとも25
0℃、特に低くとも300℃であるポリマーであり、結晶性
または非晶質であってよい。非晶質ポリマーの軟化点
は、熱機械的分析（TMA）により都合良く測定すること
ができ、その場合、軟化点はプローブが60％貫入する温
度である。
ポリマーは、全て芳香族または一種もしくはそれ以上
の脂肪族部分を含んでよい。
の脂肪族部分を含んでよい。
そのようなポリマーの一種において、ポリマーは好ま
しくは本質的に、式： −Ar−Ｑ− 〔式中、Arは非置換または置換されている二価の芳香族
基およびＱは−Ｏ−、−Ｓ−、−SO2−、−CO−、−NH
−CO−または−COO−を表す、またはArは三価の基を表
し、Ｑは を表し、Ｑ基の各々の結合が好ましくは芳香族炭素原子
に直接結合している。〕で示される同一または異なる単
位からなる。
しくは本質的に、式： −Ar−Ｑ− 〔式中、Arは非置換または置換されている二価の芳香族
基およびＱは−Ｏ−、−Ｓ−、−SO2−、−CO−、−NH
−CO−または−COO−を表す、またはArは三価の基を表
し、Ｑは を表し、Ｑ基の各々の結合が好ましくは芳香族炭素原子
に直接結合している。〕で示される同一または異なる単
位からなる。
一つの好ましい種類のポリマーは、式： 〔式中、R1は、同一または異なってよく、水素またはハ
ロゲン原子、または三級アルファ炭素原子を有さない炭
化水素原子を表す。〕 で示される繰り返し単位からなるポリフェニレンオキシ
ドである。
ロゲン原子、または三級アルファ炭素原子を有さない炭
化水素原子を表す。〕 で示される繰り返し単位からなるポリフェニレンオキシ
ドである。
他の種類の芳香族ポリマーにおいて、芳香族ポリマー
は、式： −Ｏ−Ｅ−Ｏ−Ｅ′− 〔式中、Ｅは二価フェノールの残基およびＥ′は原子価
結合に対するオルトおよびパラ位の少なくとも一つの位
置に電子吸引基を有する芳香族化合物の残基を表し、Ｅ
およびＥ′基は芳香族炭素原子を介して−Ｏ−基に結合
している。〕 で示される繰り返し単位からなる結晶性ポリアリーレン
エーテルである。一つの好ましいサブクラスにおいて、
Ｅは式： 〔式中、R2は二価の基、ｘは０または１、Ｙは、ハロゲ
ン原子、炭素数１〜４のアルキル基および炭素数１〜４
のアルコキシル基から選択される基、ｙは０、１、２、
３または４、Ｙ′はハロゲン原子、炭素数１〜４のアル
キル基および炭素数１〜４のアルコキシル基から選択さ
れる基、ｚは０、１、２、３または４を表す。〕 で示される基であってよく、Ｅ′は式： 〔式中、R3はスルホン、カルボニル、ビニル、スルホキ
シド、アゾ、飽和フッ化炭素、有機ホスフィンオキシド
またはエチリデン基を表す。〕 で示される基である。この種類の好ましいポリスルフォ
ンにおいて、ｙおよびｚは０、ｘは１、R3はスルホン基
およびR2は 式： 〔各々のR4は独立して、水素原子、非置換または１つも
しくはそれ以上のハロゲン原子により置換されていてよ
い炭素数１〜４のアルキル基、非置換または１つもしく
はそれ以上のハロゲン原子により置換されていてよいア
リール、アルカリールおよびアラルキル基から選択され
る。〕 で示される基を示す。
は、式： −Ｏ−Ｅ−Ｏ−Ｅ′− 〔式中、Ｅは二価フェノールの残基およびＥ′は原子価
結合に対するオルトおよびパラ位の少なくとも一つの位
置に電子吸引基を有する芳香族化合物の残基を表し、Ｅ
およびＥ′基は芳香族炭素原子を介して−Ｏ−基に結合
している。〕 で示される繰り返し単位からなる結晶性ポリアリーレン
エーテルである。一つの好ましいサブクラスにおいて、
Ｅは式： 〔式中、R2は二価の基、ｘは０または１、Ｙは、ハロゲ
ン原子、炭素数１〜４のアルキル基および炭素数１〜４
のアルコキシル基から選択される基、ｙは０、１、２、
３または４、Ｙ′はハロゲン原子、炭素数１〜４のアル
キル基および炭素数１〜４のアルコキシル基から選択さ
れる基、ｚは０、１、２、３または４を表す。〕 で示される基であってよく、Ｅ′は式： 〔式中、R3はスルホン、カルボニル、ビニル、スルホキ
シド、アゾ、飽和フッ化炭素、有機ホスフィンオキシド
またはエチリデン基を表す。〕 で示される基である。この種類の好ましいポリスルフォ
ンにおいて、ｙおよびｚは０、ｘは１、R3はスルホン基
およびR2は 式： 〔各々のR4は独立して、水素原子、非置換または１つも
しくはそれ以上のハロゲン原子により置換されていてよ
い炭素数１〜４のアルキル基、非置換または１つもしく
はそれ以上のハロゲン原子により置換されていてよいア
リール、アルカリールおよびアラルキル基から選択され
る。〕 で示される基を示す。
他の種類の芳香族ポリマーにおいて、ポリマーは、 式： 〔式中、Ｑは−Ｏ−または−SO2−、Ｚは三価の芳香族
基、R5は二価の芳香族基、およびR6は二価の有機基を表
す。〕 で示される繰り返し単位からなるポリエーテルイミドま
たはポリスルホンイミドである。好ましい芳香族ポリマ
ーは、式： 〔式中、Ｄは、式： で示される基、およびＲ′はアリーレン基を表す。〕 で示される繰り返し単位を有する。
基、R5は二価の芳香族基、およびR6は二価の有機基を表
す。〕 で示される繰り返し単位からなるポリエーテルイミドま
たはポリスルホンイミドである。好ましい芳香族ポリマ
ーは、式： 〔式中、Ｄは、式： で示される基、およびＲ′はアリーレン基を表す。〕 で示される繰り返し単位を有する。
他のポリマーは、芳香族エーテルおよび芳香族ケトン
基からなる繰り返し基、ならびにイミド、アミド、エス
テル、ベンゾキサゾールまたはベンゾチアゾール基を有
するポリエーテルケトンである。そのようなポリマーの
例は、式： 〔式中、R7はイミド、アミドまたはエステル基を表
す。〕 で示される繰り返し単位を有するポリマーである。
基からなる繰り返し基、ならびにイミド、アミド、エス
テル、ベンゾキサゾールまたはベンゾチアゾール基を有
するポリエーテルケトンである。そのようなポリマーの
例は、式： 〔式中、R7はイミド、アミドまたはエステル基を表
す。〕 で示される繰り返し単位を有するポリマーである。
更に、他の種類の芳香族ポリマーはポリアリーレート
である。使用することのできるポリアリーレートは、二
価フェノールおよび少なくとも一種の芳香族ジカルボン
酸から誘導されるポリアリーレートを含む。そのような
ポリマーの例は、式： 〔式中、Ｙは、同一または異なってよく、それぞれ、水
素原子、 C1〜C4アルキル基または塩素もしくは臭素原子、ｂは０
または１〜４の整数、R8は二価の飽和または不飽和炭化
水素基、例えばアルキレン、アルキリジン、シクロアル
キレンもしくはシクロアルキリジン基、酸素もしくは硫
黄原子またはカルボニルもしくはスルホニル基、および
ｃは０または１を表す。〕 で示される二価フェノールから誘導されたポリマーを含
む。
である。使用することのできるポリアリーレートは、二
価フェノールおよび少なくとも一種の芳香族ジカルボン
酸から誘導されるポリアリーレートを含む。そのような
ポリマーの例は、式： 〔式中、Ｙは、同一または異なってよく、それぞれ、水
素原子、 C1〜C4アルキル基または塩素もしくは臭素原子、ｂは０
または１〜４の整数、R8は二価の飽和または不飽和炭化
水素基、例えばアルキレン、アルキリジン、シクロアル
キレンもしくはシクロアルキリジン基、酸素もしくは硫
黄原子またはカルボニルもしくはスルホニル基、および
ｃは０または１を表す。〕 で示される二価フェノールから誘導されたポリマーを含
む。
好ましい芳香族ポリマーは、本質的に、 ［式中、ｘ、ｍおよびｎはそれぞれ０または１を表し、
ｘが１の場合にｎは０であり、ｐは１〜４の整数であ
り、ｐが１より大きい場合にｍが１でｘが０であり、例
えば である。］ または ［単位は全てイソフタル酸またはテレフタル酸あるいは
両者の混合物から誘導される。］ の内の一つの式で示される繰り返し単位を有する。
ｘが１の場合にｎは０であり、ｐは１〜４の整数であ
り、ｐが１より大きい場合にｍが１でｘが０であり、例
えば である。］ または ［単位は全てイソフタル酸またはテレフタル酸あるいは
両者の混合物から誘導される。］ の内の一つの式で示される繰り返し単位を有する。
芳香族分子を含む他のポリマー、例えば、米国特許第
3,551,200号に記載されているようなポリ1,12−ドデカ
メチレンピロメリトイミドまたは1,13−トリデカメチレ
ンピロメリトイミドを使用することができる。
3,551,200号に記載されているようなポリ1,12−ドデカ
メチレンピロメリトイミドまたは1,13−トリデカメチレ
ンピロメリトイミドを使用することができる。
任意の二種またはそれ以上のこれらのポリマーを基礎
とするコポリマーとして、任意の二種またはそれ以上の
上記ポリマーのブレンドを使用してよい。更に、任意の
これら芳香族ポリマーと脂肪族ポリマー、例えばここで
述べた脂肪族ポリマーとのブレンドを使用してよい。
とするコポリマーとして、任意の二種またはそれ以上の
上記ポリマーのブレンドを使用してよい。更に、任意の
これら芳香族ポリマーと脂肪族ポリマー、例えばここで
述べた脂肪族ポリマーとのブレンドを使用してよい。
電線絶縁に使用する多くの芳香族ポリマーのチャー残
量は少なくとも30％であり、一部のポリマーはチャー残
量が少なくとも40％および少なくとも50％でさえある。
このことは、高いチャー残量そのものが望ましいという
ことを意味するのではなく、単に、これら芳香族ポリマ
ーの優れた機械的特性および温度安定性および難燃性を
含む良好な物理的特性が、通常、高いチャー残量に関係
するということである。好ましい芳香族ポリマーは、通
常、C:Hモル比が少なくとも1.0、好ましくは少なくとも
1.2、より好ましくは少なくとも1.3、および特に少なく
とも1.4である。ポリアリールエーテルケトンのような
高いチャー残量を伴う靭性の最も高いポリマーは、C:H
比が1.5より高い。
量は少なくとも30％であり、一部のポリマーはチャー残
量が少なくとも40％および少なくとも50％でさえある。
このことは、高いチャー残量そのものが望ましいという
ことを意味するのではなく、単に、これら芳香族ポリマ
ーの優れた機械的特性および温度安定性および難燃性を
含む良好な物理的特性が、通常、高いチャー残量に関係
するということである。好ましい芳香族ポリマーは、通
常、C:Hモル比が少なくとも1.0、好ましくは少なくとも
1.2、より好ましくは少なくとも1.3、および特に少なく
とも1.4である。ポリアリールエーテルケトンのような
高いチャー残量を伴う靭性の最も高いポリマーは、C:H
比が1.5より高い。
例えば、同日付の英国出願8716304および8716307（そ
れから国際出願WO89/00756およびWO89/00758の請求の範
囲の優先権を主張）に記載されているように、他の芳香
族ポリマーに加えてまたはその代わりに一種またはそれ
以上の脂肪族ポリマーとブレンドして芳香族ポリマーを
用いることができるが外側層は、通常、ポリマー成分と
して芳香族ポリマーのみからなる。
れから国際出願WO89/00756およびWO89/00758の請求の範
囲の優先権を主張）に記載されているように、他の芳香
族ポリマーに加えてまたはその代わりに一種またはそれ
以上の脂肪族ポリマーとブレンドして芳香族ポリマーを
用いることができるが外側層は、通常、ポリマー成分と
して芳香族ポリマーのみからなる。
また、ハロゲンが相当量存在すると、電線を燃やした
際に腐食性で毒性のガスが発生するので、電線絶縁材料
は好ましくは実質的にハロゲンを含まない。電線絶縁材
料を好ましくは10重量％を越えないハロゲン、より好ま
しくは５重量％を越えないハロゲンを含み、特に実質的
にハロゲンを含まない。
際に腐食性で毒性のガスが発生するので、電線絶縁材料
は好ましくは実質的にハロゲンを含まない。電線絶縁材
料を好ましくは10重量％を越えないハロゲン、より好ま
しくは５重量％を越えないハロゲンを含み、特に実質的
にハロゲンを含まない。
電線絶縁材料または少なくとも内側層は、例えば高エ
ネルギー放射線にさらすことにより架橋することができ
る。
ネルギー放射線にさらすことにより架橋することができ
る。
放射線架橋は電子線またはガンマ線のような高エネル
ギー放射線にさらすことにより行うことができる。放射
線線量は、対象となるポリマーの特性により、通常、20
〜800kGy、好ましくは20〜500kGy、例えば20〜200kGyお
よび特に40〜120kGyが適当である。照射中に架橋を促進
するために、多官能性ビニルまたはアリル化合物、例え
ば、トリアリルシアヌレート、トリアリルイソシアヌレ
ート（TAIC）、メチレンビスアクリルアミド、メタフェ
ニレンジアミンビスマレイミドまたは例えば米国特許第
4,121,001号および同第4,176,027号に記載されている他
の架橋剤のようなプロラドを、好ましくは0.2〜15重量
％の量で、照射前に組成物に配合する。
ギー放射線にさらすことにより行うことができる。放射
線線量は、対象となるポリマーの特性により、通常、20
〜800kGy、好ましくは20〜500kGy、例えば20〜200kGyお
よび特に40〜120kGyが適当である。照射中に架橋を促進
するために、多官能性ビニルまたはアリル化合物、例え
ば、トリアリルシアヌレート、トリアリルイソシアヌレ
ート（TAIC）、メチレンビスアクリルアミド、メタフェ
ニレンジアミンビスマレイミドまたは例えば米国特許第
4,121,001号および同第4,176,027号に記載されている他
の架橋剤のようなプロラドを、好ましくは0.2〜15重量
％の量で、照射前に組成物に配合する。
絶縁材料は、添加剤、例えば、補強または非補強充填
剤、紫外線安定化剤のような安定化剤、酸化防止剤、酸
受容体および加水分解防止安定剤、顔料、可塑剤のよう
な加工助剤、ハロゲン化または非ハロゲン化難燃剤、例
えば酸化アルミニウム三水和物のような水和金属酸化物
または水酸化マグネシウム、もしくはデカブロモジフェ
ニルエーテル、殺菌剤等を含んでよい。
剤、紫外線安定化剤のような安定化剤、酸化防止剤、酸
受容体および加水分解防止安定剤、顔料、可塑剤のよう
な加工助剤、ハロゲン化または非ハロゲン化難燃剤、例
えば酸化アルミニウム三水和物のような水和金属酸化物
または水酸化マグネシウム、もしくはデカブロモジフェ
ニルエーテル、殺菌剤等を含んでよい。
多くの場合、絶縁電線はポリアミド／ポリエステル内
側層および芳香族外側層のみからなる。しかしながら、
必要に応じて、一種またはそれ以上の他の層が存在して
もよい。例えば、無機材料を導体上に付着させることに
より無機アーク制御層を導体上に直接設けることができ
る。そのような層により内側絶縁層の厚さを薄くするこ
とができる。ウェットトラッキング（ウェットトラッキ
ングの現象は、出願人の前記の英国特許出願8716304
（国際出願WO89/00756）に記載されている。）に対する
絶縁材料の耐性を向上させるために、芳香族ポリマーの
最上部に、通常、炭素質チャー残量が低い、例えば15重
量％を越えず、例えば脂肪族ポリマーから形成すること
のできるウェットトラッキング制御層を設けてよい。
側層および芳香族外側層のみからなる。しかしながら、
必要に応じて、一種またはそれ以上の他の層が存在して
もよい。例えば、無機材料を導体上に付着させることに
より無機アーク制御層を導体上に直接設けることができ
る。そのような層により内側絶縁層の厚さを薄くするこ
とができる。ウェットトラッキング（ウェットトラッキ
ングの現象は、出願人の前記の英国特許出願8716304
（国際出願WO89/00756）に記載されている。）に対する
絶縁材料の耐性を向上させるために、芳香族ポリマーの
最上部に、通常、炭素質チャー残量が低い、例えば15重
量％を越えず、例えば脂肪族ポリマーから形成すること
のできるウェットトラッキング制御層を設けてよい。
本発明の電線およびケーブルは従来技術により形成す
ることができる。例えば、ポリマーを任意の他の成分と
ミキサー内でブレンドし、粒状化し、次に電線導体上に
押し出すことができる。
ることができる。例えば、ポリマーを任意の他の成分と
ミキサー内でブレンドし、粒状化し、次に電線導体上に
押し出すことができる。
電線は単体で「回路用」ワイヤーまたは航空機電線に
使用し、または束にしておよびハーネスに使用すること
ができ、外被を有しても有さなくてもよく、多心ケーブ
ルに使用することもできる。電線、ハーネスまたはケー
ブルはスクリーンを設けなくても、当業者に知られてい
るように電磁妨害から保護するためにスクリーンを設け
てもよい。更に、平坦導線または丸型導線を用いて、本
発明の絶縁材料により平坦ケーブルを形成することがで
きる。
使用し、または束にしておよびハーネスに使用すること
ができ、外被を有しても有さなくてもよく、多心ケーブ
ルに使用することもできる。電線、ハーネスまたはケー
ブルはスクリーンを設けなくても、当業者に知られてい
るように電磁妨害から保護するためにスクリーンを設け
てもよい。更に、平坦導線または丸型導線を用いて、本
発明の絶縁材料により平坦ケーブルを形成することがで
きる。
本発明を添付の図面を参照にして説明する。
第１図は本発明の電線の等角投影図であり： 第２図はウェットトラッキング用試験装置の概略図で
あり： 第３図はドライアーキング用試験装置の概略図であ
る。
あり： 第３図はドライアーキング用試験装置の概略図であ
る。
まず、添付図面の第１図を参照にすると、電線は中実
または図示するようにより線であってよい導体11からな
り、要すれば錫めっきされる。ポリブチレンテレフタレ
ートまたはブチレンオキシド−ブチレンテレフタレート
ブロックコポリマーからなる厚さ100マイクロメーター
の内側層12（第１絶縁）を導体上に押出した後、ポリエ
ーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトンまたはポリ
アリールエーテルイミドからなる厚さ100マイクロメー
ターの層13を押出した。絶縁層を押出した後、または層
13を押出す前に、電線に高エネルギー電子を約120kGy照
射することにより層12を架橋することができる。
または図示するようにより線であってよい導体11からな
り、要すれば錫めっきされる。ポリブチレンテレフタレ
ートまたはブチレンオキシド−ブチレンテレフタレート
ブロックコポリマーからなる厚さ100マイクロメーター
の内側層12（第１絶縁）を導体上に押出した後、ポリエ
ーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトンまたはポリ
アリールエーテルイミドからなる厚さ100マイクロメー
ターの層13を押出した。絶縁層を押出した後、または層
13を押出す前に、電線に高エネルギー電子を約120kGy照
射することにより層12を架橋することができる。
以下の実施例により本発明を説明する： 実施例において、以下の試験手順を用いた。
ドライアーク試験 この試験は、電線束中の損傷が乾燥条件下にアークを
生じたときに何が起こるかシミュレートすることを目的
としている。絶縁物質の熱劣化を引き起こすアークを生
じさせるためにグラファイトロッドを使用する。欠陥電
流は、導電性チャーを介する隣接相間のショートによ
り、または絶縁物質がアークの連続により全て除去され
た場合に起こる導電体−導電体直接接触により試験下の
電線束を通して持続するのみである。
生じたときに何が起こるかシミュレートすることを目的
としている。絶縁物質の熱劣化を引き起こすアークを生
じさせるためにグラファイトロッドを使用する。欠陥電
流は、導電性チャーを介する隣接相間のショートによ
り、または絶縁物質がアークの連続により全て除去され
た場合に起こる導電体−導電体直接接触により試験下の
電線束を通して持続するのみである。
第１図は、出来上がりの試料を示すものである。電線
束21は、試験電線絶縁材料の層で被覆された７本の長さ
10cmの22AWG錫めっき銅またはニッケルめっき銅導電体2
2から形成される。電線束22は１本の中心電線の周囲に
６本の電線が配され、約5cm離れたタイラップにより保
持されている。外側電線のうちの１本は、タイラップ間
において周囲に刻み目が設けられ0.5mmの導電体がむき
出しとなっており、各電線の一端は絶縁ワニ口クリップ
を介して連結し得るようにストリップされている。
束21は、試験電線絶縁材料の層で被覆された７本の長さ
10cmの22AWG錫めっき銅またはニッケルめっき銅導電体2
2から形成される。電線束22は１本の中心電線の周囲に
６本の電線が配され、約5cm離れたタイラップにより保
持されている。外側電線のうちの１本は、タイラップ間
において周囲に刻み目が設けられ0.5mmの導電体がむき
出しとなっており、各電線の一端は絶縁ワニ口クリップ
を介して連結し得るようにストリップされている。
分光的に純粋なグラファイトからなり、不純物含量レ
ベルが20ppmを越えない、直径4.6mmのロッド23が提供さ
れる。それは、各試験前に、垂直に対して10゜の角度を
なし先端部直径が0.4±0.1mmとなるようにヨーロッパ型
の従来の鉛筆削りを用いて尖らすことにより得られる。
アーム発生中に接触を維持し、下方向の移動を制限する
ことによりロッドの貫通深さを制限する装置として、10
0gの荷重24がロッド23の上端部に取り付けられる。ロッ
ドは、ロッドが自由に上下に滑動できるPTFEブッシュを
通って移動する。
ベルが20ppmを越えない、直径4.6mmのロッド23が提供さ
れる。それは、各試験前に、垂直に対して10゜の角度を
なし先端部直径が0.4±0.1mmとなるようにヨーロッパ型
の従来の鉛筆削りを用いて尖らすことにより得られる。
アーム発生中に接触を維持し、下方向の移動を制限する
ことによりロッドの貫通深さを制限する装置として、10
0gの荷重24がロッド23の上端部に取り付けられる。ロッ
ドは、ロッドが自由に上下に滑動できるPTFEブッシュを
通って移動する。
レバーを設置することによりロッド23を電線束21上に
精確に配置することができ、電気絶縁性樹脂からなり同
じ物質からなるブロック26上に載置された簡単なクラン
プ25によりその場に確実に保持されている。
精確に配置することができ、電気絶縁性樹脂からなり同
じ物質からなるブロック26上に載置された簡単なクラン
プ25によりその場に確実に保持されている。
電源は ａ）電気容量が少なくとも5kVAである三相400Hz115/200
V発電機 ｂ）電気容量が少なくとも3kVAである単相50Hz115V変圧
器 ｃ）二つの12V蓄電池により供給された直流24V のいずれでもよい。
V発電機 ｂ）電気容量が少なくとも3kVAである単相50Hz115V変圧
器 ｃ）二つの12V蓄電池により供給された直流24V のいずれでもよい。
漏電は結合リード線を覆っている電流検出用クランプ
により感知され、漏電時の電圧は10:1電圧プローブによ
り測定される。トランスデューサーシグナルは多チャン
ネルデジタル貯蔵オシロスコープに送られ、そこでディ
スプレイおよび操作して電力曲線（電圧×電流）および
エネルギー（電力曲線の積分）を得ることができる。
により感知され、漏電時の電圧は10:1電圧プローブによ
り測定される。トランスデューサーシグナルは多チャン
ネルデジタル貯蔵オシロスコープに送られ、そこでディ
スプレイおよび操作して電力曲線（電圧×電流）および
エネルギー（電力曲線の積分）を得ることができる。
電線束21は、刻み目を設けた電線が最上部となるよう
にクランプ25に配置される。電線束の隣接電線は7.5A航
空機型回路ブレーカーを介して異なる相の供給源に連結
され、中心の電線はアースに直接接続される。単相また
は直流供給の場合、交流電線をアースまたは陰端子に接
続し、中心電線を含む残りの電線は回路ブレーカーを介
して通電線または陽端子に接続される。カーボンロッド
もアースまたは陰端子に接続され、先端部が導電体露出
部に接触するように配置される。100g荷重とPTFEブッシ
ュ間のギャップは、ロッドのサンプル中への貫通を制限
するために適当なスペーサーを用いて0.4mmに調節す
る。電圧プローブは損傷電線およびロッドを横切ってつ
ながり、電流検出用クランプは三相の各々または供給源
の通電側につながっている電線に配されている。試験組
立構造体の前に保護スクリーンを配し、電源を入れる。
にクランプ25に配置される。電線束の隣接電線は7.5A航
空機型回路ブレーカーを介して異なる相の供給源に連結
され、中心の電線はアースに直接接続される。単相また
は直流供給の場合、交流電線をアースまたは陰端子に接
続し、中心電線を含む残りの電線は回路ブレーカーを介
して通電線または陽端子に接続される。カーボンロッド
もアースまたは陰端子に接続され、先端部が導電体露出
部に接触するように配置される。100g荷重とPTFEブッシ
ュ間のギャップは、ロッドのサンプル中への貫通を制限
するために適当なスペーサーを用いて0.4mmに調節す
る。電圧プローブは損傷電線およびロッドを横切ってつ
ながり、電流検出用クランプは三相の各々または供給源
の通電側につながっている電線に配されている。試験組
立構造体の前に保護スクリーンを配し、電源を入れる。
ａ）回路ブレーカーが遮断せず、反応が比較的小さい、
または ｂ）活性が小さい試験後のブレーカーのリセット時に更
に反応が起こらない場合、材料はこの試験に合格したと
みなされる。
または ｂ）活性が小さい試験後のブレーカーのリセット時に更
に反応が起こらない場合、材料はこの試験に合格したと
みなされる。
更に、非トラッキング材料は電流トレース中にスパイ
クがほとんどなく、それに相当して消費される全エネル
ギーは少ない。他方、トラッキング物質は通常三つの全
ての相に多くのスパイクがあり、それに伴いぱちぱちと
いう音が激しく多量のエネルギーが消費される。
クがほとんどなく、それに相当して消費される全エネル
ギーは少ない。他方、トラッキング物質は通常三つの全
ての相に多くのスパイクがあり、それに伴いぱちぱちと
いう音が激しく多量のエネルギーが消費される。
特記する以外は20mmボーガン（Baughan）押出機を用
いて、22AWGニッケルめっき銅導線上に押し出すことに
より以下の電線構造体を形成した。ブレンドを使用した
場合は、ベイカー・パーキンス（Baker Perkins）２軸
スクリュー押出機により形成し、全ての場合、内側層は
５％のTAICを含み、高いエネルギー電子線を120kGy照射
することにより架橋した。実施例１〜５では、115V、50
Hzの単相電源によりドライトラッキングを試験し、結果
を第Ｉ表に示す。実施例６〜12では、115V、400Hzの三
相電源により試験し、結果を第II表に示す。
いて、22AWGニッケルめっき銅導線上に押し出すことに
より以下の電線構造体を形成した。ブレンドを使用した
場合は、ベイカー・パーキンス（Baker Perkins）２軸
スクリュー押出機により形成し、全ての場合、内側層は
５％のTAICを含み、高いエネルギー電子線を120kGy照射
することにより架橋した。実施例１〜５では、115V、50
Hzの単相電源によりドライトラッキングを試験し、結果
を第Ｉ表に示す。実施例６〜12では、115V、400Hzの三
相電源により試験し、結果を第II表に示す。
実施例において、以下のポリマーを使用した。
ポリアリールエーテルエーテルケトン 式： で示される繰り返し単位を有するポリマー ポリエーテルイミド 式： で示される繰り返し単位を有するポリマー 実施例１ 内側絶縁層として芳香族−脂肪族ポリアミド（2,2,4
−および2,4,4−トリメチルヘキサメチレンジアミンと
テレフタル酸との混合物から調製されたポリマー）から
なる100μｍの層を押し出し、外側絶縁層としてポリア
ーリルエーテルエーテルケトンからなる100μｍの層を
押し出した。
−および2,4,4−トリメチルヘキサメチレンジアミンと
テレフタル酸との混合物から調製されたポリマー）から
なる100μｍの層を押し出し、外側絶縁層としてポリア
ーリルエーテルエーテルケトンからなる100μｍの層を
押し出した。
実施例２ ポリテトラメチレンテレフタレート、イオノマー樹脂
〔デュポン社のサーリン（Surlyn）9090〕および架橋剤
〔ジアクリル（Diacryl）101〕の77.5:17.5:5ブレンド
からなる100μｍの内側絶縁層、およびポリアリールエ
ーテルエーテルケトンからなる100μｍの外側絶縁層を
用いた。
〔デュポン社のサーリン（Surlyn）9090〕および架橋剤
〔ジアクリル（Diacryl）101〕の77.5:17.5:5ブレンド
からなる100μｍの内側絶縁層、およびポリアリールエ
ーテルエーテルケトンからなる100μｍの外側絶縁層を
用いた。
実施例３ ポリテトラメチレンテレフタレートと、ポリブチレン
テレフタレートハードブロック約57重量％およびポリ
（ブチレングリコールポリエーテルテレフタレート）ソ
フトブロック約43重量％からなるポリ（エーテル−エス
テル）ブロックコポリマーとの70:30ブレンドからなる1
25μｍの内側絶縁層、およびポリアリールエーテルエー
テルケトンからなる125μｍの外側絶縁層を用いた。
テレフタレートハードブロック約57重量％およびポリ
（ブチレングリコールポリエーテルテレフタレート）ソ
フトブロック約43重量％からなるポリ（エーテル−エス
テル）ブロックコポリマーとの70:30ブレンドからなる1
25μｍの内側絶縁層、およびポリアリールエーテルエー
テルケトンからなる125μｍの外側絶縁層を用いた。
実施例４ 内側絶縁層がホウ酸亜鉛水和物の20％も含む以外は、
実施例３と同様であった。
実施例３と同様であった。
実施例５（対照） ポリアリールエーテルエーテルケトンからなる250μ
ｍの単層の絶縁層を用いた。
ｍの単層の絶縁層を用いた。
実施例６ ポリエーテルブロックアミドからなる100μｍの内側
層、およびポリエーテルイミドからなる100μｍの外側
層を用いた。
層、およびポリエーテルイミドからなる100μｍの外側
層を用いた。
実施例７ ポリエチレンテレフタレートからなる100μｍの内側
層、およびポリエーテルイミドからなる100μｍの外側
層を用いた。
層、およびポリエーテルイミドからなる100μｍの外側
層を用いた。
実施例８（対照） ポリアリールエーテルエーテルケトンからなる100μ
ｍの単層を用いた。
ｍの単層を用いた。
実施例９（対照） ポリエーテルイミドからなる100μｍの単層を用い
た。
た。
実施例10 ラウリンラクタム、イソフタル酸ビス−（４−アミノ
−３−メチルシクロヘキシル）メタン系の非晶質ポリア
ミドからなる100μｍの内側層、およびポリアリールエ
ーテルエーテルケトンからなる100μｍの外側層を用い
た。
−３−メチルシクロヘキシル）メタン系の非晶質ポリア
ミドからなる100μｍの内側層、およびポリアリールエ
ーテルエーテルケトンからなる100μｍの外側層を用い
た。
実施例11 ポリテトラメチレンテレフタレートからなる100μｍ
の内側層、およびポリアリールエーテルエーテルケトン
からなる100μｍの外側層を用いた。
の内側層、およびポリアリールエーテルエーテルケトン
からなる100μｍの外側層を用いた。
実施例12 実施例１の内側層と同じポリアミドからなる100μｍ
の内側層、およびポリアリールエーテルエーテルケトン
からなる100μｍの外側層を用いた。
の内側層、およびポリアリールエーテルエーテルケトン
からなる100μｍの外側層を用いた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｂ 3/42 Ｈ０１Ｂ 3/42 Ｇ (72)発明者 ペネック、リチャード・ジョン イギリス国 グロスターシャー、レクレ イド、ウェストウェイ、“トゥリーブ" （番地の表示なし) (56)参考文献 特開 昭62−219408（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−73807（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01B 3/30 H01B 7/00 - 7/34
Claims (12)
- 【請求項１】長い導電体、および （ａ）加熱後に850℃で測定して15重量％以下のチャー
残量を示し、脂肪族部分を有するポリアミドまたはポリ
エステルからなる内側溶融押出絶縁層と （ｂ）芳香族ポリマーからなる外側溶融押出絶縁層 からなる電気絶縁体 からなる電線。 - 【請求項２】ポリアミドまたはポリエステルの炭素対水
素のモル比が1.1以下である請求の範囲１記載の電線。 - 【請求項３】内側層が、芳香族ジカルボン酸および脂肪
族もしくは脂環式ジアミンに基づくポリアミドまたはナ
イロンからなる請求の範囲１または２に記載の電線。 - 【請求項４】内側層が、ナイロン46、ナイロン６、ナイ
ロン７、ナイロン66、ナイロン610、ナイロン611、ナイ
ロン612、ナイロン11、ナイロン12、テレフタル酸およ
びトリメチルヘキサメチレンジアミンまたはビスアミノ
メチルノルボルナン系のポリアミド、ラウリンラクタ
ム、イソフタル酸およびビス−（４−アミノ−３−メチ
ルシクロヘキシル）メタン系のポリアミド、2,2−ビス
−（ｐ−アミノ−シクロ−ヘキシル）プロパン、アジピ
ン酸およびアゼライン酸系のポリアミド、またはトラン
スシクロヘキサン−1,4−ジカルボン酸およびトリメチ
ルヘキサメチレンジアミン系のポリアミドからなる請求
の範囲１〜３のいずれかに記載の電線。 - 【請求項５】内側層がポリアルキレンジオールまたは脂
環式ジオールおよび芳香族ジカルボン酸系のポリエステ
ルからなる請求の範囲１または２に記載の電線。 - 【請求項６】内側層が、ポリテトラメチレンテレフタレ
ート、テレフタル酸およびイソフタル酸単位と1,4−シ
クロヘキサンジメチロキシ単位とのコポリマー系のポリ
エステル、または 式： で示される長鎖エステル単位 式： で示される短鎖エステル単位および 〔式中、Ｇはポリアルキレンオキシドグリコール、好ま
しくは分子量600〜6000のポリ（C2〜C4アルキレンオキ
シド）から末端水酸基を除いた後に残る二価の基、Ｒは
分子量が300より低い少なくとも一種のジカルボン酸か
らカルボキシル基を除いた後に残る二価の基、Ｄは分子
量が250より低い少なくとも一種のジオールから水酸基
を除いた後に残る二価の基を表す。〕 を有するセグメント化ポリエーテルポリエステルブロッ
クコポリマーからなる請求の範囲５記載の電線。 - 【請求項７】芳香族ポリマーのチャー残量が少なくとも
25重量％である請求の範囲１〜６のいずれかに記載の電
線。 - 【請求項８】芳香族ポリマーの炭素対水素モル比が少な
くとも1.0である請求の範囲１〜７のいずれかに記載の
電線。 - 【請求項９】芳香族ポリマーの炭素対水素モル比が少な
くとも1.3である請求項８記載の電線。 - 【請求項１０】芳香族ポリマーが、ポリアリールエーテ
ルケトン、ポリアリールエーテルスルホン、ポリアリー
ルエーテル、ポリアリーレート及び／又はポリエーテル
イミドからなる請求の範囲１〜９のいずれかに記載の電
線。 - 【請求項１１】芳香族ポリマーが、 ｉ）式： −Ar−Ｑ− 〔式中、Arは非置換または置換された二価芳香族基およ
びＱは−Ｏ−、−Ｓ−、−SO2−、−CO−、−NH−CO−
もしくは−COO−を表すか、または、Arは三価基および
Ｑは で示される基を表し、Ｑは好ましくは芳香族炭素原子に
直接結合している。〕 で示される同一または異なる単位、 ii）式： −Ｏ−Ｅ−Ｏ−Ｅ′− 〔式中、Ｅは二価フェノールの残基およびＥ′は原子価
結合に対するオルトおよびパラ位の少なくとも一つの位
置に電子吸引基を有する芳香族化合物の残基を表し、Ｅ
およびＥ′基は芳香族炭素原子を介して−Ｏ−基に結合
している。〕 で示される繰り返し単位を有する結晶性ポリアリーレン
エーテル、または iii）式： 〔式中、Ｑは−Ｏ−または−SO2−、Ｚは三価芳香族
基、Ｒは二価芳香族基およびＲ′は二価有機基を表
す。〕 で示される繰り返し単位を有するポリエーテルイミドま
たはポリスルホンイミドを含んでなる請求の範囲10記載
の電線。 - 【請求項１２】芳香族ポリマーが，式： 〔式中、ｘ、ｍおよびｎはそれぞれ０または１を表し、
ｘが１の場合、ｎは０であって、ｐは１〜４の整数を表
し、ｐは１より大きい場合、ｍは１およびｘは０であ
る。〕 〔上記単位は全てテレフタル酸もしくはイソフタル酸ま
たは両方から誘導することができる。〕 で示される繰り返し単位を有するポリマーからなる請求
項１〜11のいずれかに記載の電線。
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